Отчет за 2006/07 учебный год
Вид материала | Отчет |
СодержаниеЦель изучения дисциплины Структура тем Объем времени и виды учебной работы Цель изучения дисциплины Структура тем Объем времени и виды учебной работы |
- Анализ работы школы за 2005 2006 учебный год, 149.34kb.
- Муниципальное общеобразовательное учреждение, 1123.04kb.
- Отчет по учебно-методической работе за 2005/2006 учебный год, 1030.78kb.
- Отчёт о работе пцк музыкально-эстетического цикла за 2009 2010 учебный год, 243.6kb.
- Анализ работы гоу гимназии №1590 сао за 2007/2008 учебный год, 1823.77kb.
- Публичный отчёт за 2010/2011 учебный год. Москва, 2011, 2267.46kb.
- Публичный отчет о состоянии дел в школе и результатах деятельности за 2006-2007 учебный, 601.77kb.
- М. Л. Миля публичный отчет. Данный отчет, 499.43kb.
- Отчёт работы моу сош с. Апалиха за 2010-2011учебный год, 463.19kb.
- Публичный отчет моу «сош №5», 1173.26kb.
Технологии и материалы электронной техники
Кредиты: 3
Аннотация дисциплины:
Приводится обзор современных материалов электронной техники: металлов, полупроводников, диэлектриков, сверхпроводников, магнитных материалов, композиционных и наноматериалов. Излагаются физические основы и проводятся практические лабораторные работы по современным вакуумным технологиям, включая технологию молекулярно-лучевой эпитаксии.
Цель изучения дисциплины:
Ознакомить студентов с концепциями новых материалов и технологий, требуемыми для решения инженерных и исследовательских задач, в том числе наукоемкой технологии, ориентированной на развитие новых материалов и изделий, а также обозначить место основ материаловедения в формировании умения студентов решать соответствующие задачи.
Структура тем:
- Общая классификация материалов по составу, свойствам и техническому назначению. Методы исследования материалов и элементов электронной техники. Электронные свойства металлов, сплавов, полупроводников, диэлектриков, сверхпроводников. Современные композитные материалы, наноматериалы, фуллерены и нанотрубки.
- Характеристика и основные физико-химические, электрические и оптические свойства элементарных полупроводников, полупроводниковых соединений и твердых растворов, примеры реализации полупроводниковых структур в приборах и устройствах электроники.
- Основные физические процессы в диэлектриках (поляризация, пробой, диэлектрические потери), активные и пассивные диэлектрические материалы и элементы на их основе.
- Магнитные материалы и элементы общего назначения. Высокотемпературные сверхпроводники, элементы устройств сильноточной и слаботочной сверхпроводящей электроники.
- Основные этапы производства электровакуумных и полупроводниковых приборов, интегральных микросхем: формообразование изделий из металлов, термопластических и порошковых материалов, технология функционального монтажа, нанесения тонких покрытий.
- Тенденции развития методик неинвазивного оценивания. Тенденции фундаментальных исследований в области технологий неразрушающего контроля, в том числе медицинского приборостроения, материаловедения и предотвращения загрязнения окружающей среды.
Объем времени и виды учебной работы:
Лекции – 34 часа, лабораторные занятия и компьютерное моделирование – 17 часов, самостоятельная работа – 17 часов.
Составил профессор С.Г. Овчинников
Физические основы интроскопии
Кредиты: 3
Аннотация дисциплины:
Приводится обзор элементов теории проникающих под поверхность композитных материалов физических полей применительно к интроскопии микроструктурных параметров и неинвазивной оценки физических свойств. Прогрессивные методы интроскопии включают в себя компьютеризированную визуализацию, основанную на полевых соотношениях, явлениях рассеяния, анализе изображений, методах обращения и обработки сигналов. Современная методология интроскопии является наукоемкой технологией и составляет ядро этого курса.
Цель изучения дисциплины:
Ознакомить студентов с концепциями интроскопии, требуемыми для решения инженерных и исследовательских задач, в том числе наукоемкой технологии, ориентированной на развитие новых материалов и изделий, а также обозначить место основ интроскопии в формировании умения студентов решать соответствующие задачи.
Структура тем:
- Обзор прогрессивных методов интроскопии (сдвиговая лазерная интроскопия, визуализация поверхностных ультразвуковых волн, акустическая и микроволновая микроскопия, ультразвуковая томография).
- Основы ультразвуковой интроскопии. Уравнение Навье и его декомпозиция. Распространение ультразвуковых волн в упругих телах. Граничные условия. Принципы геометрической акустики. Объемные волны. Отражение и преломление объемных волн. Приложения к количественной ультразвуковой интроскопии.
- Физические основы радиоволновой интроскопии. Электромагнитные волны в направляющих системах с распределенными параметрами. Взаимодействия электромагнитного поля с тестируемым объектом. Электромагнитные средства измерения объема, массы, однородности среды и иных физических характеристик. Обработка сигналов и изображений.
- Физические основы методов токовихревой интроскопии. Базовые уравнения электромагнитного поля в проводящей и слабопроводящей средах. Теоретические основы моделирования токовихревых датчиков. Обработка сигналов.
- Методы диэлькометрии. Модели взаимодействия электрического поля с композитными диэлектрическими средами. Диэлектрическая спектрометрия. Неразрушающий контроль углепластиков. Неразрушающий комбинированный контроль адгезивных соединений.
- Перспективы развития методик неинвазивного оценивания. Тенденции фундаментальных исследований в области технологий неразрушающего контроля, в том числе медицинского приборостроения, материаловедения и предотвращения загрязнения окружающей среды.
Объем времени и виды учебной работы:
Лекции – 34 часа, лабораторные занятия и компьютерное моделирование – 17 часов, самостоятельная работа – 17 часов.
Составил профессор Я.И. Бульбик