Список принятых докладов по секциям XXIV российской конференции по электронной микроскопии

Вид материала

Доклад

Содержание Микроскопия поверхностной графитизации алмаза Исследование многослойных структур Cd 1ООО «Системы для микроскопии и анализа», 119333, Москва, Ленинский проспект, 59, строение 2 7. Электронная и ионная литография А.С. Коломийцев Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова. 105064, г.Москва, пер. Обуха, д. 3-1/12, стр. 6. E-mail: br Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток, Суханова 8, 690950 Л.С. Коханчик Е.В. Емелин ФОРМИРОВАНИЕ ДОМЕНОВ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ MgO:LiNbO

Подобный материал:

• Предварительная программа XXIII российской конференции по электронной микроскопии, 417.83kb.
• Организация, 1634.08kb.
• Требования к оформлению докладов, 57.52kb.
• Список принятых докладов, 185.98kb.
• Сообщения, 100.41kb.
• 20- я (XXIV) Международная конференция Российского общества ангиологов и сосудистых, 158.95kb.
• Тезисы докладов, 34.49kb.
• Программа конференции «прогресс-2012» предусматривает заслушивание и обсуждение докладов, 105.14kb.
• Программа XVII российского симпозиумА по растровой электронной микроскопии и аналитическим, 697.22kb.
• Темы докладов формулируются в рамках следующих направлений по секциям: Темы докладов, 146.53kb.

Выявление преципитатов углерода в мультикристаллическом кремнии

О.В. Феклисова¹, Х. Ю², Д. Янг², Е.Б. Якимов¹

¹ИПТМ РАН, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., Институтская ул., 6

²Государственная ключевая лаборатория кремниевых материалов, Чжэцзянский университет, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People’s Republic of China

МИКРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ГРАФИТИЗАЦИИ АЛМАЗА

Р.А. Хмельницкий

Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Ленинский проспект, д. 53


ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ФОРМЫ ИЗОЛИРОВАННЫХ ДОМЕНОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ МЕТОДАМИ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ,

Д.С. Чезганов¹, А.Р. Ахматханов^1,2, И.С. Батурин^1,2, В.Я. Шур^1,2

¹Лаборатория сегнетоэлектриков, Уральский федеральный университет, 620000,
пр. Ленина, 51, Екатеринбург, Россия

²ООО «Лабфер», 620014, 8 Марта 2, оф.22, Екатеринбург, Россия

Адрес эл. почты: dmit.chezganov@gmail.com

Исследование многослойных структур Cd_XHg_1-XTe на электронно-ионном растровом микроскопе Quanta 3D FEG.

Н.В. Швындина¹, Е.В. Пермикина², А.С. Кашуба², А.В. Ляликов²,

Е.Д. Коротаев<sup>2

1</sup>ООО «Системы для микроскопии и анализа», 119333, Москва, Ленинский проспект, 59, строение 2

²ФГУП «НПО «Орион», 111123, Москва, Шоссе энтузиастов, 46/2

Исследование дефектов упаковки в 4H-SiC методами катодолюминесценции и наведенного тока

Е.Б. Якимов

ИПТМ РАН, 142432, г. Черноголовка, Московская обл., Институтская ул., 6,

7. Электронная и ионная литография

ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ СУБМИКРОННОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК КРЕМНИЯ ФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ

О.А. Агеев, А.Л. Громов, О.И. Ильин, А.С. Коломийцев, С.А. Лисицын

Технологический институт Южного Федерального Университета в г. Таганроге,

347928, ул. Шевченко, 2, Таганрог, Россия

Деградация и частичное восстановление серебряных субволновых решеток, полученных методом ионной литографии

Артемов В.В., Горкунов М.В., Палто С.П.

Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН


Метод формирования маскирующего изображения путем прямого травления резиста в процессе экспонирования электронным лучом

М.А. Брук, Е.Н.Жихарев*, В.А.Кальнов*, А.В. Спирин, Д.Р. Стрельцов

Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова. 105064, г.Москва, пер. Обуха, д. 3-1/12, стр. 6. E-mail: bruk@cc.nifhi.ac.ru

*Физико-технологический институт Российской академии наук. 117218, г.Москва, Нахимовский пр-т, д.36/1

ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОСТРУКТУРЫ И ОБЛУЧЕНИЕ ИОНАМИ ГАЛЛИЯ ПЛЕНОК КОБАЛЬТА

А.П. Глухов, В.С. Плотников, Е.В. Пустовалов, К.С. Ермаков.

Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток, Суханова 8, 690950


МОДИФИКАЦИЯ +Z ПОВЕРХНОСТИ НИОБАТА ЛИТИЯ СФОКУСИРОВАННЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ

Е.В. Емелин, А.И.Ильин, Л.С. Коханчик

Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН, 142432, г.Черноголовка, Московская обл.

ПЕРИОДИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ В НИОБАТЕ ЛИТИЯ: ЗАПИСЬ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ

Е.В. Емелин¹, Л.С. Коханчик¹, M.Н. Палатников<sup>2

1</sup> Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН, 142432, г.Черноголовка, Московская обл.

² Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья имени И.В. Тананаева КНЦ РАН,184209, г. Апатиты, Мурманская обл.


ФОРМИРОВАНИЕ ДОМЕНОВ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ MgO:LiNbO₃ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ В РЭМ

Е.В. Емелин¹, Л.С. Коханчик¹, M.Н. Палатников<sup>2

1</sup> Институт Проблем Технологии Микроэлектроники РАН, 142432, г.Черноголовка, Московская обл.

² Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья имени И.В. Тананаева КНЦ РАН,184209, г. Апатиты, Мурманская обл.

КИНЕТИКА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТОЛБИКОВ УГЛЕРОДА НА ПОВЕРХНОСТИ ПИРОГРАФИТА В ХОДЕ РЕАКЦИЙ, СТИМУЛИРОВАННЫХ СФОКУСИРОВАННЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ

Г.С.Жданов, А.Д.Манухова, Т.В. Шаров, Ю.В.Капитонов

Санкт-Петербургский Государственный Университет, Физический факультет, каф. фотоники, Россия, 198904, г. Санкт-Петербург, Старый Петергоф, ул. Ульяновская, д.1