Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[7701-7800]

Pages:     | 1 |   ...   | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Магнитные свойства аморфного углерода, модифицированного железом + + й С.Г. Ястребов , В.И. Иванов-Омский, В. Поп , К. Морошану , А. Слав , Ж. Волрон Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  2. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Неоднородное уширение основного электронного уровня в массиве квантовых точек й В.И. Белявский , С.В. Шевцов Воронежский государственный педагогический университет, 394043 Воронеж, Россия
  3. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Исследование экситонных характеристик слоистых гетероструктур с квантованным спектром при наличии рельефной поверхности й И.А. Авруцкий, В.Г. Литовченко Институт общей физики Российской академии
  4. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния й О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  5. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности й И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, О.Ю. Борковская, Д.А. Винокуров, Н.Л.
  6. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Высокоамплитудная прецессия и динамическая невосприимчивость магнитных моментов двухслойной пленки й Д.И. Семенцов, А.М. Шутый Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия E-mail:
  7. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Проявление квантово-размерных осцилляций времени излучательной экситонной рекомбинации в фотолюминесценции кремниевых наноструктур й А.В. Саченко, Ю.В. Крюченко, И.О. Соколовский, О.М. Сресели
  8. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Светочувствительные свойства и механизм фотогенерации носителей заряда в полимерных слоях, содержащих металлорганические комплексы й Е.Л. Александрова , М.Я. Гойхман, И.В. Подешво, В.В.
  9. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Гибридно-примесный резонанс в трехмерной анизотропной квантовой проволоке й В.А. Маргулис, Н.Ф. Павлова, А.В. Шорохов Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, 430000 Саранск, Россия E-mail:
  10. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Фарадеевское вращение света в микрорезонаторах й М.А. Калитеевский, А.В. Кавокин, П.С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  11. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Керамические материалы для СВЧ-электроники й Е.А. Ненашева, О.Н. Трубицына, Н.Ф. Картенко, О.А. Усов Научно-исследовательский институт ФГирикондФ, 194223 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт
  12. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков й М.Д. Глинчук, Е.А. Елисеев, В.А. Стефанович Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, 03142 Киев, Украина Институт математики,
  13. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 7 Теоретические и экспериментальные исследования влияния скорости роста InAs на свойства ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs й В.Г. Дубровский , В.А. Егоров, Г.Э. Цырлин, Н.К. Поляков,
  14. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Electronic and Optical Properties of Fullerene Nanostructures й Yu.I. Prilutski, S.S. Durov Kiev Shevchenko University, 252033 Kiev, Ukraine E-mail: prilut@office.ups.kiev.ua Two new types of
  15. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов й Я.Г. Федоренко, Л.А. Отавина, Е.В. Леденева, А.М. Свердлова Саратовский государственный
  16. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 5 Акустическая эмиссия при гетерогенном и гомогенном пластическом течении металлического стекла й А.Ю. Виноградов, В.А. Михайлов, В.А. Хоник Воронежский государственный педагогический университет, 394043
  17. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Высокомощные синие флипЦчип светодиоды на основе AlGaInN й Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин+, А.Л. Закгейм+, Е.Д.
  18. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Перенос носителей заряда в структуре SiC-детектора после экстремальных доз радиации й А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  19. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Расчет иерархической сверхрешетки PbSЦC в полиямной модели й Е.Я. Глушко, В.Н. Евтеев Государственный педагогический институт, 324086 Кривой Рог, Россия (Получена 7 августа 1995 г. Принята к печати
  20. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Сегнетоэлектрический полевой транзистор на основе гетероструктуры Pb(ZrxTi1-x)O3 / SnO2 й И.Е. Титков , И.П. Пронин, Д.В. Машовец, Л.А. Делимова, И.А. Линийчук, И.В. Грехов Физико-технический
  21. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Исследование утечек по поверхности фотодиодов на CdHgTe й П.В. Бирюлин, В.И. Туринов, Е.Б. Якимов Научно-производственное предприятие ДИстокУ, 141190 Фрязино, Россия Институт проблем
  22. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 7 Управление параметрами массивов квантовых точек InAsЦGaAs в режиме роста СтранскогоЦКрастанова й Н.А. Черкашин, М.В. Максимов , А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г.
  23. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Структурные исследования нанопористого углерода, получаемого из карбида кремния й Р.Н. Кютт, Э.А. Сморгонская, С.К. Гордеев, А.В. Гречинская, А.М. Данишевский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  24. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла ТГС с примесью хрома й А.А. Сидоркин, А.С. Сидоркин, О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова Воронежский государственный университет,
  25. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Анизотропия спектров спин-волнового резонанса при диссипативном механизме закрепления спинов й А.М. Зюзин, С.Н. Сабаев, В.В. Радайкин, А.В. Куляпин Мордовский государственный университет, 430000 Саранск,
  26. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 5 Процессы роста, структура и межзеренное магнитное взаимодействие в электролитически осажденных пленках CoW й В.Г. Шадров, К. ОТГрэди Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии,
  27. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Время задержки в низкотемпературной фазе релаксоров , й Р.Ф. Мамин , Р. Блинц Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Российской академии наук, 420029 Казань, Россия Jozef Stefan
  28. ЭлектронныйЭлектронныйЭлектронный транспорт в гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs... межзонным переходам в широкозонном слое GaInAsSb. [7701-7800] A.M. Prokhorov, A.I. Nadezinskiy. SPIE, 1724, 2 (1992).В зависимости от соотношения вкладов от обоих чле-
  29. МощныеМощныеМощныеМощныеМощныеМощные биполярные приборы на основе карбида кремния наиболее однородно. При минимальном токе управления, еще включающем тиристор, критическая плотность носителей достигается в наиболее ДслабойУ точке. Если критическая
  30. ЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронныеЭлектронные и колебательные состояния InN и твердых растворов
  31. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Спин-поляризованный транспорт и субмиллиметровая спектроскопия твердого тела й А.С. Борухович, Н.А. Виглин, В.В. Осипов Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук, 620219
  32. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Электронные возбуждения, возникающие вследствие пластического деформирования ионных кристаллов й В.А. Закревский, А.В. Шульдинер Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  33. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8 Взаимодействие носителей заряда с локализованными магнитными моментами марганца в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs : Mn й Т.С. Лагунова, Т.И. Воронина, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Е.
  34. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Проявление эффектов взаимодействия в спектрах рамановского рассеяния слоев квантовых точек CdTe с узкими барьерами ZnTe й В.С. Виноградов, Л.К. Водопьянов, Г. Карчевски, Н.Н. Мельник Физический институт им.
  35. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Механизм первичной самоорганизации регулярной структуры пористого кремния й М.Е. Компан Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  36. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков й Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, В.Г. Дубровский, Н.К. Поляков, С.Я. Типисев, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов
  37. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Влияние отклонений от стехиометрии на электропроводность и фотопроводимость кристаллов CuInSe2 й М.А. Абдуллаев, Дж.Х. Магомедова, Р.М. Гаджиева, Е.И. Теруков, Ю.А. Николаев, Ю.В. Рудь, П.П.
  38. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Физические механизмы, приводящие к распределению времени релаксации в разупорядоченных диэлектриках й В.А. Стефанович, М.Д. Глинчук, Б. Хилчер, Е.В. Кириченко Институт математики, Университет Ополе, 45-052
  39. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Модель спинодального распада фаз в условиях гиперболической диффузии й Н.М. Антонов, В.В. Гусаров, И.Ю. Попов Санкт-Петербургский институт точной механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия Институт химии
  40. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 О барической фрагментации кристалла й М.Н. Магомедов Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия E-mail: musa@dinet.ru (Поступила в Редакцию
  41. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Два источника возбуждения фотолюминесценции пористого кремния й Н.Е. Корсунская, Т.В. Торчинская, Б.Р. Джумаев, Л.Ю. Хоменкова, Б.М. Булах Институт физики полупроводников Национальной академии
  42. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8 Анализ полосы излучения комплeксов VGaTeAs в n-GaAs при одноосном давлении й А.А. Гуткин , А.В. Ермакова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  43. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Возникновение двойного предельного цикла при примесном электрическом пробое компенсированного полупроводника при закороченной эдс Холла й К.М. Джандиери, З.С. Качлишвили Тбилисский
  44. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Свойства точно компенсированных полупроводников й С.Ж. Каражанов Физико-технический институт, 700084 Ташкент, Узбекистан (Получена 5 апреля 1999 г. Принята к печати 27 января 2000 г.)
  45. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Теплопроводность нанокомпозита опал + эпоксидная смола й В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Н.В. Шаренкова, Х. Мисиорек , А. Ежовский Физико-технический институт
  46. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Изменение формы термополевых наростов на вольфрамовом острие во время роста й В.Г. Павлов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  47. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Люминесцентные свойства квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии й Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов Институт
  48. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 ВУФ плазменный френкелевский экситон: элементарное возбуждение полимеризованного фуллерена й В.В. Роткин, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  49. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Получение изотопно-чистого поликристаллического кремния и исследование его свойств й О.Н. Годисов, А.К. Калитеевский, В.И. Королев, Б.Я. БерЖ, В.Ю. ДавыдовЖ, М.А. КалитеевскийЖ, П.С. КопьевЖ ПО
  50. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8 ЭПР взаимодействующих центров марганца в арсениде галлия й К.Ф. Штельмах , М.П. Коробков, И.Г. Озеров Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург,
  51. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Формирование структуры квантовых нитей InGaAs в матрице арсенида галлия й Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия E-mail:
  52. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Параметр излучательной рекомбинации и внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремнии й А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев, И.О. Соколовский Институт физики полупроводников им.
  53. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Локальная структура примесных центров цинка в халькогенидах свинца и твердых растворах Pb1-xSnxTe й С.А. Немов, Н.П. Серегин Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251
  54. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Эффект Холла в квазидвумерных сверхрешетках в неквантующих магнитном и сильном электрическом полях й Г.М. Шмелев, Э.М. Эпштейн, И.И. Маглеванный Волгоградский государственный педагогический
  55. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Восстановление функций распределения времен релаксации жидких кристаллов 7СВ и 7ОСВ по диэлектрическим спектрам й Б.А. Беляев, Н.А. Дрокин, В.Ф. Шабанов Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского
  56. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Об особенностях электрофизических свойств гетероструктур CdxHg1-xTe/CdZnTe й А.Г. Белов, А.И. Белогорохов, В.М. Лакеенков Государственный научный центр ФГиредметФ, 109017 Москва, Россия
  57. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8 Мессбауэровское исследование примесных атомов железа в арсениде галлия й П.П. Серегин, Т.Р. Степанова, Ю.В. Кожанова, В.П. Волков Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
  58. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Электрические свойства полупроводников с двойными дефектами й С.Ж. Каражанов, Э.В. Канаки Физико-технический институт, 700084 Ташкент, Узбекистан (Получена 19 июля 1999 г. Принята к печати 27
  59. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Влияние примеси теллура на свойства твердых растворов Ga1-XInXAsYSb1-Y (X > 0.22) й Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев Физико-технический
  60. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 The Design and Fabrication of One-dimensional Random Surfaces with Specified Scattering Properties й T.A. Leskova, A.A. Maradudin, E.R. Mndez, A.V. Shchegrov Institute of Spectroscopy of Russian Academy of
  61. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si й Т.А. Пагава Грузинский технический университет, 0175 Тбилиси, Грузия (Получена 13 июля
  62. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Межъямные экситоны в полумагнитных полупроводниковых двойных квантовых ямах во внешнем магнитном поле й А.В. Верцимаха, С.Б. Лев, В.И. Сугаков Институт ядерных исследований Национальной академии наук
  63. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Собственные и примесные дефекты в монокристаллах ZnSe : In, полученных методом свободного роста й Ю.Ф. Ваксман, Ю.А. Ницук, Ю.Н. Пуртов, П.В. Шапкин Одесский национальный университет им. И.И.
  64. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Интерпретация видимой фотолюминесценции взвешенных в этаноле разновеликих наночастиц кремния й В.Е. Оглуздин Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, 119991 Москва,
  65. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si / Si1-xGex.Получение и структурные характеристики й Ф.Ф. Сизов, Ю.Н. Козырев, В.П. Кладько, С.В. Пляцко, В.М. Огенко, А.П. Шевляков Институт физики
  66. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия в сплавах Pb1-xSnxTe й Е.П. Скипетров, Е.А. Зверева, Н.Н. Дмитриев, А.В. Голубев+, В.Е. Слынько Московский государственный университет им.
  67. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8 Редкоземельные элементы в технологии соединений AIIIBV и приборов на их основе й А.Т. Гореленок , А.В. Каманин, Н.М. Шмидт Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  68. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 Экситонные полосы поглощения и усиления света в присутствии лазерного излучения й С.А. Москаленко, В.Г. Павлов, В.Р. Мисько Институт прикладной физики Академии наук Молдавии, MD-2028 Кишинев, Молдавия
  69. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 О зависимости поверхностной энергии от размера и формы нанокристалла й М.Н. Магомедов Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия E-mail:
  70. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 К расчету температурной зависимости работы выхода адсорбционной системы й С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в
  71. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 5 Двухпараметрическая модель фазового перехода металЦполупроводник в квазиодномерной системе й А.Л. Семенов Ульяновский филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 432700 Ульяновск,
  72. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Оптические свойства неупорядоченных объемных и эпитаксиальных полупроводниковых сплавов GaxIn1-xP й Я.И. Виклюк, В.Г. Дейбук, С.В. Золотарев Черновицкий национальный университет им. Ю.
  73. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Об энергетической стабильности нанокластеров углерода й С.В. Козырев, Д.В. Лещев, И.В. Шаклеина Институт высокопроизводительных вычислений и баз данных, 198005 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  74. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V-измерений в электрохимической ячейке й В.И. Шашкин, И.Р. Каретникова, А.В. Мурель, И.М. Нефедов, И.А. Шерешевский
  75. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Фотолюминесценция легированных эрбием алюмооксидных пленок со встроенными кремниевыми наночастицами й С.К. Лазарук , А.В. Мудрый , А.В. Иванюкович , А.А. Лешок, Д.Н. Унучек, В.А. Лабунов
  76. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 О природе полосы поглощения дивакансии 5560 см-1 в Si1-xGex й Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Л.И. Хируненко, Н.В. Абросимов+, В. Шрёдер Институт физики Национальной академии наук Украины, 03028
  77. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 Экситонные молекулы и экситонные жидкости в полупроводниках й А.А. Рогачев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Экситоны в многодолинных
  78. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Выход атомов самария при электронно-стимулированной десорбции с поверхности окисленного вольфрама й В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов, Н.Д. Потехина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  79. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Процессы формирования углеродных замкнутых частиц из фуллереновых ядер й В.И. Березкин Санкт-Петербургский научно-исследовательский центр экологической безопасности Российской академии наук, 197110
  80. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов 30 кремния, обогащенных изотопом Si: исследования методом электронного парамагнитного резонанса й П.Г. Баранов, Б.Я. Бер, О.Н. Годисов ,
  81. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излучением й Н.А. Поклонский , Т.М. Лапчук, Н.И. Горбачук, В.А. Николаенко , И.В. Бачучин Белорусский государственный
  82. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Влияние импульсного лазерного облучения на оптические характеристики и фотопроводимость твердых растворов CdHgTe й Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.М. Лакеенков, В.Ю. Тимошенко Московский
  83. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Глубокий уровень галлия в сплавах Pb1-xGexTe й Е.П. Скипетров, Е.А. Зверева, В.В. Белоусов, Л.А. Скипетрова, Е.И. Слынько Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (Физический
  84. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Кинетика фотолюминесценции GaAs под действием поверхностной акустической волны й К.С. Журавлев, А.М. Гилинский, А.В. Царев, А.Е. Николаенко Институт физики полупроводников Сибирского отделения
  85. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Концентрация дырок и термоэлектрическая эффективность твердых растворов Pb1-xSnxTe Te й Г.Т. Алексеева, М.В. Ведерников, Е.А. Гуриева, Л.В. Прокофьева, Ю.И. Равич Физико-технический институт
  86. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Спектры диэлектрической проницаемости и характеристических потерь электронов оксида цинка при 100 K й В.Вал. Соболев, В.В. Соболев, Е.И. Теруков Удмуртский государственный университет, 426034
  87. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Возможная схема синтеза-сборки фуллеренов й Ф.Н. Томилин,, П.В. Аврамов, С.А. Варганов , А.А. Кузубов,, С.Г. Овчинников, Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии
  88. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Оптическая ширина запрещенной зоны полупроводников Cd1-xMnxTe и Zn1-xMnxTe й П.В. Жуковский, Я. Партыка, П. Венгерэк, Ю.В. Сидоренко, Ю.А. Шостак, А. Родзик Люблинский технический университет,
  89. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Фотопроводимость крупнозернистых поликристаллов CdTe й С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.Ф. Плотников Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
  90. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 8 Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики й Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  91. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах й М.В. Максимов, И.Л. Крестников, С.В. Иванов, Н.Н. Леденцов, С.В. Сорокин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе
  92. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Взаимодействие натриевых производных фуллерена с триметилхлорсиланом й С.Н. Титова, Г.А. Домрачев, Е.А. Горина, Л.В. Калакутская, А.М. Объедков, Б.С. Каверин, С.Ю. Кетков, М.А. Лопатин, А.В. Маркин, Н.Н.
  93. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Тонкая структура диэлектрической проницаемости алмаза й В.В. Соболев, А.П. Тимонов, В.Вал. Соболев Удмурдский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 17 марта 1999 г.
  94. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Время-разрешенная фотолюминесценция поликристаллических слоев GaN на металлических подложках й А.В. Андрианов, К. Ямада , Х. Тампо , Х. Асахи , В.Ю. Некрасов, З.Н. Петровская, О.М. Сресели,
  95. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Роль свинца при выращивании твердых растворов Ga1-XInXAsYSb1-Y методом жидкофазной эпитаксии й Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, Д.А. Васюков, Ю.П. Яковлев
  96. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8 Релаксация нейтрального состояния марганца в арсениде галлия й В.Ф. Мастеров , К.Ф. Штельмах , В.П. Маслов, С.Б. Михрин, Б.Е. Саморуков Санкт-Петербургский государственный политехнический
  97. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Электронно-стимулированная десорбция атомов редкоземельных металлов й В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов, Н.Д. Потехина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  98. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Кулоновское блокирование проводимости пленок SiOx при одноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки в составе цепочки электронных состояний й М.Д. Ефремов, Г.Н. Камаев, В.А. Володин, С.А.
  99. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Свойства легировнных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрического расплава й А.Е. Куницын, А.Г. Мильвидская, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев Физико-технический
  100. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Влияние отжига на оптические спектры поглощения одностенных углеродных нанотрубок й П.Н. Гевко, А.В. Окотруб, Л.Г. Булушева, И.В. Юшина, U. Dettlaff-Weglikowska Институт неорганической химии им. А.В.

Pages:     | 1 |   ...   | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам