Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[6901-7000]

Pages:     | 1 |   ...   | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Влияние диффузии Te из подложки n-GaSb : Te на свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных в присутствии свинца й Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, А.Ф. Липаев, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко,
  2. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Свойства периодических структур a-Si : H a-SiNx : H, полученных нитридизацией слоев аморфного кремния й Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Ю.Н. Галишникова, Э.А. Жаркова, Н.П. Казанова, О.Ю.
  3. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Механизмы распада твердого раствора InGaAlAs, стимулированного квантовыми точками InAs й А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, Д.А. Бедарев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А.
  4. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Люминесценция квантовых точек ZnO, полученных с помощью синтетического опала й А.Н. Грузинцев , В.Т. Волков, Г.А. Емельченко , И.А. Карпов , В.М. Масалов , Г.М. Михайлов, Е.Е. Якимов
  5. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Вольт-фарадные характеристики p-n-структур на основе (111)Si, легированного эрбием и кислородом й А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, А.Н. Якименко Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  6. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Резонансные переходы между расщепленными уровнями трехбарьерных наноструктур и перспективы их применения в приборах субмиллиметрового диапазона й Е.И. Голант, А.Б. Пашковский Государственное
  7. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках й С.А. Кукушкин, М.А. Захаров Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург,
  8. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Ионизация примесных центров в полупроводниковой квантовой сверхрешетке нелинейными электромагнитными волнами й С.В. Крючков, К.А. Попов Педагогический университет, 400013 Волгоград, Россия
  9. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 О внутренней структуре сферических частиц опала й И.А. Карпов, Э.Н. Самаров, В.М. Масалов, С.И. Божко, Г.А. Емельченко Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская
  10. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Структура энергетических квантовых уровней в квантовой точке, имеющей форму сплюснутого тела вращения й Г.Г. Зегря, О.В. Константинов, А.В. Матвеенцев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  11. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Двухуровневые волновые функции электронов в двухбарьерных квантово-размерных структурах в электрическом поле конечной амплитуды й Е.И. Голант, А.Б. Пашковский Государственное
  12. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Синхротронные исследования особенностей электронно-энергетического спектра кремниевых наноструктур й Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, Э.Ю. Мануковский, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов , Д.В.
  13. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Уширение спектральных линий в квантовых ямах при кулоновском взаимодействии носителей заряда й А.А. Афоненко Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия (Получена 10 июня
  14. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Связывание состояний электронов в молекуле квантовых точек InAs/GaAs й М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин, Г.Э. Цырлин, Ю.Г. Мусихин Физико-технический институт
  15. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Эффекты фотоупругости в сверхрешетках с наклонным дном квантовой ямы вблизи межзонных резонансов й Р.А. Аюханов, Г.Н. Шкердин Физико-технический институт НПО ДФизика-СолнцеУ Академии наук Узбекистана,
  16. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Генерация гармоник в квантово-размерных структурах в сильном электромагнитном поле й В.В. Капаев, А.Е. Тюрин Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия
  17. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Пентагональные кристаллы меди: многообразие форм роста и особенности внутреннего строения й А.А. Викарчук, А.П. Воленко Тольяттинский государственный университет, 445667 Тольятти, Россия E-mail:
  18. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев 1. Фотолюминесценция й Ю.В. Хабаров Институт радиотехники и электроники
  19. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Форма линий ЭПР и ЯМР в разупорядоченных сегнетоэлектриках й М.Д. Глинчук, И.В. Кондакова Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, 252680 Киев, Украина (Поступила в Редакцию 19 июня 1997 г.В
  20. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Переменный пространственный заряд и неоднозначность квантовых состояний в двухбарьерных структурах й А.Б. Пашковский Государственное научно-производственное предприятие ФИстокФ, 141120 Фрязино,
  21. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs / GaAs от температуры поверхности и скорости роста й В.Г. Дубровский , Ю.Г. Мусихин , Г.Э. Цырлин, В.А.
  22. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Особенности фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001), выращенных на напряженном слое Si1-xGex й Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н.
  23. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 О стабильности кубического диоксида циркония и стехиометрических наночастиц диоксида циркония й В.Г. Заводинский, А.Н. Чибисов Институт материаловедения Хабаровского научного центра Дальневосточного
  24. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Влияние зарядового состояния дефектов на индуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния й О.А. Голикова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  25. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Электропроводность одномерного полупроводника с периодическим потенциалом й С.Д. Бенеславский, А.А. Елистратов , С.В. Шибков Институт криптографии, связи и информатики Академии ФСБ России,
  26. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие в спектральном диапазоне 1.4Ц1.8 мкм й В.С. Михрин, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, Н.В. Крыжановская, А.Г.
  27. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Когерентные эффекты в правильных трехмерных решетках нанокристаллов изоляторов в матрице опала й В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, А.А. Сысоева, Н.В. Шаренкова, И.А. Смирнов, Х.
  28. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Особенности поглощения в наноструктурах a-Si / ZrOx й А.Ф. Хохлов, И.А. Чучмай, А.В. Ершов Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия
  29. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Размерный эффект Штарка и электропоглощение в полупроводниковом сферическом слое й В.А. Арутюнян, К.С. Арамян , Г.Ш. Петросян Гюмрийский образовательный комплекс государственного инженерного
  30. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP й Л.Б. Карлина, А.С. Власов, М.М. Кулагина, Н.Х. Тимошина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  31. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Процессы медленной поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках й В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия E-mail:
  32. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Деформация слоев в сверхрешетках AlGaN/GaN по данным рентгенодифракционного анализа й Р.Н. Кютт, М.П. Щеглов, В.Ю. Давыдов, А.С. Усиков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  33. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Дихроизм пропускания света массивом квантовых проволок GaAs, самоформирующихся на нанофасетированной поверхности (311)A й В.А. Володин, М.Д. Ефремов, Р.С. Матвиенко , В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин ,
  34. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии й И.П. Сошников, Н.В. Крыжановская, Н.Н.
  35. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм й Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Шленский
  36. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Тепловые и акустические свойства хризотилового асбеста й Ю.А. Кумзеров, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, А.И. Кривчиков , Г.А. Звягина , В.Д. Филь , Х. Мисиорек , Я. Муха , А. Ежовский Физико-технический
  37. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Фотовозбуждение носителей с уровней в квантовых точках в состояния континуума в процессе лазерной генерации й Л.В. Асрян, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  38. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Рассеяние фононов на границах малых кристаллов, помещенных в диэлектрическую матрицу пористого стекла й Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, А.В. Фокин, Х. Мисиорек, Я. Муха , А. Ежовский Физико-технический
  39. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Анализ состава когерентных нановключений твердых растворов по высокоразрешающим электронно-микроскопическим изображениям й И.П. Сошников , О.М. Горбенко, А.О. Голубок , Н.Н. Леденцов
  40. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов в канале полевого гетеротранзистора й Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров+ Институт физики полупроводников, 01108 Вильнюс, Литва + Институт
  41. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Роль примеси бора в активации свободных носителей заряда в слоях пористого кремния при адсорбции акцепторных молекул й Л.А. Осминкина , Е.А. Константинова, К.С. Шаров, П.К. Кашкаров, В.Ю.
  42. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Размерность мезогенных молекул как атомных кластеров й Е.М. Аверьянов Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия E-mail: aver@iph.krasn.ru
  43. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Гетероструктурный транзистор на квантовых точках с повышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов й В. Мокеров, Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене Институт СВЧ полупроводниковой электроники
  44. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Модели углеродных микротрубок и распределение электронной плотности в них й В.А. Волошин, В.Г. Бутько, А.А. Гусев, Т.Н. Шевцова Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, 83114
  45. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Плотность состояний в щели подвижности аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием й А.В. Бирюков, А.Г. Казанский , Е.И. Теруков , К.Ю. Хабарова Московский государственный
  46. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Дисперсия и затухание волн Рэлея на статистически шероховатой, свободной поверхности гексагонального кристалла й В.В. Косачёв, Ю.Н. Гандурин Московский государственный инженерно-физический институт
  47. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Суперсимметричная теория неупорядоченных гетерополимеров й А.И. Олемской, В.А. Бражный Сумский государственный университет, 244007 Сумы, Украина E-mail: alexander@olem.sumy.ua valera@ssu.sumy.ua (Поступила
  48. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Новый физический механизм формирования критического заряда включения тиристорных структур й Т.Т. Мнацаканов , С.Н. Юрков, А.Г. Тандоев Всероссийский электротехнический институт, 111250 Москва,
  49. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Роль одномерной диффузии в модели роста поверхности кристалла Косселя й А.М. Бойко, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  50. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Структура и свойства нанотрубок BeO й П.Б. Сорокин, А.С. Фёдоров, Л.А. Чернозатонский Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия Институт
  51. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Плотность и термодинамика водорода, адсорбированного на поверхности однослойных углеродных нанотрубок й А.С. Фёдоров, П.Б. Сорокин Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской
  52. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Формирование дислокационной спирали на грани (010) кристалла бифталата калия й Л.Н. Рашкович, Е.В. Петрова, О.А. Шустин, Т.Г. Черневич Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992
  53. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Генерация третьей гармоники в пленках сополимеров с оптически нелинейным N-замещенным 4-нитроазобензолом в боковой и основной полимерных цепях й Г.К. Лебедева, Н.Л. Лорецян, В.Н. Иванова, К.А. Ромашкова,
  54. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Фотовольтаический эффект в пленках поли(алкилтиофена) на кремниевой подложке й А.С. Комолов Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, 198904 Петродворец,
  55. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур й А.А. Ефремов, Д.В. Тархин, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер Санкт-Петербургский
  56. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD-пленок 4H-SiC й Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, Г.Н. Виолина
  57. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Низкочастотная оптическая проводимость неоднородных сплавов й Н.И. Коуров, Ю.В. Князев Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия E-mail:
  58. ГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктуры с квантовыми точками: получение,
  59. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения й Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А.
  60. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Трансформация параметров фазового перехода полупроводникЦметалл при кристаллизации аморфных пленок диоксида ванадия й В.А. Климов, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин , А.В. Ильинский ,
  61. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Исследование необратимой структурной релаксации в объемном металлическом стекле PdЦCuЦNiЦP й Н.П. Кобелев, Е.Л. Колыванов, В.А. Хоник Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432
  62. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Влияние электронной и нейтронной радиации на спектры оранжевой люминесценции специально не легированных и легированных медью монокристаллов сульфида кадмия й Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С.
  63. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Излучение горячих носителей при образовании высокополевых автосолитонов в электронно-дырочной плазме в n-Ge й М.Н. Винославский , А.В. Кравченко Институт физики Национальной академии наук
  64. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе й Б.С.
  65. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Эффект латерального переноса фотоиндуцированных носителей заряда в гетороструктуре с двумерным электронным газом й В.А. Сабликов, С.В. ПоляковЖ, О.А. Рябушкин Институт радиотехники и электроники
  66. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 СВЧ фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках PbS, полученных из тиомочевинных координационных соединений й Н.Л. Сермакашева, Г.Ф. Новиков , Ю.М. Шульга, В.Н. Семенов
  67. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Оптические спектры и электронная структура нитрида индия й В.В. Соболев, М.А. Злобина Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 16 марта 1998 г. Принята к печати 29
  68. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Собственная и активированная примесями Zn, Ce, Tb, Er, Sm и Eu фотолюминесценция псевдоаморфных тонких пленок GaN и InGaN й А.А. Андреев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  69. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs й К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В.
  70. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Обобщенный характер диэлектрического отклика кристаллов CdTe, выращенных из расплава й И.А. Клименко, В.П. Мигаль Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского ФХАИФ, 61070
  71. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Оптическое отражение в твердых растворах (Pb0.78Sn0.22)1-xInxTe с высоким содержанием индия й А.Н. Вейс, А.В. Нащекин Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251
  72. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Насыщение межзонного поглощения в полупроводниках й А.О. Меликян Г.Р. Минасян Государственный инженерный университет, 375009 Ереван, Армения (Получена 22 апреля 1999 г. Принята к печати 12
  73. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Сенсорные свойства по отношению к сероводороду и электропроводность поликристаллических пленок SnO2(Cu) й Б.А. Акимов, А.В. Албул, А.М. Гаськов, В.Ю. Ильин, М. Лабо, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова
  74. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках й Н.А. Поклонский , С.А. Вырко, А.Г. Забродский Белорусский государственный
  75. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Влияние радиального электрического поля на поглощение в квантованном сферическом слое й В.А. Арутюнян Государственный инженерный университет Армении, Гюмрийский образовательный комплекс, 377503
  76. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Емкостные исследования электронных ловушек в низкотемпературном арсениде галлия й П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, А.К. Моисеенко, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Черкашин, С.Г. Конников, В.В.
  77. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Электростатическая модель энергетической щели между зонами Хаббарда атомов бора в кремнии й Н.А. Поклонский, А.И. Сягло Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия
  78. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Полупроводниковые свойства CrSi2 с деформированной решеткой й А.В. Кривошеева, В.Л. Шапошников, А.Е. Кривошеев, А.Б. Филонов, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики
  79. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Рассеяние фононов пространственно-коррелированной системой ионов железа и низкотемпературная аномалия теплопроводности кристаллов HgSe : Fe й И.Г. Кулеев, А.Т. Лончаков, И.Ю. Арапова Институт
  80. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Релаксационный характер диэлектрического отклика кристаллов Cd1-xZnxTe, выращенных из расплава й И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко Государственный аэрокосмический
  81. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Нижние критические поля сверхпроводника YЦBaЦCuЦO й В.Е. Милошенко, И.М. Шушлебин, О.В. Калядин Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия E-mail: miloshenko@mail.ru
  82. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Фотоэлектрическое C-V-профилирование концентрации основных и эффективного времен жизни неосновных носителей заряда в геттерированных пластинах GaAs й В.Ф. Андриевский , А.Т. Гореленок, Н.А.
  83. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Метод открытой оболочки для электронной структуры дивакансии кремния й С.С. Моливер Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия (Поступила в Редакцию 29 апреля 1998 г.) Ограниченный
  84. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов GaSe, подвергнутых воздействию лазерного облучения й А. Байдуллаева , З.К. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, Л.Ф. Кузан, П.Е. Мозоль Институт
  85. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n- и p-Si0.7Ge0.3 в процессе реакторного облучения й А.П. Долголенко Институт ядерных исследований Национальной академии
  86. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного и межузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода й И.И. Колковский, В.В. Лукьяница Белорусский
  87. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 3 Electron density as the main parameter influencing the formation of fullerenes in a carbon plasma й G.N. Churilov, P.V. Novikov, V.A. Lopatin, N.G. Vnukova, N.V. Bulina, S.M. Bachilo, D. Tsyboulski, R.B.
  88. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Полуэмпирическая модель подвижности носителей заряда в карбиде кремния для анализа ее зависимости от температуры и легирования й Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков Всероссийский
  89. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов й В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, Н.А. Семиколенова, Е.Н. Сидоров Институт
  90. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Спиновая поляризация и андреевское отражение носителей заряда в точечных контактах (LaCa)MnO/сверхпроводник й А.И. Дьяченко, В.А. Дьяченко, В.Ю. Таренков, В.Н. Криворучко Донецкий физико-технический
  91. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Временная и пространственная устойчивость фотоэлектрического отклика кристаллов CdZnTe й В.П. Мигаль, А.С. Фомин Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского ДХАИУ, 61070
  92. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Электрофизические свойства InAs, облученного протонами й В.Н. Брудный , Н.Г. Колин , А.И. Потапов Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия
  93. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами ( 2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов й В.Н. Брудный , С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин Сибирский
  94. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Акустостимулированная активация связанных дефектов в твердых растворах CdHgTe й А.И. Власенко, Я.М. Олих, Р.К. Савкина Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028
  95. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом
  96. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Дипольные моменты лигандов и штарковское расщепление уровней редкоземельных ионов й М.М. Чумачкова, А.Б. Ройцин Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев,
  97. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Формирование Кикучи-полос в дифракционных картинах электронов средней энергии й М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Н.С. Фараджев, Д.А. Валдайцев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  98. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Активационная проводимость и переход металЦдиэлектрик в примесной зоне легированных кристаллов узкощелевого p-Hg1-xCdxTe й В.В. Богобоящий, С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский Кременчугский
  99. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Определение матричного элемента оператора квазиимпульса в бесщелевом полупроводнике HgSe методом эффекта поля в электролите й О.Ю. Шевченко, В.Ф. Раданцев , А.М. Яфясов, В.Б. Божевольнов, И.М.
  100. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb й В.А. Гнатюк, Е.С. Городниченко Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, 01033

Pages:     | 1 |   ...   | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам