Список принятых докладов по секциям XXIV российской конференции по электронной микроскопии
| Вид материала | Доклад |
- Предварительная программа XXIII российской конференции по электронной микроскопии, 417.83kb.
- Организация, 1634.08kb.
- Требования к оформлению докладов, 57.52kb.
- Список принятых докладов, 185.98kb.
- Сообщения, 100.41kb.
- 20- я (XXIV) Международная конференция Российского общества ангиологов и сосудистых, 158.95kb.
- Тезисы докладов, 34.49kb.
- Программа конференции «прогресс-2012» предусматривает заслушивание и обсуждение докладов, 105.14kb.
- Программа XVII российского симпозиумА по растровой электронной микроскопии и аналитическим, 697.22kb.
- Темы докладов формулируются в рамках следующих направлений по секциям: Темы докладов, 146.53kb.
СТАНДАРТНЫЕ ОБРАЗЦЫ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК аморфных многослойных покрытий
Зарубин С.С., Алехин А.П., Батурин А.С., Бормашов В.С., Батог Г.С., Ермакова М.А., Маркеев А.М., Морозова Е.А.
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет),
141700, Московская область, г. Долгопрудный, Институтский пер., д.9.
Модификация электронно-оптической системы низковольтной системы для быстрых 2D измерений
В.В. Казьмирук, И.Г. Курганов, Т.Н. Савицкая
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6
ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ СБОРА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ДЕТЕКТОРОМ НИЗКОВОЛЬТНОЙ СИСТЕМЫ ДЛЯ БЫСТРЫХ 2D ИЗМЕРЕНИЙ
В.В. Казьмирук, И.Г. Курганов, Т.Н. Савицкая
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6
Регулировка параметров электронно-зондовых систем по картм распределения интенсивности вторичноэмиссионного сигнала
В.В. Казьмирук, И.Г. Курганов, Т.Н. Савицкая
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6
Высокопроизводительная установка для метрологии наноструктур
В.В. Казьмирук1, Т.Н. Савицкая1, В. Коларжик2, Е. Цоуфалова2
1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН,
142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6
2Delong Instruments, Brno, Czech Republic
ВИРТУАЛЬНЫЙ РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП
Ю.А. Новиков
Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, Москва
Фильтрация изображений Растровой электронной микроскопии методом нелокального среднего
Е.А. Тарасов
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; почтовый адрес: 410019, г. Саратов, ул. Зеленая, д. 38
ОСОБЕННОСТИ АВТОЭМИССИИ С МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ОСТРИЙ ПОКРЫТЫХ ТОНКИМИ ПЛЕНКАМИ ОКСИДА ЦИРКОНИЯ: ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ
И.С. Турмышев, О.Р. Тимошенкова, А.М. Мурзакаев
Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена, 106, Екатеринбург, Россия, 620016. Тел.: (343) 2678781, факс: (343) 2678794, E-mail: ivatur@rambler.ru
МЕТОД НАВЕДЕННОГО ТОКА НА ЛАБОРАТОРНОМ РЕНТГЕНОВСКОМ ИСТОЧНИКЕ: ИЗМЕРЕНИЕ И РАСЧЕТ КОНТРАСТА ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ
Я.Л. Шабельникова, М.В. Григорьев, Д.В. Иржак, Д.В. Рощупкин, Р.Р. Фахртдинов, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов
Институт Проблем Технологии Микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г Черноголовка, ул. Институтская, 6
5. Сканирующая зондовая микроскопия
ОПРЕДЕЛЕНИЕ МОДУЛЯ ЮНГА НАКЛОННОРАСТУЩИХ GaAs НАНОПРОВОДОВ МЕТОДАМИ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ
П.А. Алексеев1,2, M. Lepsa3, М.С. Дунаевский1, А.Н. Титков1
1Физико технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", 197376, Россия, Санкт-Петербург, улица Проф. Попова, 5
3Institute of Bio- and Nanosystems, Forschungszentrum Jülich 52428 Jülich, Germany
ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗМЕНЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ Si(001), НАБЛЮДАЕМЫХ НА РАЗЛИЧНЫХ СТАДИЯХ ПРОЦЕССА МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ ОКОЛО 600°С
Л.В.Арапкина, Л.А.Крылова, О.В.Уваров, В.А.Чапнин, К.В.Чиж, В.А.Юрьев
Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, ул. Вавилова, 38, Москва, 119991, РФ
АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ СВЕРХТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК BaTiO3
Батурин А.С.1, Чуприк А.А.1, Булах К.В.1, Кузин А.А.1, Миннекаев М.Н.2, Зенкевич А.В.2
1Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) 141700 МО, г. Долгопрудный, Институтский пер., д.9
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
115409, г. Москва, Каширское ш., д.31
Релаксации искусственно созданных доменов в кристаллах ТГС
Н.А.Бобков, Р.В.Гайнутдинов, Н.В.Белугина, А.Л.Толстихина
Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук,117333, Москва, Ленинский пр., 59