Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[7201-7300]

Pages:     | 1 |   ...   | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Минизонные спектры в сверхрешетках (AlAs)M(GaAs)N (111) й Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск,
  2. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 О неупругом характере рассеяния электронов в сильно легированном Bi0.88Sb0.12 й С.А. Алиев, А.А. Мовсум-заде, С.С. Рагимов Институт физики Академии наук Азербайджана, 370143 Баку, Азербайджан
  3. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Исследование взаимодействий поверхностных состояний меди с переходными металлами и цезием , й Д.В. Чудинов , С.Е. Кулькова , И.Ю. Смолин Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия Институт
  4. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Фотолюминесценция пленок Si3N4, имплантированных ионами Ge+ и Ar+ йИ.Е. Тысченко, В.А. Володин, Л. Реболе, М. Фельсков, В. Скорупа Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской
  5. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими акцепторами и донорами в арсениде галлия й К.Д. Глинчук , Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
  6. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Фотоэлектрический эффект в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs: температурная зависимость коротковолновой квантовой эффективности й Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, О.И. Оболенский,
  7. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Прыжковая энергетическая релаксация с учетом всевозможных межцентровых переходов й А.А. Киселев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  8. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит й И.А. Карпович , А.П. Горшков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Б.Н. Звонков, Д.О.
  9. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Фотолюминесценция ( = 1.3 мкм) при комнатной температуре квантовых точек InGaAs на подложке Si (100) й Т.М. Бурбаев, И.П. Казаков, В.А. Курбатов, М.М. Рзаев, В.А. Цветков, В.И. Цехош Физический
  10. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Релаксация дефектной подсистемы кремния, модифицированной облучением тяжелыми ионами высоких энергий Ж й С.А. Смагулова, И.В. Антонова , Е.П. Неустроев, В.А. Скуратов Якутский государственный
  11. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Контактные явления в двумерных электронных системах й В.Б. Шикин, Н.И. Шикина Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия (Получена 13 марта 1996 г. Принята
  12. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Особенности аппроксимации диэлектрических спектров жидких кристаллов группы алкилцианобифенилов й Б.А. Беляев, Н.А. Дрокин, В.Ф. Шабанов, В.Н. Шепов Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения
  13. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Фуллерены как зародыши сажевых частиц й В.И. Березкин Научно-исследовательский центр экологической безопасности Российской академии наук, 197110 Санкт-Петербург, Россия E-mail: VIB@VF4493.spb.edu (Поступила
  14. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Нанокластеры меди в аморфном гидрированном углероде й В.И. Иванов-Омский, В.И. Сиклицкий, С.Г. Ястребов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 СанктЦПетербург, Россия
  15. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Зависимость свойств кристаллов Cd1-xZnxTe от типа собственных точечных дефектов и форм присутствия кислорода й Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, В.К. Комарь, В.Г. Галстян, В.С.
  16. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 3 Фотопревращения в пленках полисиланов й Ю.А. Скрышевский, А.Ю. Вахнин Институт физики Академии наук Украины, 03039 Киев, Украина E-mail: kadash@iop.kiev.ua (Поступила в Редакцию 10 мая 2000 г.) Исследованы
  17. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Резонансное туннелирование и нелинейный ток в гетеробарьерах со сложным законом дисперсии носителей Ж й Ч.С. Ким , А.М. Сатанин , В.Б. Штенберг Нижегородский государственный университет им.
  18. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Анализ изменений интенсивности собственной люминесценции, происходящих после диффузии меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы арсенида галлия й Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович
  19. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Проявление верхней зоны Хаббарда в проводимости двумерных структур p-GaAsЦAlGaAs й Н.В. Агринская, Ю.Л. Иванов, В.М. Устинов, Д.А. Полоскин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  20. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике й О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Б.В. Царенков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  21. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев.Фотолюминесценция структур с электронными -легированными слоями й Ю.В. Хабаров,
  22. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Резонансное туннелирование дырок в двубарьерных структурах с квантовыми точками InAs в центре квантовой ямы GaAs + й Е.Н. Морозова , О.Н. Макаровский , В.А. Волков , Ю.В. Дубровский , L.
  23. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Дифференциальное сопротивление туннельных контактов Au/GaAs1-xSbx в области нулевой аномалии.I. Контакты к n-GaAs1-xSbx й Т.А. Полянская, Т.Ю. Аллен1, Х.Г. Нажмудинов, С.Г. Ястребов, И.Г. Савельев
  24. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта в CdxHg1-xTe p-типа проводимости й С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский Институт физики полупроводников Национальной академии
  25. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Многоканальное рассеяние носителей заряда на гетероструктурах с квантовыми ямами й В.И. Галиев, А.Н. Круглов, А.Ф. Полупанов , Е.М. Голдис , Т.Л. Тансли Институт радиотехники и электроники
  26. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Пороговый характер формирования наноразмерных островков в системе Ge/Si (100) в присутствии сурьмы й Г.Э. Цырлин , В.Г. Дубровский , А.А. Тонких, Н.В. Сибирев, В.М. Устинов , P. WernerЖ
  27. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Электронный транспорт в условиях ваньеЦштарковской локализации в политипах карбида кремния й В.И. Санкин, И.А. Столичнов Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук 194021
  28. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в матрице AlGaAs й Д.С. Сизов, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, Н.К. Поляков, В.А. Егоров, А.А. Тонких, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, А.П.
  29. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Нелинейное взаимодействие волн в полупроводниковой сверхрешетке й А.А. Булгаков, О.В. Шрамкова Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова Национальной академии наук Украины, 61085
  30. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Геометрическая структура и спектральные характеристики электронных состояний кремниевых наночастиц й С.И. Курганский , Н.А. Борщ Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
  31. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Введение Из истории открытия синтеза наноалмазов й В.В. Даниленко ЗАО ДАЛИТУ, 03067 Киев, Украина E-mail: vvdan@list.ru Излагается история открытия синтеза наноалмазов, исследования их свойств, применения и
  32. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Влияние водорода на свойства диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs й И.А. Карпович , С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков Нижегородский государственный университет им. Н.И.
  33. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами й Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский,
  34. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix с квантовыми ямами й В.Я. Алешкин, Б.А. Андреев, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов Институт физики
  35. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Влияние интенсивности излучения на спектр краевого поглощения ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4 й Л.Л. Голик, З.Э. Кунькова Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
  36. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Энергия связи экситонно-примесных комплексов в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки й С.М. Зубкова, Е.В. Смелянская, Е.И. Шульзингер Институт проблем материаловедения им. И.Н.
  37. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Модель многоостровковых одноэлектронных цепочек на основе метода Монте-Карло й И.И. Абрамов, С.А. Игнатенко, Е.Г. Новик Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
  38. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Фотолюминесценция кристаллического ZnTe, выращенного при отклонении от термодинамического равновесия й В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, В.С. Кривобок Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской
  39. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах й Н.С. Грушко, Е.А. Логинова, Л.Н. Потанахина Ульяновский государственый университет, 432970 Ульяновск, Россия,
  40. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Технология получения и очистки детонационных наноалмазов Детонационные алмазы в Украине й Н.В. Новиков, Г.П. Богатырева, М.Н. Волошин Институт сверхтвердых материалов Национальной академии наук Украины,
  41. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Люминесценция ступенчатых квантовых ям в структурах GaAs/GaAlAs и InGaAs/GaAs/GaAlAs + + й В.Ф. Агекян, Ю.А. Степанов, И. Акаи , Т. Карасава , Л.Е. Воробьев , Д.А. Фирсов , = = А.Е. Жуков ,
  42. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Функция распределения горячих носителей заряда при резонансном рассеянии +, +, +, й А.А. Прокофьев , М.А. Одноблюдов , И.Н. Яссиевич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  43. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs1-xSbx, легированных германием й Т.Ю. Аллен1, Т.А. Полянская Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  44. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии Ж Ж й Г.Э. Цырлин , В.Г. ДубровскийЖ, Н.В. Сибирев , И.П. СошниковЖ, Ю.Б. Самсоненко , А.А.
  45. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами й С.И. Борисенко Сибирский физико-технический институт им.
  46. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Энергетическое состояние экситонов и спектры фотолюминесценции напряженных сверхрешеток ZnSЦZnSe й Н.В. Бондарь, В.В. Тищенко, М.С. Бродин Институт физики Национальной академии наук Украины,
  47. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной области й В.С. Сизов, Д.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.Ф.
  48. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Термоэдс серы при высоком давлении й В.В. Щенников, С.В. Овсянников Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия (Поступила в Редакцию 25 марта 2002
  49. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Состояние и перспективы использования наноалмазов детонационного синтеза в Белоруссии й П.А. Витязь Национальная академия наук Белоруссии, Минск, Белоруссия E-mail: vitiaz@presidium.bas-net.by Рассмотрены
  50. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Электронные и оптические свойства сверхрешеток AlAs / AlxGa1-xAs (110) й Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов Сибирский физико-технический институт при Томском государственном
  51. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивном лазерном возбуждении й Е. Шатковский, Я. Верцинский Институт физики полупроводников, 2600 Вильнюс, Литва (Получена 9 марта 1996 г. Принята к
  52. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации + = й Ю.Н. Пархоменко , А.И. Белогорохов , Н.Н. Герасименко , А.В. Иржак, М.Г. Лисаченко Московский
  53. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Дисперсионная нелинейность и бистабильность полярных сред й Ч.С. Ким, А.М. Сатанин, В.Б. Штенберг Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия E-mail:
  54. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Электронный транспорт в естественной сверхрешетке карбида кремния в режиме квантования ВаньеЦШтарка:фундаментальные и прикладные аспекты й В.И. Санкин , П.П. Шкребий Физико-технический
  55. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Электронные и излучательные свойства пористого кремния, легированного золотом й В.Е. Примаченко, Я.Ф. Кононец, Б.М. Булах, Е.Ф. Венгер, Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, Э.Г.
  56. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Бесфононные и дипольные -X-переходы электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs с квантовыми ямами в продольном электрическом поле й В.Я. Алешкин, А.А. Андронов Институт физики микроструктур
  57. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Современные промышленные возможности синтеза наноалмазов й В.Ю. Долматов, М.В. Веретенникова, В.А. Марчуков, В.Г. Сущев ЗАО ДАлмазный центрУ, 192076 Санкт-Петербург, Россия E-mail: alcen@comset.net Описаны
  58. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Транспортные свойства магнитоэкситона в связанных квантовых ямах й Ю.Е. Лозовик, А.М. Рувинский Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Россия Московский государственный
  59. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния й С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, С.К. Тихонов Физико-технический инстититут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  60. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Спектр электрона в квантовой яме в сильных наклонном магнитном и поперечном электрическом полях й М.П. Теленков, Ю.А. Митягин Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
  61. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Спектр и электрон-фононное взаимодействие в среде с цилиндрической квантовой проволокой й Н.В. Ткач, В.П. Жаркой Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, 274012 Черновцы,
  62. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Вертикальный транспорт горячих электронов в сверхрешетках GaAs/AlAs й Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, В.М. Устинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  63. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs / GaAs / AlGaAs с тонким разделяющим AlAs-слоем й Г.Б. Галиев, М.В. Карачевцева, В.Г. Мокеров, В.А. Страхов, Г.Н. Шкердин, Н.Г.
  64. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Аномальная нелинейность ИК-фотопроводимости алмазной поликристаллической пленки й В.В. Токий, В.И. Тимченко, В.А. Сорока Донбасская государственная академия строительства и архитектуры, 86123 Макеевка,
  65. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Поляризационная анизотропия оптических межзонных переходов в напряженных InGaAs/GaAs квантовых нитях й С.А. Гуревич, Д.А. Закгейм, С.А. Соловьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  66. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Synthesis Mechanism and Technology of Ultrafine Diamond from Detonation й Huang Fenglei , Tong Yi, Yun Shourong The National Key Laboratory of Explosion and Safety Science, Beijing Institute of Technology,
  67. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Эффективное сечение возбуждения эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии при оптической накачке й М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, И.Н. Яссиевич Физико-технический институт им. А.Ф.
  68. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Метастабильное оптическое поглощение релаксированных электронных возбуждений в кристаллах BeOЦZn й С.В. Горбунов, К.В. Баутин, В.Ю. Яковлев, А.В. Кружалов Уральский государственный технический университет,
  69. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Туннелирование электронов между двумерными электронными системами в гетероструктуре с одиночным легированным барьером й В.Г. Попов, Ю.В. Дубровский, Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, Д.К. Мауд, Ж.-К.
  70. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Особенности спектров электронов и дырок в открытой сферической наногетероструктуре (на примере GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs) й Н.В. Ткач, В.А. Головацкий, О.Н. Войцеховская Черновицкий государственный
  71. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Влияние температуры вакуумного отжига на край фундаментального поглощения и структурную релаксацию пленок a-SiC : H й А.В. Васин , А.В. Русавский, В.С. Лысенко, А.Н. Назаров, В.И. Кушниренко,
  72. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Возбуждение люминесценции автолокализованных экситонов при рекомбинации френкелевских дефектов в BeO й С.В. Горбунов, В.Ю. Яковлев Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург,
  73. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Спектры электронов и дырок в сверхрешетке цилиндрических квантовых проволок й В.Н. Головач, Г.Г. Зегря, А.М. Маханец, И.В. Пронишин, Н.В. Ткач Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  74. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Влияние разориентации подложки GaAs на свойства квантовых точек InAs, выращенных методом МПЭ при низких температурах й А.А. Тонких,, Г.Э. Цырлин,, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко,Ж, В.М.
  75. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем в квантовых ямах й Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, В.Л. Зерова, Д.А. Фирсов Санкт-Петербургский государственный политехнический
  76. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Поглощение и рассеяние света в квазинульмерных структурах.II. Поглощение и рассеяние света на одночастичных локальных состояниях носителей заряда й С.И. Покутний Украинский государственный морской технический
  77. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Распространение теплового импульса в ограниченной проводящей среде: термоэлектрическое детектирование й Альваро Ф. Карбалло Санчес, Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов, Ю.В. Дрогобицкий, О.Ю. Титов Centro de
  78. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Исследование процесса распада упругонапряженной пленки германия на поверхности кремния й И.В. Закурдаев, М.В. Байзер, С.Ю. Садофьев, М.М. Рзаев Рязанская государственная радиотехническая
  79. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs й А.Н. Пихтин, О.С. Комков, К.В. Базаров Санкт-Петербургский государственный
  80. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Моделирование электрических свойств поликристаллических керамических полупроводников с субмикрометровыми размерами зерен й И.В. Рожанский , Д.А. Закгейм Физико-технический институт им. А.Ф.
  81. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе SbЦAs й М.Н. Левин, Г.В. Семенова, Т.П. Сушкова, В.В. Постников, Б.Л. Агапов Воронежский государственный университет,
  82. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Особенности контуров экситонного отражения света кристаллов GaAs й А.С. Батырев, В.В. Джамбинов, А.Е. Чередниченко Калмыцкий государственный университет, 358000 Элиста, Россия Научно-исследовательский
  83. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Получение, свойства и применение фракционированных наноалмазов й С.И. Чухаева Российский федеральный ядерный центрЦВсероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И.
  84. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Влияние поперечной неоднородности тока накачки и распределения поля на динамические характеристики полосковых инжекционных лазеров й С.А. Гуревич, Г.С. Симин, М.С. Шаталов Физико-технический
  85. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Гетероструктуры с несколькими слоями InAs / InGaAs-квантовых точек для источников оптического излучения диапазона длин волн 1.3 мкм й Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М.
  86. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Исследование фотоэдс в структурах пористый Si /Si методом импульсного фотонапряжения й В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, Т. Дитрих Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
  87. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 О влиянии процесса окисления на эффективность и спектр люминесценции пористого кремния й Б.М. Булах, Н.Е. Корсунская, Л.Ю. Хоменкова, Т.Р. Старая, М.К. Шейнкман Институт физики полупроводников
  88. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Акустоэмиссионное зондирование линейных дефектов в кремнии й А.А. Скворцов, А.М. Орлов, А.А. Соловьев Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия (Поступила в Редакцию 14 июля 2000 г.В
  89. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Люминесцентные свойстава слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния й А.С. Зубрилов, Ю.В. Мельник, Д.В. Цветков, В.Е. Бугров, А.Е.
  90. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Особенности колебательных спектров алмазоподобных и полимероподобных пленок a-C : H й Е.А. Коншина, А.И. Вангонен Всероссийский научный центр ДГОИ им. С.И. ВавиловаУ, 199034 Санкт-Петербург,
  91. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Теоретическое и экспериментальное исследование влияния внешней нагрузки на поры в твердых телах й В.И. Бетехтин, С.Ю. Веселков , Ю.М. Даль, А.Г. Кадомцев, О.В. Амосова Физико-технический институт им. А.Ф.
  92. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Дисперсионные характеристики алмаза в жестком рентгеновском диапазоне длин волн й А.Г. Турьянский, И.В. Пиршин, Р.А. Хмельницкий, А.А. Гиппиус Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
  93. .Работа выполнена при поддержке Фонда фундаментальных исследований Государственного комитета по науке и технике Украины, грант № 2.3/122 (ФПростiрФ).Список литературы [7201-7300] З.С. Грибников, В.В. Митин. Письма ЖЭТФ, 14, 272 (1971).[7201-7300] М. Аше, З.С.
  94. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов , й А.А. Ефремов , Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Д.А. Лавринович, Ю.Т.
  95. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Модификация поверхности и физико-химические свойства наноалмазов Химия поверхности наноалмазов й И.И. Кулакова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия E-mail:
  96. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 О влиянии поперечных возмущений на движение краевой дислокации й А.Н. Бугай, С.В. Сазонов Калининградский государственный университет, 236041 Калининград, Россия E-mail: foton1@baltnet.ru (Поступила в
  97. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Возникновение электроусталости в МОП структурах в результате снижения высоты потенциального барьера при полевой ионизации атомов диэлектрика й И.С. Савинов Московский энергетический институт,
  98. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Особенности упругих свойств слоистых кристаллов й Н.А. Абдуллаев Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан E-mail: anadir@azintex.com (Поступила в Редакцию 26 апреля
  99. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Эффект положительного магнитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO й В.Ф. Кабанов, А.М. Свердлова Саратовский государственный университет, Саратов, Россия (Получена 12
  100. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов + й Н.И. Бочкарева , E.A. Zhirnov , А.А. Ефремов , Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер

Pages:     | 1 |   ...   | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам