Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[7101-7200]

Pages:     | 1 |   ...   | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Исследования медь-углеродных систем методом ЭПР й Б.П. Попов Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 29 июля 2004 г. Принята к
  2. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением + й И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С.
  3. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Высокотемпературные свойства манганитов. Проявление неоднородности парамагнитной фазы й Н.А. Бабушкина, Е.А. Чистотина, К.И. Кугель , А.Л. Рахманов , О.Ю. Горбенко , А.Р. Кауль Российский научный центр
  4. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Влияние адсорбции молекул пиридина на концентрацию свободных носителей заряда и спиновых центров в слоях пористого кремния й Л.А. Осминкина, А.С. Воронцов, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко,
  5. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления й С.А. Блохин+, Н.В. Крыжановская+,
  6. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Инжекционный гетеролазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs й А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф.
  7. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Эффект СтаблераЦВронского в зависимости от положения уровня Ферми и структуры нелегированного аморфного гидрированного кремния й О.А. Голикова, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова Физико-технический
  8. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Рекомбинация экситонов в -легированных сверхрешетках второго рода GaAs/AlAs й К.С. Журавлев, А.К. Сулайманов, А.М. Гилинский, Л.С. Брагинский, А.И. Торопов, А.К. Бакаров Институт физики
  9. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров й Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.С. Шуленков , С.В. Чумак , Е.В. Никитина, С.А. Блохин,
  10. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Зависимость энергетического спектра механически напряженной сверхрешетки ZnSe/ZnS от концентрации носителей й Р.М. Пелещак, Б.А. Лукиянец Дрогобычский государственный педагогический университет,
  11. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Исследование примесного состава полупроводниковых структур на основе арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа й А.Г. Дутов, В.А. Комар, С.В. Ширяев, Л.А. Смахтин Институт
  12. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Влияние внутризонной электронной релаксации на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах й И.А. Костко, Н.А. Гунько, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря Физико-технический институт
  13. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN / GaN й Д.С. Сизов , В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов Физико-технический
  14. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрикЦарсенид галлия й Л.Н. Возмилова, В.И. Гаман, В.М. Калыгина, А.В. Панин, Т.П. СмирноваЖ
  15. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Дисперсия скорости звука в борате железа при ядерном магнитоакустическом резонансе й Х.Г. Богданова, В.Е. Леонтьев, М.М. Шакирзянов, А.Р. Булатов Казанский физико-технический институт Российской академии
  16. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Параметрическая оптимизация брэгговских отражателей лазера с вертикальным резонатором и нелинейным преобразованием частоты Ж й Ю.А. Морозов, И.С. Нефедов, В.Я. Алешкин , М.Ю. Морозов Институт
  17. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Исследования зависимостей структуры и магнитных свойств пленок FeTaN от концентрации азота й А.С. Камзин, Фулинь Вей, Зхенг Янг, С.А. Камзин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  18. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Релаксация доменной структуры кристаллов ТГС и ДТГС в процессе статической переполяризации й С.Н. Дрождин, О.М. Голицына, А.И. Никишина, Ф.А. Тума, Д.П. Тарасов Воронежский государственный университет,
  19. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений й А.П. Астахова, Н.Д. Ильинская, А.Н.
  20. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Радиационное охлаждение в условиях магнитоконцентрационного эффекта й А.И. Липтуга, В.К. Малютенко, В.И. Пипа, Л.В. Леваш Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650
  21. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Транзистор с туннельным МОП эмиттером как инструмент для определения эффективной массы дырки в тонкой пленке диоксида кремния й М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, А.Ф. Шулекин Физико-технический
  22. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле й В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, С.В. Нехлюдов Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской
  23. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Влияние p-легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках й И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, Л.Я. Карачинский, М.В. Максимов, Ю.М.
  24. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты и структуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n-n+-GaAs (M = Pt, Cr, W) й И.Б. Ермолович, В.В. Миленин,
  25. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Кинетика фрактальных кластеров при фазовых превращениях в релаксорной PLZT-керамике й В.Я. Шур, Г.Г. Ломакин, В.П. Куминов, Д.В. Пелегов, С.С. Белоглазов, С.В. Словиковский, И.Л. Соркин Институт физики и
  26. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Природа низкочастотного комбинационного рассеяния света в конгруэнтных кристаллах ниобата лития й Н.В. Суровцев, В.К. Малиновский, А.М. Пугачев, А.П. Шебанин Институт автоматики и электрометрии Сибирского
  27. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs на квантовых точках с длиной волны излучения 1.3 мкм й И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, М.В. Максимов, Ю.М.
