Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[8101-8200]

Pages:     | 1 |   ...   | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Влияние легирования гадолинием на физические свойства Hg3In2Te6 й О.Г. Грушка, П.М. Горлей, А.В. Бесценный, З.М. Грушка Черновицкий государственный университет, 58012 Черновцы, Украина
  2. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Спектрально-кинетические характеристики переходного поглощения в кристаллах фторида кальция й Е.П. Чинков, В.Ф. Штанько Томский политехнический университет, 634004 Томск, Россия (Поступила в Редакцию 12
  3. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Эффект вскипания дырок и особенности магнитосопротивления полумагнитного полупроводника Hg1-xMnxTe1-ySey й Н.К. Леринман, П.Д. Марьянчук, А.И. Пономарев, Л.Д. Сабирзянова, Н.Г. Шелушинина Институт
  4. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Электронные и структурные переходы в сплавах Pb1-xGexTe : Ga под давлением + + й Е.П. Скипетров , Е.А. Зверева, О.С. Волкова , А.В. Голубев , А.Ю. Моллаев , = Р.К. Арсланов , В.Е. Слынько
  5. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Влияние неоднородности пространственного распределения неравновесных носителей на спектры краевого излучения прямозонных полупроводников й П.Г. Лукашевич Белорусская государственная
  6. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Проводимость ионных кристаллов при облучении пикосекундными пучками электронов й Б.П. Адуев, В.Н. Швайко Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия E-mail: lira@kemsu.ru (Поступила в
  7. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Особенности интерференции поляризованных лучей вблизи изотропной точки кристалла СdS й И.В. Бровченко, В.И. Романенко, В.И. Товстенко Институт физики Академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
  8. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Излучательная рекомбинация нанокристаллов GaN при большой мощности оптического возбуждения й А.Н. Грузинцев, А.Н. Редькин, C. Barthou Институт проблем технологии микроэлектроники Российской
  9. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Сопоставление поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te при одноосном давлении и резонансном поляризованном возбуждении й А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов Физико-технический
  10. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Электронные свойства жидких материалов Tl2Te, Tl2Se, Ag2Te, Cu2Te и Cu2Se й В.М. Склярчук, Ю.А. Плевачук Львовский национальный университет им. Ивана Франко, 79044 Львов, Украина (Получена 7
  11. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Параметры вюрцитных кристаллов нитрида галлия, легированных тулием й В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова , В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  12. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdXHg1-XTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии й П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С.
  13. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Случайный потенциальный рельеф и примесная фотопроводимость компенсированного германия й Ю.П. Дружинин, Е.Г. Чиркова Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 101999
  14. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Спиновое расщепление примесных состояний доноров, связанных с X-долиной в AlAs-барьере, и пространственное распределение плотности вероятности их волновых функций й Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин
  15. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Люминесцирующие дефекты в наноструктурном диоксиде кремния й В.С. Кортов, А.Ф. Зацепин, С.В. Горбунов, А.М. Мурзакаев Уральский государственный технический университет (УПИ), 620002 Екатеринбург, Россия
  16. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Влияние рассеяния фононов на нейтральных и заряженных примесных центрах на теплопроводность решетки в PbTe: (Tl,Na) й М.К. Житинская, С.А. Немов, Ю.И. Равич Санкт-Петербургский государственный технический
  17. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Изменение структурных и электрофизических свойств нелегированных монокристаллов InAs инфракрасным лазерным облучением й С.В. Пляцко, В.П. Кладько Институт физики полупроводников Национальной
  18. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Фотолюминесценция GaN: зависимость от интенсивности возбуждения й В.Н. Бессолов, В.В. Евстропов, М.Е. Компан, М.В. Меш Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  19. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe й П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров
  20. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Теплопроводность NaCl, находящегося в хаотически расположенных каналах пористого стекла й Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, А.В. Фокин, Х. Мисиорек , Я. Муха , А. Ежовский Физико-технический институт им.
  21. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Эволюция плотности состояний в процессе фазовых превращений пленок сульфотеллуридов кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях й А.П. Беляев, В.П. Рубец, М.Ю. Нуждин
  22. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Вклад неравновесных оптических фононов в эффекты Пельтье и Зеебека в полярных полупроводниках й Ю.В. Иванов, В.К. Зайцев, М.И. Федоров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  23. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в пленках GeO2 й Е.Б. Горохов, В.А. Володин , Д.В. Марин, Д.А. Орехов, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский, В.А. Швец,
  24. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Формирование и исследование захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов й Е.В. Богданова, В.В. Козловский , Д.С. Румянцев , А.А. Волкова, А.А. Лебедев
  25. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние сверхстехиометрических компонентов на спектрально-кинетические характеристики люминесценции изовалентно легированных кристаллов ZnSe й О.В. Вакуленко, В.Н.Кравченко, В.Д. Рыжиков, В.И.
  26. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Структурная модификация синтетических опалов в процессе их термообработки й Э.Н. Самаров, А.Д. Мокрушин, В.М. Масалов, Г.Е. Абросимова, Г.А. Емельченко Институт физики твердого тела Российской академии
  27. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Модель электрической изоляции GaN и ZnO при бомбардировке легкими ионами й А.И. Титов , П.А. Карасев, С.О. Кучеев Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251
  28. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах й Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, В.И. Иванов-Омский, М.П. Михайлова, М.Ю. Михайлов, К.Д. Моисеев В.А.
  29. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 7 Движущиеся околощелевые солитоны в нелинейной оптической среде й А.С. Ковалев, О.В. Усатенко, А.В. Горбач Физико-технический институт низких температур, 310164 Харьков, Украина Харьковский национальный
  30. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Электронная структура и спектральные характеристики клатратов Si46 и Na8Si46 й С.И. Курганский , Н.А. Борщ, Н.С. Переславцева Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
  31. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки ЛенгмюраЦБлоджетт й Е.А. Багаев, К.С. Журавлев, Л.Л. Свешникова Институт физики полупроводников
  32. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Слабая локализация в квантовых ямах p-типа й Н.С. Аверкиев, Л.Е. Голуб, Г.Е. Пикус Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 16
  33. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Резонансное комбинационное рассеяние света в наноостровках Ge, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоем SiO2 й В.А. Володин , М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов,
  34. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияния глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах й Н.И. Кузнецов, J.A Edmond Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Cree
  35. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Влияние структурных особенностей на теплопроводность поликристаллических алмазных пленок й А.Н. Образцов, И.Ю. Павловский, Х. Окуши, Х. Ватанабе Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,
  36. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Оптические и электрические свойства4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий й Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, + Ж # А.О.
  37. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с кремниевыми нанокристаллами й Д.М. Жигунов, О.А. Шалыгина, С.А. Тетеруков, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, M. Zacharias Московский
  38. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Терагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs й Г.Ф. Глинский , А.В. Андрианов, О.М. Сресели, Н.Н.
  39. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Закон ФогеляЦФулчера Ч характерная особенность сегнетостекольной фазы в танталате калия, допированном литием й В.В. Лагута, М.Д. Глинчук, И.В. Кондакова Институт проблем материаловедения Национальной
  40. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Усиление магнитоэлектрического эффекта в тонких сегнетоэлектрических слоях й И.Е. Чупис Физико-технический институт низких температур Национальной академии наук Украины, 61103 Харьков, Украина E-mail:
  41. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние электрического поля в слое объемного заряда на эффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования в диодах Шоттки на основе арсенида галлия й Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В.
  42. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Электронное поглощение поверхностных акустических волн квантовыми кольцами в магнитном поле й В.М. Ковалев, А.В. Чаплик Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской
  43. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Анизотропия магнитооптического поглощения комплексов квантовая точкаЦпримесный центр й В.Д. Кревчик , А.Б. Грунин, Р.В. Зайцев Пензенский государственный университет, 440017 Пенза, Россия
  44. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Долгоживущий сигнал индукции в антиферромагнетиках с динамическим сдвигом частоты ЯМР й В.С. Рухлов Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия E-mail:
  45. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Исследование захвата электронов квантовыми точками с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней й М.М. Соболев, И.В. Кочнев , В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов Физико-технический
  46. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 О механизмах массопереноса при наноиндентировании й З.К. Саралидзе , М.В. Галусташвили, Д.Г. Дриаев Институт физики им. Э. Андроникашвили Академии наук Грузии, 0177 Тбилиси, Грузия E-mail: maxsvet@yahoo.com
  47. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Переход в квазидвумерное магнитное состояние пленок PdЦFe й Р.М. Мирзабабаев Газиантепский университет, 27310 Газиантеп, Турция E-mail: mirza@gantep.edu.tr (Поступила в Редакцию 3 августа 2000 г.В
  48. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au / n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек InAs й П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров,
  49. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiOx, содержащих нанокристаллы кремния й И.В. Антонова, М.Б. Гуляев, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, Д.В.
  50. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции быстрых электронов на отражение й Г.Э. Цырлин, Н.П. Корнеева, В.Н. Демидов, Н.К. Поляков, В.Н.
  51. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре в квантовых точках InAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs й Н.В. Крыжановская+, А.Г. Гладышев+, С.А. Блохин+, М.В.
  52. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов й И.И. Абрамов , С.А. Игнатенко, Е.Г. Новик Белорусский государственный университет информатики и
  53. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Проявления неустойчивости пластического течения в микроструктуре кристаллов щелочных галоидов й Е.Б. Борисенко, А.Г. Мелентьев Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка,
  54. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек от их размера й В.А. Бурдов Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия
  55. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Учет кулоновского взаимодействия электронов и дырок в квантовых точках на основе InGaN й В.Е. Бугров, О.В. Константинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  56. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Роль азота в формировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si й Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, М.-О. Ruault Институт
  57. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 X+-трион в системе с пространственным разделением носителей заряда й Р.А. Сергеев, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  58. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Исследование свойств двумерного электронного газа в гетероструктурах p--3C-SiC/n+-6H-SiC при низких температурах й А.А. Лебедев , Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, И.И. Сайдашев, А.Н. Кузнецов,
  59. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Спин-стекольное упорядочение аморфных сплавов TbЦCr й О.В. Стогней, И.В. Золотухин, О. Рапп Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия E:mail sto@sci.vrn.ru (Поступила в
  60. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона й В.И. Зубков Санкт-Петербургский
  61. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников й С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  62. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs / AlxGa1-xAs й С.И. Борисенко Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
  63. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 О кинетике медленной поляризации сегнетоэлектрического релаксора магнониобата свинца й В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.В. Пронина Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333
  64. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Теория переключения многоосных сегнетоэлектриков (начальная стадия) й М.А. Захаров , С.А. Кукушкин, А.В. Осипов Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия
  65. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Диаграмма состояний антиферромагнитного фторида кобальта й Е.М. Завражная, Г.К. Чепурных Институт прикладной физики Национальной академии наук Украины, 40030 Сумы, Украина E-mail: iapuas@gluk.aps.org
  66. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100) + + й А.А. Тонких , Г.Э. Цырлин , В.Г. Дубровский , В.М. Устинов , P. Werner= +
  67. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiOx в процессе быстрого термического отжига й В.А. Данько, И.З. Индутный, В.С. Лысенко, И.Ю. Майданчук, В.И. Минько, А.Н. Назаров,
  68. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Динамический отклик мезоскопической антиферромагнитной частицы на переменное магнитное поле й В.Ю. Голышев, А.Ф. Попков Научно-исследовательский институт физических проблем, 103460 Москва, Россия (Поступила в
  69. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix й В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская Институт физики микроструктур Российской
  70. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Фазовая диаграмма многослойных структур ферромагнетикЦслоистый антиферромагнетик й А.И. Морозов, А.С. Сигов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, 117454 Москва, Россия
  71. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Влияние постоянного магнитного поля до 15 T на эффект ПортевенаЦЛе Шателье в кристаллах NaCl : Eu й Л.Р. Дунин-Барковский, Р.Б. Моргунов, Y. Tanimoto Институт физики твердого тела Российской академии наук,
  72. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 О температурной зависимости проводимости электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрикЦметалл й А.Б. Давыдов, Б.А.
  73. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Недиффузионная слабая локализация в двумерных системах со спин-орбитальным расщеплением спектра й М.М. Глазов, Л.Е. Голуб Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  74. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Особенности формирования гетерограниц (Al,Ga)Sb/InAs при молекулярно-пучковой эпитаксии й П.В. Неклюдов, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, П.С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  75. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Шероховатость границ раздела слоев и фазовая диаграмма магнитных многослойных структур й А.И. Морозов, А.С. Сигов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, 117454 Москва,
  76. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 К теории фотоионизации глубоких примесных центров в параболической квантовой яме й В.Д. Кревчик, Р.В. Зайцев, В.В. Евстифеев Пензенский государственный университет, Пенза, Россия Пензенский
  77. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Пироэлектрический эффект в твердых растворах на основе магнониобата свинца й Е.П. Смирнова, С.Е. Александров, К.А. Сотников, А.А. Капралов, А.В. Сотников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  78. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками й М.В. Максимов , Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е.
  79. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние качества гетерограниц на спектры циклотронного резонанса гетероструктур InAs/(AlGa)Sb й Ю.Б. Васильев, С.Д. Сучалкин, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, А.Ф. Цацульников, П.В. Неклюдов, П.С.
  80. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Разность потенциалов и фотовольтаический эффект, возникающие вследствие деформации волновой функции электрона в GaAs-квантовой яме с тонким AlGaAs-барьером й Ю. Пожела, К. Пожела Semiconductor
  81. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала в теории МОП транзистора й В.А. Гергель, М.Н. Якупов Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009
  82. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Исследования распределения катионов в поверхностном слое и объеме пленок замещенных ферритов-гранатов й А.С. Камзин, Ю.Н. Мальцев Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021
  83. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Магнитный вклад в температуру Дебая и решеточную теплоемкость редкоземельных ферромагнитных металлов (на примере гадолиния) й В.Ю. Бодряков, А.А. Повзнер, О.Г. Зелюкова Уральский государственный технический
  84. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками й М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В.
  85. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3(As2Se3)0.7 й И.И. Бурдиян, Э.А. Сенокосов, В.В. Косюк, Р.А. Пынзарь Приднестровский государственный университет
  86. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Модель проводимости жгутов и пленок из углеродных нанотруб й В.Э. Каминский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия (Получена 16 сентября 1999 г.
  87. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами в случае полярного рассеяния носителей на оптических фононах й Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич
  88. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах й Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, В.П. Евтихиев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, А.Л. Станкевич,
  89. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Подвижность доменных границ в пленках гранатов с малыми потерями й В.А. Боков, В.В. Волков, Н.Л. Петриченко, М. Марышко Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021
  90. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Рекомбинация автолокализованных экситонов в нанокристаллах кремния, сформированных в оксиде кремния й К.С. Журавлев, А.Ю. Кобицкий Институт физики полупроводников Сибирского отделения
  91. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Окислительно-гравиметрическая порометрия макропористого кремния й А.А. Нечитайлов, Е.В. Астрова, Ю.А. Кукушкина, С.Ю. Каменева+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  92. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Особенности ферромагнитного резонанса в пленках феррит-гранатов с ромбической магнитной анизотропией й В.В. Рандошкин, В.И. Козлов, В.Ю. Мочар, Н.В. Васильева, Н.А. Еськов, Ю.А. Дурасова Совместная
  93. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Поляризация фотолюминесценции вдоль плоскости квантово-размерных слоев структур InAs / Ga(In)As, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии й В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Ю.Н.
  94. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Магнонный механизм реакций дефектов в твердых телах й В.И. Белявский, Ю.В. Иванков, М.Н. Левин Воронежский государственный педагогический университет, 394043 Воронеж, Россия Воронежский государственный
  95. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Особенности формы рамановских спектров в разупорядоченных сегнетоэлектриках й М.Д. Глинчук, И.В. Кондакова Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, 03142 Киев, Украина E-mail:
  96. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Массивы напряженных квантовых точек InAs в матрице (In,Ga)As, выращенные на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии й В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р.
  97. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Свойства нановискеров GaAs на поверхности GaAs (111)B, полученных комбинированным методом Ж Ж Ж й А.А. Тонких , Г.Э. Цырлин , Ю.Б. Самсоненко , И.П. Сошников , В.М. Устинов Ж Институт
  98. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Особенности электронных свойств сплавов при изменении величины локальных магнитных моментов й В.И. Гребенников, Н.И. Коуров Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219
  99. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe й В.И. Стафеев, К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, В.М. Акимов, Е.А.
  100. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц й А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии

Pages:     | 1 |   ...   | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам