Справочник молодого радиста © Издательство «Высшая школа»

Вид материала

Справочник

Содержание Транзисторы р-n-р Транзисторы n-р-n Планарные транзисторы n-p-n Рис 60 Цоколевка (а, г), входные Транзисторы n-p-n Транзисторы р-n-р Транзисторы р-n-р РК.МаКС= ( 150-7 с)/0,6. Транзисторы р-n-р Р К.МАКC= -J150-7- с)/0.6.Транзисторы р-n-р Р ft,MaftG= ( 150-Tc)/0,6.Транзисторы p-n-р Транзисторы n-р-n Транзисторы р-n-р Транзисторы n-р-n Рис. 63. Цоколевка и основные размеры транзисторов Транзисторы р-n-р Транзисторы р-n-р Транзисторы n-р-n Транзисторы n-р-n Транзисторы р-n-р

Подобный материал:

• І. П. Основи дефектоскопії-К.: «Азимут-Україна», 2004. 496 с. Ермолов И. Н., Останин, 1049.75kb.
• Методические указания к выполнению контрольных работ Для студентов, 327.25kb.
• Справочник молодого шлифовщика профессионально-техническое образование оглавление, 7551.93kb.
• Бюллетень новых поступлений за ноябрь 2006 года, 1839.04kb.
• Высшая Школа Экономики. Высшая школа менеджмента программа, 87.79kb.
• История» 4-е издание Издательство Московского университета «Высшая школа» 2003, 12721.75kb.
• Справочник по математике для экономистов (под ред. В. И. Ермакова)- м., Высшая школа,, 19.91kb.
• Экономика для менеджеров, 2536.52kb.
• Высшая Школа Экономики программа, 326.6kb.
• Организация работы, 73.56kb.

Высокочастотные. Конверсионные транзисторы р-n-р ГТ321

(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 112.



Рис. 59. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а - ГТ321. б — ГТ322, в - ГТ323

Таблица 112

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ321А	ГТ321Б	ГТ321В	ГТ321Г	ГТ321Д	ГТ321Е
Статический ко­эффициент пет редачи тока при Uкэ=3 В и I, = 500 мА	20 — 60	40 — 120	80 — 200	20 — 60	40 — 120	80 — 200
Модуль коэффи­циента передачи тока при I8= 15 мА, Uк = 10 В и f = 20 МГц	3	8	3	3	3	3
Емкость перехода пФ: коллекторно­го, при UKa= — 10 В и f=5 МГц	80	80	80	80	80	80
эмиттерного при Uэб= — 0,5 В	600	600	600	600	600	600
Постоянная вре­мени цепи обратной связи, пс, при ин= 10 В, Iэ= 15 мА и f= 5 МГц	600	600	600	600	600	600
.Напряжение на коллекторе, В, при котором на­ступает перево­рот фазы базо­вого тока при Iэн=700 мА и Tк<450С	40	40	40	30	30	30

Обратный ток коллектора, мкА, при U_K= — 30 В, Tк=20°С............. . . . . 100

Начальный ток коллектора, мА, при R6=100 Ом и предельном напряжении U_Ka........ 0,8

Напряжение в режиме насыщения, В:

Uкэ при I_к=700 мА........... 2,5

Uбэ при I„=700 мА*.......... 1,3

Импульсный ток коллектора, А, при т_имп=30 мкс и температуре 45 °С............ 2

Ток базы, мА.............. 30

Импульсный ток базы, мА, при т_имп=30 мкс . . 500

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<45°С ................ 160

Импульсная мощность на коллекторе, Вт, при T_К<45°С ................ 20

* При токе базы 140 мА — для транзисторов ГТ321А, ГТ321Г; 70 мА — для ГТ321Б, ГТ321Д и 36 мА — для ГТ321В, FT321E


Транзисторы р-n-р ГТ322 (А, Б, В) применяются для работы в УВЧ радиовещательных приемникрв и выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис. 59, б), массой 0,6 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до -{-55 °С. Корпус Кр тран­зистора электрически соединен с четвертым выводом и может быть использован в качестве экрана. Электрические параметры транзи­сторов приведены в табл. 113.


Таблица 113

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ322А	ГТ322Б	ГТ322В
Статический коэффициент передачи тока	30 — 100	50 — 120	20 — 120
Модуль коэффициента передачи тока на f=20 МГц	4	4	2,5
Емкость коллектора, пФ, при Uкб= — 5В и f=10 МГц	1,8	1,8	2,5
Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при f=5 МГц	. 50	100	200

Обратный ток коллектора, мкА, при U_Кб= — 10 В и температуре, °С:

20.................. 4

55.................. 100

Входное сопротивление *, Ом, в схеме с ОБ в диа­пазоне частот от 50 до 1000 Гц...... . 34

Выходная проводимость*, мкСм, в схеме с ОБ в.

диапазоне частот от 50 до 1000 Гц...... 1

Коэффициент шума *, дБ, на частоте 1,6 МГц . . 4

Тепловое сопротивление, °С/мВт....... 0,7

Ток коллектора, мА............ 5

Напряжение U_Kn, В............ — 15

Напряжение U_K3, В при Rб>10 кОм..... 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<25°С ................ 50

» При и_кб-----5 В и 1_Э=1 мА.


Транзисторы n-р-n ГТ323 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис 59, в), массой 2 г, с диапа­зоном рабочих температур — 55 до +60 °С. Электрические парамет­ры транзисторов приведены в табл 114.

Таблица 114

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ323А	ГТ323Б	ГТ323В
Статический коэффициент передачи тока при Iк =0,5 А и Uкв=5 В	20 — 60	40 — 120	50 — 200
Время рассасывания, не, при Iк — 1 А и токе базы *	100	100	150

Емкость, пФ:

коллектора при U_Кб=15 В и f=5 МГц .... 30

эмиттера при U_8б=0,25 В и f=5 МГц .... 100 Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при

Uк=10 В, I_э=10 мА и f=10 МГц....... 300

Обратный ток, мкА:

коллектора при U_K6=20 В . ..... 30

эмиттера при U_Эб=2 В.......... 100

Напряжение коллектора, В, при котором наступает

переворот фазы базового тока при I_э=100 мА . . 10 Напряжение в режиме насыщения, В:

Uкэ при I_к=1 А и I6=100 мА....... 2,5

Uбэ при Iк=1 А и, I6=100 мА....... 3

Импульсный ток коллектора, А ....... 1

Напряжение U_Кб, В............ 20

Напряжение U_K9, В, при Я_в=1 кОм..... 20

Напряжение U_Эб, В............ 2

Напряжение U_ка, В, запертого транзистора при

Uбэ=0,25-2 В.............. 20

Мощность**, мВт, рассеиваемая коллектором, с 500 теплоотводом, при температуре от — 50 до +50 °С

Импульсная мощность, Вт, при т_имп=0,5 мкс . . 5

100 мА — для ГТ323А. 50 мА — для ГТ323Б, 25 мА — для ГТ323В. ** При температуре корпуса Т_к -50-60 °С мощность. мВт,

Р_KMaKC=10(100-Tк°C).


Планарные транзисторы n-p-n KT312 (А, Б, В) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 60,а), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Их входные и выходные характеристики показаны на рис. 60, б, в, а электриче­ские параметры приведены в табл. 115.



Рис 60 Цоколевка (а, г), входные (б, д) и выходные (в, е), ха­рактеристики транзисторов КТ312 и КТ315

Таблица 115

Параметры	Типы транзисторов
	КТ312А	КТ312Б	КТ312В
Статический коэффициент передачи тока при Iк=20 мА, Uк=2 В	10 — 100	25 — 100	50 — 280
Модуль коэффициента передачи токч при Iэ=5 мА, Uк=10 В и f=20 МГц;	4	6	6
Максимальное напряжение, В: Uкб	20	35	20
Uкэ при сопротивлении между эмиттером и базой 100 кОм	20	35	20

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при I_э=5 мА, Uк=10 В и f=5 МГц........... 500

Емкость, пФ коллектора при U_Кб=10 В и f= 10 МГц........... 5

эмиттера при Uэб — 1 В и f=10 МГц ..................20

Обратный ток коллектора, мкА, при Uкб=15 В (для КТ312А и КТ312В) и при Uнб=30 В (для КТ312Б) .... 10

Обратный ток эмиттера, мкА, при U_B6=4 В............ 10

Напряжение в режиме насыщения, В:

U_M при I_к=2 мА и I6=20 мА . . 0,8

Uбэ при Iб=2 мА и Iк=20 мА . . 1,1

Постоянный ток коллектора, мА ... 30

Импульсный ток коллектора, мА ... 60

Напряжение Uэб, В ....... 4

Мощность, мВт, рассеиваемая коллек­тором, при T_K<60°C....... 225

Импульсная мощность, мBт, при Тимп<1 мкс........... 450


Транзисторы n-p-n KT315 (А — Е) выпускаются в пластмассо­вом корпусе (рис. 60, г) массой 0,18 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 55 до +100°С. Входные и выходные характеристики этих транзисторов показаны на рис. 60, д, е, а их электрические па­раметры приведены в табл. 116.

Таблица 116

Параметры	Типы транзисторов
	КТ316А	КТ315Б	КТ315В	КТ316Г	КТ315Д	КТ315Е
Статический ко­эффициент пе­редачи тока при Uк=10 В и Iв=1 мА	20 — 90	50 — 350	20 — 90	50 — 350	20 — 90	50 — 350
Модуль коэффи­циента переда­чи тока при Uк=10 В, I8 =5 мА и f=100 МГц	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5
Постоянная вре­мени цепи об­ратной связи, пс, при Uи=10 В, I8=5 мА	500	500	500	500	1000	1000
Напряжение Uнз, B, при R6э=10 кОм	20	15	30	25	—	—
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iн=20 мА и Iб=2мА:						%
UKэ	0,4	0,4	0,4	0,4	0,1	0,1
Uбэ	0,1	0,1	0,1	0,1	15	1 5
Напряжение кол­лектора, В, при котором насту­пает переворот фазы тока Iб при Iв=5 мА	15	15	30	25	30	25

Обратный ток, мкА:

коллектора при Uк6=10 В...... 1

эмиттера при Uэб=5 В....., . 30

Наибольший ток коллектора, мА . . . . 100

Общее тепловое сопротивление, °С/мВт . , 0,67 Емкость коллектора, пФ, при U_K=10 В . . 7

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт 150


Транзисторы р-n-р КТ347 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе (рис. 61,а) массой 0.5 г, с диапазоном рабочих темпе­ратур от — 40 до +85°C. Электрические параметры транзисторов приведены а табл. 117.



Рис. 61, Цоколевка и габаритные размеры транзисторов:

а-КТ347 (KТ349, КТ350, КТ351), б-КТ373

Таблица 117

Параметры	Типы транзисторов
	КТ347А	КТ347Б	КТ347В
Предельно допустимое напряжение UK9, В, при Rб<10 кОм	15	9	6
Предельно допустимое напряжение Uкб, В	15	9	6
Время рассасывания, не, при Iб1 = I62= 1 мА, Iк= 10 мА	25	25	40

Модуль коэффициента передачи тока на f=100 МГц при Uк=5 В, I_э=10 мА ........... 5

Обратный ток, мкА: коллектора при предельно допустимом U_Кб . 1

эмиттера при U₃е=4 В « ......... 10

Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм и предельно допустимом U_Ka......... 5

Напряжение коллектор — эмиттер в режиме насы­щения, В, при I_к=10 мА и Iб=1 мА...... 0,3

Емкость эмиттера, пФ, на частоте 10 МГц при Uэб=0.................. 8

Напряжение U_эо, В............ 4

Постоянный ток коллектора, мА ....... 50

Импульсный ток коллектора, мА ....... ll0

Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при T_С<55°С.......;......... 150

Тепловое сопротивление, °С/мВт ....... 0,5


Транзисторы р-n-р КТ349 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С, Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

	КТ349А	КТ349Б	КТ349В
Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iа=10 мА .....	20 — 80	40 — 160	120 — 300
Модуль коэффициента пе­редачи тока при f=100 МГц; и Iэ=10 мА ......		3
Предельная частота пере­дачи тока, МГц .... .		300
Обратный ток, мкА: коллектора при UK6= 10 В ......		1
эмиттера при UЭб=4 В Начальный ток коллекто­ра, мкА, при Uкэ=4 В. Rб<20 кОм		1 1,5
Напряжение, В, в режи­ме насыщения при Iк= 10 мА и Iб=1 мА: ика ........		0,3
иба . . . .....		1,2
Емкость перехода, пФ: коллекторного при UКб=5 В и f=10 МГц . . .		6
эмиттерного при Uэс=0 и f=10 МГц ....		8
Импульсный ток коллек­тора, мА, ПРИ Тиып<1 МКС		40
Напряжение UКб, В ...		20
Напряжение UЭб, В ...		4
Напряжение Uкэ, В, при Rб<10 кОм . .....		15
Мощность*, мВт, рассеива­емая коллектором, при Tс= — 40+300С . . . . .		200

* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт, Р_К.МаКС= ( 150-7 _с)/0,6.

Транзисторы р-n-р КТ350А выпускаются в металлическом кор­пусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и I_э=500 мА : . ........20 — 200

Модуль коэффициента передачи тока при f= 20 МГц, U_H=5 В и I_э=10 мА ....... 5

Емкость, пФ:

коллектора при U_иб=5 В и f=5-10 МГц . 70 эмиттера при U_Эб=1 В и f=5-10 МГц ... 100

Напряжение в режиме насыщения, В, при Iк=500 мА и Iб=50 мА:

U_m ................0,5

Uбэ ................1,25

Обратный ток, мкА:

коллектора при U_KБ=10 В....... 1

эмиттера при Uэб=4 В........ 10

Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп<1 мс . :..............боо

Напряжение U_Kэ, В, при Rб<10 кОм .... 15

Напряжение U_Ko, В...... . . . 20

Напряжение Uб, В........... 4

Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором,

при температуре от — 40 до +30°С .... 200 .

* При температуре среды более 30 °С мощность, мВт, Р _К.МАКC= -J150-7- _с)/0.6.


Транзисторы р-n-р К351 (А, Б) выпускаются а металлическом корпусе с .ибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже.

	КТ351А КТ351Б
Статический коэффициент передачи тока при UK=l В и Iэ=300 мА . .	20 — 80 50 — 200
Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц, UK=5 В и Iэ=10 мА ..........	2
Емкость, пФ, при f=5-10 МГц: коллектора при UКб=5 В ... эмиттера при (7Эб=1 В ....	15 30
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк=400 мА и Iб=50 мА: UKa . . . . ; ..... ; .	0,6
Uбэ ....... ....	1,1
Обратный ток, мкА: коллектора при UКб=10 В . . эмиттера при Uэо=4 В ....	1 10
Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп = 4 МКС . . ......	400
Напряжение UK9, В, при Rб< .10 кО,м Напряжение Uкб, В ..... .	15 20
Напряжение UЭб, В ..... , Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при температуре от -40 до +30 °С ........	4 200

* При температуре среды более 30 °С мощнвсть, мВт, Р _ft,_MaftG^: = ( 150-Tc)/0,6.


Транзисторы p-n-р КТ373 (А — Г) выпускаются в пластмассовом корпусе (рис. 61, б) массой 0,1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до 4- 85 °С. Электрические параметры транзисторов приведе­ны в табл. 118.

Таблица 118

Параметры	Типы транзисторов
	КТ373А	КТ373Б	KT373B	КТ373Г
Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=5 В в Iэ= 1 мА	100 — 250	200 — 600	500 — 1000	50 — 125
Модуль коэффициента передачи тока при IЭ=5мА и f=100МГц	3	3	3	3
Емкость коллектора, ПФ, При Uкб=б В	8	8	8	8
Напряжение Uкб, В	30	25	10	60
Напряжение переворота фазы тока базы при £«5мА	25	20	10	25

Напряжение Uac, В ....... 5

Обратный ток, мкА:

коллектора при U_Ka=25 В ... 0,05 эмиттера при Uэб = 5 В . . . . . 30

Ток коллектора, мА: постоянный . . . . . . . . . 60

импульсный ......... 200

Предельная частота передачи тока базы, МГц . . . . . . .... .300

Мощность, рассеиваемая коллекто­ром, мВт . . . . . . . . . . . . 150


Сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ328 (А, Б, В} при­меняются для работы в каскадах АРУ радиоприемных и телевизи-онных устройств метрового диапазона волн и выпускаются в метал­лическом корпусе с гибкими выводами (рис. 62, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до -f55°C. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 119.



Рис. 62. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов: а-ГТ328 (ГТ346), б-ГТ329


Таблица 119

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ328А	ГТ328Б	ГТ328В
Статический коэффициент передачи тока	20 — 200	40 — 200	10 — 50
Предельная частота передачи тока, МГц	400	300	300
Постоянная времени цепи обратной связи, ПС, При Uкб = 10 В и Iэ= 2 мА	5	10	10

Обратный ток коллектора, мкА, при U_Кб=15 В . 10 Предельно допустимый ток коллектора, мА . . « 10

Пробивное напряжение, В:

Uкб.................. 15

Uэб при разомкнутой цепи коллектора .... 0,2

Емкость коллектора, пФ, при U_Кб=5 В .... 1,5 Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при

температуре 55 °С............. 45


Транзисторы n-р-n ГТ329 (А — Г) выпускаются в металлическом герметичном корпусе с полосковыми выводами (рис. 62,6), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от - — 50 до +60 °С. Электри­ческие параметры транзисторов приведены в табл. 120.


Таблица 120

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ329А	ГТ329Б	ГТ329В	ГТ329Г
Статический - коэффи­циент передачи тока базы при ик — 5 В и Iэ=5 мА	15 — 300	15 — 300	15 — 300	15 — 300
Модуль коэффициента передачи тока при UK=5 В, Iэ=5 мА, f=300 МГц	4,6	5,6	3,3	2,3 ;
Емкость, пФ. коллектора при Uкб=5 В и f=30 МГц	2	3	3	2
эмиттера при UЭб= 0,5 В и f=30 МГц	3,5	3,5	3,5	3,5
Обратный ток, мА:
коллектора при Uкб=10 В	5	5	5	5
эмиттера при UЭб=0,5 В	100	100	100	100
Постоянная времени це­пи обратной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=5 мА и I=30 МГц	15	20	20	15
Напряжение Uas, В, при температуре среды 60 °С и Iэ овр =100 мкА	0,5	0,5	1	0,5
Напряжение Ukб, В Напряжение Uкэ, В, при Rб<1 кОм	10 5	10 5	10 5	10 5
Коэффициент шума, дБ, при Uк=5 В, Iэ=3 мА и f=400 МГц	4	6	6	5
Мощность *, рассеивае­мая коллектором, мВт	50	50	50	50

*При температуре среды 40 — 60 °С мощность, мВт, Pк.макс=(80 — Tс)/0,8.


Транзисторы р-n-р ГТ346 (А, Б) применяются для работы в селекторах телевизионных каналов дециметрового диапазона с АРУ и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см. рис. 62, а), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +55°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 121.

Таблица 121

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ346А	ГТ346Б
Статический коэффициент передачи тока базы	10	10
при Uк=10 В и Iв=2 мА
Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц и Iэ=2мА	7	5,5
Емкость коллектора, пФ, при UКб=5 В и f=	1,3	1,3
= 10 МГц
Обратный ток, мкА:
коллектора при Uк6=15 В	10	10
эмиттера при Uэа=0,3 В	100	100
Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при UK=10 В и Iэ=2 мА	3	5,5
Напряжение Uкэ, В, при Rб=5 кОм	15	15
Напряжение Uкб, В	15	15
Напряжение, Uэб, В	0,3	0,3
Коэффициент шума при Iэ=2 мА и f=800 МГц	8	—
Граничная частота передачи тока, МГц	700	550
Ток коллектора, мА	10	10
Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт	40	40

Транзисторы n-р-n КТ325 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис. 63, а) массой 2,2 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже.



Рис. 63. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — КТ325, б — КТ326, в — KT337 (КТ363), г — ГТ339, в — КТ345

	КТ325А	КТ325Б	КТ325В
Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=5 В и Iэ=10 мА .	30 — 90	70 — 210	160 — 400
Модуль коэффициента . передачи тока при Uк=5 В, Iэ=10 мА и f=100 МГц .....	8	6	8
Емкость, пФ, при f= 10 МГц: коллектора при Uкв=5В ......		2,5
эмиттера при Uat=0 В ......		2,5
Обратный ток, мкА: коллектора при Uкб= 15 В .....	0,5
эмиттера при Uэб= 4В ......	1
Ток коллектора, мА .	60
Постоянная времени цепи обратной . связи, пс, при Uк=5 В, Iэ== 10 мА и f=100 МГц	125
Напряжение Uкэ, В, при Rб<3 кОм . , .	15
Напряжение Uк, Вг при котором наступает переворот фазы базово­го тока, при Iэ=1 мА .	15
Пробивное напряже­ние В: Uкб при отключенном эмиттере .....	15
Uэб при отключен­ном коллекторе . .	4
Мощность, мВт, рас­сеиваемая коллектором, при температуре, °С: 60 . . .....	225
125 .......	75

Транзисторы р-n-р КТ326 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис 63,6), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до -Н25°С. Электрические параметры, транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при U_H=2 6, I_э=10 мА:

для КТ326А............20-70

для КТ326Б.............45-160

Емкость, пФ:

коллектора при U_Кб=5 В и f=10 МГц ... 5 эмиттера при U_аб=Р В и f=10 МГц ... 4

Обратный ток, мкА:

коллектора при U_Кб=20 В.......0,5

эмиттера при U_Эб=4 В....... 0,1

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=10 мА и f=5 МГц ...... 450

Напряжение, В:

Uкб при отключенном эмиттере ..... 20 U₃₆ при отключенном коллекторе..... 4

Напряжение, В, в режиме насыщения при I_к=10 мА и Iб=1 мА:

Uка................0,3

Uэб................ . 1,2

Граничная частота передачи тока, МГц, при

U_K=5 В и Iв = 10 мА...........400

Ток коллектора, мА.........., 50

Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при тем.пературе 30 °С..........200

* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт. Рк макс = (150-T_С)/0,6.


Транзисторы р-n-р КТ337 (А, Б, В) выпускаются в металличе­ском корпусе с гибкими выводами (рис. 63, в),^чмассой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до 4-85°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены в табл. 122.

Таблица 122

Параметры	Типы транзисторов
	КТ337А	КТ337Б	КТ337В
Статический коэффициент передачи	30 — 70	50 — 75	70 — 120
тока при Uк=0,3 В и Iэ=10 мА			—
Модуль коэффициента передачи тока	5	6	6
при f=100 МГц, Uк=5 В и Iэ=
= 10 мА
Емкость, пФ, при частоте 10 МГц:
коллектора при U„6=5 В	6	6	6
эмиттера при Uэб=0 В	8	8	8
Обратный ток, мкА:
коллектора при UКб=6 В	1	1	1
эмиттера при Uэо=4 В	5	5	5
Время рассасывания, не, при I61=	25	28	28
Iб2=1 мА, Iк=10 мА

Напряжение, В, в режиме насыщения при I_к= 10 мА и Iб=1 мА:

U_Ka ................ 0,2

U₆₉.................. .1

Напряжение U_Кб, В ......... . 6

Напряжение Uэб, В ............ 4

Напряжение Uкэ, В, при Rо<10 кОм ..... 6

Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм в Uкб=6 В................ 5

Ток коллектора, мА............ 30

Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт . . 150

Температура перехода, °С ......... 150

* При температуре среды более 30°С мощность, мВт, Р_к.макс³ (150-T_С)/0,6. ,


Транзисторы n-р-n КТ339 (А — Д) применяются для работы в выходных каскадах промежуточной частоты телевизионных прием­ников 1-го и 2-го классов и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 63,г), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры транзисто­ров приведены в табл. 123.


Таблица 123

Параметры	Типы транзисторов
	КТ339А	КТ339В	КТ339В	КТ339Г	КТ339Д
Статический ко- эффициент пе­редачи тока при I9=7 В и UK= 10 В	25	15	25	40	15
Емкость коллек­тора, пФ	2	2	2	2	2
Обратный ток кол­лектора, мкА, при Uкб=40 В (для КТ339Б оно равно 25 В)	1	1	1	1
Постоянная вре­мени цепи об­ратной связи, пс, при f=5 МГц	25	25	50	100	150
Напряжение U«э, В Напряжение. Uкб, В Напряжение Uas, В Предельная частота передачи тока, МГц	25 40 4 300	12 25 4 200	25 40 4 450	25 40 4 250	25 40 4 250

Ток коллектора, мА, при температуре до 70 °С ...... . ....... 2⁵

Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт ............... . 250

Температура перехода, °С .....* 120

* При повышении температуры от Б5 до 70 °С мощ­ность снижается линейно до 100 мВт.


Транзисторы n-р-n КТ342 (А — Г) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (см рис. 63, в), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 124.


Таблица 124

Параметры	Типы транзисторов
	КТ342А	КТ342Б	KT342B	КТ342Г
Статический коэффици-	100 — 250	200 — 500	400 — 1000	50 — 125
ент передачи тока при Iэ=7 мА и Uк=10 В Емкость коллектора,	8	8	8	8
пФ, при UK=5 В
Обратный ток, мкА, кол­лектора при напряже­нии коллектор — ба­за, В:				.
25 (КТ342А), 20 (КТ342Б),	0,5	0,5	0,5	0,5
15 (КТ342В)
и 25 (КТ342Г) Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=5 В	30	30	30	30
Напряжение UH9, В, при R6<10 кОм и темпе­ратуре среды, °С
от — 60 до +100	30	25	10	60
125	25	20	10	45
Напряжение Uкэ, В, при нулевом токе базы, Iэ=5 мА и температу­ре от — 60 до +100°С	25	20	10	25
Напряжение, В, в режи­ме насыщения при Iи=10 мА и. Iб=1 мА. коллектора	0,1	0,1	0,1	0,2
эмиттера	0,9	0,9	0,9	1,1
Граничная частота пере­дачи тока, МГц	300	300	300	300
Ток коллектора, мА	50	50	50	50
Импульсный ток коллек­тора, мА	300	300	300	300
Мощность *, рассеивае­мая коллектором, мВт	250	250	250	250

* При температуре среды выше 26 °С мощность, мВт, Pк.макс=150.


Транзисторы р-n-р КТ345 (А, Б, В) выпускаются в пластмассо­вом корпусе с гибкими выводами (рис. 63, д), массой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до +85°С

Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже

Статический коэффициент передачи тока при U_K=1 В и Iэ=100 мА для транзисторов:

КТ345А .............. 20 — 60

КТ345Б............... 50 — 85

КТ345В .............. 70 — 105

Модуаь коэффициента передачи тока при f=

= 100 МГц, U_K=5 В и I_э=10 мА...... 3,5

Емкость, пФ:

коллектора при f=1-10 МГц и U_кв=5 В . 15

эмиттера при f=5-4-10 МГц и Uэб=0 В . . 30

Обратный ток, мкА:

коллектора при U_K6=20 В....... I

эмиттера при U_аб=4 В........ 1

Напряжение Uкб, В........... 20

Напряжение U_Ka, В.......... 20

Напряжение U_эв, В........... 4

Напряжение, В, в режиме насыщения при I_к= 100 мА и Iб=10 мА:

Uкэ................ 0,14 — 0,3

U_ба ................ 0,92 — 1.1

Ток коллектора, мА-

постоянный............. 200

импульсный ............ 300

Мощность*, мВт, рассеиваемая коллектором:

постоянная............. 100

импульсная............. 300

Температура перехода, °С........ 150

Тепловое сопротивление переход — окружающая

среда, °С/мВт............. 1,1

* При температуре среды выше 40 °С мощность, мВт, Р_КМЛКс,= (150 — T_с)/1,1


Транзисторы р-n-р КТ363 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см, рис 63,в), массой 0,5 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 40 до +85 °С Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже

	КТ363А	КТ363В
Статический коэффициент пе­редачи тока при Uк=5 В и Iэ=5 мА	20 — 70	40 — 120
Емкость коллектора, пФ, при Uкб=5 В и f=10 МГц .....	2	2
Модуль коэффициента передачи то­ка при f=100 МГц и Iэ = 5 мА	12	15
Граничная частота передачи тока, МГц ........ ....	1200	1500
Постоянная времени цепи обрат­ной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=5 мА Время рассасывания, не, при Iк=10 мА и токе первой базы: 1 мА ...........	50 10	75
0,5 мА ....... ...	—	5
Обратный ток, мкА коллектора при UКб=15 В . .	0,5
эмиттера при UЭб=4 В ...	0,5
Ток коллектора, мА: постоянный	30
ИМПУЛЬСНЫЙ При Тимп=1 МКС и скважности более 2 .....	50
Напряжение, В, в режиме насыще­ния при Iк=10 мА и I6=1 мА: Uкэ ...........	0,35
Uвэ ...........	1,1
Напряжение Uкб, В .....	15
Напряжение Uаб, В .....	4
Мощность *, рассеиваемая коллек­тором, мВт . . .. .......	150

* При температуре среды выше 45 °С мощность, мВт, р_км&кс — =(150-T_с)/0.7.