  28. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Долговременная релаксация упорядоченной магнитной структуры й С.К. Годовиков, Ю.Д. Перфильев, Ю.Ф. Попов, А.И. Фиров Научно-исследовательский институт ядерной физики при Московском государственном университете
  29. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллы триглицинсульфата й М.Н. Левин, В.В. Постников , М.Ю. Палагин , А.М. Косцов Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия
  30. НелинейнаяНелинейнаяНелинейная фотолюминесценция варизонных твердых растворов Alx Ga1-xAs излучения через плоскую полированную поверхность с выходом на насыщение в слоях с большими значенив отсутствие переизлучения. ями E при высоких уровнях
  31. ВлияниеВлияниеВлияние условий пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных комплексов... одного зерна в другое, т. е. проводимостью межзеренных влиять на высоту межзеренных барьеров и тем самым границ. Как правило, проводимость кристаллов значи-
  32. ВлияниеВлияниеВлияниеВлияниеВлияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS тие спектров, по-видимому, вследствие нестабильности Список литературы пересыщенного твердого раствора ZnS : O. Имеющиеся в литературе данные по люминесценции ДчистыхУ
  33. НаноразмерныеНаноразмерныеНаноразмерныеНаноразмерныеНаноразмерные атомные кластеры в полупроводниках Ч новый подход к формированию свойств... Такие лазеры обладали ультравысокой стабильностью составляет 10-18 Ф. Поэтому один электрон, попорогового
  34. НаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенный фотоплеохроизм в полупроводниках [7101-7200] А.
  35. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 К теории квантового стохастического резонанса в однодоменных магнитных частицах й Э.К. Садыков, А.Г. Исавнин, А.Б. Болденков Казанский государственный университет, 420008 Казань, Россия (Поступила в Редакцию
  36. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Равновесные характеристики и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe : Pb й А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, А.Й. Савчук, С.Н. Чупыра Черновицкий национальный
  37. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Затухание звука конечной амплитуды вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода й О.Ю. Сердобольская, А.В. Сердобольский, Г.П. Морозова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899
  38. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Микрокинетика модели ИзингаЦГлаубера в бинарном приближении й В.А. Муравьев, В.М. Воробьев, А.С. Гаревский Нижегородский государственный университет, 603600 Нижний Новгород, Россия (Поступила в Редакцию 2
  39. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Особенности определения концентраций мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров экситонной люминесценции й К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович Институт физики полупроводников Национальной
  40. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GaInAsSb/InAs и GaInAsSb/GaSb й Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Ф. Липаев, Ю.П. Яковлев
  41. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 3 Флуктуационная теория фотолюминесценции пористого кремния й В.Н. Бондарев, П.В. Пихица, С.В. Зеленин Научно-исследовательский институт физики Одесского национального университетa им. И.И. Мечникова, 65026
  42. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Теплопроводность и соотношение ВидеманаЦФранца в расплавах антимонидов индия и галлия й Я.Б. Магомедов, А.Р. Билалов Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,
  43. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Эффекты магнитного упорядочения в сильно легированных кристаллах GaAs Fe й Б.П. Попов, В.К. Соболевский, Е.Г. Апушкинский, В.П. Савельев Санкт-Петербургский государственный политехнический
  44. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Распределение мелкой донорной примеси в пластине p-CdTe при ее отжиге в парах Cd йВ.Н. Бабенцов, З.К. Власенко, А.И. Власенко, А.В. Любченко Институт физики полупроводников Национальной академии
  45. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Наблюдение диамагнитных доменов в бериллии й В.С. Егоров, Е.П. Красноперов, Ф.В. Лыков, Г. Шолт, К. Байнс, Д. Герлах, У. Циммерманн Российский научный центр ФКурчатовский институт, 123182 Москва, Россия
  46. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев n-PbTe(Ga) й Б.А. Акимов, В.А. Богоявленский, Л.И. Рябова, В.Н. Васильков Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
  47. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Особенности теплового излучения плоскопараллельных пластин полупроводника й К.Ю. Гуга, А.Г. Коллюх , А.И. Липтуга, В.А. Мороженко, В.И. Пипа Институт физики полупроводников Национальной
  48. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Спектры глубоких уровней в слоях ZnTe : Cr2+, полученных эпитаксией из молекулярных пучков й Ю.Г. Садофьев , М.В. Коршков Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
  49. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Индуцированный электрическим полем фазовый переход в монокристаллах цинкониобата свинца й Л.С. Камзина, Н.Н. Крайник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  50. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Зонная структура полупроводниковых соединений Mg2Si и Mg2Ge с напряженной кристаллической решеткой й А.В. Кривошеева, А.Н. Холод, В.Л. Шапошников, А.Е. Кривошеев, В.Е. Борисенко Белорусский
  51. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Природа центров локализации дырок в халькогенидах свинца с примесью натрия й Г.Т. Алексеева, Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, Ю.И. Равич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  52. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Динамическое влияние постоянного электрического поля на кинетику фотонов, взаимодействующих с электронами полупроводника й Р.Х. Амиров, В.Н. Гусятников НИИ механики и физики Саратовского
  53. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Электрофизические и оптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов й В.Н. Брудный , Н.Г. Колин , Д.И. Меркурисов , В.А. Новиков Сибирский физико-технический
  54. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 О дифференциальной проводимости полупроводниковых сверхрешеток й Ю.А. Романов Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия E-mail: romanov@ipm.sci-nnov.ru
  55. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия й К.Д. Глинчук , Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н.
  56. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Модель квантовых ям и край оптического поглощения в структурно-неоднородных сплавах на основе a-Si : H й Б.Г. Будагян, А.А. Айвазов, Д.А. Стряхилев, Е.М. Соколов Московский институт электронной
  57. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe й В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.Я. Костюченко , В.Н. Овсюк, Д.Ю. Протасов Институт физики полупроводников Сибирского отделения
  58. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te) й К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев,
  59. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Влияние диффузионной длины и поверхностной рекомбинации на фотоплеохроизм анизотропных кристаллов й Г.А. Медведкин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  60. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Локализованные состояния в соединении Hg3In2Te6 Cr й П.Н. Горлей, О.Г. Грушка, В.М. Фрасуняк Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Получена 14 мая 2001 г. Принята к
  61. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Исследование спектров инфракрасной люминесценции ZnSe, содержащего медь и кислород й Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук# Московский энергетический институт (Технический
  62. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Теплопроводность HgSe, введенного в решетку пустот монокристалла синтетического опала й В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, В.В. Попов, Л.М. Сорокин, И.А. Смирнов, Х. Мисиорек ,
  63. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Проводимость и эффект Холла в CdF2 : In и CdF2 : Y й И.И. Сайдашев, Е.Ю. Перлин , А.И. Рыскин , А.С. Щеулин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  64. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Особенности массо- и теплообмена в микро- и наночастицах, формирующихся при электрокристаллизации меди й А.А. Викарчук, И.С. Ясников Тольяттинский государственный университет, 445056 Тольятти, Россия
  65. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Об электронных фазовых переходах металл-диэлектрик в полупроводниках й М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003
  66. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 О природе полосы люминесценции с hm = 1.5133 эВ в арсениде галлия й К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрильчук Институт физики полупроводников Национальной академии наук
  67. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Спектр стимулированного излучения, возникающего при межзонном поглощении пикосекундного импульса света в тонком слое GaAs й И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов Институт радиотехники и электроники
  68. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Управление характером токопереноса в барьере Шоттки с помощью -легирования: расчет и эксперимент для Al/GaAs й В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин Институт физики
  69. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Оптические свойства монокристаллов синтетических алмазов й А.В. Мудрый , Т.П. Ларионова, И.А. Шакин, Г.А. Гусаков , Г.А. Дубров , В.В. Тихонов Институт физики твердого тела и полупроводников
  70. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек й С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов,
  71. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Резонансные трехмерные фотонные кристаллы й Е.Л. Ивченко, А.Н. Поддубный Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 24 мая 2005
  72. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Взаимодействие электронов с полярными оптическими фононами в полупроводниковых сверхрешетках й В.Г. Тютерев Томский государственный педагогический университет, 634041 Томск, Россия E-mail: vgt@phys.tsu.ru
  73. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Новый материал для активной области приборов сине-зеленого спектрального диапазона Ч BeCdSe й О.В. Некруткина,, С.В. Сорокин,+, В.А. Кайгородов,-, А.А. Ситникова, Т.В. Шубина, А.А. Торопов,
  74. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs й И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
  75. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Компьютерное моделирование межузельных атомов в двумерных нанокристаллах й В.А. Лагунов , А.Б. Синани Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  76. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 ExcitonЦpolariton transition induced by elastic excitonЦexciton collisions in ultra-high quality AlGaAs alloys й T.S. Shamirzaev, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, K.S. Zhuravlev, A.Yu. Kobitski,
  77. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Магнитооптические осцилляции в висмуте при температурах T 77 K й О.В. Кондаков, К.Г. Иванов Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина, 399700 Елецк, Россия Санкт-Петербургский
  78. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Обращение волнового фронта на поверхности оптически возбужденного ZnO й А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка,
  79. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Влияние отжига на дислокационную электропроводность германия й С.А. Шевченко Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия (Получена 16 ноября 1999 г.
  80. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Электроны, дырки и экситоны в сверхрешетке цилиндрических квантовых точек с предельно слабой связью квазичастиц между слоями квантовых точек й Н.В. Ткач, А.М. Маханец, Г.Г. Зегря Черновицкий
  81. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Тензор проводимости и частота релаксации импульса электронов при рассеянии на ионизованной примеси в магнитном поле:метод матрицы плотности й В.Э. Каминский Институт сверхвысокочастотной
  82. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Глубокие уровни вакансий в сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3 й С.Н. Гриняев, Г.Ф. Караваев Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия (Получена 24 января 1996 г.
  83. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Особенности спектров отражения в дальней инфракрасной области полумагнитных полупроводников Hg1-xMnxTe1-ySey й А.И. Белогорохов, В.А. Кульбачинский, П.Д. Марьянчук, И.А. Чурилов Московский
  84. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Локальная особенность изменения спектра пикосекундной суперлюминесценции при дополнительной генерации носителей в нефермиевскую электронно-дырочную плазму в GaAs й Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой
  85. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Взаимосвязь спиновых структурных дефектов и проводимости в пленках гидрированного нанокристаллического кремния с добавками углерода й О.И. Шевалеевский , А.А. Цветков, Л.Л. Ларина, S.Y. Myong
  86. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd1-xZnxTe й А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков, Н.А. Смирнова Институт
  87. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Влияние ультрафиолетового облучения на люминесценцию и оптические свойства пленок ZnS : Mn й Я.Ф. Кононец, Л.И. Велигура, О.А. Остроухова Институт физики полупроводников Национальной академии наук
  88. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Оптическая спектроскопия экситонных состояний в CuInSe2 й А.В. Мудрый, М.В. ЯкушевЖ, Р.Д. ТомлинсонЖ, А.Е. ХилЖ, Р.Д. ПилкингтонЖ, И.В. Боднарь, И.А. Викторов, В.Ф. Гременок, И.А. Шакин, А.И.
  89. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Определение щелей подвижности и плотности локализованных состояний дырок для гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix в режиме квантового эффекта Холла й Ю.Г. Арапов , О.А. Кузнецов , В.Н. Неверов, Г.И.
  90. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Диэлектрические и ЯМР-исследования нанопористых матриц, заполненных нитритом натрия , й C.В. Барышников , Е.В. Стукова , Е.В. Чарная , Cheng Tien , M.K. Lee , W. Bhlmann , D. Michel Благовещенский
  91. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Плазмон-фонон-поляритоны в легированных акцепторной примесью сплавах висмут-сурьма й Н.П. Степанов Забайкальский государственный педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, 672000 Чита,
  92. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии й М.Г. Ткачман , Т.В. Шубина, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов, П.С.
  93. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Оптоэлектронные явления в полуизолирующих монокристаллах CdTe и структурах на их основе й Г.А. Ильчук, Н.А. Украинец, В.И. Иванов-Омский, Ю.В. Рудь, В.Ю. РудьЖ Государственный университет
  94. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 3 New approach to nonlinear dynamics of fullerenes and fullerites й G.M. Chechin, O.A. Lavrova, V.P. Sakhnenko, H.T. Stokes, D.M. Hatch Research Institute of Physics of Rostov State University, 344090
  95. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Колебательные состояния на поверхностях Cu (100) с адслоями Ni , й Г.Г. Русина , И.Ю. Скляднева , Е.В. Чулков, Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук,
  96. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол й А.А. Копылов, А.Н. Холодилов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376
  97. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений й Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, С.С. Кижаев , С.С. Молчанов, Б.В. Пушный, Ю.П.
  98. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Особенности проявления магниторезистивных эффектов в магнитозависимом микроволновом поглощении вырожденного n-InAs й А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Г. Бискупски Физико-технический
  99. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми й В.Н. Брудный , С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050
  100. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии й Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков Физико-технический институт им.

Pages:     | 1 |   ...   | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам