От лат cavitas пу­стота), образование в капельной жид­кости полостей, заполненных газом, паром или их смесью (т н. кавитац пузырьков или каверн). Кавитац

Вид материала

Документы

Содержание Рис. 7. Скелетный кристалл шпинели. Рис. 8. Дендритный кристалл. Рис. 9. Зонарное и секториальное строение кристалла алюмокалиевых квасцов. Образование дефектов. А. А. Чернов. Кристаллическая решётка Рис. 1. Элем. ячей­ка кристаллич. ре­шётки. Рис. 2. Расположение атомов в элем. ячейке хим. соединения K Кристаллические блоки Кристаллический счетчик Блок-схема крист. счётчика. Кристаллическое поле Анизотропия фазовых скоростей продольной с, и поперечных с В. Е. Лямов. В. К. Вайнштейн, М. П. Шаскольская.

Подобный материал:

• Вывихи. Переломы, 241.71kb.
• От лат evaporo испаряю и греч grapho пи­шу), метод получения изображений объектов, 2696.94kb.
• Реферат от лат rеfеrо "сообщаю", 198.27kb.
• Абсцесс и гангрена легкого определение заболевания острый абсцесс легкого, 403.26kb.
• Перелом подвздошной кости; перелом вертлужной впадины; перелом лобковой кости; открытая, 1124.91kb.
• Вишнев В. Н. Безродная Н. В. Остеохондроз Профилактика и лечение Введение, 623.65kb.
• Реферат от лат. «сообщать», 61.18kb.
• Лекция. Взаимосвязанные рынки, 285.49kb.
• Реферат Реферат, 36.91kb.
• Предыстория или как мне удалось получить музыкальное образование и чем это обернулось, 2157.21kb.

Формы роста кристаллов. Простей­шая форма роста — многогранник, причём размеры отд. граней сильно за­висят от условий роста. Отсюда — пластинчатые, игольчатые, нитевид­ные и др. формы кристаллов. При росте больших огранённых кристаллов из неподвижного р-ра (без перемешива­ния) пересыщение выше у вершин и рё-



Рис. 7. Скелетный кристалл шпинели.

320


бер кристалла и меньше в центр. частях грани. Поэтому вершины стано­вятся ведущими источниками слоев роста. Если пересыщение над центр. участками граней достаточно мало, то вершины обгоняют центры граней. Плоская грань перестаёт существовать — возникают скелетные (рис. 7) и т. н. древовидные (дендритные) (рис. 8) формы кристаллов. Их появлению способствуют также нек-рые примеси.



Рис. 8. Дендритный кристалл.


Примесь, содержащаяся в маточ­ной среде, входит в состав кристалла. Отношение концентраций примеси в кристалле и в среде наз. коэфф. рас­пределения примеси. Кол-во захва­ченной примеси зависит от скорости роста кристалла. Разные грани захва­тывают при К. разные кол-ва приме­сей. Поэтому кристалл оказывается как бы сложенным из пирамид, имею­щих основаниями грани кристалла и сходящихся своими вершинами к его центру (секториальное строение, рис. 9).



Рис. 9. Зонарное и секториальное строение кристалла алюмокалиевых квасцов.


Такой секториальный захват примеси вызван разл. строением раз­ных граней. Если кристалл плохо захватывает примесь, то избыток её скапливается перед фронтом роста. Время от времени этот обогащённый примесью пограничный слой захва­тывается растущим кристаллом, в ре­зультате чего возникает зонарная структура (полосы на рис. 9).

При очень малых скоростях роста кристалла из расплава распределе­ние примеси перестаёт зависеть от на­правления и скорости роста и прибли­жается к равновесному значению, оп­ределяемому диаграммой состояния. Растущие кристаллы диэлектриков мо­гут захватывать находящиеся в рас­плаве ионы разных знаков в разных кол-вах. В результате между расту­щим кристаллом и расплавом возни­кает разность потенциалов. При К.. льда она достигает многих десят­ков В. Пропускание тока через гра­ницу проводящий кристалл — рас­плав ведёт к изменению скорости К. и кол-ва захваченной кристаллом примеси.

При росте кристаллов в достаточно больших объёмах в-ва (десятки, сотни см³ и более) перемешивание р-ров и расплавов возникает самопроизволь­но. Р-р около растущих граней обед­няется, его плотность уменьшается, что в поле тяжести приводит к конвекци­онным потокам, направленным вверх. По-разному омывая разл. грани, по­токи изменяют скорости роста гра­ней и облик кристалла. В расплаве из-за нагревания примыкающей к ра­стущему кристаллу жидкости скры­той теплотой К. также возникают конвекц. потоки. Скорость, темп-pa и концентрация примесей в конвекци­онных потоках хаотически или регу­лярно колеблются около ср. значений. Соотв. меняются скорость роста и состав растущего кристалла, в теле к-рого остаются «отпечатки» последоват. положений фронта К. (зонарная структура). Флуктуации темп-ры в расплаве могут быть столь сильны, что рост кристалла сменяется плавлением. В металлич. расплавах магн. поле останавливает конвекцию и уничтожает зонарность. При отсут­ствии силы тяжести, напр. на искусств. спутниках, конвекция сильно умень­шается, соотв. уменьшается зонарная неоднородность. При К. в невесомости расплав перестаёт смачивать стенки сосуда, что снижает плотность ди­слокации в вырастающем кристалле.

Если расплав перед фронтом роста сильно переохлаждён, то фронт не­устойчив: выступ, случайно возник­ший на нём, попадает в область боль­шего переохлаждения и скорость ро­ста вершины выступа увеличивается ещё больше и т. д. В результате пло­ский фронт роста разбивается на округлые купола, имеющие в плоско­сти фронта форму полос или шести-

угольников: возникает ячеистая структура (рис. 10, а). Линии сопря­жения ячеек (канавки) оставляют в теле растущего кристалла дефектные и обогащённые примесью слои, так что весь кристалл оказывается как бы сложенным из гексагональных па­лочек или пластинок (карандашная структура, рис. 10, б). На более позд­них стадиях потери устойчивости возникают дендриты.



Если темп-ра расплава увеличивается при удале­нии от фронта роста, то фронт устой­чив — ячейки и дендриты не возни­кают.

Если в переохлаждённом расплаве (р-ре) оказывается не плоская поверх­ность, а маленький кристалл, то вы­ступы на нём (прежде всего вершины) развиваются в разл. кристаллографич. направлениях, отвечающих макс. ско­рости роста, и образуют многолуче­вую звезду. Затем на этих главных отростках появляются боковые ветви, на них — ветви след. порядка: возни­кает дендритная форма кристаллов (рис. 8). Кристаллографич. ориента­ция дендритного кристалла одинакова для всех его ветвей.

Образование дефектов. Реальные кристаллы всегда имеют неоднород­ное распределение примесей. Примеси изменяют параметры крист. ре­шётки, и на границах областей раз­ного состава возникают внутр. напря­жения. Это приводит к образованию дислокаций и трещин. При К. из расплава дислокации возникают как результат термоупругих напряжений в неравномерно нагретом кристалле, а также нарастания более горячих но­вых слоев на более холодную поверх­ность. Дислокации могут «наследо­ваться», переходя из затравки в вы­ращиваемый кристалл.

Посторонние газы, хорошо раство­римые в маточной среде, но плохо за­хватываемые растущим кристаллом,

321


образуют на. фронте роста пузырьки газа, к-рые захватываются кристал­лом, если скорость роста превосходит нек-рую критическую. Так же из ма­точной среды захватываются и посто­ронние тв. ч-цы, к-рые становятся затем источниками внутр. напряжений в кристалле и приводят к образова­нию дислокаций. При К. в невесо­мости отвод пузырьков затруднён и кристалл обогащается газовыми вклю­чениями. Увеличивая плотность пу­зырьков, можно получать т. н. пенометаллы.

Массовая кристаллизация. При определ. условиях возможен одновре­менный рост множества кристаллов. Спонтанное массовое появление заро­дышей и их рост происходят, напр., при затвердевании отливок металлов. Кристаллы зарождаются прежде всего на охлаждаемых стенках изложницы, куда заливается перегретый металл. Зародыши на стенках ориентированы хаотично, однако в процессе роста «выживают» те из них, у к-рых направ­ление макс. скорости роста перпенди­кулярно стенке. В результате у поверхности возникает т. н. столбча­тая зона, состоящая из почти парал­лельных узких кристаллов, вытяну­тых вдоль нормали к поверхности.

• Шубников А. В., Образование крис­таллов, М.—Л., 1947; Леммлейн Г. Г., Морфология и генезис кристаллов, М., 1973; М а л л и н Дж.-У., Кристаллизация, пер. с англ., М., 1965; Л о д и з Р. А., П а р к е р Р. Л., Рост монокристаллов, пер. с англ., М., 1974; Современная кристаллогра­фия, т. 3 — Образование кристаллов, М., 1980; Рост и дефекты металлических кристал­лов, К., 1972; Проблемы современной кри­сталлографии, М., 1975.

А. А. Чернов.

КРИСТАЛЛИТЫ, мелкие монокри­сталлы, не имеющие ясно выраженной огранки. К. являются крист. зёрна в металлич. слитках, горных породах. минералах, поликрист. образованиях и др. См. Поликристалл.

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЁТКА, присущее крист. состоянию в-ва ре­гулярное расположение ч-ц (атомов, ионов, молекул), характеризующееся периодич. повторяемостью в трёх из­мерениях. Плоские грани кристалла, образовавшегося в равновесных ус­ловиях, соответствуют ат. плоско­стям, рёбра — рядам атомов. Суще­ствование К. р. объясняется тем, что равновесие сил притяжения и оттал­кивания между атомами, соответству­ющее минимуму потенц. энергии сис­темы, достигается при условии трёх­мерной периодичности.

Для описания К. р. достаточно знать размещение атомов в её элем. ячейке, повторением к-рой путём параллель­ных переносов (трансляций) образу­ется К. р. Элем. ячейка имеет форму параллелепипеда. Она может быть выбрана разл. способами. Но суще­ствует основанный на учёте симмет­рии и геом. соотношений алгоритм приведения к единому описанию. Рёбра элем. параллелепипеда а, b; с наз. постоянными или периодами К. р. либо (в векторной форме) векторами трансляций (рис. 1). Параллелепипед мин. объёма, содержащий наимень­шее число атомов, наз. примитив­ной ячейкой. В элем. ячейке мо­жет размещаться от одного атома (хим. элементы) до 10² (хим. соедине­ния) и 10³ — 10⁶ атомов (белки, ви­русы, см. Биологические кристаллы). В соответствии с этим периоды К. р.



Рис. 1. Элем. ячей­ка кристаллич. ре­шётки.

различны — от неск. Å до 10²—10³ Å. Любому атому в данной ячейке соот­ветствует трансляционно-эквивалентный атом в каждой другой ячейке кристалла (рис. 2). По признаку то­чечной симметрии элем. ячейки (см.



Рис. 2. Расположение атомов в элем. ячейке хим. соединения K₂PtCl₆.


Симметрия кристаллов) все кристаллы делятся на семь сингоний (см. Сингония кристаллографическая).

Ат. структура К. р., расположение всех её ч-ц описываются т. н. п р о с т р а н с т в е н н ы м и (фёдоровски­ми) группами симметрии кристаллов, к-рые содержат как опе­рации переносов (трансляций), так и операции поворотов, отражений и инверсии и их комбинации. Всего существует 230 пространств. групп симметрии. В К. р. возможны лишь оси 2-го, 3-го, 4-го и 6-го порядков, а оси 5-го, 7-го и более высоких поряд­ков в кристаллах невозможны. Если к данной точке (узлу) кристалла, напр. к любому её атому, применить только операции переноса данной простран­ственной группы, то получается геом. трёхмерно-периодич. система узлов, к-рая и характеризует К. р. Таких систем существует всего 14, их наз. Браве решётками. Полное описание К. р. даётся пространств. группой, параметрами элем. ячейки, координа­тами атомов в ячейке. В этом смысле понятие К. р. эквивалентно понятию ат. структуры кристалла.

Структура реального кристалла от­личается от идеализиров. схемы, опи­сываемой понятием К. р. Идеализа­цией явл. представление о дискрет­ности К. р. В действительности элек­тронные оболочки атомов, составля­ющих К. р., перекрываются, обра­зуя непрерывное периодич. распре­деление заряда с максимумами около дискретно расположенных ядер. Иде­ализацией явл. также неподвижность атомов. Атомы и молекулы К. р. ко­леблются около положений равнове­сия, причём хар-р колебаний (дина­мика К. р.) зависит от симметрии и вз-ствия атомов (см. Колебания кри­сталлической решётки). Известны слу­чаи вращения молекул в К. р. С по­вышением темп-ры амплитуда коле­баний ч-ц увеличивается, что в ко­нечном счёте приводит к разрушению К. р. и переходу в-ва в жидкое состо­яние. Атомы в узлах К. р. могут от­личаться по ат. номеру Z (изомор­физм) и по массе ядра (изотопич. изоморфизм); кроме того, в реаль­ном кристалле всегда имеются разл. рода дефекты — примесные атомы, вакансии, дислокации и т. д.

• См. лит. при ст. Кристаллография, Симметрия кристаллов.

Б. К. Вайнштейн, А. А. Туш.

КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ БЛОКИ, области монокристалла, ориентирован­ные не строго параллельно друг дру­гу. Разориентация К. б. колеблется от угловых с до градусов. Размер К. 6. может колебаться от микрометров до неск. см. Блочный хар-р структуры мн. реальных кристаллов обнаружи­вается, напр., по расщеплению пятен лауэграмм (см. Кристаллы, Рентгенов­ский структурный анализ, Дисло­кации).

КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ СЧЕТЧИК, прибор для регистрации ч-ц, основан­ный на появлении в диэлектрич. кри­сталлах при попадании в них ч-ц за­метной электропроводности. К. с. представляет собой монокристалл



Блок-схема крист. счётчика.


(обычно алмаз или CdS), на противо­положные грани к-рого нанесены элек­троды (рис.). Проходя через крис­талл, заряж. ч-цы вызывают в нём ионизацию. Образующиеся носители заряда — эл-ны проводимости и дыр­ки — движутся под влиянием электрич. поля к электродам. Отд. ч-ца вызывает в цепи К. с. кратковрев, импульс тока, к-рый после усиления можно зарегистрировать пересчётным прибором или амплитудным анализа­тором. Амплитуда импульса пропорц. энергии, выделенной ч-цей в кристал-

322


ле. Недостаток К. с.— поляризация диэлектрика. Часть носителей заряда при движении к электродам захваты­вается дефектами крист. решётки. Воз­никает внутр. электрич. поле. Кол-во дефектов и внутр. поле возрастают по мере облучения кристалла (см. Радиационные дефекты) и ослабляют действие приложенного внеш. поля. Это приводит к уменьшению ампли­туды импульсов и к прекращению счё­та (для устранения поляризации при­меняют нагрев кристалла, его освеще­ние, перем. поля и т. п.). Однако про­стота конструкции К. с., его малые размеры (неск. мм³) и способность нек-рых кристаллов (напр., алмаза) работать при высоких темп-pax дела­ют К. с. удобным детектором, в ча­стности в дозиметрии.

• Головин Б. М., Осипенко .П., Сидоров А. И., Гомогенные кри­сталлические счетчики ядерных излучений, «ПТЭ», 1961, № 6, с. 5.

С. Ф. Козлов.

КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ПОЛЕ, то же, что внутрикристаллическое поле.

КРИСТАЛЛОАКУСТИКА, изучает особенности распространения акустич. волн в кристаллах, а также влия­ние анизотропии физ. св-в кристал­лов па хар-ки акустич. волн (особен­ности их поляризации, поглощения и отражения, дифракции и др.).



Анизотропия фазовых скоростей продольной с, и поперечных с₂ и с₃ упругих волн в плос­кости [100] кристалла Bi₁₂GeO₂₀.


В кри­сталлах могут распространяться как объёмные, так и поверхностные акусти­ческие волны (ПАВ). Объёмные аку­стич. волны распространяются в кри­сталле так же, как в газах и жидкос­тях,— в любом направлении. ПАВ распространяются вдоль свободных поверхностей (границ) кристалла либо вдоль границ раздела двух кристал­лов.

Анизотропия упругих св-в кри­сталлов существенно сказывается на хар-ре распространения акустич. волн. В кристалле, в отличие от изотропного тв. тела, в каждом направлении рас­пространяются три упругие волны: продольная и две поперечных. Каждая из них имеет свою фазовую скорость, к-рая зависит от направления рас­пространения волны в кристалле (рис.). В ряде направлений, соответ­ствующих осям симметрии высокого порядка (см. Симметрия кристаллов), скорости двух поперечных волн могут совпадать. В таких направле­ниях, наз. акустическими осями кристалла, возможно рас­пространение поперечных волн с про­извольной поляризацией, как в изо­тропном теле. Суперпозиция линейно поляризованных волн позволяет полу­чить эллиптич. и круговую поляриза­ции сдвиговых волн. Анизотропия уп­ругих св-в кристалла приводит к то­му, что направление потока энергии акустич. волны Р не совпадает с на­правлением волн вектора k. Угол  между векторами Р и k может со­ставлять десятки градусов. Вследствие этого даже при отсутствии дисперсии групповая скорость в кристаллах мо­жет не совпадать с фазовой. Характер­но, что даже при распространении волн вдоль направлений высокого порядка симметрии поток энергии для сдвиговых волн может отклонять­ся от направления распространения волны, причём направление вектора потока энергии зависит от поляриза­ции волны. В случае распространения сдвиговых волн вдоль акустич. осей это явление, по аналогии с опти­кой, наз. внутренней кони­ческой рефракцией. Угол конич. рефракции в кварце, напр., составляет 17°, в LiNbO₃ ~8°, в NaCl~10°, в КСl~21°.

Анизотропия кристаллов усложня­ет также законы отражения и прелом­ления акустич. волн на границах раз­дела сред: падающая волна при отра­жении и преломлении может расщеп­ляться на неск. волн разных типов, в т. ч. и поверхностных. Пространст­венная дисперсия, обусловленная пе­риодичностью крист. решётки, приво­дит к вращению плоскости поляриза­ции сдвиговых волн (т. н. акусти­ческая активность). За­тухание звука в кристаллах определя­ется его рассеянием на микродефектах и дислокациях, поглощением вслед­ствие вз-ствия упругой волны с теп­ловыми колебаниями крист. решёт­ки — фононами, поглощением, обус­ловленным термоупругими и тепло­выми эффектами. В металлах и ПП существует специфич. вид поглощения звука вследствие вз-ствия УЗ с эл-нами проводимости (см. Акустоэлектронное взаимодействие), а в ферро­магнетиках и сегнетоэлектриках до­полнит. поглощение связано с до­менными процессами.

Нелинейная К. занимается иссле­дованием вз-ствия акустич. волн в кристаллах: генерации акустич. гар­моник и волн комбинац. частот, вз-ствий с электрич. полями и эл.-магн. волнами (см. Нелинейное взаимо­действие акустических волн). Исследо­вание нелинейного вз-ствия упругих волн в кристаллах имеет значение не только для объяснения поглощения звука, но также для описания тепло­вых фононных вз-ствий и лежит в основе теории работы нелинейных акустич. устройств — корреляторов, конволюторов. УЗ волны в кристаллах используются для создания ультраз­вуковых и гиперзвук. линий задержки, акустооптич. устройств и устройств акустоэлектроники.

• Федоров Ф. И., Теория упругих волн в кристаллах, М., 1965; Александров К. С., Акустическая кристаллография, в сб.: Проблемы современной кристаллогра­фии, М., 1975, с. 327; Т а к е р Дж., Р э м п т о н В., Гиперзвук в физике твер­дого тела, М., 1975; В у ж в а А. Д., Л я м о в В. Е., Акустическая активность и дру­гие эффекты, обусловленные пространствен­ной дисперсией в кристаллах, «Кристаллогра­фия», 1977, т. 22, .№1, с. 131; Лямов В. Е., Гончаров К. В., Распростране­ние ультразвука, в кн.: Ультразвук, М., 1979 (Маленькая энциклопедия).

В. Е. Лямов.

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ (от кристал­лы и греч. grapho — пишу, описываю), наука об атомно-мол. строении, сим­метрии, физ. св-вах, образовании и росте кристаллов. К. зародилась в древности в связи с наблюдениями над природными кристаллами, имею­щими естеств. форму правильных мно­гогранников. К. как самостоят. наука существует с сер. 18 в. В 18—19 вв. К. развивалась в тесной связи с минера­логией как дисциплина, устанавлива­ющая закономерности огранки кри­сталлов (франц. физик Р. Гаюи, 1874). Была развита теория симметрии кри­сталлов — их внеш. форм (А. В. Га-долин, 1867) и внутр. строения (франц. физик А. Браве, 1848, Е. С. Фёдоров, 1890, нем. математик А. Шёнфлис, 1891). Совокупность методов описа­ния кристаллов и закономерности их огранения составляют содержа­ние геометрической К. На основе геом. К. возникла гипотеза об упорядоченном трёхмерно-периодич. расположении в кристалле со­ставляющих его ч-ц, в совр. понима­нии — атомов и молекул, к-рые об­разуют кристаллическую решетку. Матем. аппарат К. основан на дискрет­ной геометрии, теории групп и тен­зорном исчислении.

Исследования дифракции рентге­новских лучей в кристаллах (нем. физик М. Лауэ, 1918) эксперим. под­твердили их периодич. решётчатое строение. Первые рентгенографич. расшифровки ат. структуры кристал­лов NaCl, алмаза, ZnS и др., осущест­влённые в 1913 англ. физиками У. Г. Брэггом и У. Л. Брэггом, по­ложили начало структурной К. Изучение прохождения света через кристаллы позволило сформулиро­вать закономерности анизотропии св-в кристаллов (см. Кристаллооптика). Дальнейшее изучение ат. структуры кристаллов связано с именами амер. учёного Л. Полинга, норв. учёного В. Гольдшмидта, англ. учёного Дж. Бернала и сов. учёного Н. В. Белова; исследование роста кристаллов и их физ. св-в — с именами нем. учё­ного В. Фохта, болг. учёного И. Н. Странского, сов. учёных Г. В. Вульфа, А. В. Шубникова и др.


323




Для совр. К. характерны изучение ат, и дефектной структуры кристаллов, процессов их роста и поиск новых св-в кристаллов как единой комплек­сной проблемы, направленной на полу­чение новых материалов с важными физ. св-вами. Результаты кристаллографич. исследований широко исполь­зуются в физике, минералогии, хи­мии, мол. биологии и др. (см. схему, в к-рой собственно К. занимает центр. часть).

В структурной К. исследуется атомно-мол. строение кристаллов метода­ми рентгеновского структурного ана­лиза, электронографии, нейтроногра­фии, опирающимися на теорию ди­фракции волн и ч-ц в кристаллах; ис­пользуются также методы оптич. спе­ктроскопии, резонансные методы, эле­ктронная микроскопия и др. В резуль­тате определена крист. структура неск. десятков тысяч хим. в-в. Изучение законов взаимного расположения ато­мов в кристаллах и хим. связи между ними, а также явлений изоморфизма и полиморфизма явл. предметом кри­сталлохимии. Исследования т. н. био­логических кристаллов, позволившие определить структуру гигантских мо­лекул белков и нуклеиновых кис­лот, связывают К. с мол. биологией. При изучении процессов зарожде­ния и роста кристаллов используются общие принципы термодинамики и закономерности фазовых переходов и поверхностных явлений с учётом вз-ствия кристалла со средой, анизо­тропии св-в и атомно-мол. структуры крист. в-ва (см. Кристаллизация). В К. изучаются также разнообразные нарушения идеальной крист. решёт­ки — точечные дефекты, дислокации и др. дефекты, возникающие в про­цессе роста кристаллов или в резуль­тате разл. внеш. воздействий на них и определяющие многие их св-ва.

Исследования механич., оптич., электрич. и магн. св-в кристаллов явл. предметом кристаллофизики, к-рая смыкает К. с физикой твёрдого тела. Возникший на основе исследования роста кристаллов пром. синтез алма­зов, рубина, Ge, Si и др. (см. Синтети­ческие кристаллы) — основа квант. и ПП электроники, оптики, акустики и др.

В К. исследуются также строение и св-ва разнообразных агрегатов из ми­крокристаллов (поликристаллов, тек­стур, керамик), а также в-в с ат. упорядоченностью, близкой к кристал­лической (жидких кристаллов, поли­меров). Симметрийные и структурные закономерности, изучаемые в К., на­ходят применение при рассмотрении общих закономерностей строения и св-в некристаллического конденсиров. состояния в-ва — аморфных тел и жидкостей, полимеров, макромолекул, надмол. структур и т. п. (обобщённая К.).

• Попов Г. М., Шафрановский И. И., Кристаллография, 4 изд., М., 1964; Белов Н. В., Очерки по структурной ми­нералогии, М., 1976; Современная кристал­лография, т. 1—4, М., 1979—81.

В. К. Вайнштейн, М. П. Шаскольская.