Список принятых докладов по секциям XXIV российской конференции по электронной микроскопии

Вид материала

Доклад

Содержание Физические и химические свойства карборановых наночастиц 1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, 420029, Казань, Сибирский тракт 10/7 6. Сканирующая электронная микроскопия Каменский институт (филиал) Южно-Российского Государственного Технического университета (НПИ), г. Каменск-Шахтинский 3 с использованием трековых мембран 1 Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова 4 НИИ ядерной физики имени Д.В. Скобельцына МГУ, 119991, ГСП-1, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение 2 Сравнительный анализ методов расчета содержания Si и Ge в тонких пленках SiGe и метрологическое обеспечение метода электронной о Монокристаллические пленки InN на подложках фианита (111), полученные методом МОГФЭ с применением методики капиллярной эпитаксии 1, А.Н.Бузынин2 2Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва 1 Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва Электронно-зондовый рентгеноспектральный анализ непроводящих объектов в условиях низкого вакуума.

Подобный материал:

• Предварительная программа XXIII российской конференции по электронной микроскопии, 417.83kb.
• Организация, 1634.08kb.
• Требования к оформлению докладов, 57.52kb.
• Список принятых докладов, 185.98kb.
• Сообщения, 100.41kb.
• 20- я (XXIV) Международная конференция Российского общества ангиологов и сосудистых, 158.95kb.
• Тезисы докладов, 34.49kb.
• Программа конференции «прогресс-2012» предусматривает заслушивание и обсуждение докладов, 105.14kb.
• Программа XVII российского симпозиумА по растровой электронной микроскопии и аналитическим, 697.22kb.
• Темы докладов формулируются в рамках следующих направлений по секциям: Темы докладов, 146.53kb.

РАСЧЕТ МАГНИТНОГО СТРОЕНИЯ МСМ ЗОНДА И ЕГО ВЛИЯНИЯ НА РАЗРЕШЕНИЕ

Л.А. Фомин, Г.М. Михайлов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6

МАГНИТНОЕ СТРОЕНИЕ И ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ МИКРОСТРУКТУР Fe₃O₄ НА R-САПФИРЕ

Л.А. Фомин, И.В. Маликов, В.Ю. Винниченко, Г.М. Михайлов

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Академика Осипьяна 6

ФИЗИЧЕСКИЕ И ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КАРБОРАНОВЫХ НАНОЧАСТИЦ

Харитонов В.А., Гришин М.В., Слуцкий В.Г., Шуб Б.Р

ИХФ РАН, г. Москва, ул. Косыгина, д. 4, 119334


АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ ОЛИГОПЕПТИДОВ

А.П. Чукланов¹, С.А. Зиганшина¹, А.А. Бухараев^1,2, И.Г. Ефимова², М.А.Зиганшин², В.В. Горбачук<sup>2

1</sup>Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, 420029, Казань, Сибирский тракт 10/7

²Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008, Казань, Кремлевская 18


6. Сканирующая электронная микроскопия


ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ РЭМ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ АЛЮМИНИЙ-СОДЕРЖАЩИХ НАНОКОМПОЗИТОВ НА ОСНОВЕ ПОЛИМЕРА НАТРИЙ – КАРБОКСИМЕТИЛЦЕЛЛЮЛОЗЫ

Н.М. Антонова

Каменский институт (филиал) Южно-Российского Государственного Технического университета (НПИ), г. Каменск-Шахтинский


Электронная микроскопия в исследовании процесса образования микрокристаллов при фильтрации раствора HIO ₃ с использованием трековых мембран

В.В. Артемов, В.В. Березкин, А.Б. Васильев, В.В. Долбинина,

Б.В. Мчедлишвили

Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова


Изменение элементного состава поверхности защитных стекол солнечных батарей под действием электростатических разрядов

В.В. Артемов¹, Е.С. Афанасенкова², Н.Г. Березкина², Л.С. Гаценко³, И.О. Лейпунский², Н.Е. Маслякова³, Л.С. Новиков⁴, П.А. Пшеченков², В.Е. Скурат<sup>2

1</sup> Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова, 119333, Москва, Ленинский проспект, 59

² Учреждение Российской Академии наук Институт энергетических проблем химической физики РАН, 119334, Москва, Россия, Ленинский проспект, 38, корпус 2

³ ОАО «Научно-производственное предприятие «Квант», 129626, Россия, Москва, 3-я Мытищинская, 16

⁴ НИИ ядерной физики имени Д.В. Скобельцына МГУ, 119991, ГСП-1, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение 2

ИССЛЕДОВАНИЕ СОСТАВА ЛЕНТОЧНОГО ВТСП ПРОВОДНИКА 2-ГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ ОЖЕ-СПЕКТРОСКОПИИ

В.Г. Бешенков, В.И. Николайчик

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, г.Черноголовка, Московская область, Россия

Сравнительный анализ методов расчета содержания Si и Ge в тонких пленках SiGe и метрологическое обеспечение метода электронной оже-спектроскопии

¹А.В. Боряков, ¹Д.Е. Николичев, ²А.Ю. Малышев, ¹В.Г. Шенгуров

¹ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, пр. Гагарина 23

²ФБУ "Нижегородский ЦСМ", 603950, Нижний Новгород, ул. Республиканская, 1

Монокристаллические пленки InN на подложках фианита (111), полученные методом МОГФЭ с применением методики капиллярной эпитаксии с пульсирующей подачей TMIn

Ю. Н. Бузынин¹, Ю. Н. Дроздов ¹, А.Н.Бузынин², О. И. Хрыкин¹, А.Ю.Лукьянов¹, Е.В. Скороходов¹, В.И.Шашкин<sup>1

1</sup> Институт Физики Микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород

²Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва

E-mail: buzynin@ipm.sci-nnov.ru 


Исследование характеристик фоточувствительных элементов матриц фотоприемников на основе Si Pt:Si с помощью метода наведенного потенциала и просвечивающей электронной микроскопии

А.Н. Бузынин¹, В.П. Калинушкин¹, О.В. Уваров ¹, Э.И. Рау², С.А.Дицман², Ф.А.Лукьянов², Золотарев В.И.³, Лыткин А.П.<sup>4

1</sup> Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва;

² Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

³ ОАО «Ангстрем», Москва

⁴ ОАО «МЗ САПФИР»


ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ СПЕКТРОВ КАТОДОЛЮМИНИСЦЕНЦИИ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ МНОЖЕСТВЕННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ InGaN/GaN.

П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов

ИПТМ РАН, Институтская ул. 6, 142432, Черноголовка, тел. +7(49652)44016, e-mail: yak@iptm.ru.


ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВЫЙ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ НЕПРОВОДЯЩИХ ОБЪЕКТОВ В УСЛОВИЯХ НИЗКОГО ВАКУУМА.

А.А. Вирюс, Т.А. Куприянова*, М.Н. Филиппов*

Институт экспериментальной минералогии РАН, г. Черноголовка, mukhanova@iem.ac.ru

*Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова, г. Москва


ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗМЕНЕНИЯ МОРФОЛОГИИ И СВОЙСТВ НАНОСТЕРЖНЕЙ ZnO ПРИ ОТЖИГЕ В ПАРАХ Zn