Список принятых докладов по секциям XXIV российской конференции по электронной микроскопии

Вид материала

Доклад

Содержание 1Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. 3ЗАО Элма-Малахит–Концерн Энергомера, 124460 Зеленоград, Россия 1Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.И. Бобров Н.В. Малехонова Национальный исследовательский университет «МЭИ» 1 Дальневосточный федеральный университет, 690950, Россия, г.Владивосток Алгоритмы электронной томографии в материаловедении ФГБНУ «Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов», 142190, Московская область, г. Троицк, ул. Централь 1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург Политехническая 26, Россия 1) Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия 3) Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия 2Учреждение РАН «Институт кристаллографии ран им.А.В. Шубникова» 119333 Россия, г.Москва, Ленинский пр., 59 117218, Россия, г. Москва, Нахимовский пр., 36/1 Институт кристаллографии РАН, Москва, 119333, Ленинский пр., 59

Подобный материал:

• Предварительная программа XXIII российской конференции по электронной микроскопии, 417.83kb.
• Организация, 1634.08kb.
• Требования к оформлению докладов, 57.52kb.
• Список принятых докладов, 185.98kb.
• Сообщения, 100.41kb.
• 20- я (XXIV) Международная конференция Российского общества ангиологов и сосудистых, 158.95kb.
• Тезисы докладов, 34.49kb.
• Программа конференции «прогресс-2012» предусматривает заслушивание и обсуждение докладов, 105.14kb.
• Программа XVII российского симпозиумА по растровой электронной микроскопии и аналитическим, 697.22kb.
• Темы докладов формулируются в рамках следующих направлений по секциям: Темы докладов, 146.53kb.

Исследование гетероструктур на основе AlGaN методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии

А.С.Орехов^1,2, М.Ю.Пресняков^2,, А.В.Ничипоренко², Ю.Н. Свешников³,

А.Л. Васильев^1,2

¹Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им.

А.В. Шубникова РАН, 119333 Россия, Москва, Ленинский пр., 59

²НИЦ «Курчатовский институт», 123182 Россия, Москва, пл. Академика Курчатова, д. 1.

³ЗАО Элма-Малахит–Концерн Энергомера, 124460 Зеленоград, Россия

ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОСТРУКТУРЫ СВЕРХПРОВОДящих лент Второго поколения НА ОСНОВЕ YBCO

А.С.Орехов^1,2, М.Ю.Пресняков², В.В.Роддатис², А.В.Овчаров², А.Л.Васильев^1,2.

¹Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им.

А.В. Шубникова РАН, 119333 Россия, Москва, Ленинский пр., 59.

²НИЦ «Курчатовский институт», 123182 Россия, Москва, пл. Академика Курчатова, д. 1.

Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками на Si/Si(001): исследование структуры и элементного состава методами просвечивающей электронной микроскопии

Д.А. Павлов, А.И. Бобров, д.ф.-м. н., проф. З.Ф. Красильник, А.В.Новиков, Д.Н.Лобанов.

ННГУ им. Лобачевского, г. Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, корп. 3, 3603950


ИССЛЕДОВАНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО СРЕЗА ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУР GaAs/InGaAs МЕТОДОМ ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩЕЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ

Д.А. Павлов¹, Н.В. Малехонова¹, А.И. Бобров¹, Н.В. Байдусь²,

Д.С. Смотрин<sup>2

1</sup>Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (ННГУ)

²Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ


Распределение нанофазы тантала в пленках металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов

М. Ю. Пресняков, А.И. Попов, Н.Д. Васильева

Национальный исследовательский университет «МЭИ»


КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ И СТРУКТУРНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ АМОРФНЫХ СПЛАВОВ СИСТЕМЫ CoP-CoNiP

Е.В.Пустовалов¹, А.Л.Чувилин^2,3, Е.Б.Модин¹, В.С.Плотников¹, С.В.Должиков¹, С.С.Грабчиков⁴, О.И.Потужная<sup>4

1</sup> Дальневосточный федеральный университет, 690950, Россия, г.Владивосток

² CIC nanoGUNE Consolider Tolosa Hiribidea, 76 E-20018 Donostia - San Sebastian, Spain

³ IKERBASQUE, Basque Foundation for Science, 48011, Bilbao, Spain

⁴ ГНПО "Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению" 220072, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки 19


АЛГОРИТМЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТОМОГРАФИИ В МАТЕРИАЛОВЕДЕНИИ

Е.В. Пустовалов, Б.Н. Грудин, О.В. Войтенко, В.С. Плотников

Дальневосточный федеральный университет, 690950, Россия, г.Владивосток, ул. Суханова 8


ИССЛЕДОВАНИЯ BN НАНОТРУБОК ПОЛИГОНАЛЬНОГО СЕЧЕНИЯ ИЗ НИТРИДА БОРА С Al₂O₃ В КАЧЕСТВЕ НАПОЛНИТЕЛЯ

А.Н. Семёнов, В.Д. Бланк, Б.А. Кульницкий, И.А. Пережогин, Е.В. Поляков

ФГБНУ «Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов», 142190, Московская область, г. Троицк, ул. Центральная, 7а

Моделирование аморфных и нанокристаллических сплавов на базе распределенной вычислительной сети с графическими процессорами

И.С.Смирнов, А.В. Колесников, Е.В. Пустовалов, В.С. Плотников.

Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток, Суханова 8, 690950

ПЭМ ИССЛЕДОВАНИЕ СЛОЯ GaN, ВЫРАЩЕННОГО В ПОЛУПОЛЯРНОМ НАПРАВЛЕНИИ НА ПЛАНАРНОЙ ПОДЛОЖКЕ (001)Si МЕТОДОМ ХЛОРИДНОЙ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ

Л.М. Сорокин¹, А.Е.Калмыков¹, А.В.Мясоедов¹, В. Н Бессолов¹,

А.В. Осипов², С.А. Кукушкин<sup>2

1</sup>Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург Политехническая 26, Россия

²Институт проблем механики РАН, 199178, г. Санкт-Петербург, Россия

e-mail: amyasoedov88@gmail.com


Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные наноструктуры Si/SiO₂

А.Г. Черков, С.Г. Черкова, Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.В. Марин,

А.Х. Антоненко, В.А. Скуратов

1) Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

2) Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия

3) Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия


ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОСТРУКТУРЫ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ Si ПОСЛЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ Ar⁺ И He⁺

Ю.М. Чесноков¹, А.Л.Васильев^1,2, Лукичев В.Ф³, Руденко К.В³

¹НИЦ «Курчатовский институт», 123182 Россия, Москва, пл. Академика Курчатова, д. 1.

²Учреждение РАН «Институт кристаллографии ран им.А.В. Шубникова» 119333 Россия, г.Москва, Ленинский пр., 59

³Учреждение РАН «Физико-технологический институт РАН»

117218, Россия, г. Москва, Нахимовский пр., 36/1


2. Электронная микроскопия в исследовании новых материалов, включая наноструктуры


ОСОБЕННОСТИ СТРОЕНИЯ И СВОЙСТВА ЛАЗЕРНЫХ КЕРАМИК

М.Ш. Акчурин, Р.В. Гайнутдинов , В.Г. Галстян, Р.М.Закалюкин,

А.А. Каминский, И.И. Купенко

Институт кристаллографии РАН, Москва, 119333, Ленинский пр., 59