Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[8201-8300]

Pages:     | 1 |   ...   | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием й Е.В. Астрова, В.В. Ратников, Р.Ф. Витман, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  2. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 К теории фазовых переходов в релаксорах й Р.Ф. Мамин Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Российской академии наук, 420029 Казань, Россия E-mail: mamin@dionis.kfti.knc.ru (Поступила в
  3. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик в полупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек й С.А.
  4. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Волноводные Ge / Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи й А.И. Якимов , А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров,
  5. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Структурные механизмы оптимизации фотоэлектрических свойств пленочных гетеросистем CdS/CdTe й Г.С. Хрипунов Национальный технический университет ДХарьковский политехнический институтУ, 61002
  6. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Плазменная оптика наноструктур й А.В. Ключник, С.Ю. Курганов, Ю.Е. Лозовик Институт спектроскопии Российской академии наук, 142190 Троицк, Московская обл., Россия (Поступила в Редакцию 4 июля 2002 г.)
  7. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 General Features of the Intrinsic Ferroelectric Coercive Field й V.M. Fridkin,, Stephen Ducharme Department of Physics and Astronomy, Center for Material Research and Analysis University of Nebraska,
  8. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Планарный эффект Холла в ферромагнетиках й Э.М. Эпштейн Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141190 Фрязино, Московская обл., Россия (Поступила в Редакцию 6 июля 2001 г.) В рамках
  9. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения й С.В. Ордин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  10. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полупроводник/воздух й Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный,
  11. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Эффекты ванье-штарковской локализации в 6H-SiC планарном полевом транзисторе с p-n-переходом в качестве затвора й В.И. Санкин, П.П. Шкребий, А.А. Лебедев Физико-технический институт им. А.Ф.
  12. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Низкотемпературное квазиадиабатическое перемагничивание редкоземельных изинговских метамагнетиков й И.Б. Крынецкий, В.М. Матвеев , В.В. Матвеев Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
  13. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, подвергнутых деформации й Н.А. Соболев , А.М. Емельянов, Е.И. Шек, О.В. Феклисова , Е.Б. Якимов Физико-технический институт им.
  14. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Термостимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла триглицинсульфата й О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, А.А. Сидоркин Воронежский государственный университет, 394693
  15. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние внешнего электрического смещения на фотоэлектрические свойства кремниевых MIS/IL-структур й Я.С. Буджак, В.Ю. Ерохов, И.И. Мельник Государственный университет ФЛьвовская политехникаФ,
  16. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы й С.Б. Александров, Д.А. Баранов, А.П. Кайдаш, Д.М. Красовицкий, М.В. Павленко, С.И. Петров , Ю.В. Погорельский, И.А.
  17. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия й В.П. Хвостиков, М.Г. Растегаева, О.А. Хвостикова, С.В. Сорокина, А.В. Малевская, М.З. Шварц, А.Н. Андреев, Д.В.
  18. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Исследование микромагнетизма и перемагничивания наночастиц Ni с помощью магнитного силового микроскопа й А.А. Бухараев, Д.В. Овчинников, Н.И. Нургазизов, Е.Ф. Куковицкий, М. Кляйбер, Р. Вейзендангер Казанский
  19. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 7 Диссипация энергии спиновых волн в многослойных магнитных пленках й А.М. Зюзин, А.Г. Бажанов, С.Н. Сабаев, С.С. Кидяев Мордовский государственный университет, 430000 Саранск, Россия (Поступила в
  20. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Размерный эффект Штарка и внутризонные переходы в полупроводниковом сферическом слое й В.А. Арутюнян Гюмрийский образовательный комплекс Государственного инженерного университета Армении, 377503 Гюмри,
  21. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Анизотропия магнитоэлектрического эффекта в молибдате тербия й Б.К. Пономарёв, А.И. Попов , Э. Штип , Г. Вигельманн , А.Г.М. Янсен , П. Видер , Б.С. Редькин Институт физики твердого тела Российской
  22. ЭлектроннаяЭлектронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения Энергия когезии Ec, плотность состояний на уровне ФерНа рис. 2 приведены полные (a) и парциальные (b) ми N(EF), (ширина запрещенной зоны Eg),
  24. ХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогенидная пассивация поверхности полупроводников AIIIBV. О б з
  25. КремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования... Quantum dots in silicon-germanium nanostructures: mechanism of formation and electronic properties O.P.
  27. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Универсальные эффективные константы связи для обобщенной модели Гейзенберга й А.И. Соколов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в
  28. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Нелинейность магнитоакустических возбуждений в планарных структурах й А.С. Бугаев, В.Б. Горский Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия E-mail: dwhome@sbrf.ru
  29. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Оптические и теплофизические свойства твердых растворов CuAlxIn1-xTe2 й И.В. Боднарь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220072 Минск, Белоруссия (Получена
  30. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Поле деполяризации и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок с учетом влияния электродов й М.Д. Глинчук, В.Я. Зауличный, В.А. Стефанович Институт проблем материаловедения, 03142 Киев, Украина Институт
  31. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Магнитосопротивление углеродных наноматериалов й С.В. Демишев, А.А. Пронин Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, 119991 Москва, Россия E-mail: apronin@hotmail.com (Поступила в
  32. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Формирование икосаэдрической структуры при кристаллизации нано-кластеров Ni й Ю.Я. Гафнер, С.Л. Гафнер, П. Энтель Хакасский государственный университет, 655017 Абакан, Россия Universitt Duisburg-Essen,
  33. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 7 Аксиально-симметричные доменные структуры в пленках ферритов-гранатов й М.В. Четкин, Т.Б. Шапаева, Л.Л. Савченко Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия E-mail:
  34. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Электрофизические и термоэлектрические свойства окиси цинка при атмосферном и гидростатическом давлениях й М.И. Даунов, Р.К. Арсланов , М.М. Гаджиалиев, Е.В. Кортунова , П.П. Хохлачев, П.П.
  35. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Дефектная люминесценция пленок GaN : Zn, отожженных в высокочастотной плазме аммиака й Г.А. Сукач , В.В. Кидалов , А.И. Власенко, Е.П. Потапенко Институт физики полупроводников Национальной
  36. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Особенности анизотропии в пленке пермаллоя, индуцированные неоднородным магнитным полем й Б.А. Беляев, В.П. Кононов, С.Г. Овчинников Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии
  37. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Спектроскопия запрещенной фотонной зоны в синтетических опалах й А.В. Барышев, А.А. Каплянский, В.А. Кособукин, М.Ф. Лимонов, А.П. Скворцов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  38. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Нелинейное поглощение в диэлектрических слоях, содержащих наночастицы меди , й Р.А. Ганеев, А.И. Ряснянский , А.Л. Степанов , Т. Усманов НПО ДАкадемприборУ, 700143 Ташкент, Узбекистан Самаркандский
  39. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Влияние отрицательного химического давления на некоторые сегнетоэлектрики типа смещения й С.В. Барышников, Э.В. Бурсиан, В.В. Казаков Российский государственный педагогический университет, 191186
  40. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Переключение поляризации в гетерофазных наноструктурах:релаксорная PLZT керамика й В.Я. Шур, Г.Г. Ломакин, Е.Л. Румянцев, О.В. Якутова, Д.В. Пелегов, A. Sternberg , M. Kosec Научно-исследовательский
  41. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Irreducible representations of subperiodic rod groups й V.P. Smirnov, P. Tronc St. Petersburg State University of Information Technologies, Mechanics and Optics, 197101 St. Petersburg, Russia Laboratoire
  42. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Зонная структура перовскитоподобных фаз A(Sn1-xMx)O3 (A = Ca, Sr, Ba; M = Mn, Fe, Co):поиск новых магнитных полуметаллов й И.Р. Шеин, В.Л. Кожевников, А.Л. Ивановский Институт химии твердого
  43. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 7 Поляризация и деполяризация релаксорного сегнетоэлектрика ниобата барияЦстронция й В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева Институт кристаллографии Российской академии наук, 117333
  44. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Аномальный эффект Ханле в квантовых ямах на основе полумагнитных полупроводников й А.В. Кудинов, Ю.Г. Кусраев, И.А. Меркулов, К.В. Кавокин, И.Г. Аксянов, Б.П. Захарченя Физико-технический институт им. А.Ф.
  45. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Влияние межзеренных границ раздела на свойства теллурида кадмия, полученного в неравновесных условиях й В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии
  46. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Низкоэнергетическая непараболичность и конденсонные состояния в кристаллах In4Se3 й Д.М. Берча, Л.Ю. Хархалис, А.И. Берча, М. Шнайдер Ужгородский государственный университет, 294000 Ужгород,
  47. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Примесное оптическое поглощение и структура зоны проводимости в 6H-SiC й И.С. Горбань , А.П. Крохмаль Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, 01033 Киев, Украина (Получена 27
  48. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Наносистемы в модели Хаббарда в приближении статических флуктуаций й Г.И. Миронов Марийский государственный педагогический институт, 424002 Йошкар-Ола, Россия E-mail: mir@mgpi.mari.ru (Поступила в Редакцию
  49. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Интеркаляция атомов серебра под монослой графита на поверхности Ni(111) й А.Г. Стародубов, М.А. Медвецкий, А.М. Шикин, В.К. Адамчук Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока
  50. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Спонтанное и стимулированное излучение из полупроводниковых пленок CdxHg1-xTe й А.А. Андронов, Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков, В.С. Варавин, Р.Н. Смирнов, Д.Г. Икусов Институт физики
  51. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Магнитоиндуцированные изменения фоторефрактивной чувствительности в ниобате лития й В.В. Гришачев Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия E-mail:
  52. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Роль температуры при изменении структуры нанокластеров Ni й Ю.Я. Гафнер, С.Л. Гафнер, Р. Мейер , Л.В. Редель, П. Энтель Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 655017 Абакан, Россия
  53. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами й В.Е. Кудряшов, К.Г. Золин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин Московский
  54. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Прыжковая поляризационная фотопроводимость кремния с участием пар примесей III и V групп й Я.Е. Покровский , Н.А. Хвальковский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
  55. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Магнитные свойства сплавов Pb1-xGexTe, легированных иттербием й Е.П. Скипетров, Н.А. Чернова, Л.А. Скипетрова, А.В. Голубев, Е.И. Слынько Московский государственный университет им. М.В.
  56. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Низкотемпературная электропроводность кристаллов ниобата лития конгруэнтного состава й И.Ш. Ахмадуллин, В.А. Голенищев-Кутузов, С.А. Мигачев, С.П. Миронов Казанский физико-технический институт Российской
  57. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Примесные центры редкоземельных ионов (Eu, Sm, Er) в вюрцитных кристаллах GaN й В.В. Криволапчук , Ю.В. Кожанова , В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова Физико-технический
  58. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Фотогенерация дырок и электронов в аморфных молекулярных полупроводниках й Н.А. Давиденко, Н.Г. Кувшинский, С.Л. Студзинский, Н.Г. Чуприн, Н.А. Деревянко , А.А. Ищенко , А.Д. Аль-Кадими Киевский
  59. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Релаксация упругих напряжений в компактном нанокристаллическом CuO й Т.И. Арбузова, С.В. Наумов, Е.А. Козлов Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург,
  60. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs й В.А. Ромака,+,, Д. Фрушарт, Ю.В. Стаднык=,
  61. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Электронно-структурная метастабильность катионных донорных центров в GaAs й Д.Е. Онопко, Н.Т. Баграев, А.И. Рыскин Всеросийский научный центр ФГосударственный оптический институт им.
  62. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Спектры резонансного рамановского рассеяния в структуре ZnCdSe / ZnSe с квантовой ямой и открытыми нанопроволоками й В.Х. Кайбышев, В.В. Травников, В.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  63. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs й К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрильчук Институт физики полупроводников
  64. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe : Bi : Se й В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, В.И. Ильин, С.А. Немов, П.В. Савинцев Санкт-Петербургский
  65. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Дефектообразование в решетке PbTe под воздействием лазерной ударной волны й В.С. Яковина, Д.М. Заячук, Н.Н. Берченко Национальный университет ДЛьвовская политехникаУ, 79013 Львов, Украина
  66. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Оптические свойства тонких эпитаксиальных слоев n-Pb1-xSnxSe/BaF2 в области плазмон-фононного взаимодействия й А.А. Копылов, В.А. Мошников, А.Н. Холодилов Санкт-Петербургский государственный
  67. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Фотоэлектрические явления в гетероструктурах (cxa1-x)-Si : H / c-Si й H. Mell, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь+, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  68. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Гальваномагнитные эффекты в атомно-разупорядоченных соединениях HgSe1-xSx й А.Е. Карькин, В.В. Щенников, С.Е. Данилов, В.А. Арбузов, Б.Н. Гощицкий Институт физики металлов Уральского
  69. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Влияние протонного облучения на кинетику затухания фосфоресценции керамики ZnS-Cu й Т.А. Кучакова , Г.В. Весна, В.А. Макара Киевский национальный университет им. Т. Шевченко (Физический
  70. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Бистабильность и электрическая активность комплекса вакансияЦдва атома кислорода в кремнии й Л.И. Мурин, В.П. Маркевич, И.Ф. Медведева, L. Dobaczewski Объединенный институт физики твердого
  71. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe : Cl для получения полуизолирующих кристаллов й О.А. Матвеев, А.И. Терентьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  72. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Парамагнитные центры в безметаллических аморфных полифталоцианинах й Ю.А. Кокшаров, А.И. Шерле Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 117234 Москва, Россия Институт химической физики
  73. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоев арсенида галлия й В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю.В.
  74. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Импульсный синтез слоев -FeSi2 на кремнии, имплантированном ионами Fe+ й Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова, G. WeiserЖ, H. KuehneЖ Казанский физико-технический институт
  75. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Подвижность доменных стенок облученного триглицинсульфата й Л.Н. Камышева, О.М. Голицына, Т.Н. Подгорная Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия (Поступила в Редакцию 8 января 1998 г.)
  76. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Светочувствительные свойства тонких полупроводниковых пленок нанокомпозитов на основе металлорганических комплексов Cu+ и Ru2+ й Е.Л. Александрова, Н.Н. Химич Физико-технический институт им.
  77. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Экситоны и поляритоны в полупроводниковых твердых растворах AlGaAs й Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин, М.С. Маркосов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  78. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Квазилинейный фоторефрактивный эффект в кремнии й А.Л. Филатов Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия (Получена 11 мая 2000 г. Принята к печати 11
  79. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Экстракция носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентой фотопроводимости й А.И. Власенко, З.К. Власенко, А.В. Любченко Институт физики полупроводников Национальной академии наук
  80. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Стабилизация высокотемпературной гексагональной модификации в нанокристаллах галогенидов меди й И.Х. Акопян, В.А. Гайсин, Д.К. Логинов, Б.В. Новиков, А. Цаган-Манжиев, М.И. Васильев , В.В. Голубков
  81. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Стехиометрический синтез соединений фуллерена с литием и натрием, анализ их ИК и ЭПР спектров й С.Н. Титова, Г.А. Домрачев, С.Я. Хоршев, А.М. Объедков, Л.В. Калакутская, С.Ю. Кетков, В.К. Черкасов, Б.С.
  82. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Фотохромный эффект в кластерных системах оксидов молибдена й В.Н. Андреев, С.Е. Никитин, В.А. Климов, Ф.А. Чудновский, С.В. Козырев, Д.В. Лещев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской акдемии
  83. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Адсорбция редкоземельных металлов на кремнии: изменение работы выхода й С.Ю. Давыдов , А.В. Павлык Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  84. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние электрон-фононного энергообмена на распространение тепловых волн в полупроводниках й Ю.Г. Гуревич, Г. Гонзалез де ла Круз, Г.Н. Логвинов, М.Н. Касянчук Departamento de Fisica, Centro de
  85. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Механизм фотогенерации носителей заряда в полиамидиновых супрамолекулярных структурах й Е.Л. Александрова , М.М. Дудкина, А.В. Теньковцев Институт высокомолекулярных соединений Российской
  86. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Фотолюминесценция кристаллов n-ZnSe, легированных донорной и акцепторной примесями из солевого расплава LiCl й Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Д.Д. Недеогло Молдавский государственный университет, 2009
  87. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Механизмы обратимой термической деформации ориентированных полимеров й А.И. Слуцкер, Л.А. Лайус, И.В. Гофман, В.Л. Гиляров, Ю.И. Поликарпов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  88. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Брэгговские солитоны в структурах с квантовыми ямами й М.М. Воронов, Е.Л. Ивченко Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  89. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Получение и оптоэлектронные явления в монокристаллах ZnTe и барьерах Шоттки на их основе й Г.А. Ильчук, В.И. Иванов-Омский+, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь+, Р.Н. Бекимбетов+, Н.А. Украинец
  90. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Структура и стабильность кластеров на поверхностях металлов й Н.А. Леванов, В.С. Степанюк,, В. Хергерт, А.А. Кацнельсон, А.Э. Мороз, К. Кокко Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,
  91. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Стимулированная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью й Н.Н. Прибылов, А.А. Кожевников Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия
  92. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Применимость упрощенной модели ШоклиЦРидаЦХолла для полупроводников с различными типами дефектов й А.Н. Яшин Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук
  93. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние сужения запрещенной зоны на диффузию заряженных примесей в полупроводниках й Б.С. Соколовский, Л.С. Монастырский Львовский государственный университет им. Ив. Франко, 290602 Львов, Украина
  94. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Взаимодействие алюминия с поверхностью рения: адсорбция, десорбция, рост поверхностных соединений й Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  95. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Структура и магнитооптические свойства гранулированных нанокомпозитов пористый кремнийЦкобальт й Е.А. Ганьшина, М.Ю. Кочнева, Д.А. Подгорный , П.Н. Щербак, Г.Б. Демидович, С.Н. Козлов Московский
  96. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Классификация двухслойных нанотрубок с соизмеримыми структурами слоев й Ю.Е. Лозовик, А.М. Попов, А.В. Беликов Институт спектроскопии Российской академии наук, 142190 Троицк, Московская обл., Россия E-mail:
  97. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Кондактанс однослойной углеродной нанотрубки в однопараметрической модели сильной связи й С.С. Савинский, А.В. Белослудцев Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Поступила в Редакцию
  98. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Квазилокальные состояния и особенности резонансного рассеяния частиц дефектами в полупроводниковых кристаллах, обладающих зонной структурой энергетического спектра й С.Е. Савотченко
  99. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Структурно-фазовые превращения в пленках оловоЦфуллерит й Л.В. Баран, Г.П. Окатова, В.А. Ухов Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия Институт порошковой металлургии Белорусского
  100. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Фотопроводимость пленок CuInSe2 й В.Ю. Рудь, Ю.В.Рудь Государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,

Pages:     | 1 |   ...   | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам