Книги по разным темам

Книги (разное)

[7901-8000]

Pages:     | 1 |   ...   | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Электрические свойства кремния, термообработанного при 530C и облученного электронами й В.Б. Неймаш, В.М. Сирацкий, А.Н. Крайчинский, Е.А. Пузенко Институт физики Национальной академии наук
  2. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений в гомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия й П.А. Генцарь Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва
  3. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Спектральная миграция и особенности затухания триплетных возбуждений в стеклообразном бензофеноне й В.И. Мельник Институт физики Академии наук Украины, 252022 Киев, Украина (Поступила в Редакцию 19 декабря
  4. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Анизотропия и фазовые состояния феррит-гранатовых пленок с разориентированными поверхностями й В.И. Бутрим, С.В. Дубинко, Ю.Н. Мицай Конструкторское бюро ДДоменУ при Таврическом национальном университете
  5. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Исследование свойств Hg1-x-y-zCdxMnyZnzTe как нового материала оптоэлектроники для инфракрасного диапазона й И.Н. Горбатюк, С.Э. Остапов, С.Г. Дремлюженко, Р.А. Заплитный, И.М. Фодчук, В.В.
  6. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами й К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович Московский
  7. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Природа физических явлений в сегнеторелаксорах й В.А. Исупов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 16 августа 2002 г.)
  8. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Многократное ядерное спиновое эхо в тонких поликристаллических ферромагнитных пленках й В.О. Голуб, В.В. Котов, А.Н. Погорелый Институт магнетизма Академии наук Украины, 252142 Киев, Украина (Поступила в
  9. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Гистерезис тока в магнитных туннельных переходах й А.М. Баранов, Ю.В. Гуляев, П.Е. Зильберман, А.И. Крикунов, В.В. Кудрявцев, Ю.Ф. Огрин, В.П. Склизкова, Н.Д. Степина, Л.А. Фейгин, К. Хайде, А.И. Чмиль, Р.
  10. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Электронный спектр и устойчивость насыщенного ферромагнитного состояния в модели Хаббарда с сильными корреляциями й А.В. Зарубин, В.Ю. Ирхин Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии
  11. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ й А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук Физико-технический институт им.
  12. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Изучение условий возникновения дальнего порядка в неупорядоченных релаксорах разного типа й Л.С. Камзина, Е.В. Снеткова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  13. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Кинетические коэффициенты n-Bi2Te2.7Se0.3 в двузонной модели электронного спектра й П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, М.И. Федоров, Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич , Ж В.В. Компаниец , В.А.
  14. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии й В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, А.В. Гук, Г.Б. Галиев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко
  15. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Магнитооптические свойства многослойных пленок Fe/Pd й Е.А. Ганьшина, А.А. Богородицкий, Р.Ю. Кумаритова, В.В. Бибикова, Г.В. Смирницкая, Н.И. Цидаева Московский государственный университет им. М.В.
  16. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Магнитные свойства отвержденных ферроколлоидов й А.Ф. Пшеничников, В.В. Мехоношин Институт механики сплошных сред Уральского отделения Российской академии наук, 614013 Пермь, Россия (Поступила в Редакцию 7
  17. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Исследование комплекса VGaTeAs в n-GaAs с помощью поляризованной фотолюминесценции в диапазоне температур 77Ц230 K й А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  18. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металЦдиэлектрик й С.И. Будзуляк, Е.Ф. Венгер, Ю.П. Доценко, В.Н. Ермаков, В.В. Коломоец, В.Ф.
  19. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Подвижность носителей заряда в двухслойных структурах PbTe / PbS й О.А. Александрова, Р.Ц. Бондоков, И.В. Саунин, Ю.М. Таиров Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,
  20. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Кристаллическое поле на примесных центрах в ионных кристаллах й О.А. Аникеенок Казанский государственный университет, 420008 Казань, Россия E-mail: anikeenok@rambler.ru (Поступила в Редакцию в окончательном
  21. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Механизм высокой радиационной стойкости электрических параметров тонких пленок SmS й Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  22. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Спектры микрофотолюминесценции теллурида кадмия, полученного в неравновесных условиях й В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва,
  23. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Подавление доменной структуры в одноосных ферромагнитных пленках со сверхпроводящим покрытием й Ю.И. Беспятых, В. Василевский, Э.Г. Локк, В.Д. Харитонов Институт радиотехники и электроники Российской академии
  24. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si : Er : O-светодиодных структур, работающих в режиме пробоя p-n-перехода й Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев
  25. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Формирование тетраэдрически плотноупакованных структур в нанокристаллических пленках TbЦFe и CoЦPd й Л.И. Квеглис, С.М. Жарков, Г.В. Бондаренко, В.Ю. Яковчук, Е.П. Попёл Институт физики им. Л.В. Киренского
  26. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Структура и свойства напыленных пленок железо-иттриевого граната й В.Ф. Шкарь, Е.И. Николаев, В.Н. Саяпин, А.И. Линник, В.П. Денисенков , А.М. Гришин , С.И. Харцев Донецкий физико-технический институт
  27. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в подрешетки А и В арсенида галлия + й И.А. Бобровникова , М.Д. Вилисова , И.В. Ивонин , Л.Г. Лаврентьева , В.В. Преображенский
  28. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 6 Автоколебания упорядоченной магнитной структуры й С.К. Годовиков, В.П. Петухов, Ю.Д. Перфильев, А.И. Фиров Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В.
  29. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Оптическая бистабильность и неустойчивость в полупроводнике при температурной зависимости времени релаксации свободных носителей заряда и их равновесной концентрации й О.С. Бондаренко, Т.М.
  30. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Вычисление магнитной восприимчивости двумерной двухрешеточной модели Хаббарда в приближении статических флуктуаций й Г.И. Миронов Марийский государственный педагогический институт, 424002 Йошкар-Ола, Россия
  31. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Упорядочение протонов и спонтанная поляризация в смешанных кристаллах KDP-ADP й Л.Н. Коротков Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия E-mail: l korotkov@mail.ru
  32. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах й Е.И. Голант, А.Б. Пашковский Научно-исследовательский институт ФИстокФ,
  33. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Гистерезисный гальвано-механический эффект при процессах заряда-разряда ионисторных структур й М.Е. Компан, В.П. Кузнецов , В.В. Розанов , А.В. Якубович Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  34. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Междолинное перераспределение электронов при низких температурах и магнитодиодный эффект й А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый Московский государственный институт электронной техники (Технический
  35. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN й А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, В.В.
  36. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Димерное состояние в двумерной анизотропной модели Гейзенберга с альтернированными обменами й С.С. Аплеснин Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск,
  37. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 6 Фотоиндуцированное изменение динамического магнитоупругого взаимодействия в иттриевом феррите-гранате й Р.А. Дорошенко, С.В. Серегин Институт физики молекул и кристаллов Российской академии наук, 450065 Уфа,
  38. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Электрические и термоэлектрические свойства p-Ag2Te в -фазе й Ф.Ф. Алиев Институт физики Национальной академии наук Азербайджанской Республики, 370143 Баку, Азербайджан (Получена 2 декабря 2002
  39. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 К объяснению случаев нарушения правила Фриделя в электронограммах некоторых металлических сплавов.Металлический сегнетоэлектрик й Э.В. Бурсиан, А.И. Зайцев Российский государственный педагогический
  40. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC й А.А. Ледебев, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  41. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Спиновой фильтр на квантовом точечном контакте в разбавленном магнитном полупроводнике й С.А. Игнатенко , В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
  42. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Влияние немонотонного профиля потенциала на краевые магнитные состояния й Е.Б. Горохов, Д.А. Романов, С.А. Студеникин, В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко Институт физики полупроводников Сибирского
  43. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Электрические свойства наноконтактов металЦполупроводник й Н.В. Востоков , В.И. Шашкин Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия (Получена 7 июля
  44. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Необычные электромеханические эффекты в глицине й В.В. Леманов, С.Н. Попов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 2 февраля
  45. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Обобщенная многослоевая модель для количественного анализа электромодуляционных компонент спектров электроотражения и фотоотражения полупроводников в области фундаментального перехода E0 й Р.
  46. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Скорость излучательной рекомбинации в квантово-размерных структурах в модели без правила отбора й А.А. Афоненко, В.К. Кононенко, И.С. Манак, В.А. Шевцов Белорусский государственный университет,
  47. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Диэлектрические спектры неупорядоченных сегнетоактивных систем:поликристаллы и композиты й А.В. Турик,, Г.С. Радченко, А.И. Чернобабов, С.А. Турик, В.В. Супрунов Ростовский государственный университет,
  48. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Локализация нелинейных волн между интерфейсами й И.В. Герасимчук, А.С. Ковалев Институт теоретической физики, Национальный научный центр ДХарьковский физико-технический институтУ, 61108 Харьков, Украина
  49. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Смещение Штарка состояний дырок одиночных квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках (100) и (311)A GaAs й М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких
  50. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Скачки Баркгаузена при движении одиночной сегнетоэлектрической доменной стенки й В.Я. Шур, В.Л. Кожевников, Д.В. Пелегов, Е.В. Николаева, Е.И. Шишкин Институт физики и прикладной математики Уральского
  51. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs при обработке в водородной плазме й И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов Нижегородский
  52. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Исследования эффекта Штарка вертикально сопряженных квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs й М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов Физико-технический институт
  53. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Акустические свойства кристаллов бетаина фосфита в области фазовых переходов й Е.В. Балашова, В.В. Леманов, И. Альберс, А. Клепперпипер Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  54. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Влияние электронно-электронных и электронно-дырочных столкновений на внутризонную инверсную населенность электронов в ступенчатых квантовых ямах й В.Л. Зерова , Г.Г. Зегря , Л.Е. Воробьев
  55. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Экситонные поляритоны и их одномерная локализация в неупорядоченных структурах с квантовыми ямами й В.А. Кособукин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  56. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки й В.В. Ивановская, Г. Зейферт , А.Л. Ивановский Институт химии твердого тела Уральского отделения
  57. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Локализованные состояния вблизи запрещенной зоны GaAs, обусловленные тетраэдрическими мышьяковыми кластерами й С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
  58. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 О коэффициенте Нернста бинарных композитов в слабом магнитном поле й Б.Я. Балагуров Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля Российской академии наук, 119991 Москва, Россия (Получена 9
  59. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Энергия связи кулоновских акцепторов в системах квантовых ям й В.И. Белявский, М.В. Гольдфарб, Ю.В. Копаев Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия
  60. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Селективное усреднение ЭПР переходов высокоспинового центра вблизи их случайного совпадения й В.А. Важенин, В.Б. Гусева, М.Ю. Артемов Научно-исследовательский институт физики и прикладной математики при
  61. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Расчет вольт-амперных характеристик симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур на основе арсенида галлия с учетом процессов разрушения когерентности электронных волн в квантовой
  62. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Теория нестехиометрического упорядочения Pb-содержащих релаксоров со структурой перовскита й А.Ю. Гуфан Научно-исследовательский институт физики Ростовского государственного университета, 344090
  63. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Влияние условий отжига на испарение дефектных областей в структурах с квантовыми точками InGaAs в матрице GaAs й Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, Н.В. Крыжановская,
  64. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Электронная локализация в проводящих пленках ЛенгмюраЦБлоджетт й Л.А. Галчёнков, С.Н. Иванов, И.И. Пятайкин Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия E-mail:
  65. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Циркулярно поляризованная фотолюминесценция, связанная с A(+)-центрами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs й П.В. Петров, Ю.Л. Иванов, К.С. Романов, А.А. Тонких, Н.С. Аверкиев Физико-технический
  66. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Влияние электронного облучения на оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния й А.Г. Казанский , П.А. Форш, К.Ю. Хабарова, М.В. Чукичев Московский
  67. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками й Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Е.Р. Линькова, В.Я. Алешкин, И.А. КарповичЖ, Д.О. ФилатовЖ Научно-исследовательский
  68. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Слабополевое магнитосопротивление двумерных электронов в гетероструктурах In0.53Ga0.47As / InP в режиме замороженной фотопроводимости й Д.Д. Быканов, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г.
  69. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Экситонные состояния в полупроводниковых сферических наноструктурах й С.И. Покутний Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, 68001 Ильичевск,
  70. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием плазмон-фононных мод й А.В. Федоров , А.В. Баранов Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, 199034 Санкт-Петербург,
  71. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 О роли поверхностной диффузии адатомов при формировании нанометровых нитевидных кристаллов Ж v Жv й В.Г. Дубровский , Н.В. Сибирев , Р.А. Сурис , Г.Э. Цырлин , Ж З З В.М. Устинов , M.
  72. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Оптические и структурные свойства твердых растворов InGaAsP, полученных способом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs(001) в области несмешиваемости й Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, В.А.
  73. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Лазеры на квантовых точках: основные компоненты пороговой плотности тока й С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, В.И. Копчатов, А.М. Георгиевский, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, Н.Н.
  74. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Высокочастотный нелинейный отклик двухъямных наноструктур й В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев Московский инженерно-физический институт (государственный университет), 115409 Москва, Россия (Получена 2
  75. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Об адсорбции бария и редкоземельных металлов на кремнии й С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  76. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Механизм спиновой релаксации ДьяконоваЦПереля при частых электрон-электронных столкновениях в квантовой яме конечной ширины й М.М. Глазов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  77. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Энергетический спектр неидеальной квантовой ямы в электрическом поле й О.Л. Лазаренкова, А.Н. Пихтин Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург,
  78. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Аккумуляция основных носителей заряда в слоях GaAs, содержащих наноразмерные кластеры мышьяка й П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, А.В. Черниговский, А.А. Суворова, Н.А. Берт, С.Г. Конников, В.В.
  79. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Эффект Фкулоновской ямыФ в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs й А.В. Кавокин, С.И. Кохановский, А.И. Несвижский, М.Э. Сасин, Р.П. Сейсян, В.М.
  80. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Спектры двухфотонно-возбуждаемой люминесценции в нанокристаллах алмаза й С.Н. Миков, А.В. Иго, В.С. Горелик Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия Физический институт им. П.Н.
  81. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Атомно-силовая микроскопия поляризационных доменов в сегнетоэлектрических пленках й А.В. Анкудинов, А.Н. Титков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  82. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл й Л. Делимова, И. Грехов, Д. Машовец, С. Шин , Ю.-М. Коо , С.-П. Ким , Я. Парк Физико-технический
  83. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Поляризация оптического излучения поляронного экситона в анизотропных квантовых точках й А.Ю. Маслов, О.В. Прошина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  84. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Свойства электронного спектра в двухъямной закрытой сферической квантовой точке и его эволюция при изменении толщины внешней ямы й Н.В. Ткач, Ю.А. Сети Черновицкий национальный университет,
  85. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Зернограничная диффузия в нанокристаллах при зависящем от времени коэффициенте диффузии й А.А. Назаров Институт проблем сверхпластичности металлов Российской академии наук, 450001 Уфа, Россия E-mail:
  86. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Зависимость энергии активации A(+)-центров от ширины квантовых ям в структурах GaAs/AlGaAs й Ю.Л. Иванов, П.В. Петров, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов Физико-технический институт им. А.Ф.
  87. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 6 О возможном спин-пайерлсовском переходе в кристаллической фазе металломезогена железа й Н.Е. Домрачева, И.В. Овчинников Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия
  88. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной области на характеристики инжекционных лазеров й А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.Ф.
  89. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Диагностика функции распределения горячих дырок в квантовых ямах в сильных электрических полях й В.Я. Алешкин, Д.М. Гапонова, В.И. Гавриленко, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин, Б.Н. Звонков, Е.А.
  90. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Морфология и оптические спектры микрокристаллов иодатов металлов в пористых матрицах й В.Ф. Агекян, И. Акаи , Т. Карасава Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского
  91. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Магнетопоглощение света в размерно-ограниченных системах в поле резонансного лазерного излучения й Э.П. Синявский, Е.И. Брусенская Институт прикладной физики Академии наук Молдавии, MD-2028 Кишинев,
  92. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Миллиметровый/субмиллиметровый смеситель на основе разогрева двумерного электронного газа в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с фононным каналом охлаждения й Д.В. Морозов, К.В. Смирнов, А.В. Смирнов
  93. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами й С.И. Борисенко Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050
  94. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Диэлектрические свойства тонких пленок титаната свинца на подложке из поликора й А.С. Сидоркин, Л.П. Нестеренко, Г.Л. Смирнов, А.Л. Смирнов, С.В. Рябцев Воронежский государственный университет, 394062
  95. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 6 Электронная структура графитовых нанотрубок й С.М. Дунаевский, М.Н. Розова, Н.А. Кленкова Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук, 188350 Гатчина, Ленинградская
  96. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Мощное дальнее инфракрасное излучение горячих дырок напряженной двумерной структуры InGaAs / AlGaAs й Ю.Л. Иванов, С.А. Морозов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  97. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников й И.П. Корнева, Н.Я. Синявский, M. Ostafin, B. Nogaj Балтийская государственная академия, 236019 Калининград, Россия A.
  98. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Квантово-размерный эффект Штарка в квазинульмерных полупроводниковых структурах й С.И. Покутний Ильичевский учебно-научный центр Одесского государственного университета им. И.И. Мечникова,
  99. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Температурная зависимость резонансов выхода атомов Eu при электронно-стимулированной десорбции с окисленного вольфрама й В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  100. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Влияние продольного магнитного поля на межподзонные переходы электронов в асимметричных гетероструктурах й Ф.Т. Васько, Г.Я. Кис Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,

Pages:     | 1 |   ...   | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам