Список принятых докладов по секциям XXIV российской конференции по электронной микроскопии

Вид материала

Доклад

Содержание Фазовые превращения и структура металлических нанокристаллов Получение стержневидных наноразмерных кристаллов ZnO для изготовления точечных автоэлектронных эмиттеров С УЛЬТРА- и НАНОРАЗМЕРНЫМ АЛЮМИНИЕМ: ПОЛУЧЕНИЕ, МИКРОСТРУКТУРА И ПАРАМЕТРЫ ГОРенИЯ 1 Учреждение Российской Академии наук Институт энергетических проблем химической физики РАН, 119334, Москва, Россия, Ленинский п 3Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена, 106, Екатеринбург, Россия, 620016. Тел.: (343) 2678782, факс: (343) 2678794, E-ma 61002, Украина, г. Харьков, ул. Фрунзе, 21. E-mail: Bagmut@kpi.kharkov.ua 199034, г. Санкт-Петербург, наб. Макарова, д. 2 2НТЦ «Белмикросистемы» Исследование влияния параметров мультислоной архитектуры на размер кристаллитов в arc-pvd наноструктурных покрытиях Г. Москва, 11904,9 Ленинский проспект, 4 Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН г. Омск ул. 5-я Кордная 2,9 индекс 644018 Р.В. Шелягин 1 Институт экспериментальной минералогии РАН, 142432, Московская область, Ногинский р-н, г. Черноголовка, ул. Институтская, д. 4 ЭЛЕКТРОННОМИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРЫ И СОСТАВА ИОННО-ПЛАЗМЕННЫХ ДУГОВЫХ ПОКРЫТИЙ Ti-Al-Cu-N Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» 1Институт физики НАН Беларуси, Республика Беларусь, 220090 г. Минск, Логойский тракт, 22 Особенности взаимодействия силицидных эвтектик (W,Mo)

Подобный материал:

• Предварительная программа XXIII российской конференции по электронной микроскопии, 417.83kb.
• Организация, 1634.08kb.
• Требования к оформлению докладов, 57.52kb.
• Список принятых докладов, 185.98kb.
• Сообщения, 100.41kb.
• 20- я (XXIV) Международная конференция Российского общества ангиологов и сосудистых, 158.95kb.
• Тезисы докладов, 34.49kb.
• Программа конференции «прогресс-2012» предусматривает заслушивание и обсуждение докладов, 105.14kb.
• Программа XVII российского симпозиумА по растровой электронной микроскопии и аналитическим, 697.22kb.
• Темы докладов формулируются в рамках следующих направлений по секциям: Темы докладов, 146.53kb.

Исследования методом высоковольтной просвечивающей электронной микроскопии наноструктур Gе/Si(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в низкотемпературном режиме

Л.В. Арапкина, В.П. Калинушкин, О.В. Уваров, В.А. Юрьев

Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, ул. Вавилова, 38, Москва, 119991, РФ

Фазовые превращения и структура металлических нанокристаллов

А.С. Аронин, Г.Е. Абросимова,

Институт физики твердого тела РАН, 142432, г. Черноголовка Московской области,

ул. Академика Осипьяна, д.2

Получение стержневидных наноразмерных кристаллов ZnO для изготовления точечных автоэлектронных эмиттеров

В.В. Артемов, А.С. Лавриков

Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН


энергетические конденсированные системы (ЭКС)

С УЛЬТРА- и НАНОРАЗМЕРНЫМ АЛЮМИНИЕМ: ПОЛУЧЕНИЕ, МИКРОСТРУКТУРА И ПАРАМЕТРЫ ГОРенИЯ

Е.С. Афанасенкова¹, Н.Г. Березкина¹, А.Н. Жигач¹, Б.В. Кудров¹, М.Л. Кусков¹, И.О. Лейпунский¹, Н.В. Муравьев², К.А. Моногаров², П.А. Пшеченков¹, Ю.В. Фролов², О.М. Жигалина³.

¹ Учреждение Российской Академии наук Институт энергетических проблем химической физики РАН, 119334, Москва, Россия, Ленинский проспект, 38, корп.2.

²Учреждение Российской академии наук Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН, 119334, Россия, Москва, ул. Косыгина 4.

³Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова, 119333, Москва, Ленинский проспект, 59


СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ НАНОПОРОШКОВ ДИОКСИДА ОЛОВА, ПОЛУЧЕННЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ВЗРЫВОМ ПРОВОЛОКИ

А.В. Багазеев, И.В. Бекетов, Т.М. Демина, А.И. Медведев, А.М. Мурзакаев, О.Р. Тимошенкова

Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена, 106, Екатеринбург, Россия, 620016. Тел.: (343) 2678782, факс: (343) 2678794, E-mail: Aidar@iep.uran.ru


О СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ПРИЗНАКАХ РЕАКЦИЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК, ВЫЯВЛЯЕМЫХ МЕТОДОМ ПЭМ

А.Г. Багмут

Национальный технический университет “Харьковский политехнический институт”

61002, Украина, г. Харьков, ул. Фрунзе, 21. E-mail: Bagmut@kpi.kharkov.ua


ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВЫЙ МИКРОАНАЛИЗ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ КОМПОЗИЦИИ «КРЕМНИЙ – БОР – БОРИД ЦИРКОНИЯ» НА ГРАФИТЕ

И.Б.Баньковская, И.А.Васильева, Л.П.Ефименко

Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН, Россия

199034, г. Санкт-Петербург, наб. Макарова, д. 2

ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНО-ФАЗОВОГО СОСТОЯНИЯ

ПЛЕНОК ФУЛЛЕРИТ-ОЛОВО МЕТОДАМИ СКАНИРУЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ И ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ

Л.В. Баран

Белорусский государственный университет, 220030, г. Минск, пр. Независимости, 4

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И МОРФОЛОГИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ОЛОВА

С.А. Башкиров¹, В.Ф. Гременок¹, А.Н. Петлицкий², А.С. Турцевич²,

С.В. Шведов², В.В. Цыбульский²

¹Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению, П. Бровки 19, 220072, Минск, Беларусь

²НТЦ «Белмикросистемы», Корженевского 12, 220108, Минск, Беларусь

СОСТАВ И СТРУКТУРА КОМПОЗИТОВ Pt/Si НА ПОДЛОЖКАХ SiO₂/Si ДЛЯ ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОСАЖДЕНИЯ PZT

В.Г. Бешенков, А.Г. Знаменский, В.А. Марченко

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ МУЛЬТИСЛОНОЙ АРХИТЕКТУРЫ НА РАЗМЕР КРИСТАЛЛИТОВ В ARC-PVD НАНОСТРУКТУРНЫХ ПОКРЫТИЯХ

И.В. Блинков, А.О. Волхонский

Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Г. Москва, 11904,9 Ленинский проспект, 4


ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКОМПОЗИТА CNT/SnO_X НА ОСНОВЕ СЛОЕВ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК

В.В. Болотов, Е.В. Князев, В.Е. Росликов, Ю.А. Стенькин,

Р.В. Шелягин

Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН г. Омск ул. 5-я Кордная 2,9 индекс 644018


Морфология и структурные особенности формирования нанокомпозитов por-Si/SnO_x

В.В. Болотов, Е.В. Князев, В.Е. Росликов, Ю.А. Стенькин,

Р.В. Шелягин.

Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН г. Омск ул.5-я Кордная 29 индекс 644018


О ВЛИЯНИИ СЛАБЫХ НИЗКОЧАСТОТНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ЛОКАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ПРЕЦИЗИОННЫХ СПЛАВОВ СИСТЕМЫ Fe-Si-Al

А.А. Вирюс¹, Т.П. Каминская², В.В. Коровушкин³, М.Н. Шипко⁴,

М.А. Степович<sup>4, 5

1</sup> Институт экспериментальной минералогии РАН, 142432, Московская область, Ногинский р-н, г. Черноголовка, ул. Институтская, д. 4

²Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991, ГСП-1,

г. Москва, Ленинские горы, д. 1, строение 2, Физический факультет

³Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049,

г. Москва, Ленинский пр., д. 4

⁴Ивановский филиал Российского государственного торгово-экономического университета, 153000, г. Иваново, ул. Дзержинского, д. 53

⁵Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, 248023, г. Калуга,

ул. Ст. Разина, д. 26

ЭЛЕКТРОННОМИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРЫ И СОСТАВА ИОННО-ПЛАЗМЕННЫХ ДУГОВЫХ ПОКРЫТИЙ Ti-Al-Cu-N

А.О. Волхонский, И.В. Блинков, Д.С. Белов, А.В. Ершова

Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»,

г. Москва, 119049, Ленинский проспект, 4


КОНТРОЛЬ УПОРЯДОЧЕННОГО РОСТА АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ ПРИ ВЫСОКИХ НАПРЯЖЕНИЯХ МЕТОДАМИ АСМ И РЭМ

¹Гасенкова И.В., ¹Мазуренко Н.И., ¹Остапенко Е.В., ²Жавнерко Г.К.

¹Институт физики НАН Беларуси, Республика Беларусь, 220090 г. Минск, Логойский тракт, 22; ²Институт химии новых материалов НАН Беларуси, Республика Беларусь, 220141, г. Минск, ул.Ф.Скорины, 36


Особенности взаимодействия силицидных эвтектик (W,Mo)₅Si₃ + (W,Mo)Si₂ с углеродными материалами при 1920-2050ºС

Гнесин Б.А., Гнесин И.Б., *Некрасов А.Н.

142432, Россия, Московская обл., г. Черноголовка, Институт физики твердого тела РАН

*142432, Россия, Московская обл., г. Черноголовка, Институт экспериментальной минералогии РАН


CТРУКТУРА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОПРОВОЛОК, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В ВИХРЯХ СВЕРХТЕКУЧЕГО ГЕЛИЯ