Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[7001-7100]

Pages:     | 1 |   ...   | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Модель зависимости термической энергии ионизации примесей от их концентрации и компенсации в полупроводниках й Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски Белорусский государственный университет,
  2. статьи.e2nF где 0 = , C1 = ln(2) +J1. При H = 0 из (32) mF получаем соответствующее выражение работы [7001-7100]. В Список литературы линейном приближении по kBT/ для полного тока j имеем [7001-7100] И.М. Цидильковский. Термомагнитные явления в полупроj = xxE +
  3. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Перенос энергии Ce3+ Eu2+ в соединении CaGa2S4 й Р.Б. Джаббаров Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Академии наук Азербайджана, 370143 Баку, Азербайджан (Получена 2 июня 2001 г. Принята к
  4. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Форма линии межзонного магнитооптического поглощения в висмуте й С.В. Бровко, А.А. Зайцев, К.Г. Иванов, О.В. Кондаков Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна, 191065
  5. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Механизмы вхождения примеси сурьмы в кристаллы теллурида кадмия й Е.С. Никонюк , З.И. Захарук , В.Л. Шляховый , П.М. Фочук, А.И. Раренко Черновицкий государственный университет, 58012
  6. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Двулучепреломление инфракрасного света в искусственном кристалле, полученном с помощью анизотропного травления кремния й Е.В. Астрова , T.S. Perova , В.А. Толмачев, А.Д. Ременюк, J. Vij , A.
  7. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Катодолюминесценция и неупругое рассеяние света в эпитаксиальных пленках Ga1-xAlxP й Л.К. Водопьянов, В.И. Козловский, Н.Н. Мельник Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии
  8. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Изменение спонтанного излучения в стоп-зоне опала с увеличенным контрастом показателя преломления й C.Г. Романов, А.В. Фокин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  9. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Транспортные и термоэлектрические свойства полупроводникового силицида рения й А.Б. Филонов, А.Е. Кривошеев , Л.И. Иваненко , Г. Бер , И. Шуманн , Д. Суптель , В.Е. Борисенко Белорусский
  10. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием й Б.А. Андреев, Н.А. Соболев, Д.И. Курицын#, М.И. МаковийчукЖ, Ю.А. Николаев, Е.О. ПаршинЖ Физико-технический институт им.
  11. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках й А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук, А.Ю. Рогачев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  12. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Особенности оптическиx свойств твердых растворов AlxGa1-xN й В.Г. Дейбук , А.В. Возный , М.М. Слетов, А.М. Слетов Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Получена 3
  13. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Исследование электрофизических и оптических свойств -легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [7001-7100] поверхностях (111)A GaAs й Г.Б. Галиев,
  14. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Уровни вакансий и межузельных атомов в запрещенной зоне кремния й В.В. Лукьяница Белорусский государственный медицинский университет, 220116 Минск, Белоруссия (Получена 13 мая 2002 г. Принята к
  15. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Кинематический квазивакансионный биэкситон Френкеля в давыдовском мультиплете й О.А. Дубовский Физико-энергетический институт, 249020 Обнинск, Калужская обл., Россия (Поступила в Редакцию 30 июня 1998 г.)
  16. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Теплопроводность поликристаллического селенида цинка й Н.В. Лугуева, С.М. Лугуев, А.А. Дунаев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия
  17. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях распада комплексов дефектов в полупроводниках й Н.И. Бояркина Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
  18. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Повышение квантового выхода инфракрасного излучения в узкощелевых полупроводниках в упругонапряженном состоянии й С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, С.В. Старый, Г.А. Шепельский, В.А. Бойко Институт
  19. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Энергетические состояния в короткопериодных симметричных и асимметричных сверхрешетках (GaAs)N/(AlAs)M.Зависимость от граничных условий й К.Е. Глухов , А.И. Берча, Д.В. Корбутяк , В.Г.
  20. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Времена рассеяния частицы на одномерных потенциальных барьерах й Н.Л. Чуприков Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия (Получена 21
  21. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Определение модуля упругости эпитаксиальных слоев GaN методом микроиндентирования й В.И. Николаев, В.В. Шпейзман, Б.И. Смирнов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  22. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 О соотношении Борна для кристаллических решеток типа алмаза и сфалерита й В.П. Михальченко Институт термоэлектричества Национальной академии наук Украины, 58002 Черновцы, Украина E-mail:
  23. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 3 Гальвано-дипольный эффект й А.И. Грачев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: grach.shuv@mail.ioffe.ru (Поступила в Редакцию 11 июля
  24. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 3 Поляронное состояние кристалла й Ю.А. Фирсов, Е.К. Кудинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: kudinov@ekk.ioffe.rssi.ru (Поступила в
  25. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Оптическое поглощение и фоточувствительность структур из тонких пленок CuInxGa1-xSe2 й В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, И.В. БоднарьЖ, В.Ф. ГременокЖ Государственный технический университет, 195251
  26. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 О поперечной устойчивости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре 1 й А.М. Минарский, П.Б. Родин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  27. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Решеточная модель прыжковой проводимости по ближайшим соседям: применение к нейтронно-легированному Ge : Ga й Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский Белорусский государственный университет, 220050
  28. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Деление продольных автосолитонов в InSb в магнитном поле й И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала,
  29. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 3 Ultraviolet-visible absorption spectroscopy of carbon onions й S. Tomita, S. Hayashi,, Y. Tsukuda, M. Fujii Graduate School of Science and Technology, Kobe University, Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, Japan
  30. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Захват электронов на примесь в полупроводниках, определяемый пространственной диффузией й В.Д. Каган Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  31. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Анализ и уточнение математического аппарата для модифицированного времяпролетного метода й С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин Рязанская государственная радиотехническая
  32. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Переходы Мотта в сильно легированных магнитных полупроводниках й Э.Л. Нагаев Институт физики высоких давлений Российской академии наук, 142092 Троицк, Московская обл., Россия (Поступила в Редакцию 4 января
  33. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Энергетический спектр и магнитооптические свойства D(-)-центра в квантовом сужении й В.Д. Кревчик , А.А. Марко, А.Б. Грунин Пензенский государственный университет, 440017 Пенза, Россия
  34. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Брэгговская дифракция света в искусственных опалах й А.В. Барышев, А.А. Каплянский, В.А. Кособукин, М.Ф. Лимонов, К.Б. Самусев, Д.Е. Усвят Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  35. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 О процессах захвата неосновных носителей тока в CdxHg1-xTe n-типа при низких температурах й С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
  36. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Генерация дислокаций в варизонных гетеросистемах CdTe/CdHgTe на начальных стадиях эпитаксиального роста й А.И. Власенко, З.К. Власенко, И.В. Курило, И.А. Рудый Институт физики полупроводников Национальной
  37. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Нелинейность акустических эффектов и высокочастотной проводимости в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в режиме целочисленного квантового эффекта Холла й И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, И.Ю. Смирнов,
  38. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Эффекты пространственной повторяемости при интерференции электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах с параболическими квантовыми ямами й В.А. Петров , А.В. Никитин Институт
  39. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Резонансное -X-туннелирование в однобарьерных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs й Ю.Н. Ханин , Е.Е. Вдовин, Ю.В. Дубровский Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов
  40. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 3 Nonadiabatic superconductivity in fullerene-based materials й C. Grimaldi, E. Cappelluti , L. Pietronero, S. Strssler Dpartement de Microtechnique Ч IPM, cole Polytecnique Fderale Lausanne, Lausanne,
  41. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами й А.А. Лебедев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  42. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Переходы с переносом заряда и оптические спектры ванадатов й А.В. Зенков Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург, Россия E-mail: andreas@r66.ru (Поступила в Редакцию 27 мая
  43. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Анализ механизмов рассеяния электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами при продольном резонансном токопереносе в области сильных электрических полей и низких
  44. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Коротковолновая фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Ar+ йГ.А. Качурин, Л. Реболе, В. Скорупа, Р.А. Янков, И.Е. Тысченко, Х. Фрёб, Т. БёмеЖ, К. ЛеоЖ
  45. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Спиновое расщепление и g-фактор электронов возбужденной подзоны размерного квантования й В.И. Кадушкин Рязанский государственный педагогический университет, 390006 Рязань, Россия (Получена 27
  46. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Щелевой кинематический биэкситон Френкеля й О.А. Дубовский Физико-энергетический институт, 249020 Обнинск, Россия (Поступила в Редакцию 30 июня 1999 г.) Получено общее дисперсионное уравнение, определяющее
  47. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Влияние неоднородностей кристаллов Bi2Te3 на поперечный эффект НернстаЦЭттингсгаузена й М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова Санкт-Петербургский государственный технический университет,
  48. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 3 Особенности поведения теплосопротивления кремния в интервале температур 105Ц130 K й Д.К. Палчаев, А.Б. Батдалов, Ж.Х. Мурлиева, А.К. Омаров, Ф.Д. Палчаева, М.Э. Мурадханов Дагестанский государственный
  49. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Изменение структуры дефектов в монокристаллах p-CdTe при прохождении лазерной ударной волны й А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Б.Л. Горковенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль Институт физики
  50. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Исследование транспорта носителей в системе нелегированных квантовых ям при импульсном возбуждении й А.М. Георгиевский, А.Я. Шик, В.А. Соловьев, Б.С. Рывкин, Н.А. Стругов, Е.Ю. Котельников, В.Е.
  51. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x 0.06) й А.Н. Вейс, Н.А. Суворова Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 6
  52. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами й В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин Московский
  53. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Анизотропия эффективной массы -электронов в квантовой яме GaAs/(AlGa)As й Е.Е. Вдовин , Ю.Н. Ханин Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка,
  54. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Квазигидродинамическое моделирование особенностей электропроводности сильно легированных наноразмерных слоистых гетероструктур в сильных электрических полях й В.А. Гергель , В.А. Курбатов,
  55. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Оптические спектры и электронная структура кубического карбида кремния й В.В. Соболев , А.Н. Шестаков Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 17 июня 1999 г.
  56. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InGaAs й И.А. Карпович , Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В.
  57. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Проводимость электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрикЦметалл й Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, А.Б.
  58. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Флуктуационные процессы в параэлектрической фазе хромаммонийных квасцов й Г.П. Вишневская, Е.Н. Фролова, А.Р. Фахрутдинов Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань,
  59. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением с введением углерода й Э.Б. Каганович, И.П. Лисовский, Э.Г. Манойлов, С.А. Злобин Институт
  60. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Энергетический спектр акцептора в полумагнитном полупроводнике p-Hg1-xMnxTe в спин-стекольной области й Е.И. Георгицэ, В.И. Иванов-Омский, Д.И. Цыпишка Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  61. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Фотоионизация глубоких примесных центров в структурах с квантовыми ямами й В.И. Белявский, Ю.А. Померанцев Воронежский государственный университет, 394043 Воронеж, Россия (Получена 25 мая 1998
  62. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Проявление эффекта локализации электронов в осцилляциях поглощения звука в режиме квантового эффекта Холла й И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.Ю. Смирнов,
  63. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Рекомбинация донорных экситонов никеля в твердых растворах ZnSe1-ySy : Ni й В.И. Соколов, О.В. Долженков Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург,
  64. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) на GaAs(001) с интенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм й В.И. Шашкин , В.М. Данильцев,
  65. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Карты деформационных структур в облученных нейтронами металлах и сплавах й Г.А. Малыгин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  66. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев.Фотолюминесценция туннельно-связанных квантовых ям й Ю.В. Хабаров , В.В. Капаев
  67. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Температурные зависимости модуля упругости биоморфных керамик карбида кремния й Б.И. Смирнов, Ю.А. Буренков, Б.К. Кардашев, F.M. Varela-Feria , J. Martinez-Fernandez , A.R. de Arellano-Lopez
  68. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Плазменные колебания в двумерных полупроводниковых сверхструктурах в присутствии сильного электрического поля й С.Ю. Глазов, С.В. Крючков Волгоградский государственный педагогический
  69. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Экситонная фотолюминесценция и вертикальный транспорт фотовозбужденных носителей в сверхрешетках CdSe/CdMgSe й И.И. Решина, С.В. Иванов, Д.Н. Мирлин, И.В. Седова, С.В. Сорокин
  70. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Фотовольтаический эффект в области примесного поглощения в Si-структурах с блокированной проводимостью по примесной зоне й Б.А. Аронзон+, Л. Асадаускас- , Р. Бразис- , Д.Ю. Ковалев, Ж. Леотин-,
  71. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Управление энергией межзонных и межподзонных переходов в квантовых ямах с помощью локализованных изоэлектронных возмущений й К. Дуринян, А. Затикян, С. Петросян Ереванский государственный
  72. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSe1-x)2 й И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. РудьЖ Государственный университет информатики и
  73. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Спектрально-люминесцентные свойства Sm- и CeЦSm-содержащих кварцевых гель-стекол й Г.Е. Малашкевич, Е.Н. Подденежный, И.М. Мельниченко, А.В. Семченко Институт молекулярной и атомной физики Академии наук
  74. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов в несимметричных квантовых ямах й А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  75. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Индуцированные магнитным полем переходы между минизонами в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs й В.Ф. Сапега, Д.Н. Мирлин, Т. РуфЖ, М. КардонаЖ, В. ВинтерЖ, К. ЭберЖ Физико-технический институт им.
  76. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии й Б.А. Борисов, С.Н. Никишин, В.В. Курятков, В.И. Кучинский, M. Holtz, H. Temkin
  77. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Расчет коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктуре с квантовыми ямами InGaAsP/InP й Н.А. Гунько, А.С. Полковников, Г.Г. Зегря Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  78. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Квантованная проводимость в кремниевых квантовых проволоках й Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, В.К. Иванов+, И.А. Шелых+ Физико-технический институт им.
  79. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Эволюция микроструктуры в облучаемых материалах й В.В. Слезов , А.В. Субботин , О.А. Осмаев, Институт теоретической физики им. акад. А.И. Ахиезера, Национальный научный центр ДХарьковский
  80. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Исследования свойств FeAlN тонких пленок в зависимости от способов синтеза й А.С. Камзин, Фулинь Вей, Зхенг Янг, С.А. Камзин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  81. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Резонансные состояния доноров в квантовых ямах й Н.А. Бекин Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия (Получена 7 сентября 2004 г. Принята к печати
  82. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe й В.Х. Кайбышев, В.В. Травников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  83. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdSxSe1-x й В.П. Кунец , Н.Р. Кулиш, М.П. Лисица, В.П. Брыкса Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
  84. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Спектрально-люминесцентные и прочностные свойства родамин 6Ж-содержащих кремнеземных гель-пленок й Г.Е. Малашкевич, Е.Н. Подденежный, И.М. Мельниченко, В.Б. Прокопенко, Д.В. Демьяненко Институт молекулярной и
  85. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Внутризонное поглощение света в квантовых ямах за счет электрон-электронных столкновений й Г.Г. Зегря, В.Е. Перлин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  86. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 О роли спектральной диффузии в спектроскопии одиночной примесной молекулы й В.В. Пальм, К.К. Ребане Институт физики Тартуского университета, 51014 Тарту, Эстония E-mail: rebanek@fi.tartu.ee (Поступила в
  87. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs й В.Г. Талалаев, Б.В. Новиков, С.Ю. Вербин, А.Б. Новиков, Динь Шон Тхак, Г.
  88. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Исследования магнитного состояния поверхности гексагональных ферритов SrЦM в области фазового перехода при температуре Кюри й А.С. Камзин, В.Л. Розенбаум Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  89. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Определение профиля распределения концентрации носителей заряда в слабосвязанных сверхрешетках GaAs / AlGaAs й П.Н. Брунков , С.О. Усов , Ю.Г. Мусихин, А.Е. Жуков, Ж Г.Э. Цырлин , В.М.
  90. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Солитон поля упругой деформации в структурно-неустойчивом кристалле й Е.Е. Слядников Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, 634021 Томск, Россия E-mail: slyad@cc.tpu.edu.ru
  91. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Моделирование массопереноса в условиях локальной газофазной эпитаксии с использованием маски й Л.Б. Проэкт, М.А. Калитеевский, В.Б. Кантор, Д.А. Пиотровский, М.А. Синицын, Б.С. Явич
  92. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Излучение квантово-размерных структур InGaAs I. Спектры спонтанного излучения й П.Г. Елисеев, И.В. Акимова Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия
  93. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Особенности электропроводности легированных пленок -Si : H с нанокристаллами кремния й С.А. Аржанникова, М.Д. Ефремов , Г.Н. Камаев, А.В. Вишняков, В.А. Володин Институт физики полупроводников
  94. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Импульсные режимы огибающей магнитостатических волн в двухслойной магнитосвязанной структуре й А.М. Шутый, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432970 Ульяновск, Россия E-mail:
  95. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Интеркаляция лития в тонкие пленки аморфного кремния й Т.Л. Кулова, А.М. Скундин, Ю.В. Плесков, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова Институт физической химии и электрохимии им. А.Н.
  96. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Оптические свойства и электронная структура редкоземельных ферроборатов й В.Н. Заблуда, С.Г Овчинников, А.М. Поцелуйко, С.А. Харламова Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской
  97. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Носители заряда в спектрах оптической проводимости манганитов лантана й Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, В.Е. Архипов, С.В. Окатов, С.В. Наумов, И.Б. Смоляк, Я.М. Муковский, А.В. Шматок Институт физики
  98. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния й П.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
  99. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Интерференция носителей тока в модулированных квантовых проволоках й Н.Т. Баграев, В. Гельхофф, В.К. Иванов+, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, И.А. Шелых+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  100. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Распространение поверхностной акустической волны в слоистой системе, содержащей двумерный проводящий слой й В.Д. Каган Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021

Pages:     | 1 |   ...   | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам