Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[5901-6000]

Pages:     | 1 |   ...   | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 10 05;06;12 Самораспространяющийся высокотемпературный синтез и твердофазные реакции в двухслойных тонких пленках й В.Г. Мягков, В.С. Жигалов, Л.Е. Быкова, В.К. Мальцев Институт физики им. Л.В. Киренского
  2. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 4 05;06 Динамика домена в диоде Ганна в цепи с резистивной нагрузкой й С.И. Домрачев, А.А. Кузнецов Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, 410026 Саратов, Россия E-mail:
  3. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 3 05;06;07;10;12 Влияние последовательного электронного и лазерного облучения на фотолюминесценцию пористого кремния й Б.М. Костишко, А.М. Орлов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск,
  4. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Электронный спектр и электрофизические свойства германия с двухзарядной примесью золота по обе стороны разнодолинного перехода L1 1 при всестороннем давлении до 7 ГПа й М.И. Даунов, И.К.
  5. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 05;06;12 Влияние кластеризованной структуры эпитаксиальных пленок LaCa(Sr)MnO на их магнитные, электронные и оптические свойства й З.А. Самойленко,1 В.Д. Окунев,1 Е.И. Пушенко,1 Т.А. Дьяченко,1 О.П.
  6. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 01;05;11 Фотополевая миграция и десорбция примесных ионов й В.Н. Стрекалов Московский государственный технологический университет ФСтанкинФ, 101472 Москва, Россия (Поступило в Редакцию 19 августа 1996
  7. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 4 05;06;11 Структура и состав пленок нитрида галлия, полученных путем обработки монокристаллов арсенида галлия в атомарном азоте й Г.А. Сукач,1 В.В. Кидалов,2 М.Б. Котляревский,2 Е.П. Потапенко1 1
  8. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами й Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, Н.К. Федосов, Д.А. Фирсов , В.А. Шалыгин, + З З
  9. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 04;07;12 О формировании импульсов наносекундной длительности в XeBr-эксилампе барьерного разряда й С.М. Авдеев, И.Д. Костыря, Э.А. Соснин, В.Ф. Тарасенко Институт сильноточной электроники СО РАН,
  10. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 6 05;08 Фокусировка фононов в кристаллах CdSe, ZnS, ZnO й В.В. Зубрицкий Институт физики им. Б.И. Степанова АН Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия (Поступило в Редакцию 25 января 1996 г.) Рассчитаны
  11. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 10 03;04;06;12 Молекулярно-пучковая эпитаксия GaAsN на GaAs с использованием плазменного источника, возбуждаемого постоянным током 2 й А.Е. Жуков,1 Е.С. Семенова,1 В.М. Устинов,1 E.R. Weber 1
  12. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 04 Расчет параметров сильноточного отражательного разряда с горячим катодом й Л.А. Зюлькова, А.В. Козырев, Д.И. Проскуровский Институт сильноточной электроники СО РАН, 634055 Томск, Россия e-mail:
  13. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 11 07;08;09 Взаимодействие света с акустическими СВЧ волнами, возбуждаемыми непериодическими многоэлементными преобразователями. II й М.А. Григорьев, А.В. Толстиков, Ю.Н. Навроцкая Саратовский
  14. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях й А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
  15. Физика твердого тела, 1999, том 41, № 1 Квазиравновесные состояния твердых растворов й М.А. Захаров Новгородский государственный университет, 173003 Новгород, Россия (Поступила в Редакцию 9 февраля 1998 г.В окончательной редакции 23 июня 1998 г.)
  16. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 9 01;05 Предельный переход при скин-эффекте в металлах к бесконечной проводимости й А.И. Спицын Харьковский национальный университет радиоэлектроники, 433053 Харьков, Украина (Поступило в Редакцию 26
  17. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 8 06;12 Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП транзистора й М.Н. Левин, Е.Н. Бормонтов, А.В. Татаринцев, В.Р. Гитлин Воронежский государственный
  18. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 4 05;06;12 Отрицательные кристаллы карбида кремния й В.А. Карачинов Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия (Поступило в Редакцию 10 мая 2001 г.)
  19. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 1 01;07;08;12 Повышение эффективности акустооптического модулятора с двухлучевой диаграммой направленности методом коррекции двухчастотного электрического сигнала 1 й С.Н. Антонов,1 В.В. Проклов,1 Ю.Г.
  20. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 5 05:06:12 Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур й А.Ю. Аскинази, А.П. Барабан, Л.В. Милоглядова Санкт-Петербургский государственный
  21. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 9 06;11;12 Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур й Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021
  22. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 05;06 Особенности структуры и магнитные свойства аморфных сплавов на основе железа и кобальта в зависимости от условий нанокристаллизации й Н.И. Носкова, В.В. Шулика, А.Г. Лаврентьев, А.П. Потапов,
  23. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 04;07;12 Пространственное изменение характеристик эрозионной плазмы свинца при распространении лазерного факела от мишени й А.К. Шуаибов, М.П. Чучман Ужгородский национальный университет, 88000
  24. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 2 01;06 Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров й Е.Н. Бормонтов, М.Н. Левин, С.А. Вялых, С.Н. Борисов Воронежский
  25. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 Влияние водорода на электронную структуру и свойства нитрида бора + + + й С.Е. Кулькова , Д.В. Чудинов , Д.В. Ханин Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской
  26. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 3 05;11;12 Внедрение щелочноземельного металла в структуру графита с целью снижения работы выхода й А.С. Батурин, К.Н. Никольский, А.И. Князев, Р.Г. Чесов, Е.П. Шешин Московский физико-технический
  27. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 1 05;06;11 Моделирование фазовых переходов, инициируемых в арсениде галлия комбинированным воздействием лазерного излучения й С.П. Жвавый, Г.Д. Ивлев, О.Л. Садовская Институт электроники АН Белоруссии,
  28. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 12 10 Ахроматические дефлектроны из совмещенных электродов-полюсов 2 й Л.П. Овсянникова,1 Т.Я. Фишкова,1 И.А. Петров 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург 2 Applied
  29. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 10 04;12 Локализация плазмы в протяженном полом катоде плазменного источника ленточного электронного пучка й Ю.А. Бурачевский, В.А. Бурдовицин, А.С. Климов, Е.М. Окс, М.В. Федоров Томский государственный
  30. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Структурные характеристики и физические свойства диселенида титана, интеркалированного марганцем й В.Г. Плещев, А.Н. Титов, Н.В. Баранов Уральский государственный университет им. А.М. Горького, 620083
  31. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 10;11;12 Атомное строение кластеров серебра на кремнии й М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Н.С. Фараджев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 21
  32. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 1 01;05;06 О прогнозировании свойств двухфазных композиционных материалов с пьезоактивным компонентом й В.И. Алешин, Е.С. Цихоцкий, В.К. Яценко Научно-исследовательский институт физики при Ростовском
  33. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 04;10;12 О распределении электронных потоков по поверхности катода в разряде с осциллирующими электронами й Г.А. Егиазарян, Ж.Б. Хачатрян, Э.С. Бадалян, Э.И. Тер-Геворкян, В.Н. Оганесян Ереванский
  34. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 01;05;09 Распространение прямоугольных импульсов магнитостатических волн в пленках железоиттриевого граната 1 й А.А. Галишников,1 А.В. Кожевников,1 Р. Марчелли,2 С.А. Никитов,3 Ю.А. Филимонов 1
  35. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Фотолюминесценция GeSi/Si(001) самоорганизующихся наноостровков различной формы й Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский Институт физики микроструктур
  36. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 05;06;12 Связь электронных свойств границы раздела фаз с межфазными взаимодействиями в гетероструктурах NbNЦGaAs й А.А. Беляев1, И. Готовы2, Е.Ф. Венгер1, В.Г. Ляпин1, Р.В. Конакова1, В.В. Миленин1, Ю.А.
  37. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 10 05;06;12 Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности й И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков
  38. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Расчет состояний мелких доноров в квантовых ямах в магнитном поле методом разложения по плоским волнам й В.Я. Алешкин , Л.В. Гавриленко Институт физики микроструктур Российской академии наук,
  39. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 07 Динамика связанных волн в световодах с переменными по длине дисперсионными и нелинейными параметрами й И.О. Золотовский, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск,
  40. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 10 06;12 Кремниевый двухэмиттерный дифференциальный тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе й Г.Г. Бабичев, С.И. Козловский, В.А. Романов, Н.Н. Шаран Институт физики полупроводиников АН
  41. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 10 05;06 Неравновесные индуктивные быстродействующие детекторы на основе тонких сверхпроводниковых пленок й И.Г. Гогидзе, П.Б. Куминов, А.В. Сергеев, А.И. Елантьев, Е.М. Меньщиков, Е.М. Гершензон Московский
  42. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 9 01;02;06 Термодинамика образования углеродных нанотрубок разной структуры из пересыщенных капель расплава й Н.И. Алексеев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  43. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 4 06 Источники фликкер-шума и технология сверхпроводящих микрополосков на основе пленок иттрий-бариевого купрата й С.Ф. Карманенко,1 А.А. Семенов,1 В.Н. Леонов,2 А.В. Бобыль,3 А.И. Дедоборец,3 А.В.
  44. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 7 05;06;07;12 Количественный рентгенотопографический анализ дефектов монокристаллов 6HЦSiC и гомоэпитаксиального карбида кремния й Г.Ф. Кузнецов Институт радиотехники и электроники РАН, 141120 Фрязино,
  45. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 11 06;12 Метод оценки погрешностей измерения вольт-амперных характеристик джозефсоновских контактов й С.И. Боровицкий, В.Д. Геликонова, А.В. Комков, Х.А. Айнитдинов , А.М. Клушин Нижегородский
  46. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Металлические пленки на поверхности ЩГК, образованные в процессе термодиффузии внутрикристаллической примеси й Л.И. Брюквина, Е.А. Ермолаева, С.Н. Пидгурский, Л.Ф. Суворова, В.М. Хулугуров Иркутский филиал
  47. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 04;07;12 Рентгеновское излучение при формировании объемных разрядов наносекундной длительности в воздухе атмосферного давления й И.Д. Костыря,1 В.Ф. Тарасенко,1 А.Н. Ткачев,2 С.И. Яковленко2 1 Институт
  48. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 12 05;06;12 Кремниевые МОП-структуры с нестехиометрическими металлоксидными полупроводниками й Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, Е.Е. Тутов, Е.Н. Бормонтов Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж,
  49. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Распределение электронов между долинами и сужение запрещенной зоны при пикосекундной суперлюминесценции в GaAs й Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов Институт радиотехники и электроники
  50. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 5 05;06;10;11;12 Формирование заданных профилей концентрации внедренных атомов и радиационных дефектов при использовании монохроматических пучков ускоренных ионов й Г.М. Гусинский, А.В. Матюков
  51. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 3 01;05;11 Энергетические спектры и температурные распределения кластеров при ионном распылении металла й В.И. Матвеев,1 С.А. Кочкин Поморский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 163006
  52. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1 Об одном механизме зародышеобразования в кристаллах с комбинированной анизотропией й Р.М. Вахитов, А.Р. Юмагузин Башкирский государственный университет, 450074 Уфа, Россия Институт физики молекул и
  53. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 5 06;07;11;12 Кинетика электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем й Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск,
  54. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 01;05 Пиннинг линейных вихрей в трехмерной упорядоченной джозефсоновской среде и возможные расстояния между ними й М.А. Зеликман Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251
  55. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 12 01;10;12 Характеристики многополюсных линз с идеальной центральной частью полюса й В.В. Вечеславов, О.В. Григорьева Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера РАН, 630090 Новосибирск, Россия e-mail:
  56. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 1 07;08;12 Оптимизация акустооптического перестраиваемого фильтра на кристалле KDP й В.Б. Волошинов, Д.В. Богомолов, А.Ю. Трохимовский Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992
  57. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 1 05;06;12 Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии й Н.В. Демарина, С.В. Оболенский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600
  58. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 4 01;05;06;09 Кремниевый однопереходный тензотранзистор й Г.Г. Бабичев, С.И. Козловский, В.А. Романов, Н.Н. Шаран Институт физики полупроводников НАН Украины, 03028 Киев, Украина e-mail:
  59. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 04;05;12 Исследование пылевой моды испарения углеродных макрочастиц в стеллараторе W7-AS 3 й В.Ю. Сергеев,1 В.Г. Скоков,1 В.М. Тимохин,1 Б.В. Кутеев,2 В.Ю. Мартыненко,2 Р. Бурхенн 1
  60. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 11 01;06 Модель проводимости нано-МИМ диода с углеродистой активной средой с учетом эффектов перколяции й В.М. Мордвинцев, В.Л. Левин Институт микроэлектроники РАН, 150007 Ярославль, Россия (Поступило в
  61. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 10 01;05 Диссипативные процессы в сплавах при проявлении эффекта безызносного трения й Т.А. Шахназаров, Ю.А. Тахтарова, Т.С. Лугуев Институт физики Дагестанского научного центра РАН, 367003 Махачкала,
  62. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Пути получения упорядоченных гетероструктур GeЦSi с германиевыми нанокластерами предельно малых размеров й Ю.Б. Болховитянов, С.Ц. Кривощапов, А.И. Никифоров, Б.З. Ольшанецкий, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов,
  63. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si й А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский Институт физики
  64. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 2 05;06;07;12 Лазерная имплантация и диффузия магния в кремний й В.М. Арутюнян, А.П. Ахоян, З.Н. Адамян, Р.С. Барсегян Ереванский государственный университет, 375049 Ереван, Армения E-mail:
  65. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Влияние локализации в квантовой яме на время жизни состояний мелких примесных центров Ж Ж й Е.Е. Орлова, P. Harrison , W.-M. Zheng , M.P. Halsall Институт физики микроструктур Российской
  66. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 12 11,12 Температурная зависимость работы выхода островков гафния на вольфраме й О.Л. Голубев, Т.И. Судакова, В.Н. Шредник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  67. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 3 04;10;12 Зависимость устойчивости транспортировки сильноточного релятивистского электронного пучка в плотных газовых средах от параметров создаваемого плазменного канала й Н.А. Кондратьев, В.И.
  68. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Эффективная генерация второй гармоники в структуре с двойными квантовыми ямами й А.Ж. Хачатрян, Д.М. Седракян+, В.Д. Бадалян+, В.А. Хоецян+ Государственный инженерный университет Армении,
  69. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 9 05;06 Формирование петли температурного гистерезиса при фазовом переходе металЦполупроводник в пленках диоксида ванадия й В.А. Климов,1 И.О. Тимофеева,2 С.Д. Ханин,2 Е.Б. Шадрин,1 А.В. Ильинский,3 Ф.
  70. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Воздействие импульсного лазерного излучения на реальную структуру монокристаллов CdTe й И.Л. Шульпина, Н.К. Зеленина, О.А. Матвеев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  71. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 07;12 Распространение света в циркулярной системе туннельно связанных волноводов при фокусировке входного пучка света й Д.Х. Нурлигареев, К.М. Голант, В.А. Сычугов, Б.А. Усиевич Институт общей физики
  72. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 2 05;06;09 Многощелевые линии передачи сверхвысоких частот на основе структуры сегнетоэлектрическая пленкаЦдиэлектрическая подложка й И.Г. Мироненко, А.А. Иванов Санкт-Петербургский государственный
  73. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 5 04;10 Расчет трекинг-силы, действующей на релятивистский электронный пучок при транспортировке внутри проводящего волновода в омическом режиме и случае ионной фокусировки й Е.К. Колесников, А.С.
  74. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 05;12 Магнитные и магнитоупругие свойства аморфных ферромагнитных сплавов, обработанных электрическим током й А.А. Гаврилюк, А.Л. Семенов, А.Ю. Моховиков, Д.В. Прудников, Д.А. Ширяев Иркутский
  75. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Перезарядка центров с глубокими уровнями и отрицательная остаточная фотопроводимость в селективно легированных гетероструктурах AlGaAs / GaAs й В.И. Борисов, В.А. Сабликов, И.В. Борисова, А.И.
  76. Физика твердого тела, 1999, том 41, № 1 Особенности примесного электросопротивления в ферромагнетиках с малой концентрацией носителей й В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии
  77. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 07;12 Двухпроходный лазерный усилитель на парах меди с высокой пиковой мощностью й В.Т. Карпухин, М.М. Маликов Объединенный институт высоких температур РАН, 125412 Москва, Россия e-mail:
  78. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 3 11;12 Полевое испарение сплава HfЦMo й М.В. Логинов, В.Н. Шредник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 27 ноября 1996 г.) Полевое испарение
  79. Журнал технической физики, 2007, том 77, вып. 1 05;12 Универсальная зависимость критического тока в керамических высокотемпературных сверхпроводниках й Н.А. Боголюбов Институт неорганической химии СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия e-mail:
  80. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 5 05;06;11;12 Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия й С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь Нижегородский
  81. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 03;04;06;07;10 О формировании рентгеновского излучения с высокой частотой следования импульсов при объемном наносекундном разряде в открытомгазовомдиоде й В.Ф. Тарасенко,1 С.К. Любутин,2 С.Н. Рукин,2
  82. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 3 02;10;12 Фокусировка интенсивного нейтрализованного протонного пучка 2 й В.И. Энгелько,1 Х. Гизе,2 В.С. Кузнецов,1 Г.А. Вязьменова,1 С. Шальк 1 Научно-исследовательский институт электрофизической
  83. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 12 05;11;12 Однонаправленная анизотропия в ферро-ферримагнитной пленочной структуре 1 й Г.И. Фролов,1 В.Ю. Яковчук,1 В.А. Середкин,1 Р.С. Исхаков,1 С.В. Столяр,1,2 В.В. Поляков 1 Институт физики им. Л.В.
  84. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 10 06;07;12 Влияние длительной работы и температуры на спектры карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя й А.М. Генкин, В.К. Генкина, Л.П. Гермаш Национальный технический
  85. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 01;05 Термодинамический подход к описанию металлических твердых тел й В.Ю. Бодряков, А.А. Повзнер, И.В. Сафонов Уральский государственный технический университет Ч УПИ, 620002 Екатеринбург, Россия
  86. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 12 01;07 О времени запаздывания суммарного сигнала нескольких квазимонохроматических излучателей й Н.С. Бухман Самарский государственный архитектурно-строительный университет, 443001 Самара, Россия
  87. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Взаимосвязь энергии наноостровков SiGe с их формой и размерами й М.Я. Валах, В.Н. Джаган, З.Ф. Красильник , П.М. Литвин, Д.Н. Лобанов , Е.В. Моздор, А.В. Новиков , В.А. Юхимчук, А.М. Яремко Институт
  88. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Локализация пластической деформации в монокристаллах фторида бария при повышенных температурах й Н.П. Скворцова Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия
  89. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 11;12 Незаполненные электронные состояния пленки олигомера кватерфенила и ее интерфейса с поверхностями золота и окисленного кремния й А.С. Комолов1,2 1 Научно-исследовательский институт физики им.
  90. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Исследование физической природы фотомеханического эффекта й А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, 384000 Кутаиси, Грузия
  91. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Излучательная рекомбинация в структурах с квантовыми ямами Zn1-xMnxTe/Zn0.59Mg0.41Te Ч экситонная и внутрицентровая люминесценция й В.Ф. Агекян, Н.Н. Васильев, А.Ю. Серов, Ю.А. Степанов, У.В.
  92. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 05;11;12 Моделирование влияния радиуса иглы на чувствительность атомно-силового микроскопа й А.В. Покропивный1, В.В. Покропивный2, В.В. Скороход2 1 Московский физико-технический институт, 141700 Москва,
  93. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 11 01;05;11 Энергобаланс в системе иглаЦобразец туннельного микроскопа в режиме модификации поверхности й И.А. Дорофеев Институт физики микроструктур РАН, 603600 Нижний Новгород, Россия (Поступило в
  94. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 01;08;12 Ультразвуковой двигатель на волнах в пластинах й А.Б. Надточий, А.М. Горб, О.А. Коротченков Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, 03022 Киев, Украина e-mail: nadt@gala.net
  95. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1 Латеральный электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек й В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, В.А. Рогозин, В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров,
  96. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1 Спонтанная спиновая поляризация электронов в квантовых проволоках й И.А. Шелых+, Н.Т. Баграев, В.К. Иванов+, Л.Е. Клячкин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  97. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 8 05;12 Температурная зависимость откольной прочности и эффект аномальных температур плавления при ударно-волновом нагружении й Ю.В. Петров, Е.В. Ситникова Санкт-Петербургский государственный университет
  98. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 01;05 Энергетический подход к определению уровня мгновенной поврежденности й А.В. Каштанов, Ю.В. Петров Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия e-mail:
  99. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs / AlSb с квантовыми ямами й В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко , А.В. Иконников, Ю.Г. Садофьев , J.P. Bird , S.R.
  100. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 2 06;07;11;12 Использование эффекта взаимодействия пленок серебра и триселенида мышьяка для профилирования голограммных дифракционных решеток й Н.В. Сопинский, П.Ф. Романенко, И.З. Индутный Институт

Pages:     | 1 |   ...   | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам