Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[5601-5700]

Pages:     | 1 |   ...   | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 5 02;03 Газодинамические параметры сверхзвукового молекулярного пучка, обогащенного молекулами фуллерена й М.А. Ходорковский, С.В. Мурашов, Т.О. Артамонова, Ю.А. Голод, А.Л. Шахмин, В.Л. Варенцов, Л.П.
  2. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 6 01;03 Модель ударного запуска клиновидного сопла с учетом отрыва течения й В.Г. Масленников, В.А. Сахаров Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в
  3. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 02;05;10;11 Ионизация и фрагментация кластеров, распыленных с поверхности металла ускоренными ионами й И.А. Войцеховский, М.В. Медведева, В.Х. Ферлегер Институт электроники им. У.А. Арифова АН
  4. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 5 01;02;05;10;11 Новый модельный потенциал взаимодействия для описания движения заряженных частиц в веществе й Е.Г. Шейкин Научно-исследовательское предприятие гиперзвуковых систем, 196066
  5. Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 3 02;12 Моделирование охлаждения атомарного водорода при его адиабатическом расширении в магнитной ловушке 1 й В.Ф. Ежов,1 Е.К. Израилов,2 Г.Б. Крыгин,1 М.М. Нестеров,3 В.Л. Рябов 1 Санкт-Петербургский
  6. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 01 Динамика маятника с квазипериодическим возбуждением й А.Д. Грищенко, Д.М. Ваврив Институт радиоастрономии НАН Украины, 310002 Харьков, Украина (Поступило в Редакцию 25 марта 1996 г. В окончательной
  7. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 9 01;07 Новый метод решения задач переноса излучения в излучающих, поглощающих и рассеивающих средах й В.С. Юферев, М.Г. Васильев, Л.Б. Проэкт Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021
  8. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 5 Обзор 02;12 Перспективы развития промышленных методов производства фуллеренов й А.А. Богданов,1 Д. Дайнингер,2 Г.А. Дюжев1 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург,
  9. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 3 01;02 Сечения одно- и двукратной ионизации атомов гелия ударом быстрого высокозарядного иона й А.Б. Войткив Институт электроники АН Узбекистана, 700143 Ташкент, Узбекистан (Поступило в Редакцию 5 июня
  10. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 03;04 Предельный ток многоострийного коронного разряда й Б.А. Козлов, В.И. Соловьев Рязанская государственная радиотехническая академия, 390005 Рязань, Россия e-mail: kozlov.qe@post.rzn.ru (Поступило в
  11. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 8 01;03 О магнитных свойствах электронов в металл-аммиачных растворах й В.К. Мухоморов Агрофизический научно-исследовательский институт, 195220 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 19 марта 1996 г.
  12. Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Фазовые переходы в малых частицах, формирующихся на начальных стадиях электрокристаллизации металлов й А.А. Викарчук, И.С. Ясников Тольяттинский государственный университет, 445667 Тольятти, Россия E-mail:
  13. ВлияниеВлияниеВлияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию... слоя. Оценка концентрации носителей, полученная из интенсивности фононных линий симметрии E2 и A1(LO) положения линии A1(LO) = 740 см-1, дает величину и
  14. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Магниточувствительные транзисторы Обзор й И.М. Викулин, Л.Ф. Викулина, В.И. Стафеев Академия связи Украины, 65021 Одесса, Украина (Получен 30 мая 2000 г. Принят к печати 1 июня 2000 г.)
  15. ИсторияИсторияИсторияИсторияИсторияИсторияИсторияИсторияИстория и будущее полупроводниковых гетероструктур [5601-5700] W. Shokley. US Patent 2569347, September 25 (1951). of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures [5601-5700] А.И. Губанов. ЖТФ, 20, 1287
  16. ЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегирование эпитаксиальных слоев и
  17. ПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в PbTe... Из R > 0 следует 1 < 23. Более того, согласно Быстрое падение коэффициента Холла с
  18. ТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках [5601-5700] C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45 (9), 1228 [5601-5700] C.L. Tang, H. Statz, G. deMars. J.
  19. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Электрическое поглощение биметаллической цилиндрической частицы й Э.В. Завитаев Московский государственный университет леса, 141005 Мытищи, Московская обл., Россия E-mail: zav.mgul@rambler.ru (Поступила в
  20. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 01;03;12 Модель динамики давления в вакуумной системе при вакуумировании летучей жидкости й Р.А. Невшупа, Л.С. Синев Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, 105005 Москва,
  21. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 6 01;03;04 Индукционная цилиндрическая МГД машина в режиме идеального источника давления й Ю.А. Половко, Е.П. Романова, Э.А. Тропп Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург,
  22. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 2 02;04;07 Сечение возбуждения атома серебра электронным ударом й Ю.М. Смирнов Московский энергетический институт, 111250 Москва, Россия (Поступило в Редакцию 20 октября 1997 г.) Методом протяженных
  23. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 04 Исследование холловского МГД канала, работающего на ионизационно неустойчивой плазме инертных газов й Р.В. Васильева, Е.А. Дьяконова, А.В. Ерофеев, А.Д. Зуев, Т.А. Лапушкина, А.А. Мархоток
  24. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 4 01;03;05 Термодинамически неустойчивые состояния в эвтектических системах й Е.В. Калашников Институт проблем машиноведения РАН, 199178 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 18 ноября 1995 г.)
  25. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 10 01;02 Особенности процесса тормозного излучения при столкновениях с атомом водорода в возбужденном состоянии й А.В. Король, О.И. Оболенский, А.В. Соловьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  26. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Свойства слоев GaSb : Mn, полученных осаждением из лазерной плазмы + + й Ю.А. Данилов , Е.С. Демидов, Ю.Н. Дроздов , В.П. Лесников , В.В. Подольский Нижегородский государственный университет
  27. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 9 01;03 Неустойчивость заряженного слоя вязкой жидкости на поверхности твердого сферического ядра й А.И. Григорьев, В.А. Коромыслов, С.О. Ширяева Ярославский государственный университет, 150000 Ярославль,
  28. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 01;03 Дифракция двухударной конфигурации отражения на выпуклой цилиндрической поверхности й М.К. Березкина, И.В. Красовская, Д.Х. Офенгейм Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021
  29. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 01 Вариационный подход к трехмерным обратным задачам теории потенциала й Э.Л. Амромин, В.А. Бушковский Центральный научно-исследовательский институт им. А.Н. Крылова, 196158 Санкт-Петербург, Россия
  30. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 2 01;02 Потери энергии релятивистских многозарядных ионов в электронной плазме й В.И. Матвеев1, С.Г. Толманов2 1 Научно-исследовательский институт прикладной физики Ташкентского государственного
  31. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 3 01;02 Ионизация атома водорода релятивистскими частицами в столкновениях с малой передачей импульса й А.В. Войткив,1 И.А. Войцеховский,1 Н. Грюн,2 В. Шайд2 1 Институт электроники им. У.А. Арихова,
  32. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода й Э.А. Штейнман Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия E-mail:
  33. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Термостимулированные токи и неустойчивости фотоотклика в сплавах на основе PbTe(In) при низких температурах й Б.А. Акимов, В.А. Богоявленский, Л.И. Рябова, В.Н. Васильков, Е.И. Слынько Московский
  34. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 5 01;02;07 Лазерно-индуцированный перенос атомов из области освещения в газах й А.М. Бонч-Бруевич, Т.А. Вартанян, С.Г. Пржибельский, В.В. Хромов Всероссийский научный центр ФГОИ им. С.И. ВавиловаФ, 199034
  35. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 5 02 Неупругие процессы при столкновении быстрых многозарядных ионов с молекулой водорода й В.И. Матвеев, В.А. Паздзерский, Х.Ю. Рахимов Отдел теплофизики АН Узбекистана, 700135 Ташкент, Узбекистан
  36. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 01;03 Нелинейные капиллярно-гравитационные периодические волны на заряженной поверхности вязкой жидкости конечной глубины й А.В. Климов, Д.Ф. Белоножко, А.И. Григорьев Ярославский государственный
  37. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Эффективность электролюминесценции кремниевых диодов й М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  38. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 01;02;10 Переходное излучение заряда в средах с неоднородным потенциалом й В.Л. Фалько1, С.И. Ханкина1, В.М. Яковенко1, И.В. Яковенко2 1 Институт радиофизики и электроники АН Украины, 310085 Харьков,
  39. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 5 01;02 Температурная зависимость прилипания электронов к молекулам хлора й А.П. Головицкий Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в
  40. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Диффузионные параметры азота в ионно-имплантированных монокристаллах вольфрама й О.Б. Боднарь, И.М. Аристова, А.А. Мазилкин, Л.Н. Пронина, А.Н. Чайка, П.Ю. Попов Московская государственная академия
  41. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 12 01;02 Геометрические резонансы формы в многоцентровых системах с симметрией икосаэдра. Управляемая молекулярная ловушка для электронов й Ю.Ф. Мигаль, В.С. Ковалева Донской государственный технический
  42. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 5 01;02;03;04;09 Вычисление констант скоростей реакций диссоциативной и тройной рекомбинации ионов аргона на основе результатов баллистических экспериментов й Н.Н. Пилюгин Научно-исследовательский институт
  43. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 2 02;12 О хемоионизации молекул галогеноводородов при столкновении с метастабильными атомами гелия й Г.В. Клементьев, В.А. Картошкин, В.Д. Мельников Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021
  44. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN й В.М. Данильцев, Д.М. Гапонова, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, Д.А. Пряхин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин
  45. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2 й В.Н. Брудный, Т.В. Ведерникова Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия (Получена 22 марта 2006 г. Принята к печати 7
  46. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 7 01;02 О спектральном и угловом распределении медленных электронов, испускаемых атомами водорода при столкновениях с быстрыми высокозарядными ионами й А.Б. Войткив Институт электроники АН Узбекистана,
  47. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 03 Особенности взаимодействия магнитной жидкости, имеющей микрокапельную структуру, с переменным магнитным полем й Д.В. Гладких, Ю.И. Диканский Ставропольский государственный университет, 355009
  48. Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Оствальдовское созревание в условиях смешанного типа диффузии й Р.Д. Венгренович, А.В. Москалюк, С.В. Ярема Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина (Поступила в
  49. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Влияние энергетического транспорта электронов путем излучения оптических фононов на суперлюминесценцию и обратимое просветление тонкого слоя GaAs, возбуждаемого мощным пикосекундным импульсом света
  50. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 Излучение, связанное с протяженными дефектами в эпитаксиальных слоях ZnTe/GaAs и многослойных структурах й Е.Ф. Венгер, Ю.Г. Садофьев, Г.Н. Семенова, Н.Е. Корсунская, В.П. Кладько, М.П. Семцив,
  51. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 4 02;10 Упругое рассеяние медленных электронов атомами кальция в интервал углов, зависящий от энергии столкновения й Е.Ю. Ремета, О.Б. Шпеник, Ю.Ю. Билак Институт электронной физики НАН Украины, 88000
  52. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 4 02;03;04;07 Влияние молекулярного азота на подвижность электронов в смеси аргона и оптически возбужденных паров натрия й Н.А. Горбунов, А.С. Мельников Научно-исследовательский институт физики
  53. ПолтораковПолтораковПолтораков А.Ю. Политико-структурное измерение глокальной безопасности Проблемы глокальной безопасности необходимо рассматривать полнее, акцентируя внимание на узловых проблемах - осуществить линституционнопроблемный
  54. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Структурные и фотолюминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире й С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров, Ю.Н. Дроздов , З.Ф. Красильник , Л.В. Красильникова , М.В. Степихова ,
  55. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 01;02 Тройная рекомбинация электронов и ионов в присутствии двухуровневых атомов й А.Н. Ткачев, С.И. Яковленко Институт общей физики РАН, 117942 Москва, Россия (Поступило в Редакцию 20 августа 1996 г.) В
  56. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 4 01;02;05;11 Влияние ширины зоны проводимости субстрата на электронное состояние адатома й С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию
  57. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 8 01;02 Возбужденный водородоподобный атом в сильном низкочастотном электромагнитном поле й О.Б. Препелица Институт прикладной физики АН Молдавии, 277028 Кишинев, Молдавия (Поступило в Редакцию 22 мая
  58. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 04;07;12 Приэлектродные области термоэмиссионного преобразователя энергии лазерного излучения в электрическую энергию с легкоионизиpуемой добавкой й В.А. Жеребцов Государственный научный центр
  59. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 1 02;04;07;12 Наблюдение циркулярного дихроизма ансамбля триплетных метастабильных атомов гелия в NaЦHe газоразрядной плазме при лазерной оптической ориентации атомов натрия й С.П. Дмитриев, Н.А.
  60. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 01;11 Расчет пробегов тяжелых ионов низких энергий в аморфной среде й Е.Г. Шейкин Научно-исследовательское предприятие гиперзвуковых систем, 196066 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 21
  61. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 01;04 К теории зонда в сильноионизованной плазме высокого давления й Ф.Г. Бакшт, А.Б. Рыбаков Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 22 июля
  62. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 01;02;03 Математический анализ движения ионов в газе в знакопеременном периодическом несимметричном по полярности электрическом поле й И.А. Буряков Конструкторско-технологический институт
  63. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 01;03 Нелинейные осцилляции капли, движущейся с постоянной скоростью относительно диэлектрической среды в электростатическом поле й В.А. Коромыслов, А.И. Григорьев, С.О. Ширяева Ярославский
  64. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 12 02 Фрагментация многоатомных ионов, образующихся при захвате электронов у молекул бутана и изобутана ионами keV-энергий 2 й В.В. Афросимов,1 А.А. Басалаев,1 Е.А. Березовская,2 М.Н. Панов,1 О.В.
  65. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 01;03 Эволюция формы поверхности деформированного в начальный момент времени пузырька в вязкой жидкости й А.Н. Жаров, А.И. Григорьев, И.Г. Жарова Ярославский государственный университет им. П.Г.
  66. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 12 03;05;12 Влияние геометрии разрядной камеры на эффективность дугового способа производства фуллеренов. I. Осесимметричный случай й Н.И. Алексеев, Г.А. Дюжев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  67. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 6 02 Электронные переходы и излучение атома при взаимодействии с ультракоротким импульсом электромагнитного поля й В.И. Матвеев Поморский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 163006
  68. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 9 02 Обдирка быстрых ионов кислорода при столкновениях с атомами легких элементов 2 й А.В. Бакалдин,1 С.А. Воронов,1 С.В. Колдашов,1 В.П. Шевелько 1 Московский государственный инженерно-физический
  69. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Краевая электролюминесценция кремния: гетероструктура аморфный кремнийЦкристаллический кремний й М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Е.И. Теруков, A. Froitzheim , W. Fuhs Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  70. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 7 01;02 Электромагнитные переходы между ридберговскими состояниями атома водорода. Нарушение дипольных правил отбора в сильном поле й О.Б. Препелица Институт прикладной физики АН Молдавии, 277028
  71. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 9 02;12 Атомные эффекты при бета-распаде трития й Ю.А. Акулов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 14 января 1999 г.) Представлены
  72. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 Динамика изменения спектров фотолюминесценции образцов CdTe стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов й А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев, А.
  73. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремнияЦкремний й О.В. Александров, Н.Н. Афонин Акционерное общество закрытого типа ФСветланаЦПолупроводникиФ, 191156 Санкт-Петербург, Россия
  74. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 4 02;12 Ионизация молекул азота, кислорода, воды и двуокиси углерода электронным ударом вблизи порога й А.Н. Завилопуло, Ф.Ф. Чипев, О.Б. Шпеник Институт электронной физики НАН Украины, 88017 Ужгород,
  75. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 04 Расчет тока электронного пучка в вакуумном диоде с кромочным магнитоизолированным катодом й А.В. Громов, Н.Ф. Ковалев Институт прикладной физики РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия e-mail:
  76. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Эффект Фано в спектрах магнитопоглощения арсенида галлия й Д.В. Василенко, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  77. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 11 05;08;12 Генерация предвестника импульса давления в материалах, обладающих кластерной структурой й Б.А. Демидов, В.П. Ефремов, М.В. Ивкин, И.А. Ивонин, В.А. Петров Российский научный центр ФКурчатовский
  78. Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 02;07;12 Параметры зондирования молекулярного водорода в атмосфере на наклонных трассах лидаром с YAG : Nd лазером й Г.В. Лактюшкин, В.Е. Привалов, В.Г. Шеманин Балтийский государственный технический
  79. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Сжатие токопроводящей области в собственном полупроводнике, вызванное джоулевым саморазогревом й Ф.Н. Рыбаков, А.В. Мелких, А.А. Повзнер Уральский государственный технический университет (УПИ),
  80. Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 10 01;02;12 Перезарядка при столкновении тяжелых малозарядных ионов й В.П. Шевелько Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 117924 Москва, Россия e-mail: shev@sci.lebedev.ru (Поступило в Редакцию 15
  81. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Геликон-фононный резонанс в висмуте й В.Г. Скобов, А.С. Чернов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Московский государственный
  82. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 01;03 Влияние коэффициента испарения на сильную конденсацию одноатомного газа й И.А. Кузнецова, А.А. Юшканов, Ю.И. Яламов Московский педагогический университет, 107005 Москва, Россия (Поступило в
  83. настоящей работы.Список литературы [5601-5700] Aronowitz L. // IEEE Trans. on Electromagn. Compability.Vol. EMC-10. 1968. N 4. P. 341Ц346.[5601-5700] Потапов Г.П. // Известия вузов, Авиационная техника. № 4.1978. С. 112Ц117.[5601-5700] Ватажин А.Б., Грабовский В.И., Лихтер
  84. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 7 01;02;05 Рассеяние позитронов на фононах в металле й Д.А. Грязных Российский федеральный ядерный центр, Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина,
  85. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Фотолюминесценция нанокристаллического кремния, полученного методом имплантации ионов инертных газов й А.А. Ежевский, М.Ю. Лебедев, С.В. Морозов Нижегородский государственный университет им. Н.И.
  86. Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 9 01;02 Физика атомных столкновений в ретроспективе й Дж. Мэйсек Университет Теннесси, TN 379960-1501 Ноксвилл Ок-Риджская национальная лаборатория, TN 37831 Ок-Ридж (Поступило в Редакцию 14 января 1999
  87. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 01;04;12 Самосогласованная структура разряда постоянного тока с замкнутым холловским дрейфом в скрещенных полях 1 й А.А. Платонов,1 А.Г. Слышов,1 Л.Д. Цендин,2 С.Д. Вагнер 1 Карельский государственный
  88. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1 Влияние электронного (зарядового) состояния E-ловушек на эффективность их накопления в n-GaAs при облучении й В.Н. Брудный , В.В. Пешев Сибирский физико-технический институт им. В.Д.
  89. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 01;02 Многоэлектронная ионизация атомов быстрыми ионами:приближение нормированных экспонент й Т. Киршнер,1 Х. Тавара,2 И.Ю. Толтихина,3 А.Д. Уланцев,4 В.П. Шевелько,3 Т. Штулькер5 1 Институт
  90. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge й Г.А. Качурин, Л. Реболе, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, М. Фёльсков, В. Скорупа, Х. ФрёбЖ Институт
  91. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Релаксация фотовозбужденного хлорида серебра й В.Г. Клюев, Ю.В. Герасименко, Н.И. Коробкина Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия (Получена 27 декабря 2004 г. Принята
  92. Журнал технической физики, 1997, том 67, № 5 03;05;12 Роль различных механизмов поляризации в самоорганизации директора тонкого слоя нематического жидкого кристалла й Ю.К. Корниенко, А.П. Федчук Одесский государственный университет им.
  93. Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 3 06;11;12 Особенности наноструктуры и удельной проводимости тонких пленок различных металлов 2 й И.В. Антонец,1 Л.Н. Котов,1 С.В. Некипелов,1 Е.А. Голубев 1 Сыктывкарский государственный университет,
  94. Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 3 01;02 Упругое рассеяние электрона на отрицательном ионе лития й В.В. Семенихина, В.К. Иванов, К.В. Лапкин Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
  95. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAsЦGaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре й Н.Н. Фалеев, В.В. Чалдышев, А.Е. Куницын, В.В.
  96. Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 8 02 Упругое рассеяние низкоэнергетических электронов атомами кадмия й Е.Э. Контрош, И.В. Чернышова, О.Б. Шпеник Институт электронной физики НАН Украины, 88000 Ужгород, Украина e-mail:
  97. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 01;03 Об учете аккомодации энергии и вычислении потока тепла в плоском слое двухатомного газа й С.А. Савков, Е.Ю. Тюлькина Орловский государственный университет, 302015 Орел, Россия (Поступило в
  98. Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 01;03 К вопросу о влияниии внутреннего тепловыделения на движение нагретой твердой частицы в вязкой жидкости й Н.В. Малай, А.А. Плесканев, Е.Р. Щукин1 Белгородский государственный университет, 308015
  99. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металЦквантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции й Н.В. Байдусь, П.Б. Демина, М.В. Дорохин,
  100. Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 8 02;10 Локализация и излучение частиц магнитной ловушкой й Ю.Г. Павленко Специализированный учебно-научный центр Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 121357 Москва, Россия

Pages:     | 1 |   ...   | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам