Книги по разным темам

Книги (разное)

[7301-7400]

Pages:     | 1 |   ...   | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Влияние электрического поля на разрушение сегнетокерамики й Л.В. Жога, А.В. Шильников , В.В. Шпейзман Волгоградский архитектурно-строительный институт, Волгоград, Россия Физико-технический институт им.
  2. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Мощные лазеры ( = 808-850 нм) на основе асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения й А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин,
  3. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния й А.Н. Образцов, Х. Окуши, Х. Ватанабе, В.Ю. Тимошенко Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия
  4. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Самоорганизация в нанокомпозитах на основе наноалмазов детонационного синтеза й А.П. Возняковский ФГУП ДНаучно-исследовательский институт синтетического каучука им. С.В. ЛебедеваУ, 198035 Санкт-Петербург,
  5. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 In situ исследование влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах KCl : Ca й Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов Тамбовский государственный университет им. Г.Р.
  6. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Визуализация каналов проводимости и динамика ионного транспорта суперионных проводников й В.И. Поляков ОАО ФГипрониигазФ, 410600 Саратов, Россия (Поступила в Редакцию в окончательном виде 15 сентября 2000
  7. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Рассеяние экситонов на флуктуациях концентрации и проекции спинов магнитных примесей в квантовых ямах в полумагнитных полупроводниках й А.В. Верцимаха, В.И. Сугаков Институт ядерных исследвоаний
  8. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Спектры характеристических потерь алмаза й В.В. Соболев, А.П. Тимонов, В.Вал. Соболев Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Поступила в Редакцию 16 марта 1999 г.) Определен полный
  9. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Анализ факторов, вызывающих нестабильность деформации и потерю пластичности облученной нейтронами меди й Г.А. Малыгин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  10. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSeЦn-InSe й С.И. Драпак , М.О. Воробец, З.Д. Ковалюк Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича,
  11. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Вертикально-излучающие лазеры на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs й С.А. Блохин , Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Ю.М. Шерняков, И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, В.В. Дюделев,
  12. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Оптический край поглощения и его модификация при распаде пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия й А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин Санкт-Петербургский технологический институт,
  13. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Влияние анизотропии на дисперсию поверхностных плазмон-фононных поляритонов карбида кремния й А.В. Мельничук, Ю.А. Пасечник Институт физики полупроводников Академии наук Украины, 252650 Киев, Украина
  14. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых ямах й Г.Г. Зегря, И.Ю. Соловьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  15. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Определение релаксационных констант многоуровневой квадрупольной спин-системы й И.В. Золотарев, А.С. Ким, П.Г. Нейфельд Пермский государственный университет, 614600 Пермь, Россия Пермское отделение РНЦ
  16. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Исследование радиационных дефектов в синтетическом кварце методом малоуглового рассеяния нейтронов й В.М. Лебедев, В.Т. Лебедев, С.П. Орлов, Б.З. Певзнер, И.Н. Толстихин Петербургский институт ядерной
  17. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Создание экситонов и дефектов в кристалле CsI при импульсном электронном облучении й Е.С. Гафиатулина, С.А. Чернов, В.Ю. Яковлев Томский политехнический университет, 634004 Томск, Россия (Поступила в Редакцию
  18. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Electron emission properties of detonation nanodiamonds , , й V.V. Zhirnov , O.A. Shenderova , D.L. Jaeger , T. Tyler , D.A. Areshkin , D.W. Brenner , J.J. Hren North Carolina State University, Raleigh,
  19. ИсследованиеИсследованиеИсследованиеИсследование квантовых ям в системе ZnCdSe/ZnSe... Найдена технология подготовки поверхности для эпи- Study of ZnCdSe/ZnSe quantum wells таксиального роста, включающая коллоидно-химическую grown by molecularЦbeam
  20. МагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитные свойства углеродных структур [7301-7400] A. Nakayama, K.
  21. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Связь рекомбинации на интерфейсных состояниях и аномально малого показателя степени люксамперной характеристики в микрокристаллическом кремнии й К.В. Коугия, Е.И. Теруков Физико-технический
  22. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Структура парамагнитных дефектов во фториде кадмия, легированном иттрием и гадолинием й В.А. Важенин, А.П. Потапов, А.Д. Горлов, В.А. Чернышев, С.А. Казанский , А.И. Рыскин Уральский государственный
  23. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Неустойчивость деформации и разрушение при температуре жидкого гелия й В.И. Николаев, В.В. Шпейзман Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила
  24. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Оптико-структурный анализ фотонных кристаллов на основе опалов й В.Н. Богомолов, А.В. Прокофьев, А.И. Шелых Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  25. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Мезоскопические эффекты в области прыжковой проводимости макроскопических квази-2D объектов ,Ж Ж, й Б.А. Аронзон , А.С. Веденеев , В.В. Рыльков Российский научный центр ФКурчатовский институтФ,
  26. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Влияние эрбия на электронные ловушки в структурах a-Si : H(Er)/c-Si, полученных методом плазмохимического осаждения й В.С. Лысенко, И.П. Тягульский, И.Н. Осиюк, А.Н. Назаров, Я.Н. Вовк, Ю.В.
  27. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Межзонное излучение тиогаллата кадмия й А.И. Мачуга, В.Ф. Житарь, Е.Д. Арама Институт прикладной физики АНРМ, 2028 Кишинев, Молдова Кишиневский государственный технический университет, 2012
  28. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Температурные аномалии нелинейных магнитоакустических свойств монокристалла марганец-цинковой шпинели й Л.К. Зарембо, С.Н. Карпачев, Т.А. Лудзская, И.В. Саенко, А.И. Яфасов Московский государственный
  29. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Возбуждение ЯМР электрическим полем как динамическое проявление магнитоэлектрического и антиферроэлектрического взаимодействий й М.И. Куркин, В.В. Лесковец, В.В. Николаев, Е.А. Туров, Л.В. Туров Институт
  30. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb й И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф.
  31. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Локальная атомная структура нанокристаллического GaAs по данным EXAFS-исследований й Р.Г. Валеев, А.Н. Деев, Ю.В. Рац, Ю.А. Бабанов, П.Н. Крылов+, В.Ф. Кобзиев+, С.Ф. Ломаева Физико-технический
  32. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Перераспределение атомов фосфора, имплантированных в сильно легированный бором кремний й Е.Г. Тишковский, В.И. Ободников, А.А. Таскин, К.В. Феклистов, В.Г. Серяпин Институт физики
  33. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Низкочастотное поведение оптических эффектов пространственной дисперсии й В.Н. Гриднев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  34. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Нелинейный эффект Керра в магнитных кристаллах й А.Д. Петренко Донецкий государственный технический университет, 340000 Донецк, Украина E-mail: info@dgtu.donetsk.ua (Поступила в Редакцию 17 июля 1998 г.)
  35. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Электронные свойства и объемные модули новых полиморф нитрида бора Ч гипералмазного B12N12 и простых кубических B24N24, B12N12 фулборенитов й В.В. Покропивный, В.Л. Бекенев Институт проблем
  36. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Локальные колебательные моды комплекса кислородЦвакансия в германии Ж й В.В. Литвинов, Л.И. Мурин , Дж.Л. Линдстром , В.П. Маркевич , А.Н. Петух Белорусский государственный университет, 220050
  37. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении й Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.А.
  38. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Динамическая устойчивость спирального домена в переменном магнитном поле й В.Н. Мальцев, Г.С. Кандаурова, Л.Н. Картагулов Уральский государственный университет им. А.М. Горького, 620083 Екатеринбург, Россия
  39. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Нестехиометрия и низкотемпературные магнитные свойства кристаллов FeSi й Г.С. Патрин,, В.В. Белецкий, Д.А. Великанов, О.А. Баюков, В.В. Вершинин, О.В. Закиева, Т.Н. Исаева Институт физики им. Л.В.
  40. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Физические свойства сплава Si20Te80 с различной степенью структурного совершенства и его применение в акустооптических устройствах й Л.А. Кулакова, Б.Т. Мелех, Э.З. Яхкинд, Н.Ф. Картенко, В.И.
  41. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Статистические критические свойства моделей гадолиния й А.К. Муртазаев, И.К. Камилов, К.Ш. Хизриев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия E-mail:
  42. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Характер зависимости скорости доменной стенки от продвигающего поля в пленках гранатов й В.А. Боков, В.В. Волков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  43. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Влияние отжига на магнитные и магнитооптические свойства пленок Ni й Е.Е. Шалыгина, Л.В. Козловский, Н.М. Абросимова, М.А. Мукашева Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992 Москва,
  44. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Многофононный захват носителей на глубокие центры в обедненной области полупроводника й М.А. Демьяненко, В.Н. Овсюк, В.В. Шашкин Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской
  45. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии й А.П. Одринский Институт технической акустики
  46. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и рентгеновский микроанализ монокристаллов на основе теллурида висмута + й И.В. Гасенкова, В.А. Чубаренко , Е.А. Тявловская, Т.Е. Свечникова
  47. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Светоизлучающие слои твердого раствора кремнийЦгерманий, легированные эрбием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии й В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник,
  48. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb й Т.Н. Данилова, О.И. Евсеенко, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев Физико-технический
  49. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Поворот плоскости поляризации и линейное двупреломление звука в гематите ниже точки Морина й С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков, М.М. Шакирзянов Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Российской
  50. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в p-CdHgTe й Д.Ю. Протасов, В.Я. Костюченко, В.Н. Овсюк Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090
  51. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Переход диэлектрикЦметалл под действием давления в сплавах Pb1-xSnxSe (x 0.03), облученных электронами й Е.П. Скипетров, Е.А. Зверева, Б.Б. Ковалев, Л.А. Скипетрова Московский государственный
  52. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Коэффициент отражения электромагнитных волн от поверхности пластины феррита кубической симметрии й В.Д. Бучельников, А.В. Бабушкин, И.В. Бычков Челябинский государственный университет, 454021 Челябинск,
  53. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Chemical mechanical modification of nanodiamond in aqueous system , , й Y.W. Zhu , X.Q. Shen , B.C. Wang , X.Y. Xu , Z.J. Feng Department of Precision Instruments & Mechanology, Tsinghua University,
  54. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах p-Si й Т.А. Пагава Грузинский технический университет, 380075 Тбилиси, Грузия (Получена 27 октября 2003 г. Принята к печати 4
  55. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Уровни структурной модификации свойств некристаллических полупроводников и области их применимости й А.И. Попов, В.А. Воронцов, И.А. Попов Московский энергетический институт (Технический
  56. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Неоднородные магнитострикционные состояния в однооосных ферромагнитных пленках й Ю.И. Беспятых, И.Е. Дикштейн Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Московская обл.,
  57. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Эффекты деполяризации и фотоионизация квантовых ям й А.Г. Петров, А.Я. Шик Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 15 августа
  58. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Фотоэлектрические явления в монокристаллах CdV2S4 и структурах на их основе й А.А. Вайполин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, N. FerneliusЖ Физико-технический
  59. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Температурные магнитные фазовые переходы при конкуренции одно- и межионной магнитных анизотропий й В.М. Калита, В.М. Локтев Институт физики Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина Институт
  60. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Миграция точечных дефектов в соединениях AIVBVI в поле лазерной волны й С.В. Пляцко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина (Получена 16 июля
  61. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Электрические характеристики монокристаллов CdTe Pb при высоких температурах й П.М. Фочук , О.А. Парфенюк, О.Э. Панчук Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы,
  62. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Индентификация параметров примесных уровней в высокоомных полупроводниковых кристаллах с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов й П.Г. Кашерининов, Д.Г. Матюхин
  63. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Энергетические параметры двухэлектронных центров олова в PbSe + й С.А. Немов, Ф.С. Насрединов , П.П. Серегин, Н.П. Серегин , Э.С. Хужакулов Санкт-Петербургский государственный политехнический
  64. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Оптические свойства вертикально связанных квантовых точек InGaAs в матрице GaAs йМ.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, А.В.
  65. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Длинноволновый край спектра излучения горячей электронно-дырочной плазмы в фотовозбужденном арсениде индия й Э. Шатковскис , А. Чеснис Вильнюсский технический университет им. Гедиминаса, 2040
  66. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Подвижность носителей заряда в кристаллах n-CdxHg1-xTe в условиях динамического ультразвукового нагружения й А.И. Власенко, Я.М. Олих, Р.К. Савкина Институт физики полупроводников Национальной
  67. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Применение наноалмазов Наноалмазы для полирования й А.С. Артёмов Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия E-mail: artpol@mail1.lebedev.ru Приводятся результаты
  68. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры й А.П. Беляев , В.П. Рубец, М.Ю. Нуждин Санкт-Петербургский государственный
  69. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Влияние некоторых органических аддендов на величину зазора HOMOЦLUMO фуллерена C60 й Д.А. Сыкманов, Ю.Ф. Бирюлин, Л.В. Виноградова, В.Н. Згонник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  70. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Влияние доменной структуры в подмагничивающем поле на высокочастотную восприимчивость ферромагнетика й Ю.И. Джежеря, И.К. Локтионов Донецкий государственный университет, 340055 Донецк, Украина Донецкий
  71. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Влияние эффекта генерации электродвижущей силы на электрические свойства тонких пленок сульфида самария й В.В. Каминский, М.М. Казанин, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова, Н.М. Володин
  72. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Структурные и магнитные фазовые превращения в многослойных пленках гадолиния й В.О. Васьковский, А.В. Свалов, А.В. Горбунов, Н.Н. Щёголева, С.М. Задворкин Уральский государственный университет, 620083
  73. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка й М.Ф. Буланый, Б.А. Полежаев, Т.А. Прокофьев Днепропетровский государственный университет, 320625 Днепропетровск, Украина
  74. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Динамический хаос в частично освещенном компенсированном полупроводнике в условиях примесного электрического пробоя й К.М. Джандиери , З.С. Качлишвили, А.Б. Строганов Тбилисский
  75. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света й Г.С. Алтыбаев, И.Л. Броневой , С.Е. Кумеков Казахский национальный технический университет, 480013
  76. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Физические свойства полуизолирующих монокристаллов CdTe : Cl, выращенных из газовой фазы й В.Д. Попович , Г.М. Григорович, Р.М. Пелещак, П.Н. Ткачук Дрогобычский государственный педагогический
  77. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Усиление магниторефрактивного эффекта в магнитофотонных кристаллах й Ю.В. Борискина, С.Г. Ерохин, А.Б. Грановский, А.П. Виноградов, M. Inoue Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
  78. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами й А.М. Иванов, Н.Б. Строкан Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук,
  79. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Магнитная микроструктура в гексаферритах стронция с коррелированными неизоморфными замещениями й Ш.Ш. Башкиров, А.Б. Либерман, Л.Д. Зарипова, А.А. Валиуллин Казанский государственный университет, 420008
  80. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Магнитная анизотропия, переход первого рода и парадокс Брауна в соединениях редкоземельных металлов й Ю.П. Ирхин Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург,
  81. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Особенности механизмов проводимости сильно легированных интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn й В.А. Ромака,+, М.Г. Шеляпина,, Ю.К. ГореленкоХ, Д. Фрушарт , Ю.В. СтадныкХ, Л.П. РомакаХ,
  82. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Кооперативная генерация когерентных фононов локализованными возбуждениями в стеклах й А.М. Андриеш, Н.А. Енаки, В.И. Король, П.И. Бардетский, И.П. Куляк Институт прикладной физики Академии наук
  83. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 О природе термополевой асимметрии процессов ионной поляризации / деполяризации окисла Si-МОП структур й Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева Институт радиотехники и электроники, 141120 Фрязино,
  84. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Светочувствительные полиимиды, содержащие в цепи замещенные дифенилметановые фрагменты й Е.Л. Александрова, Г.И. Носова, Н.А. Соловская, К.А. Ромашкова, В.А. Лукьяшина, Е.В. Конозобко, В.В.
  85. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Спиновое состояние и магнитное взаимодействие между ионами кобальта в легированных ниобием кобальтитах й И.О. Троянчук, Д.В. Карпинский, R. Szymczak Институт физики твердого тела и полупроводников
  86. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Аномальная электронная эмиссия из монокристаллов ниобата и танталата лития й А.Т. Козаков, В.В. Колесников, А.В. Никольский, В.П. Сахненко Научно-исследовательский институт физики при Ростовском-на-Дону
  87. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы й А.И. Белогорохов, И.И. Иванчик, З. Попович,Ж, Н. РомчевичЖ, Д.Р. Хохлов Московский
  88. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Nanodiamonds in magnetic recording system technologies й V.I. Kurmachev , Y.V. Timoshkov , T.I. Orehovskaja , V.Y. Timoshkov PLASMOTEG Engineering Center, National Academy of Science Belarus, Minsk,
  89. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN й А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Н.М. Шмидт, Е.Е. Заварин, А.С. Усиков, Н.Н. Зиновьев, М.Н. Ткачук
  90. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Влияние всестороннего давления на подвижность электронов и корреляционные свойства системы примесей железа со смешанной валентностью в кристаллах HgSe : Fe й И.Г. Кулеев, Г.Л. Штрапенин Институт
  91. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Магнитная и орбитальная структуры манганитов в области электронного легирования й С.М. Дунаевский, В.В. Дериглазов Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук,
  92. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 ДМодуляцияУ характеристик интенсивного пикосекундного стимулированного излучения из GaAs Ж й Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой , А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков , Т.А. Налет , С.В. Стеганцов Институт
  93. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Равновесное энергетическое распределение локализованных носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках при низких температурах в присутствии внешнего электрического поля й Д.В. Николаенков,
  94. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Фотолюминесценция в поликристаллических слоях Pb1-xCdxSe, активированных в присутствии паров йода й А.Е. Гамарц, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова Санкт-Петербургский государственный
  95. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Магнитные свойства и структура интерметаллидного соединения GdЦTiЦGe с нанокристаллической структурой й Г.Ф. Корзникова, Х.Я. Мулюков, С.А. Никитин, Ю.А. Овченкова Институт проблем сверхпластичности
  96. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Влияние хвостов зон a-Si : H на заполнение состояний оборванных связей и величину фотопроводимости й С.В. Кузнецов, Е.И. Теруков Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
  97. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Инфракрасные спектры отражения и спектры комбинационого рассеяния света твердых растворов CuxAg1-xGaS2 й И.В. Боднарь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220069
  98. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Анализ поляризационно-модуляционных спектров индуцированного одноосным сжатием фотоплеохроизма в кристалле Ge й И.Е. Матяш, Б.К. Сердега Институт физики полупроводников им. В. Лашкарева
  99. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Фотоэлектрические явления в гетероструктурах a-Si : H/p-CuInSe2 й Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков Физико-технический институт им. А.Ф Иоффе Российской академии наук, 194021
  100. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si й Г.А. Качурин , С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, M.-O. Ruault Институт физики

Pages:     | 1 |   ...   | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам