Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[6701-6800]

Pages:     | 1 |   ...   | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением й Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Е.В. Бегун Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
  2. AbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbrikosov, V.B. Bankina, L.V. Portskaya, L.E. Shelimova, E.V. Skudnova. Semiconducting IIЦVI, IVЦVI, and VЦVI compounds (Plenum, N.Y.,
  3. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Структура центров и механизмы высокотемпературного голубого излучения селенида цинка й Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Н.Д. Недеогло, Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич Молдавский государственный
  4. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии й В.Б. Шмагин, Б.А. Андреев, А.В. Антонов, З.Ф. Красильник, В.П.
  5. Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Перенос заряда в тонких полимерных пленках полиариленфталидов й Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, А.А. Бунаков Башкирский государственный педагогический университет, 450000 Уфа, Россия Институт физики молекул и
  6. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Нелинейность пьезорезистивного эффекта в пленках поликристаллического кремния й В.А. Гридчин, В.М. Любимский Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия
  7. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Фото- и электролюминесценция вблизи 1.3 мкм структур с квантовыми точками на подложках GaAs й А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, Б.В. Воловик, М.В. Максимов, А.Ф.
  8. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1 Низкотемпературная теплоемкость и теплопроводность монокристаллов синтетического опала й В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисёрек, А. Ежовский, А.И. Кривчиков, Б.И. Веркин
  9. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Люминесценция наностержней оксида цинка й Г.А. Емельченко, А.Н. Грузинцев, А.Б. Кулаков, Э.Н. Самаров, И.А. Карпов, А.Н. Редькин , Е.Е. Якимов , C. Barthou+ Институт физики твердого тела
  10. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности на спектры фоточувствительности и рекомбинационные параметры слоев GaAs й И.А. Карпович, М.В. Степихова Нижегородский государственный университет
  11. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Различия в атомном окружении неэквивалентных узлов в структурах политипов SiC й А.Е. Мадисон Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в
  12. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Оптическое поглощение в (Pb0.78Sn0.22)1-XInXTe (X = 0.001-0.005) й А.Н. Вейс Санкт-Петербургский технический университет, 195251 Санкт-Петербуг, Россия (Получена 18 июня 2001 г. Принята к печати
  13. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 1 Акустические исследования плавления и затвердевания галлия, введенного в матрицу опала й J.M. Dereppe, Б.Ф. Борисов, Е.В. Чарная, А.В. Шеляпин, М.М. Нассар, Ю.А. Кумзеров Научно-исследовательский институт
  14. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Поверхностное геттерирование фоновых примесей и дефектов в пластинах GaAs й Л.С. Власенко, А.Т. Гореленок, В.В. Емцев, А.В. Каманин, Д.С. Полоскин, Н.М. Шмидт Физико-технический институт им.
  15. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками й М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин Физико-технический
  16. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Температурные зависимости диэлектрических свойств литий-титановой ферритовой керамики й А.В. Малышев, В.В. Пешев, А.М. Притулов Томский политехнический университет, 634034 Томск, Россия E-mail:
  17. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Из истории науки Обменное давление и приближение ВигнераЦЗейтца1 й Н.А. Дмитриев Российский федеральный ядерный центр Ч Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, 607180
  18. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1 Скорость звука в монокристаллах синтетических опалов й В.Н. Богомолов, И.А. Смирнов, Н.В. Шаренкова, Г. Брулс Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  19. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Примесные состояния олова в твердых растворах Bi2Te3-xSex (x = 0.06, 0.12) + й М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова , Е. Мюллер Санкт-Петербургский государственный политехнический
  20. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Свойства двумерного электронного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs , ,+ + + й Д.А. Козлов , З.Д. Квон , А.К. Калагин , А.И. Торопов Новосибирский государственный
  21. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Распределение носителей заряда в диссипативной структуре в полупроводниках й И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,
  22. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения й Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков Московский государственный университет им. М.В.
  23. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Наблюдение бозе-конденсации куперовских пар в полупроводниковых твердых растворах (Pb1-xSnx)1-zInzTe + й С.А. Немов, П.П. Серегин, В.П. Волков, Н.П. Серегин , Д.В. Шамшур Санкт-Петербургский
  24. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур й Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  25. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников й В.Ф. Коваленко, А.Ю. Миронченко, С.В. Шутов Институт физики полупроводников
  26. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Влияние импульсного токового отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния p-типа й В.А. Гридчин, В.М. Любимский Новосибирский государственный технический
  27. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Поверхность Ферми и электрофизические характеристики дисилицида молибдена й С.И. Курганский, Н.С. Переславцева, Е.В. Левицкая Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия E-mail:
  28. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Магнитные фазовые диаграммы манганитов в области их электронного легирования (Обзор) й С.М. Дунаевский Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук, 188300 Гатчина,
  29. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Влияние условий выращивания на формирование и люминесцентные свойства квантовых точек InGaAs в матрице Si й А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф.
  30. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур й А.Е. Галашев, И.А. Измоденов, А.Н. Новрузов, О.А. Новрузова Институт теплофизики Уральского отделения Российской
  31. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 О природе гистерезиса низкотемпературного прыжкового магнетосопротивления вблизи перехода металЦизолятор в компенсированном Ge:Ga й С.В. Егоров , А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев
  32. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Спектроскопия германия, легированного Ga, при одноосном сжатии й Я.Е. Покровский, Н.А. Хвальковский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия (Получена
  33. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 Термоотжиг дефектов в гетероструктурах InGaAs/GaAs с трехмерными островками й М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев Физико-технический
  34. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Влияние взаимного увлечения электронов и фононов на термомагнитные эффекты в HgSe й Х.М. Биккин, А.Т. Лончаков, И.И. Ляпилин Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219
  35. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs / GaAs в условиях газофазной эпитаксии й Ю.Н. Дроздов , Н.В. Байдусь , Б.Н. Звонков , М.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин Институт
  36. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем й В.Г. ТалалаевЖЗ, Б.В. НовиковЖ, А.С. СоколовЖ, И.В. ШтромЖ, J.W. Tomm, Н.Д. ЗахаровЗ, P. WernerЗ, Г.Э.
  37. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Эффект больших доз в рентгеновских эмиссионных спектрах кремния, имплантированного ионами железа й Д.А. Зацепин, Е.С. Яненкова, Э.З. Курмаев, В.М. Черкашенко, С.Н. Шамин, С.О. Чолах Институт физики металлов
  38. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах й С.И. Борисенко Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия (Получена 12 марта
  39. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Модификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением й В.А. Володин, А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, Г.Ю.
  40. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Исследование лазерно-индуцированного дефектообразования в кристаллах CdTe методом резерфордовского обратного рассеяния й Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.М. Лакеенков, Ю.Н. Сосновских, В.Ю. Тимошенко, Н.Г.
  41. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs / AlGaAs й В.Н. Овсюк, М.А. Демьяненко, В.В. Шашкин, А.И. Торопов Конструкторско-технологический институт
  42. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs й В.Ф. Раданцев , И.М. Иванкив , А.М. Яфясов Уральский государственный университет им. А.М. Горького, 620083 Екатеринбург, Россия
  43. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Кинетическая теория процессов ионизации и захвата электрона заряженной примесью в полупроводнике й В.Д. Каган Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  44. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Влияние давления и анионного замещения на электрические свойства кристаллов HgTeS й В.В. Щенников, А.Е. Карькин, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк Институт физики металлов Уральского отделения Российской
  45. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Фотолюминесценция антимодулированно легированных GaAs/AlGaAs-структур с одиночными квантовыми ямами, обработанных в водородной плазме + й Ю.А. Бумай, Г. Гобш, Р. Гольдхан, Н. Штайн, А. Голомбек,
  46. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны на кинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs й Д.В. Гуляев, К.С. Журавлев
  47. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 О шнуровании холловского тока диска Корбино в условиях квантового эффекта Холла й В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
  48. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Влияние содержания In и Al на характеристики собственных дефектов в квантовых точках на основе арсенида галлия й Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, Г.И. Рябцев, М.М. Соболев+ Институт
  49. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Электрические и термоэлектрические свойства биоморфного композита SiC/Si при высоких температурах й А.И. Шелых, Б.И. Смирнов, Т.С. Орлова, И.А. Смирнов, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, F.M.
  50. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs й Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев
  51. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Оптическая дефазировка в твердом толуоле, активированном цинк-октаэтилпорфином й Ю.Г. Вайнер, М.А. Кольченко, А.В. Наумов, Р.И. Персонов, С.Дж. Цилкер Институт спектроскопии Российской академии наук, 142190
  52. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах InAs/GaAs со слоями квантовых точек й В.А. Кульбачинский , В.А. Рогозин, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, Б.Н. Звонков, З.М. Дашевский , В.А.
  53. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Фотолюминесценция квантовых ям и квантовых точек германия в кремнии, полученных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии й Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов , А.О. Погосов, М.М. Рзаев,
  54. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Энергетический спектр и оптические свойства комплекса квантовая точкаЦпримесный центр й В.Д. Кревчик, А.В. Левашов Пензенский государственный университет, 440017 Пенза, Россия (Получена 5
  55. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Исследование температурной зависимости параметра кристаллической решетки SmS й В.В. Каминский, Н.В. Шаренкова, Л.Н. Васильев, С.М. Соловьёв Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  56. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Управление временем жизни носителей заряда в высоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs й Ф.Ю. Солдатенков, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков Физико-технический
  57. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения й В.Б. Куликов , Г.Х. Аветисян, Л.М. Василевская, И.Д. Залевский
  58. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Модель прыжковой и зонной фотопроводимости на постоянном токе в легированных кристаллах й Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия E-mail:
  59. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Исследование оптических свойств структур со сверхплотными массивами квантовых точек Ge в матрице Si й А.Г. Макаров , Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, В.М. Устинов,
  60. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Локализация электронов и блоховские осцилляции в сверхрешетках из квантовых точек в постоянном электрическом поле й И.А. Дмитриев, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  61. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Anisotropy of electric resistivity of Sapele-based biomorphic SiC/Si composites й T.S. Orlova, B.I. Smirnov, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martnez Fernndez, R. Seplveda A.F. Ioffe Physico-Technical Institute,
  62. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Магнитные и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированных иттербием й Н.Т. Баграев, В.В. Романов, В.П. Савельев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  63. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Межзонное поглощение длинноволнового излучения в -легированных сверхрешетках на основе монокристаллических широкозонных полупроводников й В.В. Осипов, А.Ю. Селяков, M. FoygelЖ Государственный
  64. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Инжекционное возбуждение люминесценции в многослойных структурах nc-Si/диэлектрик й Ю.А. Берашевич, Б.В. Каменев, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики и
  65. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения.Вопросы энергетического разрешения й В.А. Андрианов, В.П. ГорьковЖ, В.П. КошелецЗ, Л.В. ФилиппенкоЗ Научно-исследовательский
  66. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Энергетическая структура A+-центров в квантовых ямах й Н.С. Аверкиев, А.Е. Жуков, Ю.Л. Ивнов, П.В. Петров, К.С. Романов , А.А. Тонких, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин Физико-технический институт им.
  67. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Аномалии в спектре собственных электромагнитных волн в анизотропных пластинах й В.И. Альшиц, В.Н. Любимов Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия E-mail:
  68. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда в полупроводниковых квантовых точках й С.И. Покутний Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального
  69. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Инверсия заселенности -подзон в квантовых ямах в условиях междолинного -L-переноса й В.Я. Алешкин , А.А. Андронов, А.А. Дубинов Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600
  70. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках a-Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии й В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, А.З.
  71. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Гигантское теплосопротивление ZnSeNi при низких температурах й В.М. Михеев Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия E-mail: mikheev@imp.uran.ru
  72. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Температурная зависимость оптической энергетической щели квантовых точек CdSXSe1-X й В.П. Кунец, Н.Р. Кулиш, Вас.П. Кунец, М.П. Лисица, Н.И. Малыш Институт полупроводников Национальной академии
  73. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Латеральная бегущая волна как форма переходного процесса в резонансно-туннельной структуре й Д.В. Мельников, А.И. Подливаев Московский государственный инженерно-физический институт (технический
  74. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Кремниевый фотодиод с сетчатым p-n-переходом й В.И. Блынский, Ю.Г. Василевский, С.А. Малышев, А.Л. Чиж Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, 220090 Минск, Республика
  75. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Механо-электрический эффект в твердых электролитах й В.И. Барбашов, Ю.А. Комыса Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, 83114 Донецк, Украина E-mail: yurkom@inbox.ru
  76. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Спектрально-люминесцентные свойства и структура оптических центров Eu- и CeЦEu-содержащих кварцевых гель-стекол й Г.Е. Малашкевич, А.Г. Маханек , А.В. Семченко, В.Е. Гайшун, И.М. Мельниченко, Е.Н.
  77. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe, выращенных на подложках GaAs (100) й В.В. Зайцев, В.С. Багаев, Е.Е. Онищенко, Ю.Г. Садофьев Физический институт им. П.Н. Лебедева
  78. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Зонная структура и спектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками й Н.В. Сибирев, В.Г. Талалаев+,, А.А. Тонких,,, Г.Э. Цырлин,,, В.Г.
  79. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Спектроскопия экситонных поляритонов в напряженных полупроводниковых структурах AIIBVI с широкими квантовыми ямами й С.А. Марков, Р.П. Сейсян , В.А. Кособукин Физико-технический институт им.
  80. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Новый механизм оптоакустического отклика в полупроводнике й Н.В. Чигарев Международный лазерный центр Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия E-mail: cnv@mail.ru
  81. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Границы существования континуального трехмерного биполярона й В.К. Мухоморов Агрофизический научно-исследовательский институт, 195220 Санкт-Петербург, Россия E-mail: ivl@agrophys.spb.su (Поступила в
  82. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Спектр фотоионизации создаваемых пластической деформацией электронных состояний в диапазоне 1.2Ц2.2 eV в гамма-облученных кристаллах NaCl й Е.В. Коровкин Институт физики твердого тела Российской академии
  83. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами й Н.В. Алкеев, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, P. Velling+, E. Khorenko+, W. Prost+, F.J. Tegude+
  84. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Электролюминесценция квантово-каскадных структур AlGaAs/GaAs в терагерцовом диапазоне й Н.Н. Зиновьев+, А.В. Андрианов+, В.Ю. Некрасов+, Л.В. Беляков+, О.М. Сресели+, Г. Хилл , Дж.М. Чемберлен
  85. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Центры окраски в кристаллах молибдата свинца й Т.М. Бочкова, М.Д. Волнянский, Д.М. Волнянский, В.С. Щетинкин Днепропетровский национальный университет, 49050 Днепропетровск, Украина E-mail:
  86. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) й Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, Д.Н Лобанов, А.В. Новиков, М.В.
  87. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Исследования структуры пористого фосфида галлия й Т.Н. Заварицкая, В.А. Караванский, А.В. Квит, Н.Н. Мельник Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия
  88. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 К температурной зависимости упругих постоянных второго порядка кубических кристаллов й Б.П. Сорокин, Д.А. Глушков, К.С. Александров Красноярский государственный университет, 660041 Красноярск, Россия
  89. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Расчет энергии замещения атомов кремния и углерода элементами III и V групп в карбиде кремния й С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  90. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Анализ структурных факторов, определяющих образование шейки при растяжении металлов и сплавов с ГЦК-решеткой й Г.А. Малыгин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  91. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Исследование кристаллов в средней и длинноволновой ИК-области методом спектроскопии поверхностных электромагнитных волн й Е.В. Алиева, Г.Н. Жижин, Л.А. Кузик, В.А. Яковлев Институт спектроскопии Российской
  92. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Неомическая проводимость и механизмы релаксации энергии 2D электронного газа в гетероструктурах GaAs/InGaAs/GaAs й А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков , О.Э. Рут, А.В. Германенко, Б.Н. Звонков
  93. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN й В.И. Гавриленко+, Е.В. Демидов+, К.В. Маремьянин+, С.В. Морозов+, W. Knap, J.
  94. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Рекристаллизация теллура в условиях микрогравитации и свойства полученных образцов й Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, И.Л. Шульпина, С.В. Якимов, В.П. Шалимов, А.М. Турчанинов, А.И. Иванов, С.Ф. Савин
  95. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки й Ю.А. Берашевич, С.К. Лазарук, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики и
  96. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Использование криволинейных координат в ab initio расчетах диэлектриков на базе метода псевдопотенциала й А.С. Федоров Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,
  97. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Эффект Дюфура в суперионном селениде меди й М.А. Коржуев Институт металлургии им. А.А.Байкова Российской академии наук, 117911 Москва, Россия (Поступила в Редакцию 5 августа 1997 г.) Эффект Дюфура, обратный
  98. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока й П.С. Вергелес, В.В. Крапухин, Е.Б. Якимов Институт проблем технологии микроэлектроники и
  99. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Особенности межэлектронного взаимодействия в потенциальной яме сильно легированного гетероперехода AlxGa1-xAs(Si)/GaAs й В.И. Кадушкин Рязанский государственный педагогический университет им.
  100. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Структура и свойства покрытий TiЦBЦN, TiЦCrЦBЦ(N) и CrЦBЦ(N), полученных магнетронным распылением мишеней, приготовленных методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза й Д.В. Штанский, Ф.В.

Pages:     | 1 |   ...   | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам