Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[5801-5900]

Pages:     | 1 |   ...   | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Флуктуации состава в изотопических твердых растворах , й А.А. Клочихин , В.Ю. Давыдов , Е.Р. Сеель Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  2. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 3 01;10 Применение формулы Донкина в теории энергоанализаторов. II й П.Г. Габдуллин, Ю.К. Голиков, Н.К. Краснова, С.Н. Давыдов Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251
  3. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu(Al, In)/p-CuIn3Se5 й И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь+ Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220031 Минск,
  4. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Термоэлектрические свойства облученных ионами водорода кристаллов кремния при сверхвысоком давлении до 20 GPa й С.В. Овсянников, В.В. Щенников, И.В. Антонова, Вс.В. Щенников, С.Н. Шамин Институт физики
  5. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Кремниевые светодиоды, излучающие в области зона-зонных переходов: влияние температуры и величины тока й А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Е.И. Шек Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  6. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 8 06;07;12 Структура, свойства и механизм электролюминесценции пленок ZnS : Cu, полученных химическим методом й В.С. Хомченко, Л.В. Завьялова, Н.Н. Рощина, Г.С. Свечников, И.В. Прокопенко, В.Е. Родионов,
  7. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 Влияние примесей на излучательную рекомбинацию через центры EL2 в монокристаллах арсенида галлия й М.Б. Литвинова Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев,
  8. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 6 06;07;12 Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металЦарсенид галлия с текстурированной границей раздела й Н.Л. Дмитрук, О.Ю. Борковская, Р.В. Конакова, И.Б.
  9. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 01;05 Закономерности локализаци пластической деформации при формировании шейки в сплаве циркония й Т.М. Полетика, Г.Н. Нариманова, С.В. Колосов Институт физики прочности и материаловедения СО РАН,
  10. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 01;03 Нелинейные периодические волны на заряженной поверхности слоя идеальной жидкости конечной толщины й С.А. Курочкина, А.И. Григорьев Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова,
  11. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 2 01;05;06 Исследование структурных характеристик полупроводниковой сверхрешетки (InGa)As/GaAs c использованием высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии й Я.И. Нестерец1, В.И. Пунегов1, К.М.
  12. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 8 01;03 Влияние формы начальной деформации заряженной капли на нелинейные поправки к критическим условиям реализации ее неустойчивости й А.И. Григорьев, А.Н. Жаров, С.О. Ширяева Ярославский
  13. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 01;03 Нелинейные осцилляции заряженной капли, ускоренно движущейся в электростатическом поле й С.О. Ширяева Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, 150000 Ярославль, Россия e-mail:
  14. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1 Оценки параметров нитридов элементов третьей группы: BN, AlN, GaN и InN й С.Ю. Давыдов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия
  15. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя Ga(In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs / GaAs й И.А. Карпович , А.В. Здоровейщев, С.В. Тихов, П.Б. Демина, О.Е.
  16. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 10 06;12 Кремниевые двухстоковые полевые тензотранзисторы й Г.Г. Бабичев, С.И. Козловский, В.А. Романов, Н.Н. Шаран Институт физики полупроводников АН Украины, 252650 Киев, Украина (Поступило в Редакцию
  17. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 6 06;12 Прямое сращивание кремниевых пластин с одновременным формированием диффузионных слоев й И.В. Грехов,1 Л.С. Костина,1 Т.С. Аргунова,1 Е.И. Белякова,1 Н.М. Шмидт,1 К.Б. Костин,1 Е.Д. Ким,2 С.Ч.
  18. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 4 01;03 Кинетические явления при течении газовой смеси в наноразмерных капиллярах. Влияние поверностных сил 2 й В.И. Ролдугин,1 В.М. Жданов 1 Институт физической химии РАН, 119991 Москва, Россия e-mail:
  19. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 1 06;07 Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn й Н.Т. Гурин, Д.В. Рябов Ульяновский государственный университет, 432970 Ульяновск,
  20. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 9 05;06;09 Феррогранатовые пленки с повышенной термостабильностью магнитных параметров й С.И. Ющук, П.С. Костюк, И.Е. Лопатинский Государственный университет ФЛьвовская политехникаФ, 290646 Львов, Украина
  21. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 04;12 Особенности энергомассового состава плазмы коаксиального вакуумного наносекундного поверхностного разряда й С.В. Барахвостов, И.Л. Музюкин, Ю.Н. Вершинин Институт электрофизики Уральского
  22. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 1 Особенности спектра ЭПР в районе случайного совпадения положений взаимодействующих переходов й В.А. Важенин, В.Б. Гусева, М.Ю. Артемов Научно-исследовательский институт физики и прикладной математики
  23. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 Электронный парамагнитный резонанс в области перехода металЦизолятор в компенсированном n-Ge : As й А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  24. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Отрицательная фотопроводимость в среднем ИК-диапазоне селективно легированных гетероструктур SiGe / Si : B с двумерным дырочным газом й А.В. Антонов, В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, З.Ф. Красильник, А.В.
  25. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Состояния собственных дефектов в монокристаллических пленках PbTe, выращенных модулированной лазерным излучением эпитаксией й С.В. Пляцко Институт физики полупроводников Национальной академии наук
  26. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 01;04;05;09 Волны поверхностного типа на границе металла с плазменно-молекулярной средой й Н.А. Азаренков, В.К. Галайдыч Харьковский государственный университет, 310077 Харьков, Украина (Поступило в
  27. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 05 Физические проблемы конденсаторных материалов со структурой типа пирохлора й В.А. Исупов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 30 апреля
  28. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 01;04;10 Многопотоковая неустойчивость в обобщенной модели Доусона й А.Е. Дубинов, Б.Г. Репин Российский федеральный ядерный центр Ч Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной
  29. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Спектры фотопроводимости кристаллов CdHgTe с фотоактивными включениями й А.И. Власенко, З.К. Власенко, А.В. Любченко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев,
  30. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 9 03;05;12 Автоколебательные режимы роста тонких пленок из многокомпонентного пара: динамика и управление й П.Ю. Гузенко, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.Л. Фрадков Институт проблем машиноведения РАН, 199178
  31. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 4 06;12 Исследование структурного совершенства, распределения и перераспределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями
  32. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 12 01;03 О раскачке в нелинейных вторичных комбинационных резонансах осцилляций основной моды движущейся относительно среды заряженной капли й А.И. Григорьев Ярославский государственный университет им.
  33. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 3 01;11 Нелинейные свойства двухфазных композитных пленок во фрактальном режиме й А. Дзедзиц,1 А.А. Снарский,2 С.И. Буда2 1 Вроцлавский политехнический институт, Вроцлав, Польша 2 Национальный
  34. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 2 06;09 Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах й А.А. Барыбин,1 А.И. Михайлов2 1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический
  35. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 БарьерыШоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением й И.В. Боднарь+, В.А. Полубок+, В.Ф. Гременок, В.Ю. РудьЖ, Ю.В. Рудь Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  36. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 07;12 Получение изотопа ртуть-199 фотохимическим методом й Ю.В. Вязовецкий Российский научный центр ДКурчатовский институтУ, 123182 Москва, Россия e-mail: viazov@kiae.imp.ru (Поступило в Редакцию 11
  37. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Наблюдение ловушек неосновных носителей при нестационарной спектроскопии глубоких уровней в диодах Шоттки с высоким барьером и компенсированной приконтактной областью й Е.Н. Агафонов, У.А.
  38. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Оптическая спектроскопия кристаллического и аморфного состояний молибдата европия й С.З. Шмурак, А.П. Киселев, В.В. Синицын, И.М. Шмытько, А.С. Аронин, Б.С. Редькин, Е.Г. Понятовский Институт физики
  39. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 8 06;07 Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка й Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов, А.В. Шляпин Ульяновский государственый
  40. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1 Поглощение света на переходах между подзонами легких и тяжелых дырок в p-MnxHg1-xTe й И.М. Несмелова, Н.С. Барышев , В.А. Андреев ФНП - НПО ФГосударственный институт прикладной оптикиФ, 420075
  41. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Новые механизмы локализации носителей заряда в нано-Si й И.В. Блонский, А.Ю. Вахнин, В.Н. Кадан, А.К. Кадащук Институт физики Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина E-mail: blon@iop.kiev.ua
  42. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Межподзонное поглощение света в гетероструктурах с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs й Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, Н.К. Федосов, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, В.В.
  43. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 11 02;04;07;12 Стимулированное излучение димеров аргона при возбуждении импульсным разрядом с плазменным катодом й А.В. Елецкий1, А.Р. Сорокин2 1 Российский научный центр ФКурчатовский институтФ, 123182
  44. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 12 05;06,09,12 Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур й А.А. Беляев1, А.Е. Беляев1, И.Б. Ермолович1,
  45. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 1 05;12 Выбор на основе волновой теории резания оптимальных режимов высокоскоростной обработки материалов точением й О.В. Вишенкова Московский государственный технологический университет ДСтанкинУ,
  46. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетическими свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS й М.А. Ризаханов, Е.М. Зобов, М.М. Хамидов Институт физики им. Х.И.
  47. Журнал технической физики, 2007, том 77, вып. 1 04;12 Особенности аксиальной эволюции энергетических спектров электронных пучков, эжектируемых из пеннинговского разряда 2 й В.Н. Бориско ,1 А.А. Петрушеня 1 Харьковский национальный университет им.
  48. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 10 05;06;11;12 Влияние шероховатости подложек GaAs (001) на магнитные свойства эпитаксиальных пленок Fe й С.Л. Высоцкий, А.С. Джумалиев, Г.Т. Казаков, Ю.А. Филимонов, А.Ю. Цыплин Саратовский филиал
  49. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута й К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.А. Якушева Институт физики полупроводников Сибирского отделение
  50. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 12 05;06;11 Пленочные носители для устройств памяти со сверхплотной магнитной записью й Г.И. Фролов Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия (Поступило в Редакцию 27 февраля
  51. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 06;07 Определение параметров и характеристик электролюминесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS : Mn й Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов Ульяновский государственный университет, 432970 Ульяновск,
  52. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 05;06;07;12 Исследование состава высших фуллеренов при абляции углеродсодержащих материалов й М.А. Ходорковский,1 Т.О. Артамонова,1 С.В. Мурашов,1 А.Л. Шахмин,1 А.А. Беляева,1 2 Л.П. Ракчеева,1 И.М.
  53. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 6 01;06 Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером й С.В. Аверин Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязинское отделение, 141190 Фрязино, Московская область, Россия e-mail:
  54. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 10 01;04 Упрощенный метод описания эволюции температуры плазмы токамака с нарастающим магнитным островом й Н.Н. Сперанский Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт
  55. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Электронный парамагнитный резонанс и люминесценция хрома в кристаллах германата кальция й О.Н. Горшков, Е.С. Демидов, С.А. Тюрин, А.Б. Чигинева, Ю.И. Чигиринский Научно-исследовательский физико-технический
  56. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 3 07;11;12 Электронная эмиссия, индуцированная рентгеновским излучением во вторично-эмиссионных пористых материалах й П.М. Шихалиев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург,
  57. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 1 05;08;12 Изменение скорости ультразвука при пластической деформации Al й Л.Б. Зуев, Б.С. Семухин, К.И. Бушмелева Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, 634021 Томск, Россия (Поступило в
  58. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Физические особенности электронно-индуцированного дихроизма в стеклообразном трисульфиде мышьяка й О.И. Шпотюк,, В.О. Балицкая Львовский научно-исследовательский институт материалов, 290031 Львов, Украина
  59. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 01;04 Об электрических полях в компактных скоплениях параллельных токовых каналов й В.И. Карелин, А.А. Тренькин Российский федеральный ядерный центр Всероссийский научно-исследовательский институт
  60. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 12 05;12 Об элементарных актах в кинетике электрического разрушения полимеров й А.И. Слуцкер, Ю.И. Поликарпов, В.Л. Гиляров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  61. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 К теории фотогальванических эффектов в кристаллах без центра инверсии й Р.Я. Расулов, Ю.Е. Саленко, А. Тухтаматов, Т. Эски, А.Э. Авлияев Ферганский государственный университет, 712000 Фергана,
  62. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 2 04;06,11;12 Исследование ионной бомбардировки пленок аморфного кремния в процессе плазмохимического осаждения в высокочастотном разряде й А.С. Абрамов1, А.Я. Виноградов1, А.И. Косарев1, А.С. Смирнов2,
  63. Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Когерентное неупругое отражение электронов от неупорядоченных сред с резкой границей й Б.Н. Либенсон Оптическое общество им. Д.С. Рождественского, 199034 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  64. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 03;04;09;12 Области реализации различных типов СВЧ-разряда в квазиоптических электромагнитных пучках й К.В. Александров, Л.П. Грачев, И.И. Есаков, В.В. Федоров, К.В. Ходатаев Московский
  65. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Фотоэлектрические свойства структур In/In2Se3 + + + й Г.А. Ильчук , В.В. Кусьнэж , Р.Ю. Петрусь , В.Ю. Рудь , Ю.В. Рудь, В.О. Украинец+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  66. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 5 01;06 Солитонная линия задержки на основе полупроводниковой сверхрешетки й С.В. Крючков, Е.В. Капля Волжский политехнический институт, филиал Волгоградского государственного технического университета,
  67. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 11 07;08;09 Метод создания широкополосных акустооптических гиперзвуковых брэгговских ячеек й В.В. Петров Саратовский государственный университет, 410071 Саратов, Россия (Поступило в Редакцию 13 мая 1996 г.)
  68. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников й А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, А.Ю. Миронченко, С.В. Шутов Институт физики
  69. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 4 01;06 Вольт-амперные характеристики спинового полуметаллического транзистора й А.К. Звездин, А.С. Мищенко, А.В. Хвальковский Институт общей физики РАН, 119991 Москва, Россия e-mail: khvalkov@ran.gpi.ru
  70. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 05;06;07 Влияние наноструктуры двухфазного стекла на пороги лазерного пробоя и процессы разрушения 2 й Н.Ф. Морозов,1 Ю.К. Старцев,1 Ю.В. Судьенков,1 А.А. Сусликов,1 Г.А. Баранов,2 А.А. Беляев 1
  71. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Осцилляции тока при латеральном транспорте в гетероструктурах GaAs / InGaAs с квантовыми ямами й А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов , Б.Н. Звонков , Е.А. Ускова Институт физики
  72. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Si/Ge наноструктуры для применений в оптоэлектронике ,, ,, ,, , й В.А. Егоров , Г.Э. Цырлин , А.А. Тонких , В.Г. Талалаев , А.Г. Макаров , Н.Н. Леденцов , В.М. Устинов , N.D. Zakharov , P. Werner
  73. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 4 06;12 Условия формирования единичной проводящей наноструктуры при электроформовке й В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев Институт микроэлектроники и информатики РАН, 150007 Ярославль, Россия e-mail:
  74. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 4 03;04;12 Особенности взаимодействия ионов и электронов с наночастицами в плазме, образующейся при горении углеводородного топлива й А.М. Савельев, А.М. Старик Центральный институт авиационного
  75. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах й М.Я. Валах, Р.Ю. Голиней, В.Н. Джаган, З.Ф. Красильник ,
  76. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 2 06;12 Газочувствительность диодных структур на основе карбида кремния й В.И. Филиппов1, П.А. Иванов2, В.Ф. Синянский1, А.А. Терентьев1, С.С. Якимов1 1 Российский научный центр ФКурчатовский институтФ,
  77. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 9 03;06;11;12 Получение тонких пленок полупроводниковых соединений с применением капиллярных испарителей й Б.Н. Грицюк, А.А. Ляхов, С.В. Мельничук, В.Н. Стребежев Черновицкий государственный университет,
  78. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 8 05;06;12 Спин-вентильные магниторезистивные структуры на основе многослойных пленок Co/Tb 1 й А.В. Свалов,1 П.А. Савин,1 Г.В. Курляндская,2,3 И. Гутиеррес,2 В.О. Васьковский 1 Уральский государственный
  79. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 4 06;12 Определение рекомбинационных параметров полупроводникового материала с помощью метода Прони й Ю.А. Быковский, К.В. Колосов, В.В. Зуев, А.Д. Кирюхин, С.И. Расмагин Московский государственный
  80. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 1 05 Стесненное зернограничное проскальзывание и неупругость поликристаллов 2 й Ш.Х. Ханнанов,1 С.П. Никаноров 1 Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, 450075 Уфа, Россия
  81. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1 Локализованные ферроны и переход Мотта в легированных антиферромагнитных полупроводниках через ферромагнитную фазу й Э.Л. Нагаев Институт физики высоких давлений, 142092 Троицк, Московская обл., Россия
  82. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 01;04;10 Влияние магнитного поля анодного тока на движение электронов в триоде с виртуальным катодом й В.П. Григорьев, Т.В. Коваль, А.В. Козловских Томский политехнический университет, 634034 Томск,
  83. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 01;05;06 Переориентация намагниченности в однодоменных частицах и отклик на импульс поля й Л.Н. Котов, Л.С. Носов Сыктывкарский государственный университет, 167001 Сыктывкар, Россия e-mail:
  84. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 04;06;12 Роль олигомеров в процессе роста пленки аморфного кремния в PECVD-реакторе й Ю.Е. Горбачев Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
  85. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 1 Теплопроводность кристаллического хризотилового асбеста й Ю.А. Кумзеров, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисиорек , Я. Муха , А. Ежовский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  86. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 5 05;06;12 Дефекты и дефектообразование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремнийЦдвуокись кремния й А.П. Барабан, Л.В. Милоглядова Санкт-Петербургский государственный университет,
  87. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования й Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн
  88. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 05;12 Влияние низкосимметричных механических напряжений на магнитные свойства бората железа й Б.Ю. Соколов Национальный университет Узбекистана им. Улугбека, 700174 Ташкент, Узбекистан e-mail:
  89. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 4 01;06 Влияние профиля легирования структуры на процесс отключения тока в мощных полупроводниковых прерывателях й С.А. Дарзнек, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов Институт электрофизики УрО РАН, 620049
  90. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-xGex из гидридов в вакууме й Л.К. Орлов , С.В. Ивин Институт физики микроструктур Российской академии наук,
  91. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 12 01;04;07;12 Исследование плазмы тлеющего и контрагированного разряда в азоте методами спектроскопии КАРС, оптической интерферометрии и численного моделирования 2 й В.А. Шахатов,1 О.А. Гордеев 1
  92. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Влияние Se на гальваномагнитные эффекты в полумагнитных полупроводниках Hg1-xMnxTe1-ySey й В.А. Кульбачинский, И.А. Чурилов, П.Д. Марьянчук, Р.А. Лунин Московский государственный университет им
  93. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 04;12 Особенности функционирования плазменного катода с сеточной стабилизацией в двухступенчатом ионном источнике й Н.В. Гаврилов, А.С. Каменецких Институт электрофизики УрО РАН, 620016 Екатеринбург,
  94. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 10 04;12 Определение удельной ионной эрозии катода вакуумной дуги на основе измерения полного ионного тока из разрядной плазмы й А. Андерс,1 Е.М. Окс,2 Г.Ю. Юшков,2 К.П. Савкин,2 Я. Браун,1 А.Г.
  95. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 01;02;06 О механизме образования углеродных нанотрубок в электрохимических процессах 1 й Н.И. Алексеев,1 С.В. Половцев,2 Н.А. Чарыков 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021
  96. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 6 01;06 Теория дрейфовых диодов с резким восстановлением й А.С. Кюрегян Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, 111250 Москва, Россия e-mail: kyureg@vei.ru (Поcтупило в Редакцию 21
  97. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 9 06;07;12 InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии й Е.А. Гребенщикова, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев,1 С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф.
  98. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 8 05;06;12 Влияние особенностей конструирования дефектных структур кристаллов германия на его пластические свойства й М.А. Алиев, Б.Г. Алиев, Х.О. Алиева, А.Р. Велиханов, Ш.Р. Муталибов, В.В. Селезнев
  99. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge / Si(100)-квантовых точек ,, ,, й Г.Э. Цырлин , А.А. Тонких , В.Э. Птицын , В.Г. Дубровский , С.А. Масалов , В.П. Евтихиев , Д.В. Денисов , В.М. Устинов
  100. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 01;06;07;12 Поверхностные плазмон-фононные поляритоны гексагональной окиси цинка й А.В. Мельничук, Л.Ю. Мельничук, Ю.А. Пасечник Украинский государственный педагогический университет, 252030 Киев, Украина

Pages:     | 1 |   ...   | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам