Список принятых докладов по секциям XXIV российской конференции по электронной микроскопии

Вид материалаДоклад
1 «Белмикросистемы», НПО «Интеграл», 220108 Минск, ул. Корженевского, 12, Беларусь
1НИТУ «МИСиС», Москва
2НПО НИИ «ЛУЧ», Подольск Московской обл.
1НИТУ «МИСиС», Москва
1) Физико-технологический институт РАН, Moсква, Россия
ИссЛЕДОВАНИЕ тонких углеродсодержащих пленок МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ и атомно-силовой МИКРОСКОПИИ
1. Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 630090, пр. Академи
30823, Garbsen, Germany
1Филиал МАИ «Стрела», 140180, г. Жуковский, Московская обл., ул. Жуковского ,8
Южно-Уральский государственный университет, Россия, 454080, г. Челябинск, пр. Ленина, 76
1 – Московский авиационный институт (государственный технический университет), 125993, г. Москва, А-80, ГСП-3, Волоколамское шос
ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИКИ СПЕКАНИЯ КОМПОЗИТНЫХ ПОКРЫТИЙ YSZ/Al
Исследование структуры поверхности И скола ПОРИСТЫХ катодов La
Исследование с помощью электронной микроскопии закономерностей изменения микроструктурного состояния никелевого суперсплава
3. Методы электронной дифракции и электронная кристаллография
1Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Москва, Ленинский пр., 59
СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОМАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК CdS
1) Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова
1Московский государственный технологический университет(МИТХТ), 119571, Москва, пр. Вернадского, 86
3Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Москва, Ленинский пр., 59
...
Полное содержание
Подобный материал:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   19

КОМПЛЕКСНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТИТАН-ПОЛИМЕРНОГО КОМПОЗИТА МЕТОДАМИ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОГО МИКРОАНАЛИЗА


А.Н. Петлицкий1, А.С. Турцевич1, С.В. Шведов1, В.В. Цыбульский1,

Л.А. Власукова2, Ф.Ф. Комаров2

1 «Белмикросистемы», НПО «Интеграл», 220108 Минск, ул. Корженевского, 12, Беларусь

2 Белгосуниверситет, 220030, Минск, проспект Независимости, 4, Беларусь


Влияние режимов обработки на структуру композитов с алюминиевой матрицей и наноалмазными упрочняющими частицами

Попов В.А.1, Зайцев В.А.2, Ковальчук М.Н.3

1НИТУ «МИСиС», Москва

2НПО НИИ «ЛУЧ», Подольск Московской обл.

3ИПТМ РАН, Черноголовка Московской обл.


Исследование структуры нанокомпозиционных покрытий, полученных электрохимическим способом

Попов В.А.1, Зайцев В.А.2, Чернов Б.Б.3, Ходос И.И.4

1НИТУ «МИСиС», Москва

2НПО НИИ «ЛУЧ», Подольск Московской обл.

3МГУ им. адм. Г.И.Невельского, г.Владивосток

4ИПТМ РАН, Черноголовка Московской обл.


Структурные особенности композитов с никелевой матрицей и наноалмазными упрочняющими частицами

Попов В.А.1, Зайцев В.А.2, Ходос И.И.3

1НИТУ «МИСиС», Москва

2НПО НИИ «ЛУЧ», Подольск Московской обл.

3ИПТМ РАН, Черноголовка Московской обл.


СТРУКТУРА И СВОЙСТВА КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ ЦИНКА, ПО ДАННЫМ АСМ, РЭМ и РФЭС

В.В. Привезенцев1), В.С. Куликаускас2), Д.В. Петров2), А.Н. Макунин2), П.Д.Черных2), А.Б.Путрик3), Ю.Ю. Лебединский4)

1) Физико-технологический институт РАН, Moсква, Россия

2)НИИЯФ им. Д.В. Скобельцина, МГУ им. М.В. Ломоносова, Moсква, Россия

3)УрФУ им. Б.Н.Ельцины, Екатеринбург, Россия

4)Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва, Россия


Исследование микрорельефа поверхности стали, подвергшейся абразивоструйной обработке дилатантными жидкостями, методами растровой электронной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии

Пупченков Г.С.*, Шкловер В.Я.**, Казанский П.Р.**

* Московский Государственный Университет Приборостроения и Информатики, 107966 Москва, ул.Стромынка, д.20
** ООО «Системы для микроскопии и анализа», 119333 Москва, Ленинский проспект д.59


ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ ПИРАМИДАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ Si(111)-(7х7)

Д. И. Рогило1, Л. И. Федина1, С. С. Косолобов1, А. В. Латышев1, B. Ranguelov2

1) ИФП СО РАН, Новосибирск, 630090, пр. Академика Лаврентьева, 13

2) Institute of Physical Chemistry, Bulgarian Academy of Sciences, 1113 Sofia, Bulgaria




ЭЛЕКТРОМИГРАЦИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА И СУБЛИМАЦИИ

Е.Е. Родякина1, С.С. Косолобов1, 2, А.В. Латышев1, 2

1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13

2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2



ИссЛЕДОВАНИЕ тонких углеродсодержащих пленок МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ и атомно-силовой МИКРОСКОПИИ

Д.М. Седловец, М.А. Князев, О.В. Трофимов, А.Н. Редькин, В.И. Корепанов.
Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН). 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Институтская, д.6.

АТОМНЫЕ СТУПЕНИ НА ВЫСОКООРИЕНТИРОВАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ (111) ПРИ СУБЛИМАЦИИ

С.В. Ситников1, C.C. Косолобов1,2, А.В. Латышев1,2


1. Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 630090, пр. Академика Лаврентьева, 13

2. Новосибирский Государственный Университет, Новосибирск, 630090, ул. Пирогова, 2

СТРОЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ ИНСТРУМЕНТАЛЬНОЙ СТАЛИ 1.3343

ПОСЛЕ АТМОСФЕРНОГО ПЛАЗМЕННОГО АЗОТИРОВАНИЯ

А.И. Смирнов1, Я.С. Лизункова2, А.А. Никулина1, Т. Хассель2, Ф.-В. Бах2

1ГОУ ВПО Новосибирский государственный технический университет, Россия

630092, Новосибирск, пр. К. Маркса, 20

2Institute of Materials Science, Leibnitz University Hannover, An der Universität 2,


30823, Garbsen, Germany


Исследование влияния частиц стекла на контактной поверхности кремния КНИ тензопреобразователя на качество сращивания с опорным элементом в электростатическом поле

Л.В.Соколов1, Н.М.Парфенов2, Н.А.Агафонова3, С.О.Игошин4

1Филиал МАИ «Стрела», 140180, г. Жуковский, Московская обл., ул. Жуковского ,8,

2МАИ, 125993, ГСП-3,Волоколамское шоссе д.4,

3ИГЭУ, 153003, г.Иваново, ул. Рабфаковская, 34,

4ООО « Интерлаб», 127055, г. Москва, Тихвинский пер.д.11, стр.2


СТРУКТУРА ИГОЛЬЧАТОГО БЕЙНИТА В НИЗКОУГЛЕРОДИСТОЙ ТРУБНОЙ СТАЛИ

М.В. Судариков, О.В. Самойлова, М.А. Смирнов, А.Н. Мальцева,

Э.Н. Михайлова

Южно-Уральский государственный университет, Россия, 454080, г. Челябинск, пр. Ленина, 76


ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ ОСОБЕННОСТЕЙ

СТРОЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ЗАЩИТНЫХ ПОКРЫТИЙ НА УКМ

В.С. Терентьева1, А.Н. Астапов1, А.И. Еремина1, И.О. Лейпунский2,

П.А. Пшеченков2, Е.С. Афанасенкова2

1 – Московский авиационный институт (государственный технический университет), 125993, г. Москва, А-80, ГСП-3, Волоколамское шоссе, 4, Россия;

2 – Учреждение Российской Академии наук Институт энергетических проблем химической физики РАН, 119334, г. Москва, Ленинский проспект, 38, корп. 2, Россия


ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИКИ СПЕКАНИЯ КОМПОЗИТНЫХ ПОКРЫТИЙ YSZ/Al2O3

О.Р. Тимошенкова, А.П. Сафронов, Е.Г. Калинина, А.М. Мурзакаев

Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена, 106, Екатеринбург, Россия, 620016. Тел.: (343) 2678782, факс: (343) 2678794, E-mail: tor@iep.uran.ru



Исследование структуры поверхности И скола ПОРИСТЫХ катодов La1-xSrxMnO3-δ(LSM) И La1-xCaxMnO3-δ (LCM) МЕТОДАМИ СКАНИРУЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ

Тимошенкова О.Р., Калинина Е.Г.

Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена, 106, Екатеринбург, Россия, 620016. Тел.: (343) 2678782, факс: (343) 2678794, E-mail: tor@iep.uran.ru



Исследование с помощью электронной микроскопии закономерностей изменения микроструктурного состояния никелевого суперсплава

при термовременных экспозициях

Е.А.Тихомирова,

ОАО «НПО ЦКТИ», г. Санкт-Петербург, 194021, Политехническая ул., д.24


3. Методы электронной дифракции и электронная кристаллография


Электронная кристаллография в исследованиИ наночастиц

А.С. Авилов1, , М.А.Запорожец1 С.П. Губин2

1Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Москва, Ленинский пр., 59

2Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, 119991, Москва, Ленинский пр-т, 31,


СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОМАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК CdS

М.А.Запорожец1), Д.А.Баранов2), В.В.Волков1), О.М.Жигалина1), В.И.Николайчик3) , С.П.Губин2), А.С.Авилов1)

1) Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова, 2) Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, 3) Институт проблем микроэлектроники и особочистых материалов РАН


МЕТОДЫ ИЗУЧЕНИЯ КОГЕРЕНТНОЙ 4D СТРУКТУРНОЙ ДИНАМИКИ СВОБОДНЫХ МОЛЕКУЛ И КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ВЕЩЕСТВА

А.А. Ищенко1, В.Н. Баграташвили2, А.С. Авилов3

1Московский государственный технологический университет(МИТХТ), 119571, Москва, пр. Вернадского, 86

2Учреждение Российской академии наук Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, 140700, М.О. г.Шатура, Ул. Святоозерская, 1

3Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Москва, Ленинский пр., 59


РОЛЬ ДИФРАКЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ В ДИАГНОСТИКЕ НАНОСИСТЕМ

Клечковская В.В., Имамов Р.М.

Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, 119333 Москва, Ленинский пр., 59