Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[7401-7500]

Pages:     | 1 |   ...   | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Ультрадисперсные алмазы в гальванотехнике й Г.К. Буркат, В.Ю. Долматов СКТБ ДТехнологУ, Санкт-Петербургский государственный технологический институт, 192076 Санкт-Петербург, Россия E-mail: alcen@comset.net
  2. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 О создании концентрационных решеток в электронно-дырочной плазме при ее дрейфе в высокочастотном электрическом поле й В.Л. Борблик Институт физики полупроводников Национальной академии наук
  3. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Поляризационный механизм сегнетоэлектрической неустойчивости решетки в кристаллах й О.Е. Квятковский Институт химии силикатов им И.В.Гребенщикова Российской академии наук, 199155 Санкт-Петербург, Россия
  4. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта в компенсированных полупроводниках й Б.М. Павлишенко, Р.Я. Шувар Львовский национальный университет им. Ивана Франко (физический
  5. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Магнитооптика квантовых ям с D(-)-центрами й В.Д. Кревчик, А.Б. Грунин, Вас.В. Евстифеев Пензенский государственный университет, 440026 Пенза, Россия (Получена 13 октября 2005 г. Принята к
  6. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Нелинейные волны в цепочке плоскопараллельных доменных границ в ферромагнетике й М.А. Шамсутдинов, С.Э. Рахимов, А.Т. Харисов Башкирский государственный университет, 450074 Уфа, Россия E-mail:
  7. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Роль вакансий кремния в формировании барьеров Шоттки на контактах Ag и Au с 3C- и 6H-SiC й С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник , Ю.М. Таиров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  8. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Рентгеновские исследования порошков нанопористого углерода, полученных из карбида кремния й Э.А. Сморгонская, Р.Н. Кютт, А.В. ЩукаревЖ, С.К. Гордеев, А.В. Гречинская Физико-технический институт
  9. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами й К.М. Дощанов Физико-технический институт Научно-производственного объединения ФФизикаЦСолнцеФ Академии
  10. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Спонтанная и стимулированная ультрафиолетовая люминесценция ZnO : N при температуре 77 K + й А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев , E.E. Якимов , C. Barthou , P. Benalloul+ Физический институт им.
  11. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Определение концентрации глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при нестационарной спектроскопии глубоких уровней й Е.Н. Агафонов, А.Н. Георгобиани, Л.С. Лепнев Физический институт
  12. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Ударноволновое спекание наноалмазов й В.В. Даниленко ЗАО ДАЛИТУ, 03067 Киев, Украина E-mail: vvdan@list.ru Предложена и успешно опробована двухстадийная технология спекания ультрадисперсных алмазов
  13. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Особенности локализации фононов вблизи поверхности низкотемпературного антиферромагнетика й С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина (В окончательном
  14. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Эффективное управление фотоэлектрическими свойствами полиимидов, содержащих трифениламин й Л.П. Казакова, Е.Л. Александрова, А.В. Чернышев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  15. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) й С.Н. Гриняев , А.Н. Разжувалов Сибирский физико-технический институт при Томском
  16. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Автосолитоны в InSb в магнитном поле й И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев Институт физики им. Х.И. Амирханова, 367003 Махачкала, Россия (Получена 26 мая 1997 г. Принята к печати 23 декабря
  17. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металЦдиэлектрикЦполупроводник с учетом тока через диэлектрик й Л.С. Берман Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  18. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs й Н.Н. Григорьев, Т.А. Кудыкина Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина (Получена 23 апреля 1996 г.
  19. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Теория электроакустического эха в монокристаллах сегнетоэлектриков типа порядокЦбеспорядок й В.А. Попов, А.Р. Кессель, С.С. Лапушкин Казанский физико-технический институт, 420029 Казань, Россия (Поступила в
  20. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Наноалмазы для биологических исследований й В.С. Бондарь, А.П. Пузырь Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия E-mail: apuzyr@mail.ru Сообщается о
  21. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Плазмохимическое напыление и эмиссионные свойства углеродных пленок, осаждаемых при низкой температуре й А.Я. Виноградов, А.Н. Андронов, А.И. Косарев, А.С. Абрамов Физико-технический институт
  22. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Мелкие термодоноры в монокристаллах кремния, легированных азотом й В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.В. Батунина, В.Н. Головина, Л.В. Арапкина, Н.Б. Тюрина, А.С. Гуляева, М.Г. Мильвидский Государственный
  23. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Определение параметров многослойных наноструктур с помощью двухволновой рентгеновской рефлектометрии й Н.Л. Попов , Ю.А. Успенский, А.Г. Турьянский, И.В. Пиршин, А.В. Виноградов, Ю.Я.
  24. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами й А.В. Герус, Т.Г. Герус Фрязинский институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141190 Фрязино, Россия (Получена 2
  25. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Смешанные оптические моды колебаний в нанокристаллитах PbTe Ж й А.И. Белогорохов , Л.И. Белогорохова , Д.Р. Хохлов , С.В. Лемешко Государственный научный центр ДГиредметУ, 109017 Москва,
  26. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Спонтанное излучение и упругое рассеяние света экситонами квантовой ямы в микрорезонаторе ФабриЦПеро й В.А. Кособукин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  27. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Precursors for CVD growth of nanocrystalline diamond й T. Soga, T. Sharda , T. Jimbo Department of Environmental Technology and Urban Planning, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan
  28. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Токовая неустойчивость в солнечных элементах на основе a-Si : H, возникающая после их засветки й Э.Н. Воронков Московский энергетический институт, 111250 Москва, Россия (Получена 9 ноября 2000
  29. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Экспериментальное проявление коррелированных прыжков в температурных зависимостях проводимости легированного CdTe й Н.В. Агринская, В.И. Козуб Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  30. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Кинетика перераспределения примеси в квазипериодических структурах, возникающих в сильно легированном бором кремнии, облученном ионами бора й А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г.
  31. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Сверхизлучение в квантовых гетероструктурах й А.И. Климовская , Ю.А. Дрига, Е.Г. Гуле, О.А. Пикарук Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
  32. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Высокотемпературная сверхпроводимость в халькогенидных стеклообразных полупроводниках й А.В. Приходько, К.Д. Цэндин, Б.П. Попов Санкт-Петербургский государственный технический университет,
  33. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния -излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs й А.В. Бобыль, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, И.А.
  34. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Примесные атомы эрбия в кремнии й В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург,
  35. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Влияние примесного германия на свойства центров серы в кремнии й М.С. Юнусов, М. Каримов, Б.Л. Оксенгендлер, А. Юсупов Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, 702132 Улугбек, Узбекистан
  36. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Электронные состояния в сверхрешетках (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N й Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050
  37. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Фотонные кристаллы с перестрaиваемой запрещенной зоной на основе заполненных и инвертированных композитов опаЦкремний й В.Г. Голубев, В.А. Кособукин, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов
  38. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Влияние адсорбированных молекул на спектр носителей в полупроводниковом нанопроводе + + й В.А. Лыках , Е.С. Сыркин + Национальный технический университет ДХарьковский политехнический
  39. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Анализ частотных зависимостей проводимости МДП структур с учетом флуктуационной и туннельной теоретических моделей й Н.А. Авдеев, В.А. Гуртов, И.В. Климов, Р.А. Яковлев Петрозаводский
  40. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонным легированием й Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский , В.Г. Мокеров, В.А. Кульбачинский , Р.А. Лунин , И.С. Васильевский
  41. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Исследование коэффициента отражения от полупроводниковой сверхрешетки, помещенной в магнитное поле й А.А. Булгаков, О.В. Шрамкова Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук
  42. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Высокочастотное спин-зависящее туннелирование в нанокомпозитах й А.Б. Грановский, А.А. Козлов, Т.В. Багмут , С.В. Недух , С.И. Тарапов , Ж.П. Клерк Московский государственный университет им. М.В.
  43. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs / GaAs / AlGaAs й В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела , К. Пожела , В. Юцене Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907
  44. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Процессы самоорганизации и оптическая активация ионов Er в пленках аморфного гидрированного кремния, легированного Er й М.М. Мездрогина, Г.Н. Мосина, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова
  45. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe Ж й П.В. Жуковский, А. Родзик, Ю.А. Шостак Люблинский технический университет, Люблин,
  46. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Электрон-электронное рассеяние в ступенчатых квантовых ямах й В.Л. Зерова , Л.Е. Воробьев, Г.Г. Зегря Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург,
  47. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур + й Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф , Ю.И. Романов , С.А. Рыков+ Физико-технический институт
  48. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления й Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  49. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами и подавление
  50. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Резонансный перенос носителей заряда через ловушечные состояния в диэлектрике в периодических наноструктурах Si/CaF2 й Ю.А. Берашевич , А.Л. Данилюк, В.Е. Борисенко Белорусский государственный
  51. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Аномально высокие фотонапряжения в молибдате тербия й Б.К. Пономарев, И.А. Корнев, В.Д. Негрий, Г.М. Виздрик, Б.С. Редькин Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка,
  52. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Co+ и Fe+ в кремний й Г.Г. Гумаров, В.Ю. Петухов, В.А. Жихарев, В.А. Шустов, И.Б. Хайбуллин Казанский физико-технический
  53. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Исследование квантовых ям InxGa1-xAs/GaAs методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии й С.В. Евстигнеев, Р.М. Имамов+, А.А. Ломов+, Ю.Г. Садофьев, Ю.В. Хабаров,
  54. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2 й С.И. Борисенко, В.Ю. РудьЖ, Ю.В. Рудь, В.Г. Тютерев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  55. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из сегнетоэлектрического кристалла ТГС й А.С. Сидоркин, Н.Ю. Пономарева, С.Д. Миловидова, А.С. Сигов Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж,
  56. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Получение резин, стойких к взрывной декомпрессии, с использованием углерода детонационного синтеза й Л.А. Акопян, М.Н. Злотников, Б.В. Румянцев , Н.Л. Абрамова, М.В. Зобина, Т.Л. Мордвинцева ОАО
  57. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Автолокализованные состояния носителей и диэлектрический гистерезис в неупорядоченных дипольных системах й М.Д. Глинчук, В.А. Стефанович, Л. Ястрабик Институт проблем материаловедения Академии наук Украины,
  58. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Влияние давления на концентрацию квазидвумерных носителей в системе GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами й А.Н. Вороновский, Е.М. Дижур, Е.С. Ицкевич, Л.М. Каширская, Р.А. Стрэдлинг Институт физики высоких
  59. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs + = + = = =Х й В.Г. Талалаев , J.W. Tomm , N.D. Zakharov , P. Werner , Б.В. Новиков , Г.Э. Цырлин , Х =Х Х Х Ю.Б. Самсоненко , А.А.
  60. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов в неоднородном электрическом поле при 4.2 K й А.М. Мусаев Институт физики им. Х.И.Амирханова, Дагестанского научного центра Российской
  61. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора на основе диоксида олова й О.В. Анисимов, В.И. Гаман, Н.К. Максимова, С.М. Мазалов, Е.В. Черников Сибирский
  62. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Инверсия электронной населенности подзон размерного квантования при продольном транспорте в туннельно-связанных квантовых ямах й В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов Институт физики микроструктур
  63. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Низкотемпературная антистоксова фотолюминесценция в наноструктурах CdSe/ZnSe й М.Я. Валах , Н.В. Вуйчик, В.В. Стрельчук, С.В. Сорокин , Т.В. Шубина , С.В. Иванов , П.С. Копьев Институт физики
  64. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Тонкая структура краевой ультрафиолетовой люминесценции активированных в плазме азота пленок GaN : Mg и электролюминесцентные гетероструктуры ZnOЦGaN : Mg на их основе й А.Н. Георгобиани, А.Н.
  65. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Электронная структура наноразмерных металлических кластеров й И.В. Бажин, О.А. Лещева, И.Я. Никифоров Донской государственный технический университет, 344010 Ростов-на-Дону, Россия E-mail: ib_rnd@mail.ru
  66. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Самоупорядоченные микрорезонаторы в сверхмелких кремниевых p+-n-переходах й Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, С.А. Рыков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  67. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Интерфейсные эффекты и формирование оптических свойств ансамблей структурно-изолированных квантовых нитей InP й С.Г. Романов, Н.М. Йатс, М.И. Пембл, Д.Р. Аггер, М.В. Андерсон, К.М. Сотомайор Торрес, В.Ю.
  68. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре + + + й А.А. Герасимович , С.В. Жоховец , Г. Гобш , Д.С. Доманевский Белорусский
  69. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Роль слоев Al0.3Ga0.7As, легированных Si, в высокочастотной проводимости гетероструктур GaAs/Al0.3Ga0.7As в режиме квантового эффекта Холла Ж й И.Л. Дричко , А.М. Дьяконов , И.Ю. Смирнов ,
  70. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках в квантующем магнитном поле й О.В. Кибис Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия (Получена 7
  71. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Nano-polishing of silicon wafers using ultra-dispersed diamonds й T. Kurobe, T. Fujimura, H. Ikeda Vision Development Company Limited, Tokyo 104-0031, Japan Institute of Development of Raw Materials and
  72. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме й Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Паздников, В.А. Володин, А.К.
  73. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Неомическая проводимость при переходе от слабой к сильной локализации в структурах GaAs / InGaAs с двумерным электронным газом й А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков , О.Э. Рут, А.В. Германенко,
  74. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Проблемы эффективности фотоэлектрического преобразования в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe й Л.А. Косяченко Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Получена
  75. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Глубокие состояния в -легированном кремнием GaAs й В.Я. Алешкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний
  76. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Динамика нелинейного прецессионного движения намагниченности в феррит-гранатовой пленке типа (100) й А.М. Шутый, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия E-mail:
  77. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Температурная зависимость спектров плазменного отражения кристаллов висмутЦсурьма й В.М. Грабов, Н.П. Степанов Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, 191186
  78. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 О температурной зависимости статической электропроводности полупроводниковой квантовой проволоки в изоляторе й Н.А. Поклонский , Е.Ф. Кисляков, С.А. Вырко Белорусский государственный
  79. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Luminescence of Excitons in Slightly Asymmetric Double Quantum Wells й A.V. Akimov, E.S. Moskalenko, A.L. Zhmodikov, D.A. Mazurenko, A.A. Kaplyanskii, L.J. Challis, T.S. Cheng, C.T. Foxon A.F.Ioffe
  80. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы й В.Г. Иванов, В.И. Панасенков, Г.В. Иванов Центральный научно-исследовательский институт ФЭлектронФ, 194223
  81. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Оптические свойства гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN на подложках GaAs, излучающих в области 1.3-1.55 мкм й Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, Н.К. Поляков, А.Ф.
  82. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Применение наноалмазов для разделения и очистки белков й В.С. Бондарь, И.О. Позднякова, А.П. Пузырь Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия E-mail:
  83. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Баллистическая проводимость квантовой проволоки при конечных температурах й Н.Т. Баграев, В.К. Иванов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, И.А. Шелых Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  84. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Температурные исследования диэлектрических характеристик жидкого кристалла 5СВ в области релаксации й Б.А. Беляев, Н.А. Дрокин, В.Ф. Шабанов Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения
  85. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 й Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум , А.Н. Михайлов Институт физики полупроводников Сибирского
  86. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Электрон-фононное взаимодействие и подвижность электронов в квантово-размерных структурах II типа PbTe / PbS й В.В. Бондаренко, В.В. Забудский, Ф.Ф. Сизов Институт физики Национальной академии наук
  87. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца й И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Е.А. Тараканов, Т.А. Шаплыгина, В.П. Афанасьев , А.В. Панкрашкин Физико-технический
  88. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Изменение спектров оптического поглощения ядерно-легированного GaAs при отжиге й В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, В.А. Новиков Сибирский физико-технический институт им. В.Д.
  89. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Создание люминесцентного биочипа с использованием наноалмазов и бактериальной люциферазы й А.П. Пузырь, И.О. Позднякова, В.С. Бондарь Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, 660036
  90. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Структура алмазного нанокластера й А.Е. Алексенский, М.В. Байдакова, А.Я. Вуль, В.И. Сиклицкий Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила
  91. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x = 0.2 0.3) с тонкопленочным алюминиевым покрытием й Э.Ю. Салаев, Э.К. Гусейнов, Атеш Тезер, Н.Д. Исмайлов Институт фотоэлектроники Академии наук
  92. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD + й О.И. Шевалеевский , S.Y. Myong , K.S. Lim , S. Miyajima , M. Konagai+
  93. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Теплопроводность нанокомпозита опал+эпоксидная смола при низких температурах й В.Н. Богомолов, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисиорек, А. Ежовский Физико-технический институт им. А.Ф.
  94. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Особенности сегрегации углерода на поверхности вольфрама й Н.Д. Потехина, Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  95. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Межзонное поглощение света в полупроводниковых наноструктурах й С.И. Покутний Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, 68001 Ильичевск, Украина
  96. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Влияние размеров кристаллов на межатомные расстояния в дисперсном углероде й Е.А. Беленков, Е.А. Карнаухов Челябинский государственный университет, 454136 Челябинск, Россия E-mail: belenkov@cgu.chel.su
  97. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Физические свойства CdTe при совместном легировании V и Ge й С.Ю. Паранчич , Л.Д. Паранчич, В.Н. Макогоненко, Ю.В. Танасюк, М.Д. Андрийчук, В.Р. Романюк Черновицкий национальный университет,
  98. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния й П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, С.А. Петрова, В.Ю. Тимошенко, А.Э. Юнович Московский государственный университет им.
  99. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии й А.С. Сидоркин, А.С. Сигов , А.М. Ховив, О.Б. Яценко, В.А. Логачева Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж,
  100. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/TiЦn-GaAs й Д.Н. Захаров, В.М. Калыгина, А.В. Нетудыхатко, А.В. Панин+ Сибирский

Pages:     | 1 |   ...   | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам