Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[5701-5800]

Pages:     | 1 |   ...   | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 01;02 Потенциально-резонансные характеристики процесса упругого рассеяния медленных электронов атомами кальция й Е.Ю. Ремета Институт электронной физики НАН Украины, 88017 Ужгород, Украина e-mail:
  2. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 10 01;02 Сечения процессов перезарядки и возбуждения при столкновении альфа-частиц с примесными Be-подобными ионами кислорода в плазме й В.К. Никулин, Н.А. Гущина Физико-технический институт им. А.Ф.
  3. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 04;12 Методы реконструкции равновесия плазмы на сферическом токамаке Глобус-М 1 й В.К. Гусев,1 С.Е. Бендер,2 А.В. Деч,1 Ю.А. Косцов,2 Р.Г. Левин,1 А.Б. Минеев,2 Н.В. Сахаров 1 Физико-технический
  4. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Исследование центров люминесценции, обязанных присутствию меди и кислорода в ZnSe й Н.К. Морозова, И.А. Каретников#, В.В. Блинов#, Е.М. Гаврищук# Московский энергетический институт
  5. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 01;04;12 Экспериментальное и теоретическое исследование влияния распределения электронов по скоростям на хаотические колебания в электронном потоке в режиме образования виртуального катода й Ю.А.
  6. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа й Э.А. Штейнман, В.И. Вдовин , А.Н. Изотов, Ю.Н. Пархоменко , А.Ф. Борун Институт физики твердого тела Российской
  7. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 8 02;12 Влияние электронов остова многозарядного иона на процесс одноэлектронного захвата й В.В. Афросимов, А.А. Басалаев, М.Н. Панов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021
  8. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 01;03 Вычисление скорости скольжения молекулярного газа вдоль сферической поверхности с учетом коэффициентов аккомодации й А.В. Латышев, В.Н. Попов, А.А. Юшканов Поморский государственный университет
  9. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 11 05;07;10;12 Определение профиля энерговыделения мощного электронного пучка в аэрогеле йБ.А. Демидов1, М.В. Ивкин1, И.А. Ивонин1, В.А. Петров1, В.П. Ефремов2, В.Е. Фортов2, Н. Килер3 1 Российский научный
  10. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 9 02;09;12 Многоквантовая радиоспектроскопия атомов: приложение к метрологии геомагнитных полей й Е.Б. Александров, М.В. Балабас, А.К. Вершовский, А.С. Пазгалёв Всероссийский научный центр ФГОИ им. С.И.
  11. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Оптические свойства монокристаллов CuIn5Se8 й И.В. Боднарь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220072 Минск, Белоруссия (Получена 17 апреля 2006 г. Принята к
  12. Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Фотолюминесценция в германии с квазиравновесной дислокационной структурой й С.А. Шевченко, А.Н. Терещенко Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
  13. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 9 03;12 Характеристики магнитогазодинамического диффузора при различной коммутации тока 2 й Р.В. Васильева,1 А.В. Ерофеев,1 Т.А. Лапушкина,1 С.А. Поняев,1 С.В. Бобашев,1 Д. Ван Ви 1 Физико-технический
  14. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 8 01;03 Капиллярные колебания и неустойчивость ТонксаЦФренкеля слоя жидкости конечной толщины й А.И. Григорьев, С.О. Ширяева, В.А. Коромыслов, Д.Ф. Белоножко Ярославский государственный университет, 150000
  15. КлючникКлючник Р.М., Кривошеин В.В. Политический кризи в период Пятой республики во Франции: попытка кризисного моделирования Рассматриваются основные факторы возникновения и развития политического кризиса во Франции. Представлен прогноз дальнейшего
  16. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 28 Особенности электроактивации Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном отжиге й В.М. Ардышев, М.В. Ардышев, С.С. Хлудков Томский политехнический университет, 634004
  17. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 1 01;03 К расчету стационарных магнитогидродинамических течений жидких металлов в кольцевых каналах прямоугольного сечения й И.В. Хальзов, А.И. Смоляков Российский научный центр ДКурчатовский институтУ,
  18. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 3 06;10;12 Электрофизические свойства GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе й В.А. Беспалов,1 А.В. Воронцов,2 А.А. Горбацевич,1 В.И. Егоркин,1 Г.П.
  19. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 5 01;03 О влиянии гетерогенных химических реакций на скорость скольжения неоднородной многокомпонентной газовой смеси й Е.И. Алехин, И.Н. Головкина, Ю.И. Яламов Московский педагогический университет, 107005
  20. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Термоэлектрическая эффективность монокристаллов полупроводникового силицида рутения й А.Е. Кривошеев , Л.И. Иваненко , А.Б. Филонов, В.Л. Шапошников, Г. Бер , И. Шуманн , В.Е. Борисенко
  21. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 10 01;02;11 Влияние неупругих потерь энергии на развитие каскадов атом-атомных столкновений й В.В. Маринюк, В.С. Ремизович Московский государственный инженерно-физический институт (технический
  22. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 1 К теории анизотропии магнитного момента мелких акцепторных центров в алмазоподобных полупроводниках й А.В. Малышев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  23. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1 Особенности прыжковой проводимости кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te при двойном легировании й В.В. Богобоящий Кременчугский государственный политехнический университет, 39614 Кременчуг, Украина
  24. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 01;04 Низкочастотный барьерный разряд в таунсендовском режиме й Д.С. Никандров, Л.Д. Цендин Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в
  25. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 8 02;04;09 Абсолютные заселенности метастабильных состояний аргона в плазме высокочастотного разряда й Б.Т. Байсова, В.И. Струнин, Н.Н. Струнина, Г.Ж. Худайбергенов Омский государственный университет,
  26. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 Стабилизация уровня Ферми и отрицательное магнитосопротивление в PbTe(Mn,Cr) й А.В. Морозов, А.Е. Кожанов, А.И. Артамкин, Е.И. Слынько , Ж Ж В.Е. Слынько , W.D. Dobrowolski , T. Story , Д.Р.
  27. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами й В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко , Д.М. Гапонова, А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, Ю.Г.
  28. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 01;03 Теория движения крупных капель бинарных концентрированных растворов в неоднородной по температуре трехкомпонентной газовой смеси й Ю.И. Яламов, Н.Н. Голикова Московский государственный областной
  29. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 01;03 Особенности движения взаимодействующих капель магнитной жидкости й О.С. Копылова, Ю.И. Диканский, Р.Г. Закинян Ставропольский государственный университет, 355009 Ставрополь, Россия e-mail:
  30. Журнал технической физики, 2007, том 77, вып. 1 02;05 Сублимация частиц углерода в плазменном потоке, генерируемом в высокочастотном индукционном плазмотроне й В.И. Власов, Г.Н. Залогин, А.Л. Кусов Центральный научно-исследовательский институт
  31. Физика твердого тела, 1999, том 41, № 1 Структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN по данным рентгеновской дифракции й Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, Г.Н. Мосина, М.П. Щеглов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  32. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 01;03 Течение пленки охладителя по кромке сопла под действием разреженного газового потока й Б.И. Резников,1 Ю.П. Головачев,1 А.А. Шмидт,1 М.С. Иванов,2 А.Н. Кудрявцев2 1 Физико-технический институт
  33. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Излучательная электронно-дырочная рекомбинация в кремниевых квантовых точках с участием фононов й В.А. Беляков, В.А. Бурдов, Д.М. Гапонова , А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин Нижегородский
  34. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 9 01;02 Многоэлектронные эффекты в атомных процессах й М.Я. Амусья1, Л.В. Чернышева2 1 Институт физики им. Рака, Хибру Университет, Иерусалим, 91904 Израиль 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  35. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Электронная структура пленок C60 й В.В. Соболев, Е.Л. Бусыгина Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 12 января 1998 г. Принята к печати 28 мая 1998 г.) Рассчитан
  36. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si : B) й Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский Белорусский государственный
  37. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 05;07;12 Генерация пространственных субгармоник фоторефрактивной решетки в кристалле силиката висмута в знакопеременном электрическом поле й Р.В. Литвинов1, С.М. Шандаров1, Д.В. Якимов1, А.В. Решетько1,
  38. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 9 02 Влияние плотности мишени на сечения перезарядки быстрых ионов на атомах 2 й О. Розмей,1 И.Ю. Толстихина,2 В.П. Шевелько 1 Институт по исследованию тяжелых ионов (ГСИ), Дармштадт, ФРГ 2 Физический
  39. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Фотолюминесценция рекристаллизованного наносекундным лазерным облучением теллурида кадмия й В.Н. Бабенцов, Н.И. Тарбаев Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650
  40. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 02;12 Экспериментальное исследование влияния процессов в области распространения ионного пучка на результаты электрических измерений тока пучка й Н.В. Гаврилов, А.С. Каменецких Институт электрофизики
  41. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 01;03 Расчет газоплазменной струи, формируемой дугой в дуговом методе производства фуллеренов й Н.И. Алексеев, Г.А. Дюжев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  42. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 10 01;03 Нелинейный анализ равновесной формы заряженной электропроводной капли в электростатическом подвесе й С.О. Ширяева Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, 150000 Ярославль,
  43. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 1 Об определении температуры Дебая из экспериментальных данных й М.Н. Магомедов Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия E-mail: danterm@dinet.ru
  44. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 11 01;05 Твердофазные реакции, ограниченные энергетическим барьером й А.И. Баранов, Н.И. Бояркина, А.В. Васильев Институт физики полупроводников СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия (Поступило в Редакцию 4
  45. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 Зеленая полоса люминесценции пленок оксида цинка, легированных медью в процессе термической диффузии Ж й Я.И. Аливов, М.В. Чукичев , В.А. Никитенко Институт проблем технологии микроэлектроники
  46. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Концентрационная зависимость радиуса состояния акцепторов в кристаллах p-Hg0.78Cd0.22Te й В.В. Богобоящий Кременчугский государственный политехнический институт, 39614 Кременчуг, Украина
  47. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 01;04;05 Динамика плавления и кристаллизации монокристаллического кремния при воздействии компрессионных плазменных потоков й С.И. Ананин,1 В.М. Асташинский,1 А.С. Емельяненко,1 Е.А. Костюкевич,1 А.М.
  48. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 8 01;03 Капиллярные колебания плоской заряженной поверхности жидкости с конечной проводимостью й С.О. Ширяева, А.И. Григорьев, В.А. Коромыслов Ярославский государственный университет, 150000 Ярославль,
  49. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Диэлектрические свойства поликристаллического ZnS й Д.Н. Шеваренков, А.Ф. Щуров Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия (Получена 23
  50. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Формирование двумерных структур фотонных кристаллов в кремнии для ближнего ИК диапазона с использованием остросфокусированных ионных пучков й А.Ф. Вяткин, Е.Ю. Гаврилин, Ю.Б. Горбатов, В.В. Старков, В.В.
  51. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 1 02;03;07;12 Селективная инфракрасная многофотонная диссоциация молекул в импульсном газодинамическом потоке малой протяженности й Г.Н. Макаров, Д.Е. Малиновский, Д.Д. Огурок Институт спектроскопии РАН,
  52. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 04 О физической модели обратного движения катодного пятна й Ю.К. Бобров, В.П. Быстров, А.А. Рухадзе Институт общей физики РАН, 119991 Москва, Россия (Поступило в Редакцию 23 марта 2005 г.) Предложена
  53. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 05 О природе низкотемпературных аномалий неупругих свойств металлических стекол й Л.В. Спивак1, В.А. Хоник 1 Пермский государственный университет, 614600 Пермь, Россия Воронежский государственный
  54. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 04;12 Самоподдерживающиеся колебания в слаботочном разряде с полупроводником в роли катода и балластного сопротивления.I. Эксперимент й Е.Л. Гуревич,1,2 Ю.П. Райзер,3 Х.-Г. Пурвинс1 1 Institute fr
  55. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Моделирование диффузионной нестабильности распределения атомов ртути в сплаве кадмий-ртуть-теллур й А.С. Васин, М.И. Василевский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950
  56. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 9 02 Процессы спинового обмена и хемоионизации при столкновении поляризованных метастабильных атомов гелия с атомами цезия в основном состоянии й С.П. Дмитриев, Н.А. Доватор, В.А. Картошкин
  57. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 Зонная структура и пространственное распределение заряда в AlxGa1-xN й В.Г. Дейбук, А.В. Возный, М.М. Слетов Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, 274012 Черновцы, Украина
  58. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 1 01;04;10 Конкуренция неустойчивостей в условиях черенковского и аномального доплеровского резонансов электронного пучка с ленгмюровской и циклотронной волнами магнитоактивной плазмы 2 й И.Н. Карташов,1
  59. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 01;03 Аналитический нелинейный расчет равновесной формы заряженной капли, равноускоренно движущейся в электростатическом поле й С.О. Ширяева Ярославский государственнй университет им. П.Г. Демидова,
  60. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 1 Спектры характеристических потерь электронов дихалькогенидов молибдена й А.Н. Тимошкин, В.Вал. Соболев, В.В. Соболев Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия E-mail: sobolev@uni.udm.ru
  61. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Ge / Si-фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи й А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров Институт физики
  62. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1 О стабилизации уровня Ферми в сплавах на основе теллурида свинца, легированных галлием й Е.П. Скипетров, Е.А. Зверева, Л.А. Скипетрова, О.С. Волкова, Е.И. Слынько Московский государственный
  63. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 05;12 Влияние реактивных напряжений на теплоту мартенситных превращений в никелиде титана й С.А. Егоров Научно-исследовательский институт математики и механики Санкт-Петербургского государственного
  64. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 3 01;06 Магнитосопротивление плоского наномостика 1 й К.А. Звездин, А.В. Хвальковский Институт общей физики РАН, 119991 Москва, Россия 1 e-mail: khvalkov@ran.gpi.ru (Поcтупило в Редакцию 2 июня 2003 г.)
  65. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 3 01;09;10 Спектр колебаний заряженных частиц в квадрупольном радиочастотном поле й М.Ю. Судаков Рязанский гусударственный педагогический университет, 390000 Рязань, Россия (Поступило в Редакцию 1
  66. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 8 01;03 Полностью двумерная модель для анализа характеристик линейного цилиндрического индукционного насоса й И.Р. Кириллов, Д.М. Обухов Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им.
  67. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 12 04;07;12 О распределении по энергиям электронов пучка при объемном наносекундном разряде в воздухе атмосферного давления й В.Ф. Тарасенко, И.Д. Костыря, В.К. Петин, С.В. Шляхтун Институт сильноточной
  68. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs й А.В. Мурель, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, В.И. Шашкин, В.Б. Шмагин, О.И. Хрыкин Институт физики
  69. Журнал технической физики, 2007, том 77, вып. 1 01;02 Логарифмически точные полные сечения рассеяния быстрых электронов на атомах й Б.А. Зон, В.Б. Зон Воронежский государственный университет, 394006 Россия, Воронеж e-mail: zon@niif.vsu.ru (Поступило
  70. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 06;07 Оптическая бистабильность и модуляция света в тонкопленочных резонаторах на основе эффекта полного внутреннего отражения й А.Д. Солер, Ю.П. Удоев Санкт-Петербургский государственный технический
  71. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 01;02 Расчет энергопередачи осколками деления от плоского уранового слоя к тонкой проволочке й А.А. Пикулев Российский федеральный ядерный центр Ч Всероссийский научно-исследовательский институт
  72. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 03;04 Ионизация воздуха в околокритическом электрическом поле й А.Ф. Александров,1 В.Л. Бычков,2 Л.П. Грачев,2 И.И. Есаков,1 А.Ю. Ломтева1 1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
  73. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 3 01;05;06 Решение обратной задачи динамической дифракции на неоднородных кристаллах методом итераций й С.Г. Подоров, В.И. Пунегов Сыктывкарский государственный университет, 167001 Сыктывкар, Россия
  74. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 04;05;12 Характеристики нанопорошков оксида никеля, полученных электрическим взрывом проволоки й Ю.А. Котов, А.В. Багазеев, И.В. Бекетов, А.М. Мурзакаев, О.М. Саматов, А.И. Медведев, Н.И. Москаленко,
  75. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании й Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук, Э.В. Яшина, В.Б. Иконников Московский энергетический
  76. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 8 05;06;07 Диэлектрическая функция твердых растворов GaPAs в области колебательного поглощения й А.В. Гончаренко,1 О.С. Горя,2 Н.Л. Дмитрук, А.А. Михайлик,3 В.Р. Романюк1 1 Институт физики
  77. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 01;03 Об одном способе одновременного измерения массового расхода жидкости и ее плотности й Е.В. Майоров, В.А. Онищук Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН, 119991 Москва, Россия e-mail:
  78. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 10 06;07;11 Деградация арсенида галлия при воздействии эксимерного лазера й А.В. Градобоев, А.И. Федоров Институт оптики атмосферы СО РАН, 634055 Томск, Россия E-mail: lfmi@asd.tomsk.su (Поступило в
  79. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Оптические характеристики комплексов, связанных с 1.18 эВ полосой люминесценции в n-GaAs : Sn(Si): результаты исследований фотолюминесценции при поляризованном резонансном возбуждении й А.А.
  80. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Инфракрасная томография времени жизни и диффузионной длины носителей заряда в слитках полупроводникового кремния й В.Д. Ахметов, Н.В. Фатеев Институт физики полупроводников Сибирского отделения
  81. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 01;04 Самоподдерживающиеся колебания в слаботочном разряде с полупроводником в роли катода и балластного сопротивления.II. Теория й Ю.П. Райзер,1 Е.Л. Гуревич,2,3 М.С. Мокров1 1 Институт проблем
  82. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Влияние скорости осаждения Ge на рост и фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si) / Si(001) й Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский Институт
  83. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 6 05;06;07;12 Получение, свойства и возможности применения в наноэлектронике лазерных интеркалатов й И.М. Будзуляк, И.И. Григорчак, Б.К. Остафийчук, Л.С. Яблонь Прикарпатский университет им. Василия
  84. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1 Влияние уровня легирования на фотопроводимость пленок микрокристаллического гидрированного кремния + й А.Г. Казанский , Х. Мелл , Е.И. Теруков , П.А. Форш Московский государственный
  85. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Влияние инверсии зон на фононные спектры твердых растворов Hg1-xZnxTe й Л.К. Водопьянов, И.В. Кучеренко , А. Марчелли , Е. Бураттини , М. Пиччинини , М. Честелли Гауди , Р. Трибуле+
  86. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 9 02;07;12 Стереодинамика фотохимических реакций й О.С. Васютинский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 14 января 1999 г.) Представлен
  87. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 Полевая зависимость скорости термической эмиссии дырок с комплекса VGaSAs в арсениде галлия й С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Жуков Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск,
  88. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Классический аналог модели ЧалкераЦКоддингтона й С.Н. Дороговцев Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 30 мая 1997 г.) Описан
  89. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 05;12 Металлизация селена при ударном сжатии й С.Д. Гилев Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия e-mail: gilev@hydro.nsc.ru (Поcтупило в Редакцию 18 ноября 2005
  90. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 10 01;03 Нелинейные капиллярные колебания заряженного пузырька в идеальной диэлектрической жидкости й А.Н. Жаров, А.И. Григорьев, И.Г. Жарова Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова,
  91. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 01;03 Конвективные движения в слое вязкой жидкости с однородно заряженной свободной поверхностью й Д.Ф. Белоножко, А.И. Григорьев Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, 150000
  92. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 01;03;04 Торможение и ускорение быстрых электронов в плотном газе, находящемся в электрическом поле й А.Н. Ткачев, С.И. Яковленко Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
  93. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Особенности температурной зависимости поляризации фотолюминесценции комплексов вакансия GaЦSnGa(SiGa) в GaAs при резонансном поляризованном возбуждении й А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов
  94. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 06 Равновесные состояния и квазистатическое перемагничивание мультислойной структуры й Д.И. Семенцов, А.М. Шутый Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия e-mail:
  95. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 1 04;05;12 Получение наноалмазных композиционных материалов в плазме микроволнового газового разряда низкого давления й Р.К. Яфаров Саратовское отделение Института радиотехники и электроники РАН, 410019
  96. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 7 01;05;06;12 Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом жидкофазной эпитаксии I. Теоретические аспекты проблемы и расчетная модель й Р.Х. Акчурин1, Д.В. Комаров2 1 Московская
  97. Журнал технической физики, 2007, том 77, вып. 1 02;03;07 Инициирование детонационной волны при обтекании клина сверхзвуковым потоком водородно-кислородной смеси резонансным лазерным излучением й Л.В. Безгин, В.И. Копченов, А.М. Старик, Н.С. Титова
  98. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 01;03;12 О природе импульсного давления, создаваемого взрывом проволоки в воде й В.П. Кортхонджия, М.О. Мдивнишвили, З.К. Саралидзе Институт физики им. Э.Л. Андроникашвили АН Грузии, 0177 Тбилиси,
  99. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 04;07 Планарная XeCl эксилампа с накачкой тлеющим разрядом низкого давления й Э.А. Соснин, В.Ф. Тарасенко Институт сильноточной электроники СО РАН, 634055 Томск, Россия (Поступило в Редакцию 30 июля 1996
  100. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 12 01;06;07;09 Нелинейное возбуждение второй гармоники в полупроводниковой сверхрешетке, помещенной в магнитное поле й А.А. Булгаков, О.В. Шрамкова Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН

Pages:     | 1 |   ...   | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам