Связь параметров порядка, представляющих собой приведенные амплитуды статических деформационных мод кристалла, осуществляется благодаря ангармонизму межатомного взаимодействия. На основе модели построена теория, объясняющая структурные изменения и образование запрещенной зоны в электронном спектре при фазовом переходе в диоксиде ванадия.
Известно, что в высокотемпературной металлической позволяет более адекватно описать экспериментально фазе диоксида ванадия зона проводимости образуется наблюдаемые структурные изменения кристалла, в частблагодаря перекрытию 3d-волновых функций соседних ности однородное удлинение цепочки атомов ванадия атомов ванадия, расположенных в виде параллельных при ФПМП в VO2.
цепочек вдоль кристаллической оси C [1]. Ширина зоны проводимости E0 1.1 eV, расстояние между атомами = 1. Электронный спектр системы ванадия в цепочке в металлической фазе r0 = 2.85.
При температуре T0 = 340 K происходит фазовый Рассмотрим цепочку атомов, на каждом из которых переход металЦполупроводник (ФПМП). При этом находится по одному внешнему электрону. Гамильтониан в электронном спектре появляется запрещенная зона электронной подсистемы в приближении сильной связи Eg 0.6 eV. Кроме того, атомы ванадия попарно = запишем в виде [2] сближаются и смещаются от оси. В результате цепочка приобретает зигзагообразный вид (см. рисунок).
H = Bn, n+1(a+an+1 + a+ an), (1) n n+1 Расстояния между атомами ванадия в полупроводниn ковой фазе чередуются: r1 = 2.65, r2 = 3.12.
Таким образом, при ФПМП наряду с удвоением периода где n Ч номер атома в цепочке, Bn, n+i Ч интеграл наблюдается значительное удлинение цепочки атомов перекрытия волновых функций соседних атомов, a+, n (r2 + r1 - 2r0)/2r0 0.012.
= an Ч операторы рождения и уничтожения электрона на Такие изменения структуры кристалла в модельном атоме n.
одномерном приближении можно интерпретировать как Для узкозонных систем (в частности, для диоксида появление двух статических деформационных мод. Одванадия) расстояния rn, n+i между соседними атомами на из мод с волновым вектором /r0 соответствует в несколько раз превышают эффективный радиус R попарному сближению атомов. Вторая характеризует атомной волновой функции электрона. В этом случае однородную деформацию цепочки.
Bn, n+1 exp(-rn, n+1/R) [7]. Расстояние rn, n+1 запишем В настоящей работе предлагается двухпараметричев форме ская модель ФПМП, параметрами порядка которой являrn, n+1 =r0 +R +(-1)n+1R, (2) ются приведенные амплитуды статических деформационных мод. Механизм фазового перехода основан на где r0 Ч межатомное расстояние в металлической фазе, пайерлсовской неустойчивости [2,3] металлической фазы Ч параметр изменения длины цепочки, Ч параметр по отношению к удвоению периода кристаллической удвоения периода. С учетом (2) интеграл перекрытия решетки. В отличие от однопараметрической модели Bn, n+1 принимает вид аналогичного вида [4Ц6] в данной теории конкретизиру Bn, n+1 = b exp - +(-1)n, (3) ется вид потенциала межатомного взаимодействия. Это где b Ч интеграл перекрытия в металлической фазе ( = = 0).
Для диагонализации гамильтониана (1) воспользуемся методом канонических преобразований Боголюбова [8].
Перейдем к коллективным фермиевским операторам втоРасположение атомов ванадия в металлической (светлые кружки) и полупроводниковой (темные кружки) фазах диоксида ва- ричного квантования ck, c+ по формуле k надия. Расстояние между атомами в металлическом состоянии r0 = 2.85, в полупроводниковом состоянии r1 = 2.65, an = ckeikn, (4) r2 = 312 [1].
N k 926 А.Л. Семенов где N Ч число атомов в цепочке, k = 0, Здесь n Ч смещение атома n из равновесного положе2/N,..., , ck+2 = ck. В новом операторном ния металлической фазы в промежуточное при переходе представлении гамильтониан (1) принимает вид в полупроводниковую фазу, Ч эффективный коэффициент жесткости взаимодействия атома с окружающими H = 2be- ch() cos(k)c+ck + ish() sin(k)c+ck-. цепочку атомами, W (r) Ч энергия межатомного взаиk k k модействия за вычетом обменной части, обусловленной (5) перекрытием волновых функций внешних электронов Выполним в (5) еще одно каноническое преобразова(1). Эта обменная часть уже учтена нами посредством + ние к операторам k, k зависимости k от межатомного расстояния в формуле для свободной энергии электронной подсистемы (10).
k + ikkПервое слагаемое в (11) описывает межатомное взаимоck =. (6) действие внутри цепочки, а второе Ч в гармоническом 1 + k приближении взаимодействие атома цепочки с не принадлежащими цепочке атомами.
Функция k в (6) подбирается таким образом, чтобы + получившийся гамильтониан в новых переменных k, k Из рисунка видно, что смещения атомов n одинаковы для всех атомов и при 0 определяются выражением имел диагональный вид, + 1 2 2 H = kk k. (7) n = = 2r1 + 2r2 - 4r0, (12) k где r1, 2 = r0 + R R Ч соответственно минимальное После подстановки (6) в (5) и приравнивания к нулю и максимальное межатомные расстояния в полупроводнедиагональных элементов находим k и закон диспениковой фазе.
рсии k В состоянии равновесия суммарная свободная энергия F = Fe + Fp должна быть минимальной. Это позволяет ch() cos(k) - sign( cos(k)) cos2(k) +sh2() k =, с учетом (10)Ц(12) записать уравнения для параметров sh() sin(k) порядка ФПМП и (8) k = 2be-sign( cos(k)) cos2(k) +sh2(). (9) F k N W(r1) = fk + Из соотношения (9) видно, что спектр k при = k имеет две зоны, нижняя из которых в основном состо- W(r2) янии полностью заполнена, а верхняя пустая (полупро+ + R2 = 0, (13) водниковая фаза). При = 0 спектр (9) представляет собой одну наполовину заполненную зону (металличеF k N W(r1) W(r2) ская фаза).
= fk + + k 2. Уравнения для параметров порядка + r0R + R2 = 0. (14) ФПМП -Свободная энергия электронной подсистемы со спекЗдесь fk = 1 + exp(k/kBT ) Ч функция Ферми.
тром (9) определяется соотношением - k 3. Двухпараметрический потенциал Fe = N - kBT ln 1 + exp, (10) kBT k взаимодействия W(r) где Ч химический потенциал, kB Ч постоянная Для анализа уравнений (13), (14) необходимо знать Больцмана, T Ч температура. Суммирование по k в (10) энергию межатомного взаимодействия W(r). Рассмоидет по всем возможным одноэлектронным состояниям трим вначале простейший случай атомной цепочки без с учетом спинового вырождения.
окружения ( = 0) с модельным межатомным взаимоРешеточную часть свободной энергии запишем в придействием W (r).
ближении молекулярного поля [2], учитывающем только фононы с нулевой частотой колебаний (статические W(r) =V0e- R (r-r0), (15) деформационные моды) где, V0 Ч параметры потенциальной энергии W (r).
N-N 2 Для получения аналитического решения перейдем от Fp = W(rn, n+1) +Nn=1n. (11) спектра (9) к четырехуровневому модельному приблиn=Физика твердого тела, 1997, том 39, № Двухпараметрическая модель фазового перехода металЦполупроводник... жению с плотностью состояний (E) случае, как видно из (21), при низких температурах тео ретическое значение Eg 2b exp(1 + kBT /b) 0.59 eV.
= = N Таким образом, предлагаемая двухпараметрическая мо(E) = (E-1) +(E+1) дель Пайерлса в состоянии объяснить большую ширину запрещенной зоны Eg = 0.65 eV, наблюдаемую в экспе+(E-2) +(E+2), (16) рименте.
где (E) Ч дельта-функция, 1 = 2b exp(- )sh(), 2 = 2b exp(- )ch().
4. Трехпараметрический потенциал С учетом (15), (16) и условия =0 уравнения (13), взаимодействия W(r) (14) принимают вид Рассмотрим теперь более реальную ситуацию, когда 1 F атомы цепочки взаимодействуют с остальными атома= V0e- sh() N ми кристалла (в (13), (14) = 0). Межатомное взаимодействие W(r) внутри цепочки будем описывать 2 1 - th - = 0, следующей формулой:
2 2kbT W2 W1 F W(r) =W1(r -r0) + (r -r0)2 + (r -r0)3, (22) = -V0e- ch() 2 N где Wi Ч коэффициенты разложения в ряд Тейлора.
1 1 С учетом (22) и приближения (16) уравнения для + th + = 0. (17) 2 2kBT параметров порядка ФПМП (13), (14) принимают вид При выводе (17) мы положили th(2/2kBT ) 1.
= 1 F 2 1 = b(2 + 3) - th - = 0, Для определения коэффициентов и V0 испольN 2 2kBT зуем следующие условия: 1) в металлической фазе ( = 0) = 0; 2) в точке ФПМП при T = T0 1 F = b 1 + 2 + (2 + 2) 2F( = 0, =0, T =T0)/2 = 0. Отсюда с учетом N (17) находим 1 1 + th + = 0. (23) b b 2 2kBT = 1 +, V0 =. (18) kBT0 1 + b/kBTЗдесь введены следующие обозначения:
1b = (W1 + r0/2)R, 2b = (W2 + /2)R2, При этом система уравнений (17) приобретает вид 3b = W3R3. При выводе (23), так же как и в (17), мы положили th(2/2kBT) 1. Таким образом, в = kBT0 b = ln ch, (19) теории имеются три подгоночных параметра 1, 2, 3.
b kBTДля их определения воспользуемся следующими тремя kBT соотношениями: 1) в точке ФПМП ( =0) =0; 2) в b sh T b точке ФПМП теряется устойчивость металлической = ch. (20) T0 kBTфазы 2F( = 0, = 0, T = T0)/2 = 0; 3) в полупроводниковой фазе, как видно из (2) и рисунка, Уравнение (19) определяет зависимость параметра от = 0 =(r2 -r1)/2R. Отсюда с учетом [23] получаем, а (20) Ч зависимость от температуры T. Из (19), (20) получаем формулу для ширины запрещенной зоны b 1 = -1, 2 = 1 +, в электронном спектре Eg = 21 = 4bT/T0. Отсюда с kBT учетом (20) приближенно находим 1 b e3 = - - 0, T T0, 2 kBT T0 2b b kBT T0 kBT Eg = 4kBT ln + -1, 0 T0- T T0, T T 1 b e0 2b(kB+b) + + + b2 1-exp - T0 2 kBT 20 (kBT 0)1+kBT/b 2kBT/b, T T0.
-.
T 2b 2b (21) -e 1 + + 0 kBT kBT Известно, что трудность применения однопараметри(24) ческой модели Пайерлса для описания ряда материалов Пользуясь системой уравнений (23), находим приблисвязана с невозможностью получения в теории большой женную связь между параметрами порядка ФПМП () ширины запрещенной зоны [1,2]. В частности, для VO(T0 = 340 K, Eg = 0.6eV, E0 = 4b = 1.1eV) однопара1 + 22 + = 2. (25) метрическая модель дает Eg 4kBT0 0.12 eV. В нашем = 2(2 + 1 - 2) Физика твердого тела, 1997, том 39, № 928 А.Л. Семенов Проведем сравнение с экспериментом для диоксида ванадия. Для этого рассчитаем эффективный радиус R атомной волновой функции 3d-состояния электрона. Из (2), (9) получаем Eg r2 - r1 r2 - r1 - 2r= exp - sh. (26) E0 2R 2R Отсюда, используя экспериментальные данные (T0 = 340 K, Eg = 0.6eV, E0 = 4b = 1.1eV, r0 = 2.85, r1 = 2.65, r2 = 3.12 ), находим приближенное значение R 0.41. Этот результат находится в = согласии с общими представлениями о малом радиусе локализации d- и f -волновых функций соединений переходных металлов [1]. Экспериментальные значения параметров порядка ФПМП в полупроводниковой фазе рассчитаем с помощью соотношения (2): = 0.57, = 0.09, а подгоночные коэффициенты теории i Ч с помощью (24): 1 = -1, 2 = 10.8, 3 = -35.1.
Подставляя в (25) численные значения 1, 2, 3,, получаем теоретическое значение t 0.2, которое по = порядку величины соответствует экспериментальному 0.1.
= Таким образом, рассмотренная модель ФПМП дает теоретические результаты, близкие к экспериментальным. Небольшое их отличие, по-видимому, может быть объяснено малым количеством членов в разложении потенциальной энергии (22). Однако учет дальнейших членов приведет к увеличению числа подгоночных параметров теории и значительному усложнению расчетов.
Кроме того, при описании электронного спектра системы используется четырехуровневое приближение (16), которое существенно упрощает выкладки, но также ухудшает согласие с экспериментом.
Список литературы [1] А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металЦполупроводник и его применение. Л. (1979).
183 с.
[2] Л.Н. Булаевский. УФН 115, 2, 263 (1975).
[3] Р.О. Зайцев, Е.В. Кузьмин, С.Г. Овчинников. УФН 148, 4, 603 (1986).
[4] В.И. Емельянов, Н.Л. Левшин, А.Л. Семенов. Вестн. МГУ.
Сер. 3. Физика, астрономия 30, 5, 52 (1989).
[5] В.И. Емельянов, Н.Л. Левшин, С.Ю. Поройков, А.Л. Семенов. Вестн. МГУ. Сер. 3. Физика, астрономия 32, 1, (1991).
[6] А.Л. Семенов. ФТТ 36, 7, 1974 (1994).
[7] О. Маделунг. Физика твердого тела: локализованные состояния. М. (1985). 184 с.
[8] Н.Н. Боголюбов, Н.Н. Боголюбов (мл.) Введение в квантовую статистическую механику. М. (1984). 384 с.
Физика твердого тела, 1997, том 39, № Книги по разным темам