[по имени амер физика И. А. Раби (I. I. Rabi)], резонансный метод исследования магн моментов ядер, атомов и молекул и внутримол
Вид материала | Документы |
- 32. Эволюция понятия элементарная частица. Неизменность свойств ядер, атомов, молекул, 827.07kb.
- Молекулярная физика и термодинамика статистический и термодинамический методы Молекулярная, 12.67kb.
- Элементы квантовой механики и физики атомов, молекул, твердых тел, 156.85kb.
- X международная конференция Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул ampl, 299.2kb.
- Магнитные свойства молекул, 29.04kb.
- Моделирование структур молекул по Огжевальскому, 61.04kb.
- Десятая новая лекция аксиомы единства канарёв, 209.76kb.
- Программа-минимум кандидатского экзамена по специальности, 79.71kb.
- Молекулярная физика и термодинамика. Лекция №1 Молекулярно-кинетическая теория Основные, 10053.18kb.
- Вегето- резонансный тест Оценка по методу Кузьменко (метод Накатани) Диабат (метод, 12.28kb.
Теория Р. а. была разработана нем. учёным Г. Гельмгольцем (I860) и англ. учёным Дж. Рэлеем (1877—78).
^ РЕЙНОЛЬДСА ЧИСЛО [по имени англ. учёного О. Рейнольдса (О. Reynolds)], один из подобия критериев для течений вязких жидкостей и газов, характеризующий соотношение между инерц. силами и силами вязкости: Re=vl/, где — плотность, — коэфф. динамич. вязкости жидкости или газа, v — характерная скорость потока, l — характерный линейный размер. Так, при течении в длинных цилиндрич. трубах обычно l=d, где d — диаметр трубы, a v=vср — средняя по поперечному сечению скорость течения; при обтекании тел l — длина или поперечный размер тела, а
631
v = v — скорость невозмущённого потока, набегающего на тело.
Р. ч. является также одной из характеристик течения вязкой жидкости (газа). Для каждого вида течения существует такое критич. Р. ч. REкр, что при Re
^ РЕЙНОЛЬДСА ЧИСЛО МАГНИТНОЕ, см. в ст. Магнитная гидродинамика.
РЕКОМБИНАЦИЯ (от лат. re — снова, опять и позднелат. combinatio -соединение), 1) Р. ион-электронная, элем. акт воссоединения положит. иона (с зарядом Z+1) и свободного эл-на, приводящий к образованию иона с зарядом Z. В частном случае (при Z=0) образуется нейтр. атом (или молекула). Известно неск. каналов Р.
При р а д и а ц и о н н о й Р. иона A(Z+1), обычно рассматриваемого в осн. состоянии, с эл-ном, обладающим кинетич. энергией ξ, образуется ион A (Z, ) в состоянии (основном или возбуждённом), а избыточная энергия излучается в виде кванта h=Еи+ξ, где — частота излучения, а Eи— энергия ионизации из состояния у:
A (Z+1)+е A(Z, )+hv.
В случае д и э л е к т р о н н о й Р. происходит возбуждение иона и одновременно захват им эл-на на уровень энергии, превышающий норм. энергию ионизации, так что образующийся ион A (Z, ') оказывается в автоионизованном состоянии '. Такая Р. может быть устойчива, если эл-н достаточно быстро переходит после захвата на более низкий уровень 7 с испусканием кванта h=E'-E:
A (Z+1)+<A (Z, ') (Z, )+h.
Д и с с о ц и а т и в н а я Р. происходит, если рекомбинирующий ион явл. молекулярным и в результате захвата им эл-на образуется молекула в неустойчивом состоянии Г, к-рая затем диссоциирует. Напр.:
АВ++е<АВ(Т)А(1)+В(2).
При тройном вз-ствии иона A(Z+1), эл-на и к.-л. третьей ч-цы (эл-на, атома, иона), когда избыточная энергия уносится этой третьей ч-цей, происходит ударная Р. Напр.:
A(Z+1)+е+еA(Z, )+е.
Акты Р. происходят как в объёме плазмы, так и на поверхности стенок, ограничивающих этот объём. В первом случае они наряду с ионизацией и процессами переноса (см. Переноса явления) определяют баланс заряж. ч-ц в объёме плазмы. Эффективность
того или иного канала Р. зависит от условий (плотности, энергии ч-ц, их состава, внеш. воздействий и т. д.). В разреженной плазме (плотность n1013 см-3) при отсутствии многозарядных ионов наиболее эффективны процессы радиац. Р. По мере роста n всё большую роль играют процессы ударной Р. и при n>1017 см-3 они явл. определяющими. Диссоциативная Р. важна в мол. низкотемпературной плазме, а диэлектронная — в «горячей» плазме, когда имеются многозарядные ионы.
Объёмная Р. существенно влияет на скорость деионизации среды в разрядном промежутке и потому должна учитываться при выборе конструкции и режима работы газоразрядных приборов. Искусственно ускоряя Р., можно получить инверсию населённости возбуждённых уровней атомов (ионов), что используется для создания лазеров на рекомбинирующей плазме (см. Газовый лазер).
• Атомные и молекулярные процессы, под ред. Д. Бейтса, пер. с англ., М., 1964; Гордиец Б. Ф., О с и п о в А. И., Шепепин Л. А., Кинетические процессы в газах и молекулярные лазеры, М., 1980.
^ В. Н. Колесников.
2) Р. электронов и дырок в ПП, исчезновение пары электрон проводимости — дырка в результате перехода эл-на из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.); возможна также безызлучательная Р., при к-рой энергия расходуется на возбуждение колебаний крист. решётки или передаётся подвижным носителям заряда при тройных столкновениях (ударная Р.). Р. может происходить как при непосредств. столкновении эл-нов и дырок, так и через примесные центры (центры Р.), когда эл-н сначала захватывается из зоны проводимости на примесной уровень в запрещённой зоне, а затем переходит в валентную зону. Скорость Р. (число актов Р. в ед. времени) определяет концентрацию неравновесных носителей заряда, создаваемых внеш. воздействием (светом, быстрыми заряж. ч-цами и т. п.), а также время восстановления равновесной концентрации после выключения этого воздействия. Излучательная Р. проявляется в люминесценции кристаллов и лежит в основе действия полупроводниковых лазеров и светоизлучающих диодов.
• См. лит. при ст. Полупроводники.
^ Э. М. Эпштпейн.
РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, процесс образования и роста (или только роста) структурно более совершенных кристаллич. зёрен поликристалла за счёт менее совершенных зёрен той же фазы. Скорость Р. экспоненциально возрастает с повышением темп-ры и сильно зависит от хим. и фазового состава материала. Р. протекает особенно интенсивно в пластически деформированных (на 1—10%) материалах. Различают 3 стадии Р.: первичную, когда в деформированном материале образуются новые неискажённые зёрна, которые растут, поглощая зёрна, искажённые деформацией; собирательную Р.— неискажённые зёрна растут за счёт друг друга, вследствие чего средняя величина зерна увеличивается, и вторичную Р., к-рая отличается от собирательной тем, что способностью к росту обладают только немногие из неискажённых зёрен. В ходе вторичной Р. структура характеризуется разл. размерами зёрен.
Р. устраняет структурные дефекты, изменяет размеры и ориентацию зёрен и иногда их кристаллографич. ориентацию (текстуру). Р. переводит в-во в состояние с большей термодинамич. устойчивостью: при собирательной и вторичной Р.— за счёт уменьшения суммарной поверхности границ между зёрнами, при первичной Р.— также за счёт уменьшения искажений, внесённых деформацией. Р. изменяет все структурно-чувствительные свойства материала и часто восстанавливает исходную структуру, текстуру и свойства (до деформации). Иногда структура и текстура после Р. отличаются от исходных, соответственно отличаются и свойства.
• Горелик С. С., Рекристаллизация металлов и сплавов, 2 изд., М., 1978.
С. С. Горелик.
^ РЕЛАКСАЦИОННЫЕ КОЛЕБАНИЯ, колебания, возникающие в нелинейных системах, в к-рых существенную роль играют диссипативные силы: внеш. или внутр. трение — в механич. системах, сопротивление - в электрических. Обычно о Р. к. говорят применительно к автоколебат. системам. Каждый период Р. к. может быть разделён на неск. резко разграниченных этапов, соответствующих медленным и быстрым изменениям состояния системы, в к-рой происходят Р. к., что позволяет рассматривать Р. к. как разрывные колебания.
Простейший пример электрич. Р.к.— колебания, возникающие в схеме с газоразрядной лампой, к-рая обладает св-вом зажигаться при нек-ром напряжении UЗ и гаснуть при более низком напряжении UГ. В этой схеме периодически осуществляется зарядка конденсатора С от источника тока Е через сопротивление R до напряжения зажигания лампы, после чего лампа зажигается, и конденсатор быстро разряжается через лампу до напряжения гашения лампы. В этот I момент лампа гаснет и процесс начинается вновь. В течение каждого периода этих Р. к. происходят два медленных изменения силы тока I при заряде и разряде конденсатора и два I быстрых — скачкообразных — изменения тока Iс, когда лампа зажигается и гаснет (рис.).
Упрощённое рассмотрение механизма возникновения Р.к. основано) на пренебрежении параметрами системы, влияющими на характер бы-
632
стрых движений. Методы нелинейной теории колебаний позволяют исследовать не только медленные, но и быстрые движения, не пренебрегая параметрами, от к-рых характер быстрых движений существенно зависит, и не прибегая к спец. постулатам о характере быстрых движений. В зависимости от св-в системы возможно
большое разнообразие форм Р. к. от близких к гармоническим до скачкообразных и импульсных.
Электрич. Р. к. применяются в измерит. технике, телеуправлении, автоматике и др. разделах электроники. Для их создания существуют разнообразные генераторы Р. к., напр. блокинг-генераторы, мультивибраторы, RC-генераторы.
•Андронов А. А., В и т т А. А., Хайкин С. Э., Теория колебаний, [2 изд.], М., 1981, гл. 4, 9; М е е р о в и ч Л. А., Зеличенко Л. Г., Импульсная техника, 2 изд., М., 1954, гл. 14; Капчинский И. М., Методы теории колебаний в радиотехнике, М.— Л., 1954.
РЕЛАКСАЦИЯ (от лат. relaxatio -ослабление, уменьшение), процесс установления равновесия термодинамического в макроскопич. физ. системах (газах, жидкостях, тв. телах). Состояние макроскопич. системы определяется большим числом параметров, и установление равновесия по каждому из параметров может протекать различно. Количеств. хар-кой Р. служит в р е м я р е л а к с а ц и и. Строго говоря, время t, необходимое для установления полного термодинамич. равновесия, бесконечно велико, т. к. в процессе Р. всегда наступает период т. н. линейной Р., когда параметры Xi, описывающие состояние системы (плотность , темп-ра Т и др.), лишь незначительно отличаются от своих равновесных значений X~i, а скорости их изменения со временем X.i=dXi/dt, пропорц. отклонениям Хi от Х~i:
за времена i малые отклонения параметров ^ X; от равновесных значений уменьшаются в е раз; i наз. временами P., a 1/i=i — частотами Р. Значения i определяются св-вами системы, зависят от её состояния и внеш. условий. Напр., эл-ны проводников приходят в состояние равновесия за 10-13 — 10-14 с, а приближение к равновесию крист. структур в земной коре длится геол. эпохи. Физ. система может, достигнув равновесного состояния по одним параметрам, остаться неравновесной по другим, т. е. находиться в состоянии
частичного равновесия. Релаксирующая система проходит, как правило, через состояния частичного равновесия.
Все процессы Р.— неравновесные процессы, сопровождающиеся возрастанием энтропии системы, их исследованием занимается кинетика физическая.
^ Микроскопическая теория Р. базируется на молекулярно-кинетической теории, рассматривающей процессы в макроскопич. системах как проявление движения и вз-ствия атомных и субатомных ч-ц. Теория Р. наиб. разработана применительно к газам, в к-рых равновесие устанавливается благодаря столкновению ч-ц газа. При столкновениях ч-цы обмениваются энергиями и импульсами. Частоты столкновений и эффективность обмена выражаются через вероятности столкновений. Вероятности обмена энергиями и импульсами при столкновениях для ч-ц разл. сортов могут существенно отличаться, что сказывается на релаксац. процессах в системе. В электронно-ионной плазме, напр., различие масс эл-нов и ионов приводит к тому, что эти ч-цы легко обмениваются импульсами, но обмен энергией между подсистемами эл-нов и ионов затруднён. В самих же подсистемах (при электрон-электронных и ион-ионных столкновениях) обмен импульсами и энергиями идёт в одном темпе. В результате быстро устанавливается равновесие в ионной и электронной подсистемах плазмы в отдельности, но равновесие в плазме в целом устанавливается медленнее. Аналогичная ситуация наблюдается в газах из многоатомных молекул, где подсистемами явл. поступат. и внутр. степени свободы. Обмен энергией между этими видами степеней свободы затруднён. Быстрее всего устанавливается равновесие по поступат. степеням свободы, потом — по внутренним и медленнее всего — между поступат. и внутренними. В этих условиях частично равновесное состояние может быть описано введением разл. темп-р подсистем. Самый медленный процесс— выравнивание темп-р подсистем -последний этап Р. Хар-ками столкновений в газе явл. ср. время свободного пробега ч-ц пр и его длина l=vпр (v — ср. скорость ч-ц). По порядку величины пр совпадает с временем установления локального равновесия в объеме газа ~l3 (б ы с т р а я Р.). Локально-равновесное состояние описывается макроскопич. параметрами (Т, и др.), к-рые различны для разных локально-равновесных частей системы, но выравниваются, когда система приходит в полное равновесие. Газ можно считать макроскопич. системой, если l << L, где L — характерное расстояние (напр., размер сосуда). Переход от локального к полному равновесию (выравниванию темп-р, плотности) требует макроскопически большого числа столкновений (м е д л е н н а я Р.) и из-за
случайности столкновений имеет диффузионный хар-р. Этот этап Р. описывается ур-ниями гидродинамики, диффузии, теплопроводности и т. п., содержащими релаксац. и кинетич. коэффициенты. Кинетич. коэфф. могут быть выражены через частоты Р. и длины свободного пробега (или через вероятности столкновений). Так, напр., время выравнивания темп-ры TL2/, где ~lv — коэфф. температуропроводности; ф-ле можно придать вид T пр(L/l)2, из к-рого следует, что Р. темп-ры происходит в результате (L/l)2 столкновений.
Медленная Р. в жидкостях и тв. телах также описывается ур-ниями гидродинамики, диффузии, теплопроводности и т. д., однако релаксац. и кинетич. коэфф. в случае обычных жидкостей не могут быть в общем случае выражены через вероятности микроскопич. процессов. В случае квантовых жидкостей и кристаллов кинетич. коэфф. выражаются через вероятности столкновений квазичастиц. Напр., теплопроводность диэлектрика пропорц. длине свободного пробега фононов, а электропроводность металлов и ПП — длине пробега эл-нов проводимости. Квазичастицы имеют конечные времена жизни, к-рые могут служить для оценки времён Р. в тв. телах (напр., время Р. полупроводника после выключения освещения определяется временем рекомбинации эл-нов и дырок).
Связь между кинетич. коэфф. и хар-ками столкновений ч-ц и квазичастиц устанавливается на основе ур-ний (кинетического уравнения Больцмана, в сложных случаях — квантового кинетич. ур-ния, ур-ния для матрицы плотности, с привлечением метода функций Грина и т. п.).
Релаксация и резонансное поглощение энергии. Р. в экспериментах проявляется, как правило, косвенно в затухании макроскопич. движений, в ограничении потоков ч-ц и теплоты, возникающих в телах под воздействием внеш. сил, а также в зависимости кинетич/ коэфф. (электропроводности, внутр. трения и др.) от частоты (о, если вынуждающая сила периодически изменяется во времени. Частотная зависимость (дисперсия) кинетич. коэфф.— одно из наиболее непосредств. проявлений релаксац. процессов. Сопротивление среды (её стремление остаться в состоянии равновесия, несмотря на воздействие внеш. силы) приводит к уменьшению эффективности воздействия с ростом . Если при статич. силе fi отклонение Xi от положения равновесия составляет Xi=ifi, то при перем. силе той же амплитуды, fi(t)~ficost, отклонение Xi=
633
Эфф. уменьшение воздействия с ростом частоты и сдвиг по фазе между fi и Хi приводят, как правило, к немонотонной зависимости от поглощённой за период энергии Q() ~i/(1+(i)2). Наличие у Q() максимума при i=1 наз. к и н е м а т и ч е с к и м (релаксационным) р е з о н а н с о м. Исследование кинематич. резонанса — удобный метод измерения времени Р. Обнаружение неск. максимумов на кривой Q() свидетельствует о существовании неск. механизмов Р. Связь Р. с частотной зависимостью кинетич. коэфф. проявляется особенно отчётливо в тех случаях, когда в системе наблюдается резонансное поглощение эл.-магн. или звук. энергии: ширина резонансной кривой пропорц. частоте Р. резонирующего параметра (~i).
^ Релаксация и фазовые переходы. Р. может сопровождаться фазовым переходом. Если переход из неравновесного в равновесное состояние -фазовый переход I рода, то сначала система перейдёт в метастабильное состояние, выйти из к-рого она может, только преодолев межфазовый потенц. барьер путём образования и роста (вплоть до критич. размеров) зародышей стабильной фазы. Необходимость достижения критич. зародышами макроскопич. размеров часто делает Р. из метастабильной фазы в стабильную столь медл. процессом, что метастабильные фазы ведут себя как равновесные (см. Аморфное состояние, Неупорядоченные системы).
^ С приближением к точке фазового перехода II рода (происходящего при темп-ре Тс] параметр порядка , характеризующий различие св-в фаз, стремится к нулю, что приводит к увеличению его времени P. ( при Т -Tc0). Замедление релаксац. процессов вблизи Тс накладывает отпечаток на все кинетич. хар-ки тел в этой области темп-р (см. Критические явления).
Магнитная Р. Сравнительно слабая связь спинов атомных и субатомных ч-ц с движением ч-ц (колебаниями крист. решётки, орбитальным движением эл-нов проводимости в кристалле) делает систему спинов квазинезависимой подсистемой тела. В силу этого равновесие внутри спиновой системы магнитоупорядоч. сред (ферро- и антиферромагнетиков) наступает, как правило, раньше, чем всё тело приходит в состояние равновесия. В этих условиях спиновой подсистеме можно приписать темп-ру (спиновая темп-ра), к-рая будет отличаться от темп-ры тела, обусловленной движением атомов и молекул. Процесс установления равновесия в спиновой подсистеме тела наз. м а г н и т и о й Р. Магн. Р. усложняется существованием сил
разл. природы, действующих между спинами. Обменные силы (см. ^ Обменное взаимодействие), наибольшие по величине, не могут изменить ср. магн. момента системы, даже если он имеет неравновесное значение, но выравнивают темп-ру в спиновой подсистеме. Релятив. силы вз-ствия между спинами (спин-орбитальные, магнитодипольные и др., см. Ферромагнетизм) ответственны за Р. ср. магн. момента, причём разные компоненты магн. момента релаксируют с разной скоростью.
Р. в парамагнетиках компонента магн. момента, к-рый перпендикулярен приложенному магн. полю, связана со спин-спиновым вз-ствием (время P. 1), а Р. продольного компонента — со спин-решёточным (спин-фононным) вз-ствием (время Р. 2). Обычно 1>2, а разл. природа Р. проявляется не только в числ. различии времён Р., но и в разных зависимостях от темп-ры. Магн. Р. яд. спинов обладает особенностями, обусловленными их сравнительно слабым вз-ствием с др. степенями свободы тв. тела и друг с другом. Из-за этого время ядерной Р., как правило, превосходит др. времена Р.
Магн. Р. проявляется в процессах намагничивания и перемагничивания (см. ^ Магнитная вязкость), она определяет ширину линий магн. резонансов и дисперсию магн. восприимчивости. Магн. Р. ограничивает применимость магнетиков в технике и в физ. эксперименте. Т. к. магн. Р. (как и др. релаксац. процессы) существенно зависит от структуры тела и его хим. состава (в кристаллах — от наличия дислокаций и др. дефектов), то время магн. Р. можно изменять технологич. обработкой (легированием, закалкой и т. п.).
• Зубарев Д. Н., Неравновесная статистическая термодинамика, М., 1971; Фудзита С., Введение в неравновесную квантовую статистическую механику, пер. с англ., М., 1969; Лифшиц Е. М., Питаевский Л. П., Физическая кинетика, М., 1979.
^ М. И. Наганов.