Книги по разным темам

Книги (разное)

[6201-6300]

Pages:     | 1 |   ...   | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 6 05;11;12 Некоторые аспекты использования углеродных материалов в автоэлектронных эмиссионных катодах й А.Ф. Бобков, Е.В. Давыдов, С.В. Зайцев, А.В. Карпов, М.А. Козодаев, И.Н. Николаева, М.О. Попов,
  2. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te в солнечных элементах й Л.А. Косяченко, В.В. Кульчинский, С.Ю. Паранчич, В.М. Склярчук Черновицкий национальный университет, 58012
  3. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 1 01;05;11 О соотношении потенциала ионизации и работы выхода: металлы й С.Ю. Давыдов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия (Поcтупило в
  4. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 5 01;10 Исследование электромагнитной квадрупольно-октупольной линзы упрощенной конструкции й Л.П. Овсянникова, Т.Я. Фишкова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  5. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 11 03;05;10;12 Масс-спектрометрическое исследование диффузии и растворимости гелия в палладии с субмикрокристаллической структурой 2 й А.Н. Жиганов,1 А.Я. Купряжкин,1 Р.Р. Мулюков,2 И.Х. Биткулов 1
  6. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мкм й А.В. Антонов, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская , А.В. Мурель,
  7. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 7 05;11;12 Деформация зоны контакта и адгезионное трение между зондом сканирующего фрикционного микроскопа и атомарно-гладкой поверхностью й Г.В. Дедков, М.Б. Дышеков Кабардино-Балкарский государственный
  8. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 6 11;12 Расшифровка сложных спектров (распределений по полным энергиям) электронов автоэмиссии для катодов с неоднородной работой выхода 1 й Е.А. Литвинов,1 Р.Р. Мулюков,2 Л.Р. Зубаиров,2 Ю.М. Юмагузин,3
  9. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 10 01;10;12 Пространственные гармоники поля квадрупольного фильтра масс с круглыми электродами й Д.Дж. Дуглас1, Т.А. Глебова2, Н.В. Коненков2, М.Ю. Судаков2 1 University of British Columbia, 2036 Main
  10. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 06;07;12 Кинетика решеток заряда в фоторефрактивных кристаллах й Н.А. Гусак Институт повышения квалификации и переподготовки кадров по новым направлениям развития техники, технологии и экономики
  11. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 01;10 О некоторых свойствах уравнений огибающих применительно к задачам проектирования и настройки оптики пучков й Ю.В. Зуев Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д.В.
  12. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 06;07;11;12 Формирование двумерной периодической структуры локальных областей плавления на поверхности кремния при импульсном световом облучении й Я.В. Фаттахов, М.Ф. Галяутдинов, Т.Н. Львова, И.Б.
  13. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Безызлучательная рекомбинация на мелкие связанные состояния в размерно-ограниченных системах в электрическом поле й Э.П. Синявский, А.М. Русанов Институт прикладной физики Академии наук Молдавии,
  14. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 4 05;08;11;12 Определение теплопроводности алмазных поликристаллических пленок с помощью фотоакустического эффекта й А.Н. Образцов1, И.Ю. Павловский1, В.Г. Ральченко2, Х. Окуши3, Х. Ватанабе3 1
  15. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 6 04;11;12 Ток в сильноточном планарном диоде с дискретной эмиссионной поверхностью й С.Я. Беломытцев, С.Д. Коровин, И.В. Пегель Институт сильноточной электроники СО РАН, 634055 Томск, Россия (Поступило
  16. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 9 04;10;12 Характеристики ионного источника с плазменным катодом и многополюсной магнитной системой удержания быстрых электронов й Н.В. Гаврилов, А.С. Каменецких Институт электрофизики УрО РАН, 620016
  17. Журнал технической физики, 2007, том 77, вып. 1 06;07;12 Фотонное давление и его влияние на магнитные характеристики многослойных пленок й Н.Н. Крупа Институт магнетизма НАН Украины, 03142 Киев, Украина e-mail: krupa@imag.kiev.ua (Поступило в
  18. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1 Spin relaxation in asymmetrical heterostructures й N.S. Averkiev, L.E. Golub, M. Willander A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russia Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
  19. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 9 10;11;12 Свойства неравновесной поверхности гексаборида лантана, образующейся в итоге полевого испарения й В.Н. Гурин, М.М. Корсукова, М.В. Логинов, В.Н. Шредник Физико-технический институт им. А.Ф.
  20. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 05;11;12 О механизме переноса ионов в твердоэлектролитных пленках на литии й А.В. Чуриков Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, 410012, Саратов, Россия e-mail:
  21. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Спиновые возбуждения в гранулированных структурах с ферромагнитными наночастицами й Л.В. Луцев Научно-исследовательский институт ФДоменФ, 196084 Санкт-Петербург, Россия E-mail: lutsev@domen.ru (Поступила в
  22. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 06;07 Генерация излучения на разностной частоте среднего и дальнего инфракрасных диапазонов в полупроводниковых волноводах на основе фосфида галлия й В.Я. Алешкин,1 А.А. Афоненко,2 А.А. Дубинов1 1
  23. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 12 04;12 Управление положением канала дугового разряда в вакуумно-дуговых установках й А.В. Воронин, А.А. Семенов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail:
  24. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 01;02;11 Адсорбция атомов щелочных металлов на поверхности арсенида галлия: изменение работы выхода 2 й С.Ю. Давыдов,1 А.В. Павлык 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021
  25. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 12 Краткие сообщения 09;10;11;12 Получение мощных электронных пучков в магнетронных пушках с холодными вторично-эмиссионными катодами й А.Н. Довбня, В.В. Закутин, Н.Г. Решетняк, В.П. Ромасько, Ю.Я.
  26. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 3 04;12 Получение автономных долгоживущих плазменных образований в свободной атмосфере й Л.В. Фуров Владимирский государственный университет, 600000 Владимир, Россия e-mail: golovn@vpti.vladimir.ru
  27. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 12 01;07 О временной зависимости поля в ближней зоне нестационарного мультиполя й Н.С. Бухман Самарская государственная архитектурно-строительная академия, 443001 Самара, Россия e-mail:
  28. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 7 01;04;10 Релятивистская частица в квадрупольном волноводе й Ю.Г. Павленко, Н.Д. Наумов, А.И. Торопова Специализированный учебно-научный центр Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова,
  29. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 2 01;10 Теоретическое исследование группировки электронного пучка в релятивистских усилителях мощности й Э.А. Перельштейн, Л.В. Бобылева, А.В. Елжов, В.И. Казача Объединенный институт ядерных
  30. Физика твердого тела, 1999, том 41, № 1 Эффект Холла в микронеоднородных магнитных сплавах й Е.А. Митюшов, Н.И. Коуров, Ю.П. Ирхин Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург, Россия Институт физики металлов Уральского
  31. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 2 09;10;12 Генерация электронных пучков в магнетронном диоде с металлическим вторично-эмиссионным катодом й Ю.Я. Волколупов, А.Н. Довбня, В.В. Закутин, М.А. Красноголовец, Н.Г. Решетняк, В.В. Митроченко,
  32. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 8 01;10 Влияние электроннооптических факторов на коэффициент вывода пучка широкоапертурных ускорителей электронов й М.А. Аброян, Ю.В. Зуев, С.Л. Косогоров, В.Я. Шведюк Федеральное государственное
  33. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Долгоживущие фотоэффекты в p-i-n гетероструктурах GaAs/AlGaAs с двойными квантовыми ямами й С.И. Дорожкин, В.Б. Тимофеев, Й. Хвам Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432
  34. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 7 01;10 Применение метода матрицантов для расчета аберрационных коэффициентов третьего порядка секторного магнитного поля с учетом краевых эффектов й С.Н. Мордик, А.Г. Пономарев Институт прикладной
  35. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Характеристики экситонов и экситонная фотолюминесценция структур с кремниевыми квантовыми точками й И.М. Купчак, Д.В. Корбутяк, Ю.В. Крюченко, А.В. Саченко, И.О. Соколовский, О.М. Сресели
  36. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии й В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, В.Н. Шабанов, А.П.
  37. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 7 02;11;12 Термостимулированная десорбция ионизированных частиц с поверхности сплава Na/Au, активированного кислородом й М.В. Кнатько, М.Н. Лапушкин, В.И. Палеев Физико-технический институт им. А.Ф.
  38. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 7 11;12 Проявление незаполненных электронных состояний в спектрах полного тока серебра й В.А. Новолодский, О.М. Артамонов, С.А. Комолов Санкт-Петербургский государственный университет,
  39. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 5 10 Об изотраекторной динамике импульсных потоков ионов й А.А. Матышев Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 30 декабря 1995 г.)
  40. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 10 01;05;11;12 Влияние кубической анизотропии на температурные характеристики магнитостатических волн в ферритовых пленках, намагниченных в плоскости йВ.В. Шагаев Институт материалов электронной техники,
  41. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 02;10;11 Возможности реконструкции образа при сканировании решеткой фокусов атомных линз от электронного пучка й А.Г. Резикян, В.В. Смирнов Санкт-Петербургский государственный университет
  42. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 2 04;05;11;12 Получение и свойства композиционных покрытий на основе металЦуглерод с нанокристаллической структурой й С.А. Ширяев, М.В. Атаманов, М.И. Гусева, Ю.В. Мартыненко, А.В. Митин, В.С. Митин,
  43. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 2 01;08 Теория фильтра на слабо связанных резонансных модах поверхностных акустических волн й В.Ф. Дмитриев Закрытое акционерное общество ДАвангард-ЭлионикаУ, 195271 Санкт-Петербург, Россия e-mail:
  44. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 2 01;10;12 Компьютерный анализ структуры изображения источника в трехмерных электронно-оптических системах.Электростатическая система. I й Л.В. Бадьин, Л.Н. Зюзин, С.И. Сафронов, Ю.К. Славнов, Р.П.
  45. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 8 01;10 Ускорение электронов гауссовым электромагнитным пучком в постоянном магнитном поле й В.П. Милантьев, Я.Н. Шаар Российский университет дружбы народов, 117198 Москва, Россия e-mail:
  46. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Исследование фотоэлектрических свойств квантовых точек Ge в матрице ZnSe на GaAs й И.Г. Неизвестный, С.П. Супрун, В.Н. Шумский Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской
  47. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 11 10;11;12 Отражение электронов килоэлектронвольтных энергий от многослойных поверхностей 2 й В.П. Афанасьев,1 А.В. Лубенченко,1 С.Д. Федорович,1 А.Б. Паволоцкий 1 Московский энергетический институт
  48. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 5 01;03;11 Термодинамика и кинетика плавления сдвигом тонкого слоя смазки, заключенного между твердыми телами1 й В.Л. Попов Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, 634021 Томск, Россия
  49. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 12 05;06;07;08;11;12 Изготовление пьезо- и пирочувствительных пленок поливинилиденфторида вакуумным испарением в электрическом поле й А.И. Вайтенков, О.Е. Коваленко Институт прикладной оптики АН Белоруссии,
  50. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 5 04;10;11;12 Тонкие пленки углерода. II. Строение и свойства й А.П. Семенов, А.Ф. Белянин, И.А. Семенова, П.В. Пащенко, Ю.А. Барнаков Бурятский научный центр СО РАН, 670047 Улан-Удэ, Россия e-mail:
  51. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 12 05;06;07;12 Гетерогенный перенос заряда на основе резонансной приконтактной фотоионизации 2 й Б.П. Кашников,1 В.В. Макаров,2 Е.В. Макаров,2 Г.И. Смирнов 1 Институт физики полупроводников СО РАН,
  52. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 7 08;12 Сила, действующая на цилиндр при ультразвуковой кавитации 2 й Г.Н. Санкин,1 Н.В. Малых 1 Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия e-mail: sankin@hydro.nsc.ru
  53. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 9 04;09;10;12 Генерация многозарядных ионов тугоплавких металлов в электронно-циклотронном резонансном разряде в прямой магнитной ловушке й А.В. Водопьянов,1 С.В. Голубев,1 Д.А. Мансфельд,1 А.Г.
  54. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Кинетические свойства антиферромагнитных сплавов ГЦК-железа й Г.А. Такзей, И.И. Сыч, С.В. Черепов Институт магнетизма Академии наук Украины, 252680 Киев, Украина (Поступила в Редакцию 19 июня 1997 г.)
  55. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Туннельно-излучательная рекомбинация и люминесценция трапецеидальных -легированных сверхрешеток й В.В. Осипов, А.Ю. Селяков, M. FoygelЖ Государственный научный центр РФ ФОрионФ 111123 Москва,
  56. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 12 04 Главная стадия разряда молнии: механизм и выходные характеристики й Г.Н. Александров Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия e-mail:
  57. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 9 02;10;12 Измерение поперечных скоростей электронов сильноточного релятивистского пучка микросекундной длительности в сильном магнитном поле й О.Т. Лоза, И.Е. Иванов Институт общей физики РАН, 119991
  58. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 07;12 Поляризационная модуляция света при поперечном сжатии оптического волокна й О.И. Котов, А.В. Хлыбов, Л.Б. Лиокумович, С.И. Марков, А.В. Медведев, В.А. Рукавишников, А.И. Боровков, Д.В. Шевченко
  59. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Экситонные поляритоны в длиннопериодных структурах с квантовыми ямами й М.Р. Владимирова, Е.Л. Ивченко, А.В. Кавокин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021
  60. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 6 03;11 Влияние электронной структуры подложки на характер фотоиндуцированного поведения адсорбированных молекул оксидов азота и углерода 2 й Т.Т. Магкоев,1 Й. Мурата 1 Северо-Осетинский государственный
  61. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 11 07;11;12 Диагностика двумерных фрактальных структур с использованием сканирующих когерентных пучков й Д.А. Зимняков, А.А. Мишин, А.Н. Серов Саратовский филиал Института машиноведения РАН, 410028 Саратов,
  62. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 4 01;10 Обменная самополяризация электронного пучка й Е.В. Орленко, Б.Г. Матисов Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  63. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 12 05;07;11;12 Механолюминесценция и субмикрорельеф поверхности меди й К.Б. Абрамова, В.И. Веттегрень, И.П. Щербаков, С.Ш. Рахимов, В.Н. Светлов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021
  64. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 12 04;12 Долгоживущие плазмоиды Ч аналоги шаровой молнии, возникающие во влажном воздухе й А.И. Егоров, С.И. Степанов Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, 188300 Гатчина,
  65. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 2 05;11;12 Радиационно-стимулированное формирование микрозондов сканирующих туннельных микроскопов й Т.И. Мазилова Национальный научный центр ФХарьковский физико-технический институтФ, 310108 Харьков,
  66. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 10 02;04;06;10;11 Изменение фазового состава и электрофизических свойств контакта титан-кремний при облучении азотводородной плазмой й А.М. Чапланов, Е.Н. Щербакова Институт электроники АН Белоруссии,
  67. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 12 09;12 Экспериментальное исследование макета 25-мегаваттного СВЧ компрессора трехсантиметрового диапазона длин волн й С.Н. Артеменко, В.А. Августинович, В.Л. Каминский, П.Ю. Чумерин, Ю.Г. Юшков
  68. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 4 04;10;12 Влияние условий формирования на развитие колебаний пространственного заряда в длинноимпульсном релятивистском электронном пучке й Л.Ю. Богданов, Г.Г. Соминский, А.Я. Фабировский
  69. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 10;11,12 Тонкие пленки углерода. I. Техника выращивания пучками заряженных частиц й А.П. Семенов, И.А. Семенова Отдел физических проблем при Президиуме Бурятского научного центра СО РАН, 670047
  70. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 9 01;09 Спектральные свойства интерференционных СВЧ фильтров на основе скрещенных решеток-поляризаторов й А.В. Аржанников, С.А. Кузнецов, С.Л. Синицкий Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН,
  71. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 10 02;04;06;10;11 Структурные и фазовые превращения в тонких пленках титана при облучении азот-водородной плазмой й А.М. Чапланов, Е.Н. Щербакова Институт электроники АН Белоруссии, 220841 Минск,
  72. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 6 01;05;11 Влияние импульсного магнитного поля на нелинейную динамику вихреподобных доменных стенок в магнитных пленках й Б.Н. Филиппов, Л.Г. Корзунин, Ф.А. Кассан-Оглы Институт физики металлов УрО РАН,
  73. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 9 05;11;12 Структура и состав термополевых микровыступов из силицидов вольфрама й М.В. Логинов, В.Н. Шредник Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в
  74. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 О статистике и кинетике рекомбинации в полупроводниковых наноструктурах й А.В. Саченко, Ю.В. Крюченко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
  75. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 2 01;10;12 Расчет формы массовых пиков гиперболоидных масс-спектрометров с одномерной однополярной сортировкой ионов й Е.В. Мамонтов, Д.В. Кирюшин Рязанская государственная радиотехническая академия,
  76. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 01;10 Об уравнениях огибающих электронного пучка в магнитном поле й Н.Д. Наумов Центральный физико-технический институт, 141300 Сергиев Посад, Россия (Поступило в Редакцию 14 ноября 1996 г.) На основе
  77. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 9 01;04;10 Кинетическое уравнение для релятивистского электронного пучка, распространяющегося в плотных и разреженных газоплазменных средах продольно внешнему магнитному полю й Е.К. Колесников, А.С.
  78. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 8 01;05;08;11;12 Новые оптимальные ориентации для поверхностных акустических волн в пьезокристаллах лангасита, ланганита и лангатата й М.Ю. Двоешерстов, С.Г. Петров, В.И. Чередник, А.П. Чириманов
  79. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 4 04;10 Кинетический подход к получению уравнения огибающей релятивистского электронного пучка, распространяющегося в рассеивающей газоплазменной среде при наличии обратного плазменного тока
  80. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 8 01;10 Шестиэлектродный дефлектрон й Л.П. Овсянникова, Т.Я. Фишкова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: L.Ovsyannikova@pop.ioffe.rssi.ru (Поступило в
  81. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 5 05;11;12 Исследование вольт-амперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида й А.А. Бунаков,1 А.Н. Лачинов,2 Р.Б. Салихов1 1 Башкирский государственный педагогический университет, 450000 Уфа,
  82. Журнал технической физики, 2007, том 77, вып. 1 04;09;10;12 Высокочастотный ионный источник с повышенным содержанием протонов в пучке й А.А. Иванов, А.А. Подыминогин, И.В. Шиховцев Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, 630090 Новосибирск,
  83. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 6 11;12 Твердофазные реакции и фазовый переход порядокЦбеспорядок в тонких пленках й В.Г. Мягков, Л.Е. Быкова, Г.Н. Бондаренко, Г.В. Бондаренко, Ф.В. Мягков Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН,
  84. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 05;11;12 Гистерезис импульсных характеристик автоэлектронной эмиссии с наноуглеродных пленок й А.В. Архипов, М.В. Мишин, Г.Г. Соминский, И.В. Парыгин Санкт-Петербургский государственный
  85. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 КНИ-нанотранзисторы с двумя независимо управляемыми затворами й О.В. Наумова, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, В.П. Попов Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии
  86. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Эффективная люминесценция ионов эрбия в системах кремниевых нанокристаллов й П.К. Кашкаров, Б.В. Каменев, М.Г. Лисаченко, О.А. Шалыгина, В.Ю. Тимошенко, M. Schmidt , J. Heitmann , M. Zacharias Московский
  87. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 2 11;12 Термическое разрушение двумерных графитовых островков на тугоплавких металлах (Ir, Re, Ni, Pt) й Н.Р. Галль, Н.П. Лавровская, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде Физико-технический институт им. А.Ф.
  88. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Резонансное туннелирование X-электронов в структурах AlAs/GaAs(111). Псевдопотенциальный расчет и модель й Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов Физико-технический институт Сибирского отделения
  89. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 2 11;12 Процессы в открытых системах на поверхностях кристаллов с низкими индексами Миллера й В.А. Войтенко Cанкт-Петербургский технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в
  90. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 2 11;12 Острийные полевые эмиттеры с фуллереновым покрытием й Т.А. Тумарева, Г.Г. Соминский, А.А. Ефремов, А.С. Поляков Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251
  91. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 4 01;10 Расчет матрицанта третьего порядка для секторного электростатического поля й С.Н. Мордик, А.Г. Пономарев Институт прикладной физики НАН Украины, 244030 Сумы, Украина (Поступило в Редакцию 12 мая
  92. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 8 10;12 Взаимодействие интенсивного протонного сгустка и электронного пучка в Тэватроне 2 й В.В. Пархомчук, В.Б. Рева,1 В.Д. Шильцев 1 Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, 630090 Новосибирск,
  93. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 9 05;11 Поверхностная фотоэмиссия ультратонких пленок калия, адсорбированных на вольфраме й М.В. Кнатько, М.Н. Лапушкин, В.И. Палеев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021
  94. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 2 02;04;11;12 Рассеяние ионов плазменной струи танталовой мишенью й В.И. Баткин Институт химической кинетики и горения СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия (Поcтупило в Редакцию 11 августа 1998 г.)
  95. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 8 01;04;10 Динамика компенсированных пучков заряженных частиц во внешнем магнитном и собственных полях й С.Ю. Удовиченко Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д.В. Ефремова,
  96. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 7 05;07;10;11;12 Формирование развитой морфологии на поверхности фосфида индия при распылении ионными пучками аргона й И.П. Сошников,1 А.В. Лунев,1 М.Э. Гаевский,1 С.И. Нестеров,1 М.М. Кулагина,1 Л.Г.
  97. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 5 01;10 Движение частицы в постоянном магнитном поле и в поле плоской монохроматической электромагнитной волны й Е.М. Болдырев Институт физики высоких энергий, 142284 Протвино, Московская область, Россия
  98. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 04;10;12 Особенности формирования узкосфокусированных электронных пучков, генерируемых источником с плазменным катодом в форвакуумном диапазоне давлений й И.С. Жирков, В.А. Бурдовицин, Е.М. Окс, И.В.
  99. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 1 01;06;11 О проводимости двумерной системы с двоякопериодическим расположением круговых включений й Б.Я. Балагуров, В.А. Кашин Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, 117997 Москва, Россия
  100. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 ДНеобычнаяУ остаточная фотопроводимость в квантовой яме InAs/AlSb й Ю.Г. Садофьев, A. Ramamoorthy, J.P. Bird, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang Department of Electrical Engineering & Center for Solid

Pages:     | 1 |   ...   | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам