Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[6601-6700]

Pages:     | 1 |   ...   | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Влияние упругих полей ростовых дефектов на фотодиэлектрический отклик кристаллов Cd1-xZnxTe й И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко Государственный аэрокосмический университет
  2. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 7 01;09 Замкнутые геодезические траектории на части поверхности тора й С.С. Романов Национальный научный центр ДХарьковский физико-технический институтУ, 61108 Харьков, Украина (Поступило в Редакцию 9
  3. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 8 09;10 Применение методики контроля хаоса для устранения автомодуляции в лампе обратной волны й А.М. Долов, С.П. Кузнецов Саратовское отделение Института радиотехники и электроники РАН, 410019 Саратов,
  4. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 10 05;12 Последействие при испытании корунда на микротвердость й Ю.Г. Носов, Л.И. Деркаченко Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail: p.antonov@mail.ioffe.ru
  5. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 05;12 Исследование изменения субмикрорельефа поверхности медных образцов при пропускании по ним импульсов электрического тока большой плотности й И.П. Щербаков, Д.В. Чураев, В.Н. Светлов
  6. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 6 01;04 Расчет функции распределения ионов по поперечным скоростям в условиях ИЦР нагрева й А.И. Карчевский , Е.П. Потанин Российский научный центр ДКурчатовский институтУ Институт молекулярной физики,
  7. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 9 02;06;11 О предельной физической адсорбции водорода в углеродных материалах й А.А. Богданов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail:
  8. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 03;12 О влиянии структурной организации на релаксацию магнитного момента дисперсных частиц в магнитной жидкости й Д.В. Гладких,1 Ю.И. Диканский,1 К.А. Балабанов,2 А.В. Радионов3 1 Ставропольский
  9. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 01;09 Расчет характеристик линзы из кубиков методом эквивалентных токов й Д.В. Шанников, В.В. Суриков, С.В. Кузьмин Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251
  10. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Плазмонно-волноводные поляритоны в металлодиэлектрических фотонно-кристаллических слоях й Н.А. Гиппиус, С.Г. Тиходеев, А. Крист, Й. Куль, Х. Гиссен Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской
  11. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Излучение конденсата экситонов в двойных квантовых ямах й В.В. Криволапчук, А.Л. Жмодиков, Е.С. Москаленко Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  12. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 06;12 Влияние электронного облучения вакуумного резиста NOVER-1 на его стойкость к ионно-лучевому травлению й Ю.И. Коваль, В.Т. Петрашов Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых
  13. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 11 01;03 Интенсивное испарение молекулярного газа с поверхности сферической частицы в вакуум й И.А. Кузнецова, А.А. Юшканов, Ю.И. Яламов Ярославский государственный педагогический университет им. К.Д.
  14. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 2 11;12 Дислокационный механизм трения при взаимодействии нанозонда с поверхностью твердого тела й С.Ш. Рехвиашвили Институт прикладной математики и автоматизации КБН - РАН, 360000 Нальчик, Россия
  15. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 4 01;05 Влияние кулоновской блокады куперовских пар на динамические свойства малых джозефсоновских переходов й И.Н. Аскерзаде Институт физики АН Азербайджана, 370143 Баку, Азербайджан Physics Department,
  16. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 7 03 О характерном времени реализации неустойчивости плоской заряженной поверхности жидкости й А.И. Григорьев, С.О. Ширяева, Д.Ф. Белоножко, А.В. Климов Ярославский государственный университет им. П.Г.
  17. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 8 05 Взаимосвязь ангармонизма и поперечной деформации квазиизотропных поликристаллических тел й В.Н. Беломестных, Е.П. Теслева Юргинский технологический институт (филиал) Томского политехнического
  18. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 5 05;06 Морфология, текстура и свойства продуктов отжига пористых серебро-полиакрилатных нанокомпозитов й Т.И. Изаак, О.В. Бабкина, Г.М. Мокроусов Томский государственный университет, 634050 Томск,
  19. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 6 01 Новый подход к проблеме формирования солнечного ветра й Ю.В. Вандакуров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поcтупило в Редакцию 21 октября 2004 г.)
  20. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 8 06 Особенности формирования пленок высшего силицида марганца на кремнии й Т.С. Камилов,1 Д.К. Кабилов,1 И.С. Самиев,1 Х.Х. Хуснутдинова,1 Р.А. Муминов,2 В.В. Клечковская3 1 Ташкентский государственный
  21. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 12 О составной ветви низкотемпературного термоэлемента й О.И. Марков Орловский государственный университет, 302015 Орел, Россия e-mail: Markov@e-mail.ru (Поступило в Редакцию 10 ноября 2005 г.)
  22. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 05;06;11;12 Исследование свойств пленок фуллеренов, осажденных с высокой кинетической энергией, на различных поверхностях 2 й М.А. Ходорковский,1 С.В. Мурашов,2 А.Л. Шахмин,1 Т.О. Артамонова,1 Л.П.
  23. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 05;12 Реактор с активированным водородом для синтеза углеродных нанотрубок й Л.А. Апресян, Д.В. Власов, Т.В. Власова, В.И. Конов, Г.А. Крикунов, А.А. Климанов Центр естественно-научных исследований
  24. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 7 07 Увеличение длины корреляции немонохроматического излучения при распространении в одномодовом волоконном световоде со случайными неоднородностями и ее влияние на работу волоконного кольцевого
  25. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Магнитоэлектрический эффект в молибдате самария й Б.К. Пономарёв, Б.С. Редькин, Э. Штип, Г. Вигельманн, А.Г.М. Янсен, П. Видер Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка,
  26. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов й В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков Отделение физики твердого тела
  27. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 5 06;07;12 Неразрушающий метод диагностики глубоких уровней в полуизолирующих материалах й Э.А. Ильичев Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, 103460 Москва,
  28. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Влияние отклонения от стехиометрии и легирования на спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe й Д.И. Блецкан, Й.Й. Мадяр, В.Н. Кабаций Ужгородский национальный университет, 88000
  29. Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Атомная структура наночастиц сульфида кадмия й А.С. Ворох, А.А. Ремпель Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия E-mail: rempel@ihim.uran.ru
  30. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Примесные экситоны никеля и фотоиндуцированная деформация решетки в твердых растворах ZnSe1-ySy : Ni и Zn1-xCdxSe : Ni й В.И. Соколов, В.Н. Старовойтова Институт физики металлов Уральского
  31. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Релаксация пьезооптического двулучепреломления в кристаллах триглицинсульфата й Н.М. Демьянишин, Б.Г. Мыцык Львовский центр Института космических исследований Национальной академии наук Украины и
  32. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 ФLO-фононнаяФ корреляция между спектром пикосекундной суперлюминесценции и особенностями спектра поглощения света в GaAs при нефермиевском распределении носителей заряда, генерированных
  33. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Сверхпроводящие состояния нановключений свинца в полупроводниковой матрице PbTe й Л.А. Дарчук, С.Д. Дарчук , Ф.Ф. Сизов, А.Г. Голенков Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
  34. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Структура интерфейсов многослойных систем в спектрах зеркального рассеяния рентгеновского излучения й В.П. Романов, С.В. Уздин, В.М. Уздин, С.В. Ульянов, Научно-исследовательский институт им. В.А. Фока,
  35. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Аномалии статической и динамической проводимости моноселенида индия й Г.В. Лашкарев , А.И. Дмитриев, А.А. Байда, З.Д. Ковалюк, М.В. Кондрин , А.А. Пронин Институт проблем материаловедения им.
  36. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Генерация магнитоиндуцированной третьей гармоники в наноструктурах и тонких пленках й Т.В. Мурзина, Е.М. Ким, Р.В. Капра, О.А. Акципетров, М.В. Иванченко , В.Г. Лифшиц , С.В. Кузнецова , А.Ф. Кравец
  37. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Физические аспекты формы спектров электронной эмиссии из сегнетоэлектриков-электретов й В.В. Колесников, А.Т. Козаков Научно-исследовательский институт физики Ростовского государственного университета,
  38. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Деформационные потенциалы экстремумов зон (000) в CdGa2S4 йТ.Г. Керимова, Ш.С. Мамедов, И.А. Мамедова Институт физики Академии наук Азербайджана, 370143 Баку, Азербайджан (Получена 3 февраля 1997
  39. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si й О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, К.С. Уляницкий, П.М. Фочук, О.М. Стрильчук, С.Г. Крилюк,
  40. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe под давлением й Е.П. Скипетров, А.В. ГолубевЖ, В.Е. Слынько Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
  41. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Краевая ультрафиолетовая люминесценция активированных в плазме азота пленок GaN : Zn й А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев , У.А. Аминов, М.О. Воробьев, И.И. Ходос Физический институт им. П.Н.
  42. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Линейный фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах й Р.Я. Расулов, Ю.Е. Саленко, Д. Камбаров Ферганский государственный университет, 71200 Фергана, Узбекистан (Получена 9 апреля 2001 г.
  43. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Анизотропные фотонные кристаллы и микрорезонаторы на основе мезопористого кремния й О.А. Акципетров, Т.В. Долгова, И.В. Соболева, А.А. Федянин Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
  44. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Оптические спектры микрокристаллов слоистого полупроводника PbI2, выращенных в стеклянных матрицах й А.С. Аблицова, В.Ф. Агекян, А.Ю. Серов Научно-исследовательский институт физики
  45. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 U-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ) й В.Н. Брудный, В.В. Пешев Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия
  46. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Наблюдение излучения среднего инфракрасного диапазона в полупроводниковых лазерах, генерирующих две частотные полосы в ближнем инфракрасном диапазоне й В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, С.В.
  47. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 Электрофизические свойства InP, облученного быстрыми нейтронами реактора й Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев Филиал ГН - ФНИФХИ им. Л.Я. КарповаФ, 249020 Обнинск, Россия Институт
  48. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий в наноструктурированных полупроводниках й П.К. Кашкаров, Л.А. Головань, С.В. Заботнов, В.А. Мельников, Е.Ю. Круткова, С.О. Коноров, А.Б. Федотов,
  49. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Морфология, двойникование и фотолюминесценция кристаллов ZnTe, выращенных методом химического синтеза компонентов из паровой фазы й Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, В.С. Багаев, В.С. Кривобок
  50. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Возбужденные состояния ионов халькогенов в германии й А.Ю. Ушаков, Р.М. Штеренгас, Л.М. Штеренгас, Н.Б. Радчук Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург,
  51. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Особенности спектров отражения легированных кристаллов висмутЦсурьма в длинноволновой инфракрасной области спектра й В.М. Грабов, Н.П. СтепановЖ Российский государственный педагогический
  52. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Оптические свойства флюорита в широкой области энергий й В.В. Соболев, А.И. Калугин Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 30 октября 2000 г. Принята к печати
  53. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Инверсия типа проводимости в монокристаллах ZnSe, полученных методом свободного роста й Ю.Ф. Ваксман , Ю.А. Ницук, Ю.Н. Пуртов, П.В. Шапкин Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова
  54. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии й А.Ю. Андреев, Б.А. Андреев, М.Н. Дроздов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник, Ю.А.
  55. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Разрушение и стабилизация электромагнитной прозрачности полупроводниковой сверхрешетки й Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
  56. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Resonant terahertz response of a slot diode with a two-dimensional electron channel й V.V. Popov, G.M. Tsymbalov, M.S. Shur, W. Knap+ Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov
  57. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Электронный спиновый резонанс нанопористого углерода с кластерами кобальта й А.И. Вейнгер, Б.Д. Шанина, А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Д.А. Курдюков, С.К. Гордеев, Ю.А. Кукушкина Физико-технический институт
  58. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Самокомпенсация в CdTe Cl в условиях фазового равновесия кристалЦпар кадмия (теллура) й О.А. Матвеев, А.И. Терентьев Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021
  59. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карбида кремния й Н.С. Савкина, В.В. Ратников, В.Б. Шуман Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  60. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Особенности определения концентраций мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров краевой люминесценции й К.Д. Глинчук , А.В. Прохорович Институт физики полупроводников Национальной
  61. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe(Ga) й Б.А. Акимов, В.А. Богоявленский, В.А. Васильков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов Московский государственный университет
  62. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn5Se8 + З + й И.В. Боднарь , А.А. Вайполин , В.Ю. Рудь , Ю.В. Рудь , Е.И. Теруков+ Белорусский государственный университет
  63. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Влияние плотности лазерного возбуждения на характеристическую временную постоянную и величину среднеполевой электромодуляционной компоненты сигнала фотоотражения в области фундаментального
  64. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Монте-Карло моделирование эффекта Дембера в n-InAs при фемтосекундном лазерном возбуждении й В.Л. Малевич Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск,
  65. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Проявление 2-проводимости в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников й Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Т.А. Полянская, А.С. Саидов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  66. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 О терагерцевом блоховском генераторе й Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия E-mail: romanov@ipm.sci-nnov.ru Исследованы
  67. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 Термоакцепторы в облученном кремнии й В.Ф. Стась, И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, Л.С. Смирнов Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090
  68. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Блоховские колебания в сверхрешетках. Проблема терагерцового генератора й Ю.А. Романов , Ю.Ю. Романова Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
  69. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Влияние ионизации на поведение кремния в арсениде галлия при радиационном отжиге й М.В. Ардышев, В.М. Ардышев Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском
  70. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Позитронные исследования элементов свободного объема в полимерных газоразделительных мембранах й В.П. Шантарович, Ю.А. Новиков, З.К. Азаматова Институт химической физики Российской академии наук, 117334
  71. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Люминесценция в тонких пленках фталоцианина й Г.Л. Пахомов, Д.М. Гапонова, А.Ю. Лукьянов, Е.С. Леонов Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия E-mail:
  72. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Отрицательная динамическая дифференциальная проводимость на циклотронной частоте в Ga1-xAlxAs в условиях баллистического междолинного переноса электронов й Г.Э. Дзамукашвили, З.С. Качлишвили, Н.К.
  73. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Прыжковый перенос в твердых растворах (Pb0.78Sn0.22)1-xInxTe при дополнительном легировании й Ю.И. Равич, С.А. Немов Санкт-Петербургский технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
  74. Физика твердого тела, 1999, том 41, № 1 Структуры и термоэлектрическая конвекция в холестерических жидких кристаллах й Е.Д. Эйдельман Химико-фармацевтический институт, Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 3 июля 1998 г.) Рассмотрены
  75. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Классификация частот осцилляций ШубниковаЦде-Гааза в слоистых зарядово-упорядоченных кристаллах при наличии магнитного пробоя й П.В. Горский Черновицкий национальный университет, 58000 Черновцы,
  76. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Рассеяние электронов проводимости на пространственно коррелированной системе зарядов в сильно легированном GaAs : Te й В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, Н.А. Семиколенова, Е.Н. Сидоров
  77. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb) й М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев Физико-технический
  78. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Отжиг глубоких центров бора в карбиде кремния й В.С. Балландович, Е.Н. Мохов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 25
  79. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Особенности температурной зависимости фотолюминесценции сверхрешеток квантовых точек CdTe / ZnTe й В.С. Багаев, Е.Е. Онищенко Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва,
  80. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Фоточувствительные структуры на основе соединения AgIn11S17 + й И.В. Боднарь , Г.А. Ильчук , В.Ю. Рудь , Ю.В. Рудь+ Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
  81. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Исследование пленок фторированного фуллерена методами электронной спектроскопии й А.Л. Шахмин, С.В. Мурашов, Н.В. Баранов, М.А. Ходорковский Российский научный центр ФПрикладная химияФ, 199034 Санкт-Петербург,
  82. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Об обработке экспериментальных данных по осцилляции магнитосопротивления в двумерном электронном газе й Н.С. Аверкиев, А.М. Монахов , Н.И. Саблина, P.M. Koenraad Физико-технический институт
  83. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe In в терагерцовой области спектра й А.Н. Акимов, В.Г. Ерков, В.В. Кубарев, Е.Л. Молодцова, А.Э. Климов, В.Н. Шумский Институт физики полупроводников
  84. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Длинноволновое излучение горячих носителей заряда в кремнии й Л.А. Косяченко, М.П. Мазур Черновицкий государственный университет, 274012 Черновцы, Украина (Получена 16 марта 1998 г. Принята к
  85. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Возбуждение и ионизация кластеров натрия сильным электромагнитным полем й Л.И. Куркина Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
  86. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Электронные состояния и колебательные спектры сверхрешеток квантовых точек CdTe/ZnTe й В.С. Багаев, Л.К. Водопьянов, В.С. Виноградов, В.В. Зайцев, С.П. Козырев, Н.Н. Мельник, Е.Е. Онищенко, Г. Карчевский
  87. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Конкуренция мод, неустойчивость и генерация вторых гармоник в двухчастотных лазерах InGaAs/GaAs/InGaP й В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, Вл.В. Кочаровский+ Институт физики
  88. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах -La2S3 й Е.М. Зобов, М.А. Ризаханов Институт физики им. Х.И. Амирханова
  89. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Влияние способа легирования кристаллов n-ZnSe медью на структуру центров свечения длинноволновой люминесценции й Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Д.Д. Недеогло, С.В. Опря Молдавский государственный
  90. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Total resonant absorption of light by plasmons on the nanoporous surface of a metal й T.V. Teperik, V.V. Popov, Garca de Abajo F.J.Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Division), Russian
  91. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях между многозарядными центрами в полупроводниках й Н.И. Бояркина, А.В. Васильев Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской
  92. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Влияние напряженного Si-слоя на фотолюминесценцию Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных SiGe/Si(001)-буферных слоях й М.В. Шалеев,, А.В. Новиков,+, А.Н. Яблонский,
  93. Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Кинетика процесса плавления-диспергирования тонких пленок меди й Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, Р.М. Аммосов Московский государственный институт электронной техники, 124498 Москва, Зеленоград,
  94. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Магнитные свойства теллурида кадмия, легированного германием й Ю.В. Шалдин , И. Вархульска , Ю.М. Иванов Институт кристаллографии Российской академии наук, 119333 Москва, Россия
  95. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Резонансное стоксовое и антистоксовое комбинационное рассеяние света в наноструктурах CdSe / ZnSe й М.Я. Валах, В.В. Стрельчук, Г.Н. Семенова, Ю.Г. Садофьев Институт физики полупроводников Национальной
  96. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Концентрационная зависимость краевой фотолюминесценции полуизолирующего нелегированного GaAs й В.Ф. Коваленко, М.Б. Литвинова, С.В. Шутов Инcтитут физики полупроводников Национальной академии
  97. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 1 Динамические и диэлектрические свойства жидких кристаллов й А.В. Захаров, Л.В. Миранцев Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия E-mail: miran@microm.ipme.ru
  98. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Прохождение фононов через фотонные кристаллы Ч среды с пространственной модуляцией акустических свойств й В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисиорек, А. Ежовский Физико-технический институт
  99. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Примесная зона в кристаллах Hg3In2Te6, легированных кремнием й П.Н. Горлей, О.Г. Грушка Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Получена 23 апреля 2002 г. Принята к печати
  100. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Фотолюминесценция комплексов CuGaTeAs и CuGaSnGa в n-GaAs при резонансном поляризованном возбуждении й Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, В.Е. Седов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе

Pages:     | 1 |   ...   | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам