Ми­ни­стер­ст­во об­ра­зо­ва­ния и нау­ки Рос­сий­ской Фе­де­ра­ции Учеб­но-ме­то­ди­че­ское объ­е­ди­не­ние ву­зов по об­ра­зо­ва­нию в об­лас­ти ин­фор­ма­ци­он­ной безо­пас­но­сти сборник примерных программ учебных дисциплин по направлению подготовки (специальности)

Вид материала

Документы

Содержание За­да­ча­ми дис­ци­п­ли­ны яв­ля­ют­ся 2. Ме­сто дис­ци­п­ли­ны в струк­ту­ре ООП 3. Тре­бо­ва­ния к ре­зуль­та­там ос­вое­ния дис­ци­п­ли­ны Знать: – со­вре­мен­ную эле­мент­ную ба­зу те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ных сис­тем; Уметь 4. Объ­ем дис­ци­п­ли­ны и ви­ды учеб­ной ра­бо­ты Ау­ди­тор­ные за­ня­тия (все­го) Са­мо­стоя­тель­ная ра­бо­та (все­го) Дру­гие ви­ды са­мо­стоя­тель­ной ра­бо­ты 5. Со­дер­жа­ние дис­ци­п­ли­ны Раз­дел 5. Схе­мо­тех­ни­ка сме­шан­ных ана­ло­го­во-циф­ро­вых уст­ройств Раз­дел 6. Уст­рой­ст­ва ото­бра­же­ния ин­фор­ма­ции 5.2 Раз­де­лы дис­ци­п­ли­ны и меж­дис­ци­п­ли­нар­ные свя­зи с обес­пе­чи­вае­мы­ми (по­сле­дую­щи­ми) дис­ци­п­ли­на­ми 5.3. Раз­де­лы дис­ци­п­лин и ви­ды за­ня­тий 6. Ла­бо­ра­тор­ный прак­ти­кум 7. При­мер­ная те­ма­ти­ка кур­со­вых ра­бот 8. Учеб­но-ме­то­ди­че­ское и ин­фор­ма­ци­он­ное обес­пе­че­ние дис­ци­п­ли­ны 9. Ма­те­ри­аль­но-тех­ни­че­ское обес­пе­че­ние дис­ци­п­ли­ны 10. Ме­то­ди­че­ские ре­ко­мен­да­ции по ор­га­ни­за­ции изу­че­ния дис­ци­п­ли­ны

Подобный материал:

• Ми­ни­стер­ст­во об­ра­зо­ва­ния и нау­ки Рос­сий­ской Фе­де­ра­ции Учеб­но-ме­то­ди­че­ское, 3299.35kb.
• Ступ­но­сти (го­су­дар­ст­вен­ной, во­ин­ской, транс­на­цио­наль­ной и иной) мы бу­дем, 86.46kb.
• Лек­ция по те­ме № Ус­ло­вия кон­крет­но­го пре­сту­п­ле­ния, 298.33kb.
• Расписание занятий на цикле сертификационного усовершенствования для интернов, 88.88kb.
• Министерство образования Российской Федерации Ми­ни­стер­ство путей сообщения Рос­сий­ской, 653.58kb.
• Министерство образования Российской Федерации Ми­ни­стер­ство путей сообщения Рос­сий­ской, 657.68kb.
• Об­щая ха­рак­те­ри­сти­ка ра­бо­ты Ак­ту­аль­ность те­мы, 398.26kb.
• Рекомендации по организации профилактической работы, направленной на предупреждение, 1352.37kb.
• История исторической науки, 496.22kb.
• Министерство здравоохранения и социального развития Российской Федерации Государственное, 408.11kb.

За­да­ча­ми дис­ци­п­ли­ны яв­ля­ют­ся:

• фор­ми­ро­ва­ние спе­ци­аль­ных фи­зи­че­ских, ма­те­ма­ти­че­ских, тео­ре­ти­че­ских и прак­ти­че­ских зна­ний, ко­то­рые обес­пе­чи­ли бы воз­мож­ность по­ни­мать и ана­ли­зи­ро­вать про­цес­сы в ра­дио­элек­трон­ных це­пях сис­тем об­ра­бот­ки ин­фор­ма­ции;
  
• обу­че­ние ос­но­вам эле­мент­ной ба­зы по­лу­про­вод­ни­ко­вой элек­тро­ни­ки, схе­мо­тех­ни­ки элек­трон­ных ана­ло­го­вых уст­ройств, схе­мо­тех­ни­ки элек­трон­ных циф­ро­вых уст­ройств, схе­мо­тех­ни­ки сме­шан­ных ана­ло­го­во-циф­ро­вых уст­ройств, уст­ройств ото­бра­же­ния ин­фор­ма­ции;
  
• при­ви­тие на­вы­ков в ис­поль­зо­ва­нии ме­то­дов ана­ли­за ба­зо­вых эле­мен­тов и мик­ро­элек­трон­ных уст­ройств, при­ме­няе­мых в сис­те­мах пе­ре­да­чи и об­ра­бот­ки ин­фор­ма­ции;
  
• при­об­ре­те­ние опы­та ис­поль­зо­ва­ния эле­мент­ной ба­зы ра­дио­элек­трон­ной ап­па­ра­ту­ры;
  
• фор­ми­ро­ва­ние спо­соб­но­сти к са­мо­стоя­тель­но­му и ини­циа­тив­но­му ре­ше­нию тех­ни­че­ских про­блем.
  

2. Ме­сто дис­ци­п­ли­ны в струк­ту­ре ООП:

Учеб­ная дис­ци­п­ли­на «Элек­тро­ни­ка и схе­мо­тех­ни­ка» от­но­сит­ся к об­лас­ти зна­ний о со­вре­мен­ных ба­зо­вых ра­дио­элек­трон­ных эле­мен­тах и мик­ро­элек­трон­ных уст­рой­ст­вах и яв­ля­ет­ся обя­за­тель­ной об­ще­про­фес­сио­наль­ной дис­ци­п­ли­ной в сис­те­ме выс­ше­го об­ра­зо­ва­ния. Дис­ци­п­ли­на «Элек­тро­ни­ка и схе­мо­тех­ни­ка»- од­на из ос­нов­ных со­став­ляю­щих при­клад­ной под­го­тов­ки спе­циа­ли­стов в об­лас­ти обес­пе­че­ния безо­пас­но­сти те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ных уст­ройств.

Изу­че­ние дис­ци­п­ли­ны «Элек­тро­ни­ка и схе­мо­тех­ни­ка» ба­зи­ру­ет­ся на сле­дую­щих дис­ци­п­ли­нах: «Фи­зи­ка», «Ма­те­ма­ти­че­ский ана­лиз», «Ин­фор­ма­ти­ка».

Про­цесс изу­че­ния дис­ци­п­ли­ны «Элек­тро­ни­ка и схе­мо­тех­ни­ка» опи­ра­ет­ся на фор­ми­руе­мые в вы­ше­ука­зан­ных дис­ци­п­ли­нах ком­пе­тен­ций:

В ре­зуль­та­те изу­че­ния этих дис­ци­п­лин сту­дент дол­жен

знать:

• ос­нов­ные за­ко­ны элек­три­че­ст­ва и маг­не­тиз­ма;
  
• ос­но­вы тео­рии ко­ле­ба­ний и волн, оп­ти­ки;
  
• ос­но­вы кван­то­вой фи­зи­ки и фи­зи­ки твёр­до­го те­ла;
  
• ос­нов­ные по­ло­же­ния тео­рии пре­де­лов функ­ций, тео­рии чи­сло­вых и функ­цио­наль­ных ря­дов;
  
• ос­нов­ные по­ня­тия ин­фор­ма­ти­ки;
  

уметь:

• стро­ить ма­те­ма­ти­че­ские мо­де­ли фи­зи­че­ских яв­ле­ний и про­цес­сов;
  
• оп­ре­де­лять воз­мож­но­сти при­ме­не­ния тео­ре­ти­че­ских по­ло­же­ний и ме­то­дов ма­те­ма­ти­че­ско­го ана­ли­за для по­ста­нов­ки и ре­ше­ния кон­крет­ных при­клад­ных за­дач;
  
• ра­бо­тать с про­грамм­ны­ми сред­ст­ва­ми об­ще­го на­зна­че­ния.
  

Дис­ци­п­ли­на «Элек­тро­ни­ка и схе­мо­тех­ни­ка» обес­пе­чи­ва­ет изу­че­ние сле­дую­щих дис­ци­п­лин: «Се­ти и сис­те­мы пе­ре­да­чи ин­фор­ма­ции», «Безо­пас­ность жиз­не­дея­тель­но­сти».


3. Тре­бо­ва­ния к ре­зуль­та­там ос­вое­ния дис­ци­п­ли­ны:

Про­цесс изу­че­ния дис­ци­п­ли­ны «Элек­тро­ни­ка и схе­мо­тех­ни­ка» на­прав­лен на фор­ми­ро­ва­ние сле­дую­щих ком­пе­тен­ций:

про­фес­сио­наль­ных ком­пе­тен­ций (ПК):

об­ще­про­фес­сио­наль­ных:

• спо­соб­но­стью вы­яв­лять ес­те­ст­вен­но­на­уч­ную сущ­ность про­блем, воз­ни­каю­щих в хо­де про­фес­сио­наль­ной дея­тель­но­сти, и при­ме­нять со­от­вет­ст­вую­щий фи­зи­ко-ма­те­ма­ти­че­ский ап­па­рат для их фор­ма­ли­за­ции, ана­ли­за и вы­ра­бот­ки ре­ше­ния (ПК-1);
  

по ви­дам дея­тель­но­сти:

в на­уч­но-ис­сле­до­ва­тель­ской дея­тель­но­сти:

• спо­соб­но­стью осу­ще­ст­в­лять под­бор, изу­че­ние, ана­лиз и обоб­ще­ние на­уч­но-тех­ни­че­ской ин­фор­ма­ции, нор­ма­тив­ных и ме­то­ди­че­ских ма­те­риа­лов по ме­то­дам обес­пе­че­ния ин­фор­ма­ци­он­ной безо­пас­но­сти те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ных сис­тем (ПК-11);
  
• спо­соб­но­стью оце­ни­вать тех­ни­че­ские воз­мож­но­сти и вы­ра­ба­ты­вать ре­ко­мен­да­ции по по­строе­нию сис­тем и се­тей пе­ре­да­чи ин­фор­ма­ции об­ще­го и спе­ци­аль­но­го на­зна­че­ния (ПК-17);
  

в про­ект­ной дея­тель­но­сти:

• спо­соб­но­стью осу­ще­ст­в­лять ра­цио­наль­ный вы­бор эле­мент­ной ба­зы обес­пе­че­ния ин­фор­ма­ци­он­ной безо­пас­но­сти те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ных сис­тем и их уст­ройств (ПК-22);
  

в кон­троль­но-ана­ли­ти­че­ской дея­тель­но­сти:

• спо­соб­но­стью про­во­дить на­уч­но-ис­сле­до­ва­тель­ские ра­бо­ты при ат­те­ста­ции сис­те­мы за­щи­ты ин­фор­ма­ции с уче­том тре­бо­ва­ний к обес­пе­че­нию ин­фор­ма­ци­он­ной безо­пас­но­сти (ПК-23);
  

в ор­га­ни­за­ци­он­но-управ­лен­че­ской дея­тель­но­сти:

• спо­соб­но­стью раз­ра­ба­ты­вать пред­ло­же­ния по со­вер­шен­ст­во­ва­нию сис­те­мы управ­ле­ния ин­фор­ма­ци­он­ной безо­пас­но­стью те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ной сис­те­мы (ПК-28);
  

в экс­плуа­та­ци­он­ной дея­тель­но­сти:

• спо­соб­но­стью при­ни­мать уча­стие в экс­плуа­та­ции сис­те­мы обес­пе­че­ния ин­фор­ма­ци­он­ной безо­пас­но­сти те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ных сис­тем (ПК-32);
  
• спо­соб­но­стью оп­ре­де­лять тех­ни­че­ские ха­рак­те­ри­сти­ки те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ных сис­тем (ПК-33).
  

В ре­зуль­та­те изу­че­ния дис­ци­п­ли­ны сту­дент дол­жен:

Знать:

– со­вре­мен­ную эле­мент­ную ба­зу те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ных сис­тем;

Уметь:

- осу­ще­ст­в­лять пра­виль­ный вы­бор эле­мент­ной ба­зы при раз­ра­бот­ке и по­строе­нии уст­ройств те­ле­ком­му­ни­ка­ции, ра­дио- и элек­тро­тех­ни­ки;

Вла­деть:

– на­вы­ка­ми рас­че­та па­ра­мет­ров эле­мен­тов ра­дио­тех­ни­че­ских це­пей.

4. Объ­ем дис­ци­п­ли­ны и ви­ды учеб­ной ра­бо­ты

Вид учеб­ной ра­бо­ты	Все­го ча­сов / за­чет­ных еди­ниц/	Се­ме­ст­ры
4	5
Ау­ди­тор­ные за­ня­тия (все­го)	150	92	58
В том чис­ле:
Лек­ции	96	58	38
Прак­ти­че­ские за­ня­тия (ПЗ)	36	24	12
Кон­троль­ная ра­бо­та	4	2	2
Се­ми­на­ры (С)
Ла­бо­ра­тор­ные ра­бо­ты (ЛР)	14	8	6
Са­мо­стоя­тель­ная ра­бо­та (все­го)	100	34	66
В том чис­ле:
Кур­со­вой про­ект (ра­бо­та)	40		40
Рас­чет­но-гра­фи­че­ские ра­бо­ты
До­маш­нее за­да­ние
Ре­фе­рат
Дру­гие ви­ды са­мо­стоя­тель­ной ра­бо­ты	60	34	26
Вид про­ме­жу­точ­ной ат­те­ста­ции (за­чет, эк­за­мен)	38	За­чет(2)	Эк­за­мен(36)
Об­щая тру­до­ем­кость ча­сы за­чет­ные еди­ни­цы	288
8

5. Со­дер­жа­ние дис­ци­п­ли­ны

5.1. Со­дер­жа­ние раз­де­лов дис­ци­п­ли­ны

Раз­дел 1. Вве­де­ние

Пред­мет изу­че­ния дис­ци­п­ли­ны «Элек­тро­ни­ка и схе­мо­тех­ни­ка». Эта­пы раз­ви­тия элек­тро­ни­ки. По­лу­про­вод­ни­ко­вая элек­тро­ни­ка, мик­ро­элек­тро­ни­ка и на­но­элек­тро­ни­ка.

Раз­дел 2. Эле­мент­ная ба­за по­лу­про­вод­ни­ко­вой элек­тро­ни­ки

2.1. Свой­ст­ва по­лу­про­вод­ни­ков

Соб­ст­вен­ные и при­мес­ные по­лу­про­вод­ни­ки. По­лу­че­ние при­мес­ных по­лу­про­вод­ни­ков p и n – ти­па. Фи­зи­че­ские про­цесс в p - n пе­ре­хо­де. Ем­ко­сти p - n пе­ре­хо­да. Влия­ние тем­пе­ра­ту­ры на па­ра­мет­ры p - n пе­ре­хо­да. ВАХ при пря­мом и об­рат­ном сме­ше­нии, про­бои p - n пе­ре­хо­да. Ти­пы пе­ре­хо­дов.

2.2. По­лу­про­вод­ни­ко­вые дио­ды

Раз­но­вид­но­сти дио­дов: вы­пря­ми­тель­ные, ста­би­ли­тро­ны, ва­ри­ка­пы, им­пульс­ные, СВЧ дио­ды, фо­то и све­то­дио­ды. Дио­ды с от­ри­ца­тель­ным диф­фе­рен­ци­аль­ным со­про­тив­ле­ни­ем: тун­нель­ный ди­од и ла­вин­но-про­лет­ный ди­од. Осо­бен­но­сти не­ли­ней­ных уча­ст­ков ВАХ. Эк­ви­ва­лент­ные схе­мы дио­дов. При­ме­ры ис­поль­зо­ва­ния дио­дов и кон­ст­рук­тив­ные осо­бен­но­сти раз­но­вид­но­стей дио­дов.

2.3. Би­по­ляр­ные тран­зи­сто­ры

Струк­ту­ра, прин­цип ра­бо­ты и кон­ст­рук­ция би­по­ляр­но­го тран­зи­сто­ра. Раз­но­вид­но­сти би­по­ляр­ных тран­зи­сто­ров и их кон­ст­рук­тив­ные осо­бен­но­сти. Схе­мы вклю­че­ния, ста­ти­че­ские ВАХ. Диф­фе­рен­ци­аль­ные па­ра­мет­ры (Y и H) и их за­ви­си­мо­сти от ре­жи­мов ра­бо­ты тран­зи­сто­ра по по­сто­ян­но­му то­ку и от час­то­ты. Эк­ви­ва­лент­ная схе­ма Джиа­ко­лет­то. Рас­чет диф­фе­рен­ци­аль­ных па­ра­мет­ров по спра­воч­ным дан­ным. Пре­дель­ные ра­бо­чие час­то­ты f_Т, f_β, f_α. Ма­те­ма­ти­че­ская мо­дель тран­зи­сто­ра. Эк­ви­ва­лент­ные схе­мы тран­зи­сто­ра: тран­зи­стор, как ак­тив­ный че­ты­рех­по­люс­ник. Фи­зи­че­ская эк­ви­ва­лент­ная схе­ма тран­зи­сто­ра. Влия­ние тем­пе­ра­ту­ры, пре­дель­ные ре­жи­мы экс­плуа­та­ции, осо­бен­но­сти ра­бо­ты и кон­ст­рук­ции тран­зи­сто­ров СВЧ диа­па­зо­на. Ла­вин­ные тран­зи­сто­ры.

2.4. По­ле­вые тран­зи­сто­ры

Струк­ту­ра, прин­цип ра­бо­ты и кон­ст­рук­ция по­ле­во­го тран­зи­сто­ра с p - n пе­ре­хо­дом. ВАХ, диф­фе­рен­ци­аль­ные па­ра­мет­ры. Ин­вер­сия элек­тро­про­вод­но­сти по­лу­про­вод­ни­ка в МДП-струк­ту­ре. По­ле­вой тран­зи­стор с изо­ли­ро­ван­ным за­тво­ром – МДП (МОП) – тран­зи­стор: струк­ту­ра, прин­цип ра­бо­ты и кон­ст­рук­ция. Схе­мы вклю­че­ния по­ле­вых тран­зи­сто­ров, ВАХ и диф­фе­рен­ци­аль­ные па­ра­мет­ры. Эк­ви­ва­лент­ные схе­мы тран­зи­сто­ра. Раз­но­вид­но­сти по­ле­вых тран­зи­сто­ров и их кон­ст­рук­тор­ско-тех­но­ло­ги­че­ские осо­бен­но­сти.

2.5. Управ­ляе­мые элек­трон­ные пе­ре­клю­ча­те­ли

Ти­ри­сто­ры. Струк­ту­ра и прин­цип ра­бо­ты. Раз­но­вид­но­сти ти­ри­сто­ров и спо­со­бы вклю­че­ния. Ос­нов­ные ха­рак­те­ри­сти­ки и па­ра­мет­ры. Би­по­ляр­ные тран­зи­сто­ры с изо­ли­ро­ван­ным за­тво­ром. Струк­ту­ра прин­цип ра­бо­ты и спо­со­бы вклю­че­ния. Ос­нов­ные ха­рак­те­ри­сти­ки и па­ра­мет­ры.

2.6. Ин­те­граль­ные схе­мы (ИС)

Ос­нов­ные ви­ды ИС. Тех­но­ло­гия из­го­тов­ле­ния ИС. Со­вре­мен­ные ме­то­ды рас­че­та элек­трон­ных схем. Про­грам­мы схе­мо­тех­ни­че­ско­го мо­де­ли­ро­ва­ния.

Раз­дел 3. Схе­мо­тех­ни­ка элек­трон­ных ана­ло­го­вых уст­ройств

3.1. Уси­ли­те­ли элек­три­че­ских сиг­на­лов

Ос­нов­ные па­ра­мет­ры и ха­рак­те­ри­сти­ки уси­ли­те­лей. АЧХ, ФЧХ и вре­мен­ные ха­рак­те­ри­сти­ки уси­ли­те­лей. Клас­си­фи­ка­ция уси­ли­те­лей.

3.2. Об­рат­ные свя­зи в уси­ли­те­лях

Ви­ды от­ри­ца­тель­ной и по­ло­жи­тель­ной об­рат­ных свя­зей и влия­ние об­рат­ной свя­зи на ха­рак­те­ри­сти­ки уси­ли­те­лей. Ус­ло­вия для соз­да­ния ге­не­ра­то­ра.

3.3. Уси­ли­тель­ные кас­ка­ды на би­по­ляр­ных тран­зи­сто­рах

Вы­бор ра­бо­чей точ­ки на ВАХ тран­зи­сто­ра и её схе­мо­тех­ни­че­ское обес­пе­че­ние. Тер­мо­ста­би­ли­за­ция ра­бо­чей точ­ки, тер­мо­ком­пен­са­ция. Схе­ма уси­ли­те­ля на тран­зи­сто­ре, вклю­чен­ном с ОЭ. Эк­ви­ва­лент­ная схе­ма по пе­ре­мен­но­му то­ку, ко­эф­фи­ци­ент уси­ле­ния и его за­ви­си­мость от час­то­ты, АЧХ. Кор­рек­ция АЧХ в об­лас­ти ниж­них и верх­них час­тот. Осо­бен­но­сти уси­ли­те­лей на тран­зи­сто­рах, вклю­чен­ных с ОБ и ОК. Рас­чет схем по по­сто­ян­но­му и пе­ре­мен­но­му то­кам.

3.4 Уси­ли­тель­ные кас­ка­ды на по­ле­вых тран­зи­сто­рах

Вы­бор ра­бо­чей точ­ки на ВАХ по­ле­вых тран­зи­сто­ров и её схе­мо­тех­ни­че­ское обес­пе­че­ние. Уси­ли­тель­ный кас­кад на тран­зи­сто­ре, вклю­чен­ном с ОИ. Срав­не­ние его свойств с кас­ка­дом на би­по­ляр­ном тран­зи­сто­ре, вклю­чен­ном с ОЭ. Уси­ли­те­ли на по­ле­вых тран­зи­сто­рах, вклю­чен­ных с ОЗ и ОС.

3.5. Мно­го­кас­кад­ные уси­ли­те­ли

Ви­ды свя­зей ме­ж­ду кас­ка­да­ми. Уси­ли­те­ли с RC – свя­зью. Ана­лиз час­тот­ных и вре­мен­ных ис­ка­же­ний. Рас­чет мно­го­кас­кад­но­го уси­ли­те­ля по за­дан­но­му ко­эф­фи­ци­ен­ту уси­ле­ния и по­ло­се про­пус­ка­ния (им­пульс­ной ха­рак­те­ри­сти­ке).

Апе­рио­ди­че­ский уси­ли­тель – уси­ли­тель им­пульс­ных сиг­на­лов. При­чи­ны ис­ка­же­ния фор­мы им­пуль­са. Пе­ре­ход­ная ха­рак­те­ри­сти­ка, её связь с АЧХ. Кор­рек­ция пе­ре­ход­ных ха­рак­те­ри­стик в об­лас­ти ма­лых и боль­ших вре­мен.

3.6. Уси­ли­те­ли мощ­но­сти

Ре­жим по­коя уси­ли­те­ля, ра­бо­чая точ­ка. Гра­фо-ана­ли­ти­че­ский рас­чет уси­ли­те­ля мощ­но­сти. Клас­сы уси­ле­ния: А, В, АВ, С, Д. Угол от­сеч­ки и К.П.Д. Не­до­нап­ря­жен­ный, пе­ре­на­пря­жен­ный, кри­ти­че­ский ре­жи­мы. Спо­со­бы за­да­ния ра­бо­чей точ­ки уси­ли­те­ля. Бес­транс­фор­ма­тор­ные уси­ли­те­ли мощ­но­сти. Бус­тер то­ка и на­пря­же­ния. Тем­пе­ра­тур­ная ста­би­ли­за­ция и тер­мо­ком­пен­са­ция уси­ли­те­ля. Уси­ли­тель мощ­но­сти на ком­пле­мен­тар­ных тран­зи­сто­рах.

3.7. Уси­ли­те­ли по­сто­ян­но­го то­ка (УПТ)

Дрейф ну­ля в УПТ, спо­со­бы умень­ше­ния дрей­фа. Ба­ланс­ные и не­ба­ланс­ные уси­ли­те­ли. Диф­фе­рен­ци­аль­ный уси­ли­тель (ДУ). Ос­нов­ные тре­бо­ва­ния к ДУ. ДУ с ге­не­ра­то­ром ста­биль­но­го то­ка и его пе­ре­да­точ­ная ха­рак­те­ри­сти­ка. Ре­ак­ция ДУ на син­фаз­ные и диф­фе­рен­ци­аль­ные сиг­на­лы.

3.8. Опе­ра­ци­он­ный уси­ли­тель (ОУ)

Па­ра­мет­ры ОУ. Схе­мо­тех­ни­ка. ОУ раз­лич­ных по­ко­ле­ний. Функ­цио­наль­ные на­бо­ры ОУ в рас­про­стра­нен­ных се­ри­ях ИС. Уси­ли­тель­ные кас­ка­ды на ОУ. Уси­ли­те­ли по­сто­ян­но­го и пе­ре­мен­но­го то­ка. Эк­ви­ва­лент­ные схе­мы. Па­ра­мет­ры.

Схе­мы сум­ми­ро­ва­ния, ин­тег­ри­ро­ва­ния, диф­фе­рен­ци­ро­ва­ния, ло­га­риф­ми­ро­ва­ния, пе­ре­мно­же­ния сиг­на­лов на ос­но­ве ОУ. Ин­те­граль­ные ана­ло­го­вые пе­ре­мно­жи­те­ли и их ос­нов­ные при­ме­не­ния. Схе­мы управ­ляе­мых ис­точ­ни­ков то­ка и на­пря­же­ния, схе­мы функ­цио­наль­но­го пре­об­ра­зо­ва­ния сиг­на­лов. Схе­мы час­тот­ной фильт­ра­ции сиг­на­лов: ак­тив­ные фильт­ры, ги­ра­то­ры, син­хрон­ные фильт­ры.

3.9. Ис­точ­ни­ки вто­рич­но­го элек­тро­пи­та­ния (ИВЭП)

Струк­тур­ная схе­ма ИВЭП. Схе­ма мос­то­во­го вы­пря­ми­те­ля. Схе­мы ин­вер­то­ра и кон­вер­то­ра. Схе­ма па­ра­мет­ри­че­ско­го и ком­пен­са­ци­он­но­го ста­би­ли­за­то­ра.

Раз­дел 4. Схе­мо­тех­ни­ка элек­трон­ных циф­ро­вых уст­ройств

4.1. Клю­чи на би­по­ляр­ных и по­ле­вых тран­зи­сто­рах

Ста­ти­че­ские и ди­на­ми­че­ские ха­рак­те­ри­сти­ки клю­ча. Спо­со­бы по­вы­ше­ния бы­ст­ро­дей­ст­вия.

4.2. Ба­зо­вые схе­мы ло­ги­че­ских эле­мен­тов (ЛЭ)

Ба­зо­вые схе­мы ТТЛ, ЭСЛ, МДП и КМДП ло­гик. Вы­ход­ные уров­ни ло­ги­че­ских «0» и «1». Бы­ст­ро­дей­ст­вие, сте­пень ин­те­гра­ции.

4.3. Триг­ге­ры.

Син­хрон­ные и асин­хрон­ные, од­но­такт­ные и двух­такт­ные триг­ге­ры RS, D, T, JK. Схе­мо­тех­ни­ка, па­ра­мет­ры, об­лас­ти при­ме­не­ния.

4.4. Ре­ги­ст­ры па­мя­ти и сдви­га

Ре­ги­ст­ры па­мя­ти, сдви­го­вые ре­ги­ст­ры со сдви­гом впра­во, вле­во, ре­вер­сив­ные. Схе­мо­тех­ни­ка, об­лас­ти при­ме­не­ния.

4.5. Счет­чи­ки им­пуль­сов

Счет­чи­ки сум­ми­рую­щие, вы­чи­таю­щие, ре­вер­сив­ные; с по­сле­до­ва­тель­ным и па­рал­лель­ным пе­ре­но­сом; дво­ич­ные, с про­из­воль­ным ко­эф­фи­ци­ен­том сче­та, дво­ич­но-де­ся­тич­ные; счет­чи­ки коль­це­вые и счет­чи­ки Джон­со­на.

4.6. Ком­би­на­ци­он­ные ло­ги­че­ские эле­мен­ты в со­ста­ве се­рий ИС.

И-НЕ, ИЛИ-НЕ, И-ИЛИ-НЕ, шин­ные фор­ми­ро­ва­те­ли, шиф­ра­то­ры, де­шиф­ра­то­ры, муль­ти­п­лек­со­ры, пре­об­ра­зо­ва­те­ли ко­дов. Про­грам­ми­руе­мые ло­ги­че­ские мат­ри­цы (ПЛМ) и про­грам­ми­руе­мые ло­ги­че­ские ин­те­граль­ные схе­мы (ПЛИС).

4.7. Фор­ми­ро­ва­те­ли им­пуль­сов

Фор­ми­ро­ва­те­ли им­пуль­сов на соб­ст­вен­ных за­держ­ках и с RC це­поч­кой, ин­те­граль­ные ком­па­ра­то­ры, триг­ге­ры Шмит­та.

4.8.Муль­ти­виб­ра­то­ры

Жду­щие и ав­то­ко­ле­ба­тель­ные муль­ти­виб­ра­то­ры на ло­ги­че­ских эле­мен­тах и ОУ. Фак­то­ры, влияю­щие на ста­биль­ность па­ра­мет­ров и ме­то­ды ста­би­ли­за­ции. Муль­ти­виб­ра­то­ры в со­ста­ве се­рий ИС.

Раз­дел 5. Схе­мо­тех­ни­ка сме­шан­ных ана­ло­го­во-циф­ро­вых уст­ройств

5.1. Ана­ло­го­вые клю­чи и муль­ти­п­лек­со­ры

Ана­ло­го­вые клю­чи на би­по­ляр­ных, по­ле­вых и ком­пле­мен­тар­ных МОП тран­зи­сто­рах. Ин­те­граль­ные ана­ло­го­вые клю­чи и муль­ти­п­лек­со­ры.

5.2. Циф­ро-ана­ло­го­вые пре­об­ра­зо­ва­те­ли (ЦАП)

ЦАП с ве­со­вы­ми со­про­тив­ле­ния­ми. ЦАП с ре­зи­стив­ной мат­ри­цей R-2R, ос­нов­ные па­ра­мет­ры. Ин­те­граль­ные ЦАП.

5.3. Ана­ло­го­во-циф­ро­вые пре­об­ра­зо­ва­те­ли (АЦП)

Па­ра­мет­ры. Раз­но­вид­но­сти АЦП в ин­те­граль­ном ис­пол­не­нии. Бы­ст­ро­дей­ст­вую­щие па­рал­лель­ные АЦП, сле­дя­щие АЦП, уни­вер­саль­ные АЦП с по­раз­ряд­ным урав­но­ве­ши­ва­ни­ем, вы­со­ко­точ­ный АЦП с двой­ным ин­тег­ри­ро­ва­ни­ем, АЦП кос­вен­но­го пре­об­ра­зо­ва­ния.

5.4.  Ге­не­ра­то­ры ли­ней­но-из­ме­няю­ще­го­ся на­пря­же­ния

Спо­со­бы ли­неа­ри­за­ции то­ка за­ря­да и раз­ря­да кон­ден­са­то­ра. Ге­не­ра­то­ры ли­ней­но из­ме­няю­ще­го­ся на­пря­же­ния (ГЛИН) со ста­би­ли­за­то­ра­ми то­ка. Ком­пен­са­ци­он­ные ГЛИН с по­ло­жи­тель­ной и от­ри­ца­тель­ной об­рат­ной свя­зью. ГЛИН на ОУ.

Раз­дел 6. Уст­рой­ст­ва ото­бра­же­ния ин­фор­ма­ции

6.1. Уст­рой­ст­ва ото­бра­же­ния сим­воль­ной ин­фор­ма­ции

Га­зо­раз­ряд­ные, све­то­ди­од­ные, жид­кок­ри­стал­ли­че­ские (ЖК), элек­тро­лю­ми­нес­цент­ные. Схе­мы управ­ле­ния ста­ти­че­ско­го и ди­на­ми­че­ско­го ти­па мно­го­раз­ряд­ны­ми циф­ро­вы­ми ин­ди­ка­то­ра­ми.

6.2. Уст­рой­ст­ва ото­бра­же­ния гра­фи­че­ской ин­фор­ма­ци­ей

Элек­трон­но-лу­че­вые труб­ки, мат­рич­ные ЖК и плаз­мен­ные па­не­ли.

Раз­дел 7. За­клю­че­ние

Тен­ден­ции раз­ви­тия эле­мент­ной ба­зы РЭА. Мик­ро­про­цес­со­ры, про­грам­ми­руе­мые ло­ги­че­ские ин­те­граль­ные схе­мы (ПЛИС), твер­до­тель­ная элек­тро­ни­ка СВЧ диа­па­зо­на, оп­то­элек­тро­ни­ка, аку­сто­элек­тро­ни­ка, сверх­про­во­дя­щая элек­тро­ни­ка, на­но­элек­тро­ни­ка.


5.2 Раз­де­лы дис­ци­п­ли­ны и меж­дис­ци­п­ли­нар­ные свя­зи с обес­пе­чи­вае­мы­ми (по­сле­дую­щи­ми) дис­ци­п­ли­на­ми

№ п/п	На­име­но­ва­ние обес­пе­чи­вае­мых (по­сле­дую­щих) дис­ци­п­лин	№ № раз­де­лов дан­ной дис­ци­п­ли­ны, не­об­хо­ди­мых для изу­че­ния обес­пе­чи­вае­мых (по­сле­дую­щих) дис­ци­п­лин
1	2	3	4	5	6	7
	Се­ти и сис­те­мы пе­ре­да­чи ин­фор­ма­ции	+	+	+	+	+	+	+
	Безо­пас­ность жиз­не­дея­тель­но­сти.	+	+	+	+	+	+	+

5.3. Раз­де­лы дис­ци­п­лин и ви­ды за­ня­тий

№ п/п	Раз­дел дис­ци­п­ли­ны	Лек­ции	ПЗ	ЛР	С	СР	Все­го
1	Вве­де­ние	2					2
2	Эле­мент­ная ба­за по­лу­про­вод­ни­ко­вой элек­тро­ни­ки.	22	10	4		15	51
3	Схе­мо­тех­ни­ка элек­трон­ных ана­ло­го­вых уст­ройств.	24	8	2		15	49
4	Схе­мо­тех­ни­ка элек­трон­ных циф­ро­вых уст­ройств.	24	8	4		15	51
5	Схе­мо­тех­ни­ка сме­шан­ных ана­ло­го­во-циф­ро­вых уст­ройств	14	10	4		8	36
6	Уст­рой­ст­ва ото­бра­же­ния ин­фор­ма­ции	8				7	15
7	За­клю­че­ние	2					2

6. Ла­бо­ра­тор­ный прак­ти­кум

№ п/п	№ раз­де­ла (те­мы) дис­ци­п­ли­ны	На­име­но­ва­ние ла­бо­ра­тор­ных ра­бот	Тру­до­ем­кость (ча­сы)
1	2. По­лу­про­вод­ни­ко­вые при­бо­ры	Ис­сле­до­ва­ние ха­рак­те­ри­стик дио­дов. Ис­сле­до­ва­ние ха­рак­те­ри­стик тран­зи­сто­ров.	2 ч 2 ч
2	3. Схе­мо­тех­ни­ка элек­трон­ных ана­ло­го­вых уст­ройств	Ис­сле­до­ва­ние опе­ра­ци­он­но­го уси­ли­те­ля и уст­ройств на нем.	2 ч
3	4. Схе­мо­тех­ни­ка элек­трон­ных циф­ро­вых уст­ройств	Ис­сле­до­ва­ние ба­зо­вых ло­ги­че­ских эле­мен­тов. Ис­сле­до­ва­ние триг­ге­ров.	2 ч 2 ч
4	5. Схе­мо­тех­ни­ка сме­шан­ных ана­ло­го­во-циф­ро­вых уст­ройств	Ис­сле­до­ва­ние ЦАП. Ис­сле­до­ва­ние АЦП	2 ч 2 ч

7. При­мер­ная те­ма­ти­ка кур­со­вых ра­бот

В ка­че­ст­ве те­мы кур­со­вой ра­бо­ты пред­ла­га­ет­ся мно­го­ва­ри­ант­ное за­да­ние: «Апе­рио­ди­че­ский уси­ли­тель на тран­зи­сто­рах».

В про­цес­се вы­пол­не­ния тре­бу­ет­ся раз­ра­бо­тать схе­му мно­го­кас­кад­но­го уси­ли­те­ля, про­вес­ти элек­три­че­ский рас­чет и ком­пь­ю­тер­ное мо­де­ли­ро­ва­ние ос­нов­ных уз­лов схе­мы.

При вы­пол­не­нии кур­со­вой ра­бо­ты не­об­хо­ди­мо вла­деть все­ми воз­мож­но­стя­ми про­грам­мы схе­мо­тех­ни­че­ско­го мо­де­ли­ро­ва­ния; уметь изо­бра­зить элек­трон­ную схе­му, про­вес­ти оце­ноч­ный рас­чет, от­ла­дить функ­цио­ни­ро­ва­ние, ис­сле­до­вать ре­жи­мы ра­бо­ты, оп­ти­ми­зи­ро­вать па­ра­мет­ры и вы­пол­нить тех­ни­че­ский от­чет по раз­ра­бот­ке.

Ка­ж­дый раз­дел кур­со­вой ра­бо­ты це­ле­со­об­раз­но стро­ить в сле­дую­щей фор­ме:

• по­ста­нов­ка за­да­чи;
  
• про­ек­ти­ро­ва­ние схе­мы,
  
• оце­ноч­ный (руч­ной) рас­чет,
  
• ре­зуль­та­ты ис­сле­до­ва­ния на ком­пь­ю­те­ре,
  
• вы­во­ды.
  

8. Учеб­но-ме­то­ди­че­ское и ин­фор­ма­ци­он­ное обес­пе­че­ние дис­ци­п­ли­ны:

а) ос­нов­ная ли­те­ра­ту­ра

1. Игум­нов Д.В., Кос­тю­ни­на Г.П. Ос­но­вы по­лу­про­вод­ни­ко­вой элек­тро­ни­ки – М: Го­ря­чая ли­ния-Те­ле­ком, 2005. – 392 с.: ил.

2. Ку­чу­мов А.И. Элек­тро­ни­ка и схе­мо­тех­ни­ка. – М: «Ге­ли­ос АРВ», 2005. – 304 с.: ил.

б) до­пол­ни­тель­ная ли­те­ра­ту­ра

1. Гу­ме­нюк А.Д., Жу­рав­лев В.И., Мар­тю­шев Ю.Ю. и др. Ос­но­вы элек­тро­ни­ки, ра­дио­тех­ни­ки и свя­зи Учеб­ное по­со­бие для ву­зов. Под ре­дак­ци­ей Г.Д.Пет­ру­хи­на. – М: Го­ря­чая ли­ния – Те­ле­ком, 2008. – 480 с.: ил.

в) про­грамм­ное обес­пе­че­ние

Про­грам­мы мо­де­ли­ро­ва­ния ра­дио­элек­трон­ных схем Electronics Workbench (v. 5.0 и вы­ше), uSpice () или дру­гие ана­ло­гич­ные про­грам­мы ма­шин­но­го ана­ли­за ли­ней­ных, не­ли­ней­ных, ана­ло­го­вых и циф­ро­вых уст­ройств.

г) ба­зы дан­ных, ин­фор­ма­ци­он­но-спра­воч­ные и по­ис­ко­вые сис­те­мы: нет


9. Ма­те­ри­аль­но-тех­ни­че­ское обес­пе­че­ние дис­ци­п­ли­ны:

Учеб­ная ла­бо­ра­то­рия ра­дио­элек­тро­ни­ки, обо­ру­до­ван­ная ком­плек­та­ми ЛКЭЛ-1 (по ка­та­ло­гу НТЦ «Вла­дис» или ана­ло­гич­ны­ми) и со­от­вет­ст­вую­щи­ми из­ме­ри­тель­ны­ми при­бо­ра­ми. Из рас­че­та од­но ра­бо­чее ме­сто на 2-х че­ло­век.

Ком­пь­ю­тер­ные клас­сы, обо­ру­до­ван­ные ПК c ус­та­нов­лен­ным про­грамм­ным обес­пе­че­ни­ем Windows XP/Vista/7, MS Office XP, Electronics Workbench. . Из рас­че­та один ПК на од­но­го че­ло­ве­ка. Ви­део­про­ек­тор.


10. Ме­то­ди­че­ские ре­ко­мен­да­ции по ор­га­ни­за­ции изу­че­ния дис­ци­п­ли­ны:

При­мер­ным учеб­ным пла­ном на изу­че­ние дис­ци­п­ли­ны от­во­дят­ся два се­ме­ст­ра. В ка­че­ст­ве ито­го­во­го кон­тро­ля пре­ду­смот­ре­ны за­чет и эк­за­мен. На под­го­тов­ку и сда­чу эк­за­ме­на в со­от­вет­ст­вии с учеб­ным пла­ном вы­де­ля­ет­ся 36 ча­сов. При изу­че­нии дис­ци­п­ли­ны вы­пол­ня­ет­ся кур­со­вая ра­бо­та (в пя­том се­ме­ст­ре). При изу­че­нии дис­ци­п­ли­ны про­во­дят­ся две кон­троль­ные ра­бо­ты (по ра­бо­те в ка­ж­дом се­ме­ст­ре). Кон­троль­ные ра­бо­ты, как пра­ви­ло, пла­ни­ру­ют­ся на се­ре­ди­ну се­ме­ст­ра по те­мам, изу­чен­ным к это­му вре­ме­ни.

При чте­нии лек­ций по всем те­мам про­грам­мы ре­ко­мен­ду­ет­ся тео­ре­ти­че­ский ма­те­ри­ал со­про­во­ж­дать при­ме­ра­ми из прак­ти­ки, что по­зво­ля­ет улуч­шить ус­вое­ние сту­ден­та­ми ма­те­риа­ла кур­са.

При пре­по­да­ва­нии дис­ци­п­ли­ны це­ле­со­об­раз­но в ка­ж­дом раз­де­ле дис­ци­п­ли­ны вы­де­лить наи­бо­лее важ­ные мо­мен­ты и ак­цен­ти­ро­вать на них вни­ма­ние обу­чае­мых:

• во вве­де­нии це­ле­со­об­раз­но от­ме­тить тен­ден­ции по­вы­ше­ния сте­пе­ни ин­те­гра­ции эле­мен­тов на кри­стал­ле и про­бле­мы воз­ни­каю­щие при этом;
  
• при изу­че­нии раз­де­ла ана­ло­го­вой элек­тро­ни­ки важ­но нау­чит­ся поль­зо­вать­ся спра­воч­ны­ми па­ра­мет­ра­ми раз­лич­ных из­да­ний, ори­ен­ти­ро­ван­ных на раз­лич­ные эк­ви­ва­лент­ные мо­де­ли при­бо­ра. На­при­мер, у би­по­ляр­ных тран­зи­сто­ров ис­поль­зу­ет­ся гра­фи­че­ское пред­став­ле­ние (вольт­ам­пер­ные ха­рак­те­ри­сти­ки), ма­ло­сиг­наль­ная сис­те­ма фи­зи­че­ских па­ра­мет­ров, Н-па­ра­мет­ров, па­ра­мет­ров PSpice мо­де­лей. Не­об­хо­ди­мо уметь поль­зо­вать­ся раз­но­род­ны­ми па­ра­мет­ра­ми и, при не­об­хо­ди­мо­сти, уметь пе­ре­счи­ты­вать эти па­ра­мет­ры в раз­ных мо­де­лях од­но­го и то­го же тран­зи­сто­ра.
  
• при рас­смот­ре­нии от­ри­ца­тель­ной об­рат­ной свя­зи (ООС) в уси­ли­те­лях важ­но пред­став­лять их влия­ние на ха­рак­те­ри­сти­ки уси­ли­те­лей и уметь прак­ти­че­ски реа­ли­зо­вать нуж­ный вид ООС в уси­ли­те­лях на тран­зи­сто­рах и ин­те­граль­ных схе­мах;
  
• при изу­че­нии раз­де­ла циф­ро­вой элек­тро­ни­ки не­об­хо­ди­мо иметь пред­став­ле­ние о функ­цио­наль­ном на­бо­ре стан­дарт­ных се­рий ин­те­граль­ных схем, их вы­пол­няе­мых функ­ци­ях и ти­по­вых вклю­че­ни­ях в элек­три­че­ских схе­мах;
  
• в раз­де­ле сме­шан­ных циф­ро-ана­ло­го­вых при­бо­ров сле­ду­ет об­ра­тить вни­ма­ние на во­про­сы элек­тро­маг­нит­ной со­вмес­ти­мо­сти ана­ло­го­вых и циф­ро­вых эле­мен­тов схе­мы;
  
• в раз­де­ле средств ото­бра­же­ния ин­фор­ма­ции сле­ду­ет под­черк­нуть дос­то­ин­ст­ва и не­дос­тат­ки су­ще­ст­вую­щих ти­пов ин­ди­ка­то­ров, что по­зво­лить оп­ти­маль­но вы­би­рать схе­му управ­ле­ния.
  

Ре­ко­мен­дуе­мый пе­ре­чень тем кон­троль­ных ра­бот:

• Элек­трон­ные уси­ли­те­ли.
  
• Ха­рак­те­ри­сти­ки по­лу­про­вод­ни­ко­вых при­бо­ров
  
• Ха­рак­те­ри­сти­ки элек­три­че­ских фильт­ров.