Список принятых докладов по секциям XXIV российской конференции по электронной микроскопии

Вид материала

Доклад

Содержание ИПТМ РАН, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., Институтская ул., 6 Сравнение методов измерения высоковольтных локальных потенциалов заряженных диэлектриков – электронноспектроскопического и порог Определение глубины залегания высоковольтных Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина, 111250, Москва ЦКЛ-РЭМ ИССЛЕДОВАНИЯ механизмОВ трансформации азотно-вакансионных дефектов в кристаллах алмаза 1 Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Москва, Россия Расчёт пробега киловольтных электронов в мишенях с низкой электрической проводимостью и проводящим покрытием на поверхности мише 1Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, 248023, г. Калуга

Подобный материал:

• Предварительная программа XXIII российской конференции по электронной микроскопии, 417.83kb.
• Организация, 1634.08kb.
• Требования к оформлению докладов, 57.52kb.
• Список принятых докладов, 185.98kb.
• Сообщения, 100.41kb.
• 20- я (XXIV) Международная конференция Российского общества ангиологов и сосудистых, 158.95kb.
• Тезисы докладов, 34.49kb.
• Программа конференции «прогресс-2012» предусматривает заслушивание и обсуждение докладов, 105.14kb.
• Программа XVII российского симпозиумА по растровой электронной микроскопии и аналитическим, 697.22kb.
• Темы докладов формулируются в рамках следующих направлений по секциям: Темы докладов, 146.53kb.

В.Т. Волков, А.Н. Редькин, М.В. Рыжова, Е.Е. Якимов, Е.Б Якимов

ИПТМ РАН, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., Институтская ул., 6,

+7(49652)44274


СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, СПЕКТРЫ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ И КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ НЕПОЛЯРНЫХ ПЛЕНОК НИТРИДА ГАЛЛИЯ, НЕПОЛЯРНЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ AlGaN/GaN И КВАНТОВЫХ ЯМ GaN/InGaN

А.В. Говорков (1), А.Я. Поляков (1), Н.Б. Смирнов (1), Т.Г. Югова (1),

In-Hwan Lee(2), Lee-Woon Jang (2), Kwang Hyeon Baik (3), Sukkoo Jung (4)

(1)ГНЦ РФ, ОАО «Гиредмет», 119017, Москва, Б. Толмачевский пер., 5

(2)Chonbuk National University, Korea

(3)Korea Electronic Technology Institute, Korea

(4)LGT Advanced Research Institute, Korea


Средняя и полная энергия отраженных электронов и контраст изображений в РЭМ в зависимости от угла детектирования

Дицман¹ С.А., Зайцев² С.В., Лукьянов² А.Е., Орликовский³ Н.А., Рау¹ Э.И., Рогов² О.А.

¹ИПТМ РАН, г. Черноголовка, МО

²Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова г. Москва

³ФТИАН г.Москва


Сравнение методов измерения высоковольтных локальных потенциалов заряженных диэлектриков – электронноспектроскопического и порогового рентгеновского излучения

Евстафьева Е.Н.⁽¹⁾, Князев М.Н.⁽²⁾, Рау Э.И.^(1,2), Татаринцев А.А.<sup>(2)

(1)</sup> Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва

⁽²⁾ ИПТМ РАН, Черноголовка, МО.


ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПОКРЫТИЙ

В.А. Жабрев¹, В.И. Марголин², В.А. Тупик², В.С. Фантиков², М.С. Потехин², И.Д. Жабрев<sup>2

1</sup>- Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет, 190013, Санкт-Петербург, Московский проспект, дом 26, СПбГТИ(ТУ)

²- Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", 197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, д.5, СПбГЭТУ "ЛЭТИ", каф. МИТ


ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ

P-N ПЕРЕХОДОВ И ЕЁ ВАРИАЦИЙ В КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРАХ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ МЕТОДОМ НАВЕДЕННОГО ТОКА

В.А.Злобин

Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина, 111250, Москва

ИЗУЧЕНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ В МАТЕРИАЛЕ МЕТОДОМ ЦВЕТНОЙ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В РЭМ

П.В. Иванников, А.В. Кузьменков, А.И. Габельченко

МГУ имени М.В. Ломоносова, Физический факультет. 119991, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение 2

Исследование морфологии поверхности пленок полумагнитных твердых растворов на основе соединений А₂В₆

А.В. Климов, Д.И. Курбатов, А.С. Опанасюк

Кафедра прикладной физики, Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, UA-40007, г. Сумы, Украина

ЦКЛ-РЭМ ИССЛЕДОВАНИЯ механизмОВ трансформации азотно-вакансионных дефектов в кристаллах алмаза

О.В.Кононов¹, П.В.Иванников¹, М.А.Викторов¹, Е.С.Ананьева¹, А.В.Кузьменков¹, А.И. Габельченко¹, Линь Фан<sup>2

1</sup> Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Москва, Россия

² Пекинский геологический университет, Пекин, Китайская Народная республика

ИССЛЕДОВАНИЕ САМООРГАНИЗОВАННЫХ НАНОДОМЕННЫХ СТРУКТУР В МОНОКРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ МЕТОДАМИ СКАНИРУЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ

Д.К. Кузнецов, В.Я. Шур, Е.А. Мингалиев, Д.О. Аликин, Пряхина В.И., М.А. Долбилов

Лаборатория сегнетоэлектриков, НИИ ФПМ, Институт естественных наук, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н.Ельцина, 620000, Екатеринбург, пр. Ленина, 51

ИМПЛАНТАЦИЯ ИОНАМИ СЕРЕБРА ОРГАНИЧЕСКИ-НЕОРГАНИЧЕСКИХ ГИБРИДНЫХ СТЕКЛО-ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИТОВ As₂S₃-UREASIL

Н.М. Лядов¹, Ю.Н. Осин², Т.С. Кавецкий³, А.Л. Степанов¹

¹Казанский физико-технический институт РАН, 420029 Казань, Россия

²Казанский федеральный университет, 420018 Казань, Россия

³Дрогобычский государственный педагогический университет имени Ивана Франко, 82100 Дрогобыч, Украина

РАСЧЁТ ПРОБЕГА КИЛОВОЛЬТНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В МИШЕНЯХ С НИЗКОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ И ПРОВОДЯЩИМ ПОКРЫТИЕМ НА ПОВЕРХНОСТИ МИШЕНИ

Л.Р. Миникаев¹, Р.Р. Тангишев¹, Т.А. Куприянова², М.Н. Филиппов^{1, 2}, М.А. Степович<sup>1

1</sup>Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, 248023, г. Калуга,

ул. Ст. Разина, д. 26

²Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, 119991, ГСП-1,

г. Москва, В-71, Ленинский просп., д. 31


РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СРЕДНИХ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ПУЧКА ЭЛЕКТРОНОВ ПО ГЛУБИНЕ ОБРАЗЦА: ПРИМЕНЕНИЕ В ЗАДАЧАХ КОЛИЧЕСТВЕННОГО РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО МИКРОАНАЛИЗА