Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[6801-6900]

Pages:     | 1 |   ...   | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Анализ процесса огрубления твердых дисперсных систем й В.И. Псарев, Л.А. Пархоменко Запорожский национальный технический университет, 69063 Запорожье, Украина E-mail: dilap@zntu.edu.ua (Поступила в Редакцию
  2. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Избыточный объемный заряд в титанате стронция й А.И. Дедык, Л.Т. Тер-Мартиросян Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 9
  3. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Упругие постоянные кристаллов инертных газов под давлением и соотношения Коши й Е.В. Зароченцев, Е.П. Троицкая, Вал.В. Чабаненко Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины,
  4. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Необычные фотоэлектрические свойства полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы переходных металлов й Н.А. Давиденко, В.Н. Кокозей, И.И. Давиденко, О.В. Нестерова, Д.В.
  5. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 О влиянии флуктуаций толщины на статическую электропроводность квантовой полупроводниковой проволоки й М.А. Рувинский , Б.М. Рувинский Прикарпатский университет им. В. Стефаника, 76000
  6. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Дефекты и отслаивание аморфных нанопленок от кристаллических подложек , й С.В. Бобылев , И.А. Овидько , А.Е. Романов , А.Г. Шейнерман Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178
  7. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Влияние особенностей структуры на теплопроводность поликристаллического сульфида цинка й Н.В. Лугуева, С.М. Лугуев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала,
  8. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Селективный перенос электрона между квантовыми точками под действием резонансного импульса й Л.А. Опенов, А.В. Цуканов Московский инженерно-физический институт (государственный университет),
  9. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Моделирование кинетики накопления повреждений вероятностным клеточным автоматом й Д.В. Алексеев, Г.А. Казунина Кузбасский государственный технический университет, 650026 Кемерово, Россия E-mail:
  10. ТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературная зависимость зонной структуры политипов 3C, 2H, 4H и 6H карбида кремния [6801-6900] P.B. Allen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 23, 1495
  11. ДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов и применение этого метода... [6801-6900] R.O. Carlson, R.N. Hall, E.M.
  13. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Оптические свойства пористого наноразмерного GaAs й А.И. Белогорохов, С.А. Гаврилов, И.А. Белогорохов+, А.А. Тихомиров ФГУП ДГиредметУ, 119017 Москва, Россия Московский государственный
  14. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Фотоэлектрические и электрические свойства поликристаллических слоев CdxHg1-xTe на подложках GaAs й В.А. Гнатюк, Е.С. Городниченко, П.Е. Мозоль, А.И. Власенко Институт физики полупроводников
  15. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 О механизмах долговременной релаксации проводимости в компенсированном Si B,S и Si B,Rh при радиационном воздействии й М.С. Юнусов, М. Каримов, Б.Л. Оксенгендлер Институт ядерной физики Академии
  16. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN й Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов Физико-технический институт им.
  17. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Кинетика установления термоэдс горячих носителей заряда в p-n-переходе с учетом нагрева решетки й Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, С.Р. Бойдедаев Наманганский инженерно-педагогический институт,
  18. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Тонкая структура длинноволнового края экситон-фононного поглощения и гиперболические экситоны в карбиде кремния политипа 6H й А.П. Крохмаль Киевский национальный университет им. Тараса
  19. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Термоэлектрические сплавы на основе теллурида олова й В.П. Веденеев, С.П. Криворучко, Е.П. Сабо Сухумский физико-технический институт Академии Наук Республики Абхазия, Грузия (Получена 26 марта
  20. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Магниторефрактивный эффект в гранулированных сплавах с туннельным магнитосопротивлением й И.В. Быков, Е.А. Ганьшина, А.Б. Грановский, В.С. Гущин, А.А. Козлов, Т. Масумото , С. Онума Московский
  21. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Магнитооптическое исследование гранулированных пленок оксида кремния с ферромагнитными частицами CoNbTa й А.В. Кимель, Р.В. Писарев, А.А. Ржевский, Ю.Е. Калинин , А.В. Ситников , О.В. Стогней , F.
  22. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Статические и динамические свойства изолированного полосового домена в тонкой ферромагнитной пленке й Ю.И. Горобец, Ю.И. Джежеря Институт магнетизма Академии наук Украины, 252680 Киев, Украина (Поступила в
  23. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Избирательное подавление старших гармоник намагниченности в суперпарамагнитной системе й Ю.Л. Райхер, В.И. Степанов Институт механики сплошных сред Уральского отделения Российской академии наук, 614013
  24. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Структура метастабильных центров атомов III группы в кристаллах IVЦVI й Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин Всероссийский научный центр ФГосударственный оптический институт им. С.И. ВавиловаФ, 199034
  25. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Динамическое перемагничивание и бистабильные состояния в антиферромагнитных многослойных структурах й А.М. Шутый, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия E-mail:
  26. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Влияние примеси гадолиния на прозрачность и отражательную способность кристаллов Hg3In2Te6 й П.М. Горлей, О.Г. Грушка, З.М. Грушка Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012
  27. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Фазочувствительный анализ спектров фотоотражений n-GaAs й А.В. ГанжаЖ, В. КирхерЖ, Р.В. КузьменкоЖ, Й. ШрайберЖ, Ш. ХильдебрандтЖ Воронежский государственный университет, 394000 Воронеж, Россия Ж
  28. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 О предэкспоненциальном множителе в законе Мотта для прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка в слабокомпенсированных кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te й В.В. Богобоящий Кременчугский
  29. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Люкс-амперные характеристики кристаллов CdHgTe c фотоактивными включениями й А.И. Власенко, З.К. Власенко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина
  30. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Определение магнитной анизотропии сложных редкоземельных соединений из эффекта Мессбауэра и ЯМР й Ю.П. Ирхин, В.Ю. Ирхин Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219
  31. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Динамика межфазных доменных границ при фазовом переходе типа Морина й В.С. Герасимчук, А.Л. Сукстанский Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина Донбасская
  32. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Мессбауэровское исследование двухэлектронной акцепторной примеси цинка в кремнии й Ф.С. Насрединов, Н.П. Серегин, П.П. Серегин, С.И. Бондаревский Санкт-Петербургский государственный технический
  33. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Cu и Ag й А.Н. Грузинцев , В.Т. Волков, Е.Е. Якимов Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых
  34. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Температурные зависимости фотопроводимости кристаллов CdHgTe с фотоактивными включениями й А.И. Власенко, З.К. Власенко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028
  35. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Фазовые переходы в ЦМД-структурах при спиновой переориентации в феррит-гранатовых пленках й А.В. Безус, А.А. Леонов, Ю.А. Мамалуй, Ю.А. Сирюк Донецкий национальный университет, 83055 Донецк, Украина E-mail:
  36. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Идентификация электронно-оптических переходов в области примесных состояний в E0-спектрах фотоотражения GaAs й Р.В. Кузьменко, Э.П. Домашевская Воронежский государственный университет, 394693
  37. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Многодолинное расщепление энергетического спектра мелкого донора в полупроводниках со структурой типа алмаза и сфалерита й С.М. Зубкова, В.А. Изюмов, Л.Н. Русина , Е.В. Смелянская Институт
  38. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GaInAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава й Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П.
  39. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Магнитные фазовые диаграммы ферримагнетиков с двумя магнитно-нестабильными подсистемами й Н.П. Колмакова, Р.З. Левитин, А.С. Маркосян, М.Ю. Некрасова Брянский государственный технический университет, 241035
  40. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений й Л. Дапкус, К. Пожела, Ю. Пожела , А. Шиленас, В. Юцене, В. Ясутис Институт физики полупроводников, 01108 Вильнюс, Литва (Получена
  41. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Ширина запрещенной зоны и оптические свойства твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой и видимой области спектра й А.И. Белогорохов, А.А. Флоренцев, И.А. Белогорохов, Н.В. Пашкова,
  42. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Спектроскопия комбинационного рассеяния пленок Zn1-xCdxSe, выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии й Л.К. Водопьянов, Н.Н. Мельник, Ю.Г. Садофьев Физический институт
  43. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Полиамидиновые супрамолекулярные структуры Ч новый класс светочувствительных полимерных полупроводников й Е.Л. Александрова, М.М. Дудкина , А.В. Теньковцев Всероссийский научный центр
  44. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Влияние отжига в радикалах кислорода на люминесценцию и электропроводность пленок ZnO : N й А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, М.О. Воробьев Физический институт им. П.Н. Лебедева
  45. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Сенсоры аммиака на основе диодов PdЦn-Si й В.И. Балюба, В.Ю. Грицык, Т.А. Давыдова, В.М. Калыгина, С.С. Назаров, Л.С. Хлудкова Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при
  46. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов Zn1-xFexTe й Ю.П. Гнатенко, И.А. Фарина, Р.В. Гамерник Институт физики Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина Львовский
  47. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Определение концентрации галлия в германии, трансмутационно легированном нейтронами, из измерений сопротивления в области прыжковой проводимости й О.П. Ермолаев , Т.Ю. Микульчик Белорусский
  48. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Низкочастотный шум в n-GaN й Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, S. Contreras, W. Knap, B. BeaumontЖ, P. GibartЖ Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021
  49. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Особенности кинетики поляризации фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика й В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Е.С. Иванова, Л.И. Ивлева Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской
  50. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Термический перенос заряда и поляризация широкой полосы люминесценции с максимумом при энергии фотонов вблизи 1.2 эВ в n-GaAs : Te при одноосной деформации й А.А. Гуткин, М.А. Рещиков
  51. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Лазерностимулированная компенсация объемных дефектов в p-CdZnTe й С.В. Пляцко, Л.В. Рашковецкий Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина (Получена
  52. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Расчет зонной структуры твердого раствора InSb1-xBix й В.Г. Дейбук, Я.И. Виклюк, И.М. Раренко Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, 274012 Черновцы, Украина (Получена 10
  53. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Составляющие низкотемпературной теплоемкости гексаборидов редкоземельных элементов й В.В. Новиков Брянский государственный педагогический университет, 241036 Брянск, Россия (Поступила в Редакцию 24 января
  54. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Трансформация спектров фотолюминесценции слоев GaAs, сильно легированных бериллием, после гидростатического сдавливания + й Т.С. Шамирзаев , К.С. Журавлев, J. Bak-Misiuk , A. Misiuk , J.Z.
  55. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Поверхностный магнетизм нанокристаллического монооксида меди й Т.И. Арбузова, С.В. Наумов, В.Л. Арбузов, К.В. Шальнов, А.Е. Ермаков, А.А. Мысик Институт физики металлов Уральского отделения Российской
  56. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Линейная и нелинейная восприимчивости манганитов самария й И.Д. Лузянин, В.А. Рыжов, С.М. Дунаевский, В.П. Хавронин, И.И. Ларионов, А.В. Лазута, Ю.П. Черненков Петербургский институт ядерной физики им. Б.П.
  57. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Диффузионное насыщение примесью олова нелегированного аморфного гидрированного кремния й А.Н. Кабалдин, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, В.С. Штым Институт физики Национальной академии наук Украины, 252650
  58. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Термоэлектрическая эффективность твердых растворов с рассеянием фононов на нецентральных примесях й Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, Ю.И. Равич , М.И. Федоров
  59. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Парамагнетизм в системах на основе монооксида меди й А.А. Самохвалов, Т.И. Арбузова, Н.А. Виглин, С.В. Наумов, В.Р. Галахов, Д.А. Зацепин, Ю.А. Котов, О.М. Саматов, Д.Г. Клещев Институт физики металлов
  60. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Проявление флуктуаций света при реализации бистабильности распределения фотоносителей й Ю.В. Гудыма, Д.Д. Никирса Черновицкий государственный университет им. Ю.Федьковича, 274012 Черновцы, Украина
  61. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Роль объемного заряда в формировании сопротивления биполярного полупроводникового образца й А. Конин Институт физики полупроводников, 2600 Вильнюс, Литва (Получена 4 июля 2003 г. Принята к
  62. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в квантующем магнитном поле в области инверсии неосциллирующей части магнитосопротивления й П.В. Горский Черновицкий национальный
  63. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Модулированная лазерным излучением эпитаксия теллурида свинца й С.В. Пляцко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина (Получена 7 февраля 1997 г.
  64. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Влияние отжига в парах и в жидком Zn на фотолюминесценцию высокочистых поликристаллов ZnTe й В.С. Багаев, В.В. Зайцев, Ю.В. Клевков, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко Физический институт им. П.Н.
  65. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Обменный механизм локализации фононов вблизи поверхности магнитоупорядоченного кристалла й С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина (Поступила в
  66. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Магнитные исследования широкозонных полупроводников Cd1-xZnxTe (x = 0.12, 0.21) + й Ю.В. Шалдин , И. Вархульска , М.Х. Рабаданов, В.К. Комарь Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова
  67. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Воздействие нейтронного и протонного излучений на намагниченность биотита й У. Абдурахманов, А.Б. Грановский, А.А. Радковская, М.Х. Усманов, Ш.М. Шарипов, В.П. Югай Московский государственный университет
  68. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Эффект Баркгаузена при скачкообразном движении плоской доменной стенки в молибдате гадолиния й В.Я. Шур, Е.Л. Румянцев, В.П. Куминов, А.Л. Субботин, В.Л. Кожевников Институт физики и прикладной математики
  69. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Оптические свойства кристаллов твердых растворов (InSb)1-x(CdTe)x й В.А. Бродовой, Н.Г. Вялый, Л.М. Кнорозок Киевский государственный университет им. Тараса Шевченко, 252022 Киев, Украина (Получена
  70. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Самоиндуцированная прозрачность для предельно коротких импульсов в окрестности температуры Кюри водородсодержащих сегнетоэлектриков й С.В. Нестеров, С.В. Сазонов Калининградский государственный университет,
  71. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 О влиянии вакансий в подрешетках кремния и углерода на формирование барьера Шоттки на контакте металЦSiC й С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  72. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии й Л.И. Хируненко , О.А. Кобзарь, Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Н.А. Трипачко Институт физики
  73. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Магнитное двупреломление звука и магнитоакустические осцилляции в гематите й И.Ш. Ахмадуллин, С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков, М.М. Шакирзянов Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Российской
  74. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Спектры отражения двух полиморфных модификаций арсенида кадмия й А.И. Козлов, В.В. Соболев , А.Ф. Князев+ Международная лаборатория сверхпроводимости и твердотельной электроники Академии
  75. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Об импульсном перемагничивании монокристаллов бората железа в присутствии поперечного магнитного поля й О.С. Колотов, А.П. Красножон, В.А. Погожев Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,
  76. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Транспортные явления в крупнозернистых поликристаллах CdTe й С.А. Колосов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
  77. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконатаЦтитаната свинца при кристаллизации й В.Я. Шур, С.А. Негашев, А.Л. Субботин, Д.В. Пелегов, Е.А. Борисова, Е.Б. Бланкова, С. ТролиерЦМакКинстри
  78. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Влияние метастабильных состояний на высвечивание экситонов в n-GaAs й В.В. Криволапчук, Н.К. Полетаев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 СанктЦПетербург,
  79. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Модель проводимости поликристаллического кремния p-типа, учитывающая растекание тока в кристаллитах й В.М. Любимский Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск,
  80. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Неравновесная динамика квантового спинового стекла в переменном магнитном поле й Г. Бузиелло, Р.В. Сабурова , В.Г. Сушкова , Г.П. Чугунова Dipartimento di Fisica ДE.R. CaianielloУ, Universit di Salerno,
  81. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Статистика электронов в PbS с U-центрами й С.А. Немов, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Н.П. Серегин, Э.С. Хужакулов Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251
  82. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Температурная зависимость магниторезистивного эффекта в пленках ферромагнитных полупроводников на основе оксидов редкоземельных элементов й В.Ф. Кабанов, С.А. Карасев, Я.Г. Федоренко
  83. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Магнитополяронные состояния сильнокоррелированного антиферромагнетика в окрестности спин-флип-перехода й В.В. Вальков, Д.М. Дзебисашвили Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской
  84. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии й А.П. Одринский Институт технической акустики
  85. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Проблема селективного легирования в методе гидридной эпитаксии и электрофизические свойства квантово-размерных гетероструктур Ge / GeSi : B й Л.К. Орлов, Р.А. Рубцова, Н.Л. Орлова
  86. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами й М.В. Ардышев, В.М. Ардышев, Ю.Ю. Крючков Сибирский физико-технический институт им. В.Д.
  87. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках AIIIBV й С.И. Борисенко Cибирский физико-технический институт им. В.Д.
  88. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений IIIЦV: границы раздела, радиационные эффекты й В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев Сибирский
  89. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Влияние уплотнения на люминесцентные свойства порошков ZnS : Ga й Ю.Ю. Бачериков, Н.В. Кицюк, С.В. Оптасюк, А.А. Стадник Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
  90. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Роль сплавных эффектов в формировании электронной структуры неупорядоченных твердых растворов III-нитридов й А.В. Возный , В.Г. Дейбук Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы,
  91. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 К вопросу о стабилизации электрофизических свойств 60 в компенсированном кремнии при облучении -квантами Co й М.С. Юнусов, М. Каримов, М.А. Джалелов Институт ядерной физики академии наук
  92. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Особенности темновой проводимости кристаллов ниобата лития конгруэнтного состава й С.В. Евдокимов, А.В. Яценко Таврический национальный университет, 95007 Симферополь, Украина E-mail: lab2@crimea.edu
  93. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Оптические свойства ультрадисперсных частиц CdSexTe1-x (0 x 1) в матрице силикатного стекла й И.В. Боднарь, В.С. Гурин+, А.П. Молочко, Н.П. Соловей, П.В. Прокошин, К.В. Юмашев Белорусский
  94. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Влияние магнитного поля на стартовые поля хаоса в кристалле триглицинсульфата й С.А. Гриднев, К.С. Дрождин,, В.В. Шмыков Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия
  95. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon 28 29 30 and oxygen impurities in isotopic enriched silicon Si, Si and Si й P.G. Sennikov, T.V. Kotereva, A.G. Kurganov, B.A. Andreev
  96. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Магнитное двулучепреломление света в гематите й И.Ш. Ахмадуллин, В.А. Голенищев-Кутузов, С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия
  97. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках й И.Н. ВоловичевЖ, Ю.Г. ГуревичЖ Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, 310085 Харьков, Украина Ж
  98. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Теплоемкость сегнетоэлектрика-релаксора SBN й Е.Д. Якушкин Институт кристаллографии Российской академии наук, 117333 Москва, Россия E-mail: yakushkin@ns.crys.ras.ru (Поступила в Редакцию 10 июня 2003 г.)
  99. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических InGaAsP-структур й Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Н.А.
  100. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Стабилизация формы солитона в сверхрешетке со спектром, выходящим за рамки учета Фближайших соседейФ, в поле нелинейной волны й С.В. Крючков, Э.Г. Федоров Волгоградский государственный

Pages:     | 1 |   ...   | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам