Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[8001-8100]

Pages:     | 1 |   ...   | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона й В.В. Шерстнев , А.М. Монахов, А.П. Астахова, А.Ю. Кислякова, Ю.П. Яковлев, + Н.С. Аверкиев, A. Krier , G. Hill
  2. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Особенности структуры и физико-механических свойств наноструктурных тонких пленок й Д.В. Штанский, С.А. Кулинич , Е.А. Левашов, J.J. Moore Московский государственный институт стали и сплавов
  3. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции и время жизни в возбужденном состоянии ионов Er3+ в многослойных селективно легированных Si : Er-структурах й С.В. Гастев, А.М. Емельянов,
  4. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Спектрометрические свойства SiC-детекторов на основе ионно-легированных p+-n-переходов й Е.В. Калинина, В.Г. Коссов, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Р.Р. Яфаев, Г.Ф. Холуянов Физико-технический
  5. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Тепловые флуктуации в смектических-А пленках на поверхности твердых подложек й Л.В. Миранцев Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  6. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 6 Фазовый переход алмазЦграфит в кластерах ультрадисперсного алмаза й А.Е. Алексенский, М.В. Байдакова, А.Я. Вуль, В.Ю. Давыдов, Ю.А. Певцова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  7. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта на Si (100) й М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Д.А. Валдайцев, Н.С. Фараджев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  8. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры InAlAs / InGaAs / InAlAs с высокой подвижностью электронов на подложках GaAs й Е.С. Семенова , А.Е. Жуков, А.П. Васильев, С.С. Михрин,
  9. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске с квантовыми точками й Н.В. Крыжановская , С.А. Блохин, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М.
  10. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 9 Спиновый отклик двумерных электронов на латеральное электрическое поле й Л.И. Магарилл, А.В. Чаплик, М.В. Энтин Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
  11. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Структуры полупроводник-диэлектрик в фотомишенях видиконов, чувствительных в средней инфракрасной области спектра й Н.Ф. Ковтонюк , В.П. Мисник, А.В. Соколов Федеральное государственное
  12. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов й В.И. Туринов Научно-производственное предприятие ДИстокУ, 141190 Фрязино, Россия (Получена 21 августа 2003 г. Принята
  13. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Деформация твердых полимеров в постоянном магнитном поле й Н.Н. Песчанская, П.Н. Якушев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  14. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir й В.П. Афанасьев, П.В. Афанасьев, И.В. Грехов, Л.А. Делимова, С.-П. Ким, Ю.-М. Коо, Д.В. Машовец, А.В. Панкрашкин, Я.
  15. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом й М.Ф. Галяутдинов, Н.В. Курбатова, Э.Ю. Буйнова, Е.И. Штырков, А.А. Бухараев Казанский физико-технический
  16. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Образование островковых структур при осаждении слабопересыщенных паров алюминия й В.И. Перекрестов, А.В. Коропов, С.Н. Кравченко Сумский государственный университет, 40007 Сумы, Украина Сумский
  17. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 О механизме электролюминесценции в кремниевых диодах с большой концентрацией дислокаций й А.В. Саченко, Ю.В. Крюченко Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии
  18. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Влияние стационарных процессов ионизации ловушек вблизи середины запрещенной зоны на спектр термостимулированной емкости полупроводниковых приборов й С.В. Булярский, А.В. Жуков, О.С. Светухина,
  19. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Эволюция электронных состояний тонких Ca(001) пленок в сильных электростатических полях й Г.В. Вольф, Д.В. Федоров Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, 426001 Ижевск,
  20. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Лазерная генерация в гетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe при накачке излучением азотного и InGaN/GaN лазеров й И.В. Седова, С.В. Сорокин, А.А. Торопов, В.А. Кайгородов, С.В. Иванов, П.С. Копьев,
  21. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению й В.В. Филиппов, В.П. Бондаренко, П.П. Першукевич Институт физики Академии наук
  22. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Электронное строение углеродных нанотрубок, модифицированных атомами щелочных металлов й И.В. Запороцкова, Н.Г. Лебедев, Л.А. Чернозатонский Волгоградский государственный университет, 400062 Волгоград,
  23. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика й М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, А.Ф. Шулекин, И.В. Грехов Физико-технический
  24. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Комбинированная модель резонансно-туннельного диода й И.И. Абрамов , И.А. Гончаренко, Н.В. Коломейцева Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск,
  25. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 6 О фрактальном характере структуры нанопористого углерода, полученного из карбидных материалов й Э.А. Сморгонская, Р.Н. Кютт, С.К. Гордеев, А.В. Гречинская, Ю.А. Кукушкина, А.М. Данишевский
  26. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда в пленках поликристаллического синтетического алмаза и аморфного алмазоподобного углерода й Ю.В. Плесков, А.Р. Тамеев, В.П.
  27. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Связь химических свойств углеродных нанотрубок с их атомной и электронной структурами , , , , й Ф.Н. Томилин , П.В. Аврамов , А.А. Кузубов , С.Г. Овчинников , Г.Л. Пашков Институт химии и химической
  28. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Механизмы возникновения и релаксации самопроизвольной поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках й В.П. Афанасьев, И.П. Пронин, А.Л. Холкин Санкт-Петербургский государственный электротехнический
  29. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 9 Квантовые точки 2 типа в системе Ge/Si й А.В. Двуреченский , А.И. Якимов Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия (Получена 14
  30. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP й С.А. Малышев, А.Л. Чиж, Ю.Г. Василевский Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, 220090
  31. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Orientation of discotic and ferroelectric liquid crystals in macroporous silicon matrix й T.S. Perova, E.V. Astrova , S.E. Tsvetkov, A.G. Tkachenko , J.K. Vij, S. Kumar Department of Electronic &
  32. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Особенности магнитного и диэлектрического поведения мезофаз комплексов хрома (III) с азоциклическими лигандами й Н.Е. Домрачева, И.В. Овчинников, А. Туранов, Г. Латтерманн, А. Фачер Казанский
  33. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора й С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.И. Сомов, А.В. Лакалин Филиал Московского
  34. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Кватаронная модель образования фуллеренов й А.М. Асхабов Институт геологии Уральского отделения Российской академии наук, 167982 Сыктывкар, Россия E-mail: xmin@geo.komisc.ru (Поступила в Редакцию 17 мая
  35. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Поведение варизонных детекторов ионизирующих излучений при облучении -частицами й Л. Дапкус, К. Пожела, Ю. Пожела, А. Шиленас, В. Юцене, В. Ясутис Институт физики полупроводников, 2600 Вильнюс,
  36. ТермодинамическийТермодинамическийТермодинамический анализ процесса роста четверных соединений AIIIBV... 0 чение суммарного потока элементов V группы FP2 + FAs2 Thermodynamic analysis of growth приводит к уменьшению переиспаренного потока In process
  37. МодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицированиеМодифицирование свойств Hg1-xCdx Te низкоэнергетичными ионами
  39. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования в кремнии, выращенном методом Чохральского й В.П. Калинушкин, А.Н.
  40. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Низкотемпературное микроволновое магнитосопротивление слабо легированных p-Ge и сплава p-Ge1-xSix й А.И. Вейнгер , А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  41. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Корреляционные зависимости в инфракрасных спектрах металлофталоцианинов й А.В. Зиминов, С.М. Рамш, Е.И. Теруков+, И.Н. Трапезникова+, В.В. Шаманин, Т.А. Юрре Санкт-Петербургский
  42. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Проверка применимости модели моновалентного дефекта для описания свойств комплекса вакансияЦкислород в кремнии й Л.Ф. Макаренко Белорусский государственный университет, 220050 Минск,
  43. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Изменение оптических свойств проводящего полидиацетилена THD в процессе легирования й Е.Г. Гук, М.Е. Левинштейн, В.А. Марихин, Л.П. Мясникова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  44. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Об акустоэлектронном механизме кристаллографической ориентации неполного электрического пробоя й В.В. Паращук, К.И. Русаков Институт физики Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия
  45. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Молекулярный эффект при имплантации легких ионов в полупроводники й И.А. Аброян, Л.М. Никулина Государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 26 февраля 1997 г.
  46. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Особенности физического дифференцирования по коэффициенту поглощения света в спектрах вентильной фотоэдс й Л.И. Бережинский, Е.Ф. Венгер, И.Е. Матяш, А.В. Саченко, Б.К. Сердега Институт
  47. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью й Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, В.А. Буслов, С.А. Сушков Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж,
  48. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Токи, ограниченные пространственным зарядом, в синтетическом полупроводниковом алмазе й Ю.А. Детчуев, В.А. Крячков, Э.Г. Пель, Н.Г. Санжарлинский Всесоюзный научно-исследовательский институт
  49. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пленок CdSe й Ю.В. Метелева, Г.Ф. Новиков Институт проблем химической физики Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия (Получена
  50. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Электрические токи, обусловленные волнами пространственного заряда в высокоомных полупроводниках й В.В. Брыксин, М.П. Петров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  51. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах й Г.Б. Галиев, Р.М. Имамов, Б.К. Медведев, В.Г. Мокеров, Э.Х. Мухамеджанов,
  52. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Влияние давления на упругие свойства карбида кремния й С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: sergei.davydov@mail.ioffe.ru
  53. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Механизм излучательной рекомбинации в твердых растворах SiЦGe в области межзонных переходов й А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Т.М. Мельникова, Н.В. Абросимов+ Физико-технический институт им.
  54. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Аккумуляция электронов в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре и содержащих кластеры мышьяка й П.Н. Брунков, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.А. Суворова, С.Г. Конников, А.В. Черниговский, В.В.
  55. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Люминесценция экситонов из флуктуационных хвостов плотности состояний в неупорядоченных твердых растворах й А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров, А.Н. Резницкий Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской
  56. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Кинетика оптического теплового пробоя тонкой полупроводниковой пленки й Р.Д. Венгренович, Ю.В. Гудыма Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Поступила в Редакцию 21 сентября 2000 г.В
  57. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Молекулярное движение и особенности упрочнения термотропных жидкокристаллических ориентированных полимеров й Е.А. Егоров, А.В. Савицкий, В.В. Жиженков, И.А. Горшкова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  58. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Магнетизм кристаллов AIIIBV, легированных редкими землями й Н.Т. Баграев, В.В. Романов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  59. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Диэлектрические свойства соединений Cd1-xFexSe й П.В. Жуковский, Я. Партыка, П. Венгерэк, Ю. Шостак, Ю. Сидоренко, А. Родзик Люблинский технический университет, Люблин, Польша Белорусский
  60. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Термоэдс нейтронно-легированного Ge : Ga в области прыжковой проводимости й А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, И.П. Звягин, С.В. Егоров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  61. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Теплопроводность биоморфного композита SiC/Si Ч новой экокерамики канального типа й Л.С. Парфеньева, Т.С. Орлова, Н.Ф. Картенко, Н.В. Шаренкова, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов, H. Misiorek , A. Jezowski ,
  62. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Исследование тонких пленок GaN, подвергнутых кратковременному высокотемпературному отжигу й Н.И. Кацавец, G.M. Laws, I. Harrison, E.C. Larkins, T.M. Benson, T.S. ChengЖ, C.T. FoxonЖ ЗАО
  63. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Две серии полос ДдислокационнойУ фотолюминесценции в кристаллах теллурида кадмия й Н.И. Тарбаев, Г.А. Шепельский Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук
  64. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Новая полоса излучения связанных экситонов в кристаллах ZnSe и многоплазмонные оптические переходы й В.С. Вавилов, А.А. Клюканов, К.Д. Сушкевич, М.В. Чукичев, А.З. Ававдех, Р.Р. Резванов Молдавский
  65. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Косвенное взаимодействие мессбауэровских ядер й А.Р. Кессель, В.А. Попов Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Российской академии наук, 420029 Казань, Россия E-mail:
  66. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Многоплазмонные реплики полос излучения связанных экситонов в кристаллах ZnSe й А.А. Клюканов, К.Д. Сушкевич, М.В. Чукичев, А.З. Ававдех, В. Гурэу, А.В. Катаной Молдавский государственный университет,
  67. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Люминесцирующие пленки ZnS : Cu, полученные химическим методом й С.В. Свечников, Л.В. Завьялова, Н.Н. Рощина, В.Е. Родионов, В.С. Хомченко, Л.И. Бережинский, И.В. Прокопенко, П.М. Литвин, О.С.
  68. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Нелинейные и динамические свойства явлений переноса заряда в поликристаллическом кремнии при воздействии оптического излучения й К.М. Дощанов Физико-технический институт
  69. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Резонансные акцепторные состояния в одноосно-деформированных полупроводниках й М.А. Одноблюдов, А.А. Пахомов, В.М. Чистяков, И.Н. Яссиевич Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской
  70. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Специальные точки для интегралов по примитивным ячейкам периодических систем й Р.А. Эварестов, В.П. Смирнов Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия Институт точной
  71. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Влияние подсветки инфракрасным светом на спектры фототока кристаллов CdS й А.С. Батырев, Э.Д. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Б.В. Новиков, В.С. Анбушинов Калмыцкий государственный университет, 358000 Элиста,
  72. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Электрофизические свойства деформируемых нанокомпозитов й Е.З. Мейлихов Институт молекулярной физики Российского научного центра ФКурчатовский институтФ, 123182 Москва, Россия E-mail: meilikhov@imp.kiae.ru
  73. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсов й Н.А. Поклонский, Н.М. Лапчук, А.О. Коробко Белорусский государственный университет, 220030
  74. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии в вакууме й А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, М.П.
  75. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Особенности роста жидкофазных эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме й Д.А. Бауман, А.В. Гаврилин+, В.А. Иванцов=, А.М. Морозов,=, Н.И. Кузнецов,+ Институт высокопроизводительных
  76. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Кинетика амбиполярных токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках й А.А. Абдуллаев, А.Р. Алиев, И.К. Камилов Институт физики Дагестанского научного центра Российской
  77. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Новый центр рекомбинации в сильно легированном цинком арсениде галлия, полученном методом жидкофазной эпитаксии й К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.А. Якушева, И.П. Петренко Институт физики
  78. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Температурная зависимость радиационно-индуцированной проводимости кристаллов СsI при возбуждении пикосекундными пучками электронов й Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко Кемеровский
  79. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Влияние изотопического беспорядка на теплопроводность германия в области максимума й А.П. Жернов Российский научный центр ФКурчатовский институтФ, 123182 Москва, Россия Институт сверхпроводимости и физики
  80. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Нелинейное экранирование иона легирующей примеси на металлической стороне фазового перехода Мотта в полупроводниках й Н.А. Поклонский, С.А. Вырко Белорусский государственный университет, 220050 Минск,
  81. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Исследование влияния кислорода на спектры катодолюминесценции и ширину запрещенной зоны ZnSxSe1-x й Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников Московский
  82. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Влияние дефектности на электрокинетические и магнитные свойства неупорядоченного монооксида титана й А.И. Гусев, А.А. Валеева Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук,
  83. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 119 125 Особенности спектров ядерного магнитного резонанса Sn и Te в SnTe и SnTe : Mn й В.В. Слынько, Е.И. Слынько, А.Г. Хандожко, Ю.К. Выграненко Институт проблем материаловедения Национальной
  84. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Низкотемпературные особенности фотоэлектрических свойств кристаллов CdxHg1-xTe с дырочной проводимостью: влияние вымораживания дырок и упругого напряжения й С.Г. Гасан-заде, С.В. Старый, М.В.
  85. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Неаддитивная фотопроводимость и индуцированные состояния кристаллов селенида цинка й В.П. Мигаль Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского ХАИ, 61070 Харьков, Украина
  86. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Исследование наведенного одноосной деформацией линейного дихроизма в кристаллах кремния й Е.Ф. Венгер, И.Е. Матяш, Б.К. Сердега Институт физики полупроводников Национальной академии наук
  87. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Особенности поглощения и люминесценции кристаллов CsBr : EuOBr й Ю.В. Зоренко, Р.М. Турчак, И.В. Констанкевич Львовский национальный университет им. И. Франко, 79044 Львов, Украина (Поступила в Редакцию 9
  88. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Релаксация электронных возбуждений в оксиде бериллия:время-разрешенная ВУФ-спектроскопия й В.А. Пустоваров, В.Ю. Иванов, М. Кирм, А.В. Кружалов, А.В. Коротаев, Г. Циммерер Уральский государственный
  89. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Влияние добавок In на кинетические коэффициенты в твердых растворах (PbzSn1-z)0.95Ge0.05Te й С.А. Немов, В.И. Прошин, С.М. Нахмансон Санкт-Петербургский государственных технический университет,
  90. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Исследование диффузии европия в SmS й А.В. Голубков, В.А. Дидик, В.В. Каминский, Е.А. Скорятина, В.П. Усачева, Н.В. Шаренкова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  91. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Оптическое исследование резонансных состояний в GaNxAs1-x й А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.Н. Берт, С.Г. Конников, M. Hopkinson, A. Patan+, L. Eaves+
  92. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Электрические и фотоэлектрические свойства текстурированных поликристаллов CdTe й Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, С.А. Медведев, А.Ф. Плотников Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской
  93. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Характеризация макродефектов в пленках карбида кремния из данных рентгеновской топографии и комбинационного рассеяния й А.М. Данишевский, А.С. Трегубова, А.А. Лебедев Физико-технический институт
  94. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-перехода й С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин Ульяновский государственный университет, 432700
  95. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Фотолюминесценция аморфного углерода, выращенного лазерной абляцией графита й С.Г. Ястребов , В.И. Иванов-Омский, А. Рихтер Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  96. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Неустойчивость DX-подобных примесных центров в PbTe(Ga) при отжиге й Д.Е. Долженко, В.Н. Демин, И.И. Иванчик, Д.Р. Хохлов Физический факультет Московского государственного университета, 119899
  97. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Локальная деформация и структура штарковского расщепления редкоземельных ионов й М.М. Чумачкова, А.Б. Ройцин Институт физики полупроводников Академии наук Украины, 252650 Киев, Украина E-mail:
  98. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Нейтронно-наведенные эффекты в зонном кремнии, обусловленные дивакансионными кластерами с тетравакансионным ядром й П. Ермолов , Д. Карманов, А. Лефлат, В. Мананков, М. Меркин, Е. Шабалина
  99. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 К теории теплопроводности диэлектриков при учете связи с термостатом (теория и численный эксперимент) й С.О. Гладков, И.В. Гладышев Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики
  100. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Об экспериментальном определении поправок к функции распределения горячих дырок в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях й В.Н. Тулупенко Донбасская государственная

Pages:     | 1 |   ...   | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам