Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[7501-7600]

Pages:     | 1 |   ...   | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 МедьЦкислородные субструктуры в аллотропных формах углерода (графит и фуллерен) й В.Ф. Мастеров , А.В. Приходько, Т.Р. Степанова, А.А. Шакланов, О.И. Коньков Санкт-Петербургский государственный технический
  2. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Влияние размеров наноструктурных образований на рассеяние оптических фононов в полиэтилентерефталате й В.И. Веттегрень, В.А. Марихин, В.Б. Кулик, Л.С. Титенков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  3. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Новый элемент памяти на кремниевых нанокластерах в диэлектрике с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства + + й
  4. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Использование низкотемпературного излучателя для исследования спектральных характеристик инфракрасных фотоприемников й В.В. Васильев, Ю.П. Машуков, В.Н. Овсюк Институт физики полупроводников
  5. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Моделирование структурных и термических свойств тубулярных нанокристаллитов оксида магния й А.Н. Еняшин, Г. Зайферт , А.Л. Ивановский Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии
  6. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Роль фокусировки электронов в формировании Кикучи-картин монокристалла кремния й И.И. Пронин, Н.С. Фараджев, М.В. Гомоюнова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  7. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Аномалии магнитного поведения резко охлажденного мезогена хрома й Н.Е. Домрачева, И.В. Овчинников, А. Туранов, Г. Латтерманн Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Российской академии
  8. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Мягкий пробой как причина спада тока в туннельной МОП структуре й А.Ф. Шулекин , С.Э. Тягинов, R. Khlil , A. El Hdiy , М.И. Векслер Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  9. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах й Г.А. Сукач Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина
  10. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Контакты с диффузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx в СВЧ диодах диапазона 75-350 ГГц й Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин,
  11. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Проявление размерного квантования в широких легированных ямах й А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков Научно-исследовательский институт физики и прикладной математики при Уральском государственном
  12. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Особенности переноса заряда в диодах Шоттки на основе полуизолирующего CdTe й Л.А. Косяченко, Е.Л. Маслянчук, В.М. Склярчук Черновицкий национальный университет 58012 Черновцы, Украина
  13. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Исследование фотохромных кластерных систем на основе оксидов Mo методом ЭПР-спектроскопии й В.Н. Андреев, С.Е. Никитин, В.А. Климов, С.В. Козырев, Д.В. Лещев, К.Ф. Штельмах Физико-технический институт им
  14. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Low Dimensional Thermoelectric Materials й M.S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, X. Sun, Z. Zhang, S.B. Cronin, T. Koga Department of Electrical Engineering and Computer Science and Department of Physics,
  15. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Протонная проводимость однослойных углеродных нанотрубок:полуэмпирические исследования й И.В. Запороцкова, Н.Г. Лебедев, П.А. Запороцков Волгоградский государственный университет, 400062 Волгоград, Россия
  16. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Диэлектрические и оптические свойства жидкого кристалла 5-пропил-2-(п-цианфенил)-пиридин й Б.А. Беляев, Н.А. Дрокин, В.Ф. Шабанов Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии
  17. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Температурные электролюминесцентные исследования излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе InGaAsN/GaAs ,+ й Л.Я. Карачинский , Н.Ю. Гордеев , И.И. Новиков , М.В. Максимов ,
  18. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Электрические и термоэлектрические свойства нанопористого углерода й В.В. Попов, С.К. Гордеев, А.В. Гречинская, А.М. Данишевский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  19. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Спектры люминесценции, эффективность и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе p-n-гетероструктур InGaN/GaN, покрытых люминофорами1 й М.Л. Бадгутдинов, Е.В. Коробов, Ф.А.
  20. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в GaAs при переходе от двумерных к трехмерным структурам й И.А. Акимов, Д.Н. Мирлин, В.И. Перель, В.Ф. Сапега
  21. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 О свойствах ГЦК-фуллеритов й М.Н. Магомедов Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия E-mail: mahmag@iwt.ru (Поступила в Редакцию 27 мая
  22. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Статическая поляризуемость возбужденных и заряженных кластеров щелочных металлов й Л.И. Куркина Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск,
  23. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Анизотропия оптических констант гетероструктур ZnSe/BeTe без общего атома на интерфейсах й А.С. Гуревич, В.П. Кочерешко, А.В. Платонов, А. Вааг, Д.Р. Яковлев , Г. Ландвер Физико-технический институт им.
  24. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 4H-SiC p-i-n-диод, полученный совмещением сублимационной и газофазной эпитаксии й Е.В. Богданова, А.А. Волкова, А.Е. Черенков, А.А. Лебедев, Р.Д. Каканаков, Л.П. Колаклиева, Г.А. Саров, Т.М.
  25. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Мощные лазеры на квантовых точках InAsЦInGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs й М.В. Максимов , Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин,
  26. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Мощные лазеры ( = 940-980 нм) на основе асимметричной GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры раздельного ограничения й Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, В.А. Капитонов, А.Ю.
  27. ВлияниеВлияниеВлияние примесей с переменной валентностью на явления переноса в квантовой яме [7501-7600] Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982).[7501-7600] R. Kubo, J. Miyake, H. Haschitsume. Sol. St. Phys., 17, (1965).[7501-7600] K. Vijay, Arora, G. Fawry, Awad.
  28. ВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВаньеВанье-штарковская локализация в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния... [7501-7600] Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ЖЭТФ, 79, 2218 (1980). The WannierЦStark localization in
  29. ЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегирование полупроводников радиационными дефектами при облучении
  30. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Магнитопластичность твердых тел (Обзор) й Ю.И. Головин Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, 392622 Тамбов, Россия E-mail: golovin@tsu.tmb.ru (Поступил в Редакцию 28 мая 2003 г.В
  31. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Synthesis, Characterization and Applications of Shaped Single Crystals й William M. Yen Department of Physics and Astronomy University of Georgia Athens, GA 30602, USA In this paper we will review
  32. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x = 0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии й А.В. Войцеховский, Ю.А. Денисов, А.П. Коханенко, В.С. Варавин, С.А.
  33. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Новый подход к реализации потенциально высокой проводимости полидиацетилена й В.А. Марихин, Е.Г. Гук, Л.П. Мясникова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  34. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Photoelectrically Detected Magnetic Resonance Spectroscopy of the Excited Triplet States of Point Defects in Silicon й L.S. Vlasenko A.F. Ioffe Physico-technical institute of Russian Academy of Sciences,
  35. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 7 Магнетосопротивление компенсированного Ge : As на сверхвысоких частотах в области фазового перехода металЦизолятор й А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек Физико-технический институт им.
  36. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Спектры отражения и оптические постоянные тонких квазикристаллических пленок AlЦCuЦFe в инфракрасной области й В.А. Яковлев, Н.Н. Новикова, Дж. Матеи, А.А. Теплов, Д.С. Шайтура, В.Г. Назин, Г.В. Ласкова,
  37. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Полосы излучения связанных экситонов в кристаллах ZnSe и смешивание плазмонов и фононов й В.С. Вавилов, А.А. Клюканов, К.Д. Сушкевич, М.В. Чукичев, А.З. Ававдех, Р.Р. Резванов Молдавский государственный
  38. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 7 Влияние низкой концентрации примеси Au на фотолюминесценцию стехио- и нестехиометрического состава сульфида мышьяка й А.А. Бабаев, И.К. Камилов, З.В. Вагабова, С.М. Султанов, А.М. Асхабов, Е.И.
  39. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Фрактальная структура кластеров ультрадисперсного алмаза й М.В. Байдакова, А.Я. Вуль, В.И. Сиклицкий, Н.Н. Фалеев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  40. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Эффект ФренкеляЦПула для примеси бора в кремнии в сильных греющих электрических полях й А.М. Козлов, В.В. Рыльков Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино,
  41. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Электронная энергетическая структура и рентгеновские спектры политипов нитрида бора й В.В. Илясов, Т.П. Жданова, И.Я. Никифоров Донской государственный технический университет, 344010 Ростов-на-Дону, Россия
  42. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Excitons in Hybrid Organic-Inorganic Nanostructures й F. Bassani, G.C. La Rocca, D.M. Basko, V.M. Agranovich Scuola Normale Superiore and INFM Piazza dei Cavalieri, I-56126 Pisa, Italy Institute of
  43. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Электрические свойства проводящего полидиацетиленаЦTHD й Е.Г. Гук, М.Е. Левинштейн, В.А. Марихин, Л.П. Мясникова, С.Л. Румянцев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  44. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 7 Фундаментальные спектры оптических функций селенида бериллия й В.Вал. Соболев, В.В. Соболев Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 23 декабря 2002 г. Принята к
  45. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Расчет теплового воздействия электронного зонда на образец нитрида галлия й Л.А. Бакалейников, Е.В. Галактионов, В.В. Третьяков, Э.А. Тропп Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  46. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Исследование двулучепреломления в слоях пористого кремния методом инфракрасной Фурье-спектроскопии й Л.П. Кузнецова, А.И. Ефимова, Л.А. Осминкина, Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров Московский
  47. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Механизмы диссипации в джосефсоновской среде на основе ВТСП под действием магнитного поля й Д.А. Балаев, С.И. Попков, К.А. Шайхутдинов, М.И. Петров Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения
  48. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Электрические, гальваномагнитные и термоэлектрические свойства PbSe в подрешетке пустот опала й Л.И. Арутюнян, В.Н. Богомолов, Д.А. Курдюков, В.В. Попов, А.В. Прокофьев, И.А. Смирнов Физико-технический
  49. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Phase Transition to the Conducting State in a System of Charge-Transfer Excitons at a Donor-Acceptor Interface й V.M. Agranovich, S.A. Kiselev, Z.G. Soos, S.R. Forrest Institute of Spectroscopy of Russian
  50. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда с использованием реальных барьеров Шоттки й Н.Л. Дмитрук, О.Ю. Борковская, С.В. Мамыкин Институт Физики полупроводников Национальной академии
  51. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Стабилизация физических свойств твердых растворов CdxHg1-xSe, легированных железом й О.С. Романюк, С.Ю. Паранчич, Л.Д. Паранчич, В.Н. Макогоненко Черновицкий государственный университет им. Ю.
  52. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 7 Роль неравновесных носителей в линейном токопереносе (закон Ома) й Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов, Г. Эспехо, О.Ю. ТитовЖ, А. Мериуц Depto. de Fsica, CINVESTAVЦI.P.N.Apdo. Postal 14Ц740, Mxico
  53. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 7 Оптические свойства дефектного селенида индия й В. Вал. Соболев, В.В. Соболев Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 23 декабря 2002 г. Принята к печати 27
  54. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Исследование электрофизических свойств CdxHg1-xTe й П.В. Бирюлин , В.И. Кошелева, В.И. Туринов Научно-производственное предприятие ДИстокУ, 141190 Фрязино, Россия (Получена 27 августа 2003 г.
  55. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Спектроскопия горячей фотолюминесценции: исследование двумерных структур й Д.Н. Мирлин, В.И. Перель, И.И. Решина, В.Ф. Сапега Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  56. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Самокомпенсация метастабильных центров в халькогенидных полупроводниковых стеклах й Н.Т. Баграев, Л.Н. Блинов, В.В. Романов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  57. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Влияние последовательной имплантации ионов Ag+(Cu+) и Xe+ на рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe й М.И. Ибрагимова, Н.С. Барышев, В.Ю. Петухов, И.Б. Хайбуллин Казанский
  58. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Фазовые состояния и магнитная структура сверхпроводящих включений свинца в узкощелевой полупроводниковой матрице й С.Д. Дарчук, Т. Дитл, Л.А. Коровина, С. Колесник, М. Савицкий, Ф.Ф. Сизов Институт
  59. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Особенности оптического отклика диэлектрических кристаллов с несоразмерными фазами й О.С. Кушнир, Л.О. Локоть Львовский государственный университет, 79005 Львов, Украина E-mail: kolinko@franko.lviv.ua
  60. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 7 Отражательная способность жидкой фазы в условиях лазерно-индуцированного плавления кремния й Г.Д. Ивлев, Е.И. Гацкевич Институт электроники Национальная академия наук Белоруссии, 220090 Минск,
  61. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Низкотемпературные нестабильности электрических свойств полуизолирующих кристаллов Cd0.96Zn0.04Te : Cl й А.В. Савицкий , О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, К.С. Уляницкий, С.Н. Чупыра, Н.Д. Вахняк
  62. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Радиоспектроскопия широкозонных полупроводников: SiC и GaN й П.Г. Баранов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  63. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Особенности комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона й М.Ф. Галяутдинов, Н.В. Курбатова, С.А. Моисеев, Е.И. Штырков Казанский физико-технический институт при
  64. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Релаксирующие локальные моды и теория низкочастотного рамановского рассеяния света стеклами й В.Н. Бондарев, С.В. Зеленин Научно-исследовательский институт физики Одесского национального университета им.
  65. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 7 Дальнее инфракрасное стимулированное и спонтанное излучение в одноосно-деформированном бесщелевом Hg1-xCdxTe й Е.Ф. Венгер, С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, С.В. Старый, Г.А. Шепельский Институт
  66. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, в интервале температур 400-700C й Е.П. Неустроев, С.А. Смагулова, И.В. Антонова , Л.Н. Сафронов Якутский
  67. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Эффекты матричного элемента в спектрах фотоэмиссии углового разрешения диэлектрических купратов й А.С. Москвин, Е.Н. Кондрашов, В.И. Черепанов Уральский государственный университет им. А.М. Горького, 620083
  68. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Свойства легированных марганцем слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута й К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.А. Якушева Институт физики полупроводников
  69. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Исследование ориентации молекул жидкого кристалла E7 в композитах на основе щелевого кремния поляризационными методами инфракрасной спектроскопии и комбинационного рассеяния света ,+ й Е.В.
  70. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников:наука и приложения й И.С. Шлимак Jack and Pearl Resnick Institute of Advanced Technology, Department of Physics, Bar-Ilan University, Ramat-Gan 52900,
  71. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Моделирование тепло- и массопереноса в процессе роста монокристаллов карбида кремния й Б.А. Кириллов, А.С. Бакин, С.Н. Солнышкин, Ю.М. Таиров Кафедра микроэлектроники; Кафедра высшей математики
  72. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Роль уровней прилипания неравновесных электронов в процессе образования центров закрепления доменных стенок в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 й А.А. Абдуллаев Институт физики Дагестанского
  73. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Роль примесной зоны при переходе диэлектрикЦметалл при изменении состава сильно легированного и компенсированного полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb.Донорные примеси й В.А.
  74. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 7 Гистерезис магнитосопротивления нейтронно-легированного Ge в области прыжкового транспорта по состоянию кулоновской щели й А.Г. Андреев, С.В. Егоров, А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев, А.В.
  75. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Расчет энергетических уровней мелкого акцептора в одноосно-деформированном германии й М.А. Одноблюдов, В.М. Чистяков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  76. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Отрицательно заряженная вакансия кремния в SiC: эффекты спиновой поляризации й Т.Т. Петренко, Т.Л. Петренко, В.Я. Братусь Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев,
  77. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Поляризационная фоточувствительность кремниевых солнечных элементов с просветляющим покрытием из смеси оксидов индия и олова й В.М. Ботнарюк, А.В. Коваль, В.Ю. РудьЖ, Ю.В. Рудь, А.В. Симашкевич,
  78. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Изменение электрических и фотоэлектрических свойств твердых растворов Mg0.15Cd0.85Te под действием импульсного излучения лазера из области прозрачности кристаллов й А. Байдуллаева , Е.Ф.
  79. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 7 О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе вольт-фарадных измерений в процессе электрохимического травления й И.Р. Каретникова, И.М. Нефедов, В.И. Шашкин Институт
  80. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Водородсодержащие доноры в кремнии Ч центры с отрицательной эффективной корреляционной энергией й Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, В.Г. Цвырко Белорусский государственный университет,
  81. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Изменения электрофизических свойств кристаллов Cd1-xZnxTe после термообработки й Е.С. Никонюк,, З.И. Захарук, Е.В. Рыбак, С.Г. Дремлюженко, В.Л. Шляховый, М.А. Ковалец Черновицкий
  82. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Электрофизические свойства и предельное положение уровня Ферми в InSb, облученном протонами й В.Н. Брудный , В.М. Бойко , И.В. Каменская, Н.Г. Колин Сибирский физико-технический институт
  83. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 Аномальное воздействие магнитного поля на непрямой экситон в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs й В.В. Криволапчук, Д.А. Мазуренко, Е.С. Москаленко, Н.К. Полетаев, А.Л. Жмодиков, Т.С. Ченг, С.Т. Фоксон
  84. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Метастабильный X-центр в монокристаллах теллурида кадмия й П.Н. Ткачук, В.И. Ткачук, П.Н. Букивский , М.В. Курик Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина E-mail: ptkachuk@chnu.cv.ua
  85. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Неупорядоченные твердые тела: универсальные закономерности в структуре, динамике и явлениях переноса й В.К. Малиновский Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук,
  86. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 5 Влияние кулоновской корреляции на прыжковую проводимость й В.Д. Каган Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: victor kagan @ pop.rssi.ru
  87. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Примеси титана, ванадия и никеля в 3C-SiC: электронная структура и эффекты релаксации решетки й Н.И. Медведева, Э.И. Юрьева, А.Л. Ивановский Институт химии твердого тела Уральского отделения
  88. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Прыжковый механизм переноса заряда в квазикристаллах бора и его соединений й О.А. Гудаев, В.К. Малиновский Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук, 630090
  89. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Парные корреляции и вероятности многочастичных фигур в плоской треугольной решетке й А.И. Гусев Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия
  90. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Донорное действие редкоземельных металлов в PbTe й Г.Т. Алексеева, М.В. Ведерников, Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, Ю.И. Равич Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской
  91. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se2 й Т. Вальтер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь+, Г.В. Шок+ Институт физической электроники, 70569 Штуттгарт, Германия
  92. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Слабый ферромагнетизм в слоистых кристаллах InSe : Mn й В.В. Слынько, А.Г. Хандожко, З.Д. Ковалюк, А.В. Заслонкин, В.Е. Слынько, M. Arciszewska+, W.D. Dobrowolski+ Черновицкое отделение
  93. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света, возникающая при сверхкоротких оптической накачке и суперлюминесценции в GaAs й Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой , А.Н. Кривоносов, С.В. Стеганцов
  94. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 7 Оптические свойства монокристаллов Cd1-xZnxTe (0 < x < 0.1) в инфракрасном диапазоне длин волн й А.И. Белогорохов, В.М. Лакеенков, Л.И. Белогорохова Федеральное государственное унитарное
  95. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Параметры экситонов моноклинного диарсенида цинка й А.И. Козлов , С.Г. Козлова, А.В. Матвеев, В.В. Соболев Международная лаборатория высокотемпературной сверхпроводимости и твердотельной
  96. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Энергетика углеродных кластеров с пассивированными связями й В.В. Роткин, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Email:
  97. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами й В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, В.А. Новиков, А.И. Нойфех, В.В. Пешев Сибирский физико-технический институт им.
  98. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Особенности термоэлектрических свойств слабо легированных твердых растворов Bi2(TeSe)3 й П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, Ю.И. Равич , М.И. Федоров , В.В. Компаниец+ Физико-технический
  99. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Эффекты квантовой дискретности и фликкерные флуктуации туннельной проводимости й Ю.Е. Кузовлев, Ю.В. Медведев, А.М. Гришин Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, 83114
  100. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Вклад легких дырок в эффект Холла для сложной валентной зоны германия и его зависимость от уровня легирования й М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, Л.М. Штеренгас Физико-технический институт им. А.Ф.

Pages:     | 1 |   ...   | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам