Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[7801-7900]

Pages:     | 1 |   ...   | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 О взаимном увлечении электронов и фононов и о низкотемпературных аномалиях термоэлектрических и термомагнитных эффектов в кристаллах HgSe : Fe й И.Г. Кулеев, И.Ю. Арапова Институт физики
  2. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Зависимость резонансной проводимости симметричных двухбарьерных структур от амплитуды высокочастотного поля й Е.И. Голант, А.Б. Пашковский Научно-исследовательский институт ФИстокФ, 141120 Фрязино,
  3. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Синтез и исследование железо-фуллереновых кластеров й Н.В. Булина, Э.А. Петраковская, А.В. Марачевский, И.С. Литяева, И.В. Осипова, Г.А. Глущенко, W. Krtschmer, Г.Н. Чурилов Институт физики им. Л.В.
  4. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Процессы роста неупорядоченных полупроводников с позиций теории самоорганизации й С.П. Вихров, Н.В. Бодягин, Т.Г. Ларина, С.М. Мурсалов Рязанская государственная радиотехническая академия,
  5. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Энергия ионизации меди в кристаллах Hg0.8Cd0.2Te при слабом и промежуточном легировании й В.В. Богобоящий Кременчугский государственный политехнический институт, 39614 Кременчуг, Украина
  6. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 5 Определение пористости синтетических опалов и пористого кремния рентгеновским методом й В.В. Ратников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  7. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Исследование пористого кремния и его старения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и инфракрасной спектроскопии й Л.А. Балагуров, В.Ф. Павлов, Е.А. Петрова, Г.П. Боронина
  8. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Структура гетерограниц и фотолюминесцентные свойства GaAs / AlAs-сверхрешеток, выращенных на (311)Aи (311)B-ориентированных поверхностях: сравнительный анализ й Г.А. Любас, Н.Н. Леденцов, Д.
  9. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si : H (B) й Н.Н. Ормонт, И.А. Курова, Г.В. Прокофьев Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (Физический
  10. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Расчет уровней 2p-состояний термодоноров в кремнии й Л.Ф. Макаренко Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия (Получена 11 мая 1996 г. Принята к печати 28 января 1997 г.)
  11. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 6 Низкотемпературное пироэлектричество (Обзор) й В.К. Новик, Н.Д. Гаврилова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия E-mail: novikmp@orc.ru (Поступил в Редакцию 14
  12. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Нелинейное оптическое поглощение в сильно легированном вырожденном n-GaAs й В.Л. Малевич, И.А. Уткин Отдел оптических проблем информатики Национальной академии наук Белоруссии, 220141 Минск,
  13. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Вклад внутренних и поверхностных состояний носителей заряда в спектры излучения квантовых точек CdS в боросиликатном стекле й Н.В. Бондарь, М.С. Бродин, Г.М. Тельбиз Институт физики
  14. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8 Рамановская и инфракрасная спектроскопии нанокристаллов GaN, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на оксидированном кремнии + й В.Н. Бессолов , Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, В.А. Федирко ,
  15. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Зависимость длины волны излучения квантовых ям InGaAsN от состава четверного соединения й А.Е. Жуков , А.Р. Ковш, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, L. Wei , J.-S. Wang , J.Y. Chi
  16. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si й А.А. Шерченков , Б.Г. Будагян, А.В. Мазуров Московский государственный институт электронной техники (Технический университет),
  17. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Проводимость, стимулированная осцилляциями температуры в распавшихся твердых растворах сульфида и теллурида кадмия й А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин Санкт-Петербургский технологический
  18. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома й Н.Г. Галкин, А.В. Конченко, А.М. Маслов Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения
  19. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Двумерный p-n-переход в равновесии й А.Ш. Ачоян, А.Э. Есаян, Э.М. Казарян, С.Г. Петросян Ереванский государственный университет, 375049 Ереван, Армения (Получена 11 апреля 2001 г. Принята к
  20. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Экситонная фотолюминесценция структур с кремниевыми квантовыми ямами й А.В. Саченко, Д.В. Корбутяк, Ю.В. Крюченко, И.М. Купчак Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной
  21. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Исследование анизотропии пространственного распределения квантовых точек In(Ga)As в многослойных гетероструктурах In(Ga)As/GaAs методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной
  22. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Исследование углеродной структуры композитных пленок a-C : H Cu и a-C : H Co методом рамановской спектроскопии й Э.А. Сморгонская, В.И. Иванов-Омский Физико-технический институт им. А.Ф.
  23. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Расчет подвижности и термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами й Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  24. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие в области 34 мкм й Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В.
  25. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Управление электрическим полем эффектами пространственной повторяемости и мультипликации электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах й В.А. Петров, А.В. Никитин Институт
  26. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Оптические свойства монослоев германия на кремнии й Т.М. Бурбаев, Т.Н. Заварицкая, В.А. Курбатов, Н.Н. Мельник, В.А. Цветков, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров Физический институт им.
  27. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Влияние эрбия и кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия и состав пленок a-SiOx : H Er,O , полученных магнетронным распылением на постоянном токе й Ю.К. Ундалов , Е.И. Теруков, О.Б.
  28. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Термостабильность эпитаксиальных слоев GaN c разной степенью упорядоченности мозаичной структуры й Г.В. Бенеманская, А.И. Бесюлькин, М.С. Дунаевский, А.К. Крыжановский, Н.М. Шмидт Физико-технический
  29. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Нелинейный отклик и нелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода в широком интервале частот й В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.И. Подливаев Московский государственный
  30. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Стационарные люкс-амперные характеристики компенсированных кристаллов при произвольном уровне возбуждения й А.А. Лебедев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  31. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Аномалии дробного квантового эффекта Холла в широкой баллистической проволоке ,+,й З.Д. Квон , Е.Б. Ольшанецкий, А.Е. Плотников, А.И. Торопов, Ж.К. Порталь Институт физики полупроводников
  32. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Низкотемпературные материалы и тонкопленочные транзисторы для электроники на гибких подложках й А. Сазонов,, М. Мейтин,+, Д. Стряхилев, A. Nathan Electrical and Computer Engineering
  33. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Эволюция статической отрицательной дифференциальной проводимости в Ga1-xAlxAs в зависимости от величины поперечного магнитного поля и от состава твердого раствора й Г.Э. Дзамукашвили, З.С.
  34. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Особенности электропроводности параболической квантовой ямы в магнитном поле й Э.П. Синявский , Р.А. Хамидуллин Институт прикладной физики академии наук Молдовы, 277028 Кишинев, Молдова
  35. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Модификация диоксида кремния электронным пучком й Л.А. Бакалейников, М.В. Заморянская, Е.В. Колесникова, В.И. Соколов, Е.Ю. Флегонтова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  36. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Хаотические акустоэлектрические колебания тока в пьезополупроводниках й И.К. Камилов, В.З. Жохов Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия E-mail:
  37. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Проявление A(+) центров в люминесценции двумерных структур GaAs / AlGaAs й Ю.Л. Иванов, Н.В. Агринская, П.В. Петров, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  38. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Природа центров Ec - 0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si n-типа проводимости й О.В. Наумова, Л.С. Смирнов, В.Ф. Стась Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской
  39. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 О применимости эмпирического соотношения Варшни для температурной зависимости ширины запрещенной зоны й И.А. Вайнштейн, А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов Уральский государственный технический университет, 620002
  40. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Особенности анизотропных оптикотермоэлементов й А.А. Ащеулов, И.В. Гуцул Институт термоэлектричества Национальной академии наук Украины, 58002 Черновцы, Украина Черновицкий национальный
  41. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Одномерный фотонный кристалл, полученный с помощью вертикального анизотропного травления кремния й В.А. Толмачев , Л.С. Границына, Е.Н. Власова , Б.З. Волчек , А.В. Нащекин, А.Д. Ременюк,
  42. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Особенности электронных переходов в почти ферромагнитных полупроводниках (на примере FeSi) й К.А. Шумихина, А.Г. Волков, А.А. Повзнер Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург,
  43. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Исследование процесса формирования кислородных преципитатов в кремнии й И.В. Антонова, А. Мисюк, В.П. Попов, С.С. Шаймеев Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии
  44. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs (001) эпитаксией из молекулярных пучков й В.И. Козловский, В.Г. Литвинов, Ю.Г. Садофьев Физический институт
  45. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Об анизотропном магнитном тушении позитрониевых состояний в ориентированных кристаллах й И.В. Бондарев Научно-исследовательский институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, 220050
  46. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Изотермы теплопроводности в твердых растворах PbTeЦMnTe й Е.И. Рогачева, И.М. Кривулькин Харьковский государственный политехнический университет, 61002 Харьков, Украина E-mail: rogacheva@kpi.kharkov.ua
  47. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Тонкие золь-гель пленки силиката висмута й Е.О. Клебанский, А.Ю. Кудзин, В.М. Пасальский, С.Н. Пляка, Л.Я. Садовская, Г.Х. Соколянский Днепропетровский государственный университет, 320625 Днепропетровск,
  48. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Нестационарный фотоэффект в высокоомных чистых сильно смещенных структурах металЦполупроводник и металЦдиэлектрикЦполупроводник й Б.И. Резников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  49. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb й Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов, Н.Г. Тараканова
  50. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2 й Г.А. Качурин , С.Г. Яновская, M.-O. Ruault , А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov , H.
  51. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода й А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев, К.С. Ладутенко, А.Н. Титков,
  52. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Размножение электронных возбуждений в кристаллах AgCl й Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, Б.А. Сечкарев, Е.В. Тупицин, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия
  53. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Вторичные ферроидные свойства частичных смешанных сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков й С.В. Акимов, В.М. Дуда, Е.Ф. Дудник, А.И. Кушнерев, А.Н. Томчаков Научно-внедренческий центр нетрадиционных технологий
  54. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe й А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, Е.Е. Онищенко, А.В. Клоков, В.С. Багаев, А.В. Цикунов, А.В. Пересторонин, М.В. Якимов Физический
  55. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 6 Рассеяние света электронами в области экситонного поглощения GaAs й С.О. Когновицкий, В.В. Травников, Я. Аавиксоо, И. Рейманд Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021
  56. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Свойства аморфных пленок халькогенидов мышьяка, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов й С.А. Козюхин , А.Р. Файрушин , Э.Н. Воронков Институт общей и
  57. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Максвелл-вагнеровская релаксация упругих констант в слоистых полярных диэлектриках й А.В. Турик, Г.С. Радченко Ростовский государственный университет, 344007 Ростов-на-Дону, Россия E-mail: turik@phys.rsu.ru
  58. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Преобразование центров красной и инфракрасной люминесценции при электронном облучении и отжиге монокристаллов CdS и CdS : Cu й Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, А.А. Федонюк Волынский
  59. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Исследование спектра ИК-фотоионизации электронных состояний, создаваемых при пластической деформации, в окрашенных кристаллах NaCl й Е.В. Коровкин Институт физики твердого тела Российской академии наук,
  60. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Структурообразование в кристаллизующихся сегнетоэлектрических полимерах й В.В. Кочервинский, С.Н. Сульянов Государственный научный центр ДТроицкий институт инновационных и термоядерных исследованийУ,
  61. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Акцепторы в Cd1-xMnxTe (x < 0.1) й А.И. Власенко, В.Н. Бабенцов, З.К. Власенко, С.В. Свечников, И.М. Раренко, З.И. Захарук, Е.С. Никонюк, В.Л. Шляховый Институт физики полупроводников Национальной
  62. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров й С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А.
  63. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Образование ядерного спинового полярона при оптической ориентации в полупроводниках типа GaAs й И.А. Меркулов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  64. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Модель идеальной релаксации термоупругих напряжений при выращивании монокристаллов й Ш.Х. Ханнанов, С.П. Никаноров , С.И. Бахолдин Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра Российской
  65. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Кинетическая трактовка структурно-временного критерия разрушения й П.А. Глебовский, Ю.В. Петров Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия E-mail:
  66. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Низкотемпературная пластичность и динамика решетки твердого параводорода с изотопической примесью й Л.А. Алексеева, Е.С. Сыркин, Л.А. Ващенко Физико-технический институт низких температур Национальной
  67. ООООООООООНТИ ГИРЕДМЕТ, 1962).[7801-7900] А.Я. Потемкин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 8, (1972).[7801-7900] И.Т. Баграев, Л.С. Власенко, В.М. Волле и др. ЖТФ, 54, 917 (1984).[7801-7900] В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М.,
  68. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Описание пластических эффектов при молекулярно-динамическом моделировании откольного разрушения й А.М. Кривцов Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  70. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Особенности неупругого рассеяния нейтронов на TA фононах в сильно легированном арсениде галлия й С.А. Борисов, С.Б. Вахрушев, А.А. Набережнов, Н.М. Окунева Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  71. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Транспорт носителей заряда в отожженных крупно- и мелкозернистых поликристаллах CdTe й Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, А.Ф. Плотников Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
  72. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Оптическая спектроскопия экситонных состояний в диарсениде цинка й А.В. Мудрый, В.М. Трухан, А.И. Патук, И.А. Шакин, С.Ф. Маренкин Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук
  73. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Микрофотолюминесценция нелегированного монокристаллического теллурида цинка, полученного неравновесными парофазными методами й В.В. Ушаков , Ю.В. Клевков Физический институт им. П.Н. Лебедева
  74. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Ударно-ионизационные автосолитоны в компенсированном кремнии й А.М. Мусаев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия (Получена 27 ноября
  75. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Возбуждение собственных дефектов в ионных кристаллах мощными оптическими и электронными пучками й В.И. Барышников, Т.А. Колесникова Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском
  76. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Формирование и эволюция гигантских динамических доменов в гармоническом магнитном поле й М.В. Логунов, М.В. Герасимов Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, 430000 Саранск, Россия E-mail:
  77. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 О структуре валентной зоны в халькопиритных пленках Cu(In,Ga)Se2 й А.С. Киндяк, В.В. Киндяк, Ю.В. Рудь Институт физики твердого тела и полупроводников Берорусской академии наук, 220072 Минск,
  78. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных Eu и дополнительно введенной примесью Zn й В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Ю.В. Кожанова , С.Н. Родин
  79. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Точная самокомпенсация проводимости в кристалле Cd0.95Zn0.05Te : Cl в широком интервале давлений пара Cd й О.А. Матвеев , А.И. Терентьев, Н.К. Зеленина, В.Н. Гуськов , В.Е. Седов, А.А.
  80. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Исследование внутреннего трения и эффективного модуля сдвига монокристаллического кремния на начальных стадиях преципитации кислорода й В.В. Моцкин, А.В. Олейнич-Лысюк , Н.Д. Раранский, И.М.
  81. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры й Н.М. Шмидт, М.Е. Левинштейн , В.В. Лундин, А.И. Бесюлькин, П.С. Копьев, S.L.
  82. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 9 Исследование особенностей гальваномагнитных явлений в слоях n-CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии й В.С. Варавин , А.Ф. Кравченко , Ю.Г. Сидоров Институт физики
  83. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Электронная структура комплекса ErЦO6 в кремнии й Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 4 января 1997 г.
  84. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Особенности магнитооптического поглощения молекулярного кристалла в экситонной области частот й А.В. Деревянчук, К.Ю. Зенкова, В.М. Крамар, Б.М. Ницович Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы,
  85. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Элементарные полосы голубого свечения нелегированных пленок нитрида галлия й А.Н. Грузинцев , А.Н. Редькин, В.И. Таций, C. Barthou , P. Benalloul Институт проблем технологии микроэлектроники
  86. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Оптические свойства кристаллов ZnGeP2 в ультрафиолетовой области й Ю.М. Басалаев , А.Б. Гордиенко, А.С. Поплавной Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия (Получена 20
  87. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах PbTeЦMnTe й Е.И. Рогачева, И.М. Кривулькин Национальный технический университет ДХарьковский
  88. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Аномалии процессов поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках й В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 119333 Москва,
  89. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Гамма- и электронно-лучевое модифицирование цинкосульфидных люминофоров , + й М.М. Сычев , Е.В. Комаров, Л.В. Григорьев , С.В. Мякин , + И.В. Васильева , А.И. Кузнецов, В.П. УсачеваЖ,
  90. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Физические свойства монокристаллов твердых растворов CuxAg1-xIn5S8 и поверхностно-барьерных структур на их основе й И.В. Боднарь, Е.А. Кудрицкая, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь Белорусский
  91. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Неустойчивость дрейфовых волн в двухкомпонентной твердотельной плазме й А.А. Булгаков, О.В. Шрамкова Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, 61085 Харьков,
  92. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Определение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния по релаксации фотопроводимости, измеренной на сверхвысоких частотах й П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токарев
  93. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Новый тип поверхностных спиновых волн в магнитоэлектрическом кристалле й С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина (Поступила в Редакцию 9 февраля
  94. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Гашение атомами меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в арсениде галлия й Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
  95. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Электрон-плазмонное взаимодействие в легированных акцепторной примесью кристаллах висмута й Н.П. Степанов, В.М. Грабов Забайкальский государственный педагогический университет им. Н.Г.
  96. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Оптическое отражение в Pb0.78Sn0.22Te, легированном 3 at% индия й А.Н. Вейс, С.А. Немов Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 19
  97. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Проводимость твердых растворов Pb1-xSnxTe(In) в переменном электрическом поле й А.Е. Кожанов, А.В. Никорич, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов Московский государственный университет им. М.В.
  98. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Электрический пробой твердых диэлектриков й Г.А. Воробьев, С.Г. Еханин, Н.С. Несмелов Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 634050 Томск, Россия E-mail:
  99. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной эпитаксией й А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  100. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия с наноразмерными кластерами As-Sb й П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Берт, С.Г. Конников, В.В.

Pages:     | 1 |   ...   | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам