Список принятых докладов по секциям XXIV российской конференции по электронной микроскопии
| Вид материала | Доклад |
- Предварительная программа XXIII российской конференции по электронной микроскопии, 417.83kb.
- Организация, 1634.08kb.
- Требования к оформлению докладов, 57.52kb.
- Список принятых докладов, 185.98kb.
- Сообщения, 100.41kb.
- 20- я (XXIV) Международная конференция Российского общества ангиологов и сосудистых, 158.95kb.
- Тезисы докладов, 34.49kb.
- Программа конференции «прогресс-2012» предусматривает заслушивание и обсуждение докладов, 105.14kb.
- Программа XVII российского симпозиумА по растровой электронной микроскопии и аналитическим, 697.22kb.
- Темы докладов формулируются в рамках следующих направлений по секциям: Темы докладов, 146.53kb.
Исследование структуры железа методом молекулярной динамики
А.В. Колесников, И.С.Смирнов, Е.В. Пустовалов, В.С. Плотников.
Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток, Суханова 8, 690950
ОБ ЭФФЕКТИВНОМ СПОСОБЕ НАСТРОЙКИ СКАНИРУЮЩЕЙ СИСТЕМЫ В ЭЛЕКТРОННОМ ДИФРАКТОМЕТРЕ
А.К. Кулыгин, Г.Г. Лепешов, А.С. Авилов
Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН
НЕОБЫЧНЫЙ МЕХАНИЗМ НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЯ
С.К. Максимов, К.С. Максимов
НИУ МИЭТ, 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, 5.
ПРОГРАММА ОБРАБОТКИ ЭЛЕКТРОНОГРАММ И ЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ В ПРОЦЕССЕ РОСТА ПЛЁНОК CdTe НА ПОДЛОЖКАХ (0001) Al2O3
В.И. Михайлов, Л.Е. Поляк, Е.В. Ракова, А.В. Буташин, В.М. Каневский
Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, 119333, Москва, Ленинский пр., 59, Тел.: (495) 135-42-00; Факс: (495) 135-10-11; E-mail: vmikh@ns.crys.ras.ru
IN SITU НАБЛЮДЕНИЕ ПЕРЕХОДА ГИДРООКСИДА ЦИРКОНИЯ В ДИОКСИД ЦИРКОНИЯ
А.М. Мурзакаев1, В.Ф. Петрунин2, Е.Ю. Соболева1
1Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена, 106, Екатеринбург, Россия, 620016. Тел.: (343) 2678782, факс: (343) 2678794, E-mail: Aidar@iep.uran.ru
2Московский инженерно-физический институт (Государственный Университет), тел. (495) 324-06-30. E-mail: VFPetrunin@mephi.ru.
СТРУКТУРА ЕВРОПИЙ-СОДЕРЖАЩИХ ВТСП КУПРАТОВ
В.И. Николайчик1, Л.А. Клинкова2, Н.В. Барковский1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, г.Черноголовка, Московская область, Россия
2Инстиут физики твердого тела РАН, 142432, г.Черноголовка, Московская область, Россия
СТРУКТУРА ЛЕНТОЧНЫХ ВТСП ПРОВОДНИКОВ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ
В.И. Николайчик, И.И. Ходос, Г.Л. Клименко, М.Н. Ковальчук
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, г. Черноголовка, Московская область, Россия
СОСТАВ И СТРУКТУРА НАНОТРУБОК, ФОРМИРУЮЩИХСЯ ПРИ АНОДНОМ ОКИСЛЕНИИ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ТИТАНА
В.И. Николайчик1, А.М. Чапланов2, И.И. Ходос1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, г.Черноголовка, Московская область, Россия
2ГНУ «Физико-технический институт НАН Беларуси», 220141, г.Минск, ул. Купревича, 10, Беларусь
ВОЗМОЖНОСТИ СОВМЕСТНОГО ПРИМЕНЕНИЯ ДИФРАКЦИИ ОБРАТНО РАССЕЯННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ В ИССЛЕДОВАНИИ СТРУКТУРЫ ЛЕГИРОВАННОГО КРИСТАЛЛА ВЫСШЕГО СИЛИЦИДА МАРГАНЦА
А.С. Орехов1, Ф.Ю. Соломкин2, Е.И. Суворова1
1. Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии
им. А.В. Шубникова РАН, 119333, Москва, Ленинский пр. 59
2. Учреждение Российской академии наука Физико-технический институт
им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26
Электронномикроскопическое и электроннодифракционное исследование структурированных углеродных материалов
С.В. Савилов, А.В. Егоров, В.А. Попов, В.В. Лунин
Химический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 119991, г. Москва, Ленинские горы, д.1, стр.3
ФАЗОВАЯ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ ИКОСАЭДРИЧЕСКОЙ ФАЗЫ Al-Cu-Fe И ПЛАНАРНЫЕ ДЕФЕКТЫ: ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ, НАНОИНДЕНТИРОВАНИЕ
Е.В. Шалаева1, А.Ф. Прекул2, Ю. Чернышев1, Е.О. Смирнова3, С.В. Смирнов3
1 Институт химии твердого тела УрО РАН, ул. Первомайская 91, Екатеринбург
2 Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской 18, Екатеринбург
3 Институт машиноведения УрО РАН, ул. Комсомольская , Екатеринбург
4. Электронная оптика и новые приборы
НЕЛИНЕЙНОСТЬ РАЗВЕРТКИ РЭМ S-4800
В.В. Альзоба1,2, А.Ю. Кузин1, Ю.В. Ларионов3, В.Б. Митюхляев1,
П.А. Тодуа1,2, М.Н. Филиппов1,4
1Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума,
119421, Москва, ул.Новаторов, д.40, корп.1,
2 Московский физико-технический институт, г.Долгопрудный МО, Институтский пер.9
3 Институт общей физикиим. А.М.Прохорова РАН, 119991, Москва, ул. Вавилова, 38;
4 Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова, РАН,
119991, Москва, Ленинский пр-т, 31
Оптимизация оптического тракта растрового электронного микроскопа
М.Ю. Барабаненков, В.В. Казьмирук, И.Г. Курганов
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, Московская обл., Россия
ДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА НА ОБЪЕКТ ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ ЕГО В ПЭМ И РЭМ
Е.М. Белавцева1, А.Г. Филатова2, М.Н. Филиппов3
1Учреждение Российской академии наук Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН, 119991, Москва, ул. Вавилова, 28
2Учреждение Российской академии наук Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН, 117334, Москва, ул. Косыгина, 4
3Учреждение Российской академии наук Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, 119991, Москва, Ленинский пр., 31
Моделирование фокусирующей микролинзы для оже-анализатора с цза
М.Д. Бельский, Б.Г. Львов, В.В. Рыбалко
Московский государственный институт электроники и математики (МИЭМ)
113054, г. Москва, ул. Малая Пионерская, д.12-18\4-6, стр. 1, факультет электроники
СТАНДАРТНЫЙ ОБРАЗЕЦ ДЛЯ КАЛИБРОВКИ ПРОСВЕЧИВАЮЩИХ ЭЛЕКТРОННЫХ МИКРОСКОПОВ
Д.С.Бодунов1,2, А.Ю.Кузин1, В.Б.Митюхляев1, П.А.Тодуа1,2, М.Н.Филиппов1,3
1Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума,
119421, Москва, ул.Новаторов, д.40, корп.1
2 Московский физико-технический институт, г.Долгопрудный МО, Институтский пер.9;
3 Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова, РАН,
119991, Москва, Ленинский пр-т, 31
Аппаратная функция тороидального спектрометра РЭМ и ее влияние на спектры детектируемых электронов
Гостев1 А.В., Кошев2 Н.А, Орликовский2 Н.А., Рау1 Э.И.
1ИПТМ РАН, г. Черноголовка, МО
2ФТИАН г.Москва
БАЙЕСОВСКАЯ СЕГМЕНТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ НАНОСТРУКТУР
Б.Н. Грудин, А.А. Ефремов, Н.А. Смольянинов
Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток, Суханова 8, 690950
ФРАКТАЛЬНАЯ И ВЕЙВЛЕТ - ФИЛЬТРАЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ НАНОСТРУКТУР
Б.Н. Грудин, В.С. Плотников, C.В. Полищук, Н.А. Смольянинов, Е.Б. Модин
Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток, Суханова 8, 690950
КАЛИБРОВКА СКАНИРУЮЩИХ ЗОНДОВЫХ МИКРОСКОПОВ
В ДИАПАЗОНЕ 1÷100нм.
Ж.Е. Желкобаев1, В.В. Календин1, А.Ю. Кузин1, П.А. Тодуа1
1. Научно–исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума. Москва
E-mail:fgupnicpv@mail.ru
ПРОСТЕЙШИЙ СКАНИРУЮЩИЙ МИКРОСКОП (FIB) НА ИОНАХ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ
В.А.Жуков1, Н.В. Баденко2
1 Санкт-Петербургский институт информатики и автоматизации РАН,
199178 Санкт-Петербург, Россия,
2 Санкт- Петербургский государственный политехнический университет, Россия
E-mail: zhukov-valery@yandex.ru
ПРИМЕНЕНИЕ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА ДЛЯ АТТЕСТАЦИИ СТАНДАРТНЫХ ОБРАЗЦОВ НАНОЧАСТИЦ Au И ZnO.
М.А. Запорожец 1, О.М. Жигалина1, С.П. Губин2, А.С. Авилов1, А.Ю. Кузин3, В.Б. Митюхляев3, П.А. Тодуа3
1 Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН,119333, Москва, Ленинский пр.59, 2 Учреждение Российской академии наук Институт общей неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, 119991, Москва, Ленинский пр.,31, 3 ОАО Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, 119421, Москва, ул. Новаторов,40,корп.1