Справочник молодого радиста © Издательство «Высшая школа»

Вид материала

Справочник

Содержание Транзисторы р-n-р Рис. 67. Цоколевка и основные размеры тран­зистора КТ704 Рис. 68. Цоколевка и основные размеры транзисторов Транзисторы р-n-р Транзистор n-р-n Транзисторы n-р-n Транзисторы n-р-n Транзисторы n-р-n Транзисторы n-р-n

Подобный материал:

• І. П. Основи дефектоскопії-К.: «Азимут-Україна», 2004. 496 с. Ермолов И. Н., Останин, 1049.75kb.
• Методические указания к выполнению контрольных работ Для студентов, 327.25kb.
• Справочник молодого шлифовщика профессионально-техническое образование оглавление, 7551.93kb.
• Бюллетень новых поступлений за ноябрь 2006 года, 1839.04kb.
• Высшая Школа Экономики. Высшая школа менеджмента программа, 87.79kb.
• История» 4-е издание Издательство Московского университета «Высшая школа» 2003, 12721.75kb.
• Справочник по математике для экономистов (под ред. В. И. Ермакова)- м., Высшая школа,, 19.91kb.
• Экономика для менеджеров, 2536.52kb.
• Высшая Школа Экономики программа, 326.6kb.
• Организация работы, 73.56kb.

§ 37. Транзисторы большой мощности


Низкочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ703 (А — Д) применяют для работы в выходных каскадах УНЧ и выпускают в металличес­ком герметичном корпусе массой 15 г, с диапазоном рабочих темпе­ратур от — 40 до +55 °С. Электрические параметры транзисторов поиведены ниже.

	ГТ703А	ГТ703Б	ГТ703В	ГТ703Г	ГТ703Д
Статический ко­эффициент пере­дачи тока при Uк=1 В, Iк=50 мА	30-70	50 — 100	30 — 70	50 — 100	20-45
Ток коллектору, А, в диапазоне ра­бочей темпера­туры ......			3,5
Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=10 В . .			50
Предельная ча­стота передачи тока, кГц, в схеме с ОЭ при UK=2 В и Iк=0,5 А ...			10
Обратный ток коллектора *, мкА			500
Напряжение Uкэ, В, при Rб=50 Ом и Тк=55 °С .....	20	20	30	30	40
Напряжение Uкэ, В, в режиме насыщения при Iк=3 А ....			0,6
Напряжение Uбэ, В, в режиме насыщения ** при Iк=3 А . , . ,			1
Мощность, рас­сеиваемая кол­лектором, Вт:
с теплоотво-дом *** при TК<409С . .	15
без теплоот­вода ....	1,6
Тепловое со­противление пере- ход — корпус,
°С/Вт .....	3
Температура пе­рехода, °С . . .	85

* При напряжении коллектор — база, В, для групп ГТ703: 20 (А, Б), 80 (В! Г, Д). .

** При токе базы, мА, для групп ГТ703: 150 (А, Б), 90 (Б, Г) и 225 (Д). *** При температуре корпуса выше 40 °С мощность, Вт, Р_кмакс⁼ -=(85-Г_с°С)/3.


Транзисторы n-р-n КТ704 (А, Б, В) применяют для работы в схемах строчной развертки цветных телевизоров и выпускают в ме­таллическом корпусе с монтажным винтом и жесткими выводами (рис. 67), массой 15,5 г. Электрические параметры приведены ниже.



Рис. 67. Цоколевка и основные размеры тран­зистора КТ704

	ГТ704А	ГТ704Б	ГТ704В
Статический коэффициент передачи тока при UK= 15 В и Iэ=1 А ....	15	15	15
Модуль коэффициента пе­редачи тока при f= 1 МГц Uк=10 В и Iк=0,1 А .. . .	3	3	3
Ток коллектора, А: постоянный при Тк= +50°С		2,5
Импульсный, А .......		4
Начальный ток коллекто­ра, мА ........		5
Обратный ток эмиттера, мА, при Uб=4 В . . . .		100
Импульсное напряжение UK3, В, при Rб<10 Ом, гимп=10 мс и Q<50 . . .	1000	700	500
Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=2 Аи 7б=1,5А: база — эмиттер . . ,		3
коллектор — эмиттер		5
Постоянное напряжение икэ, в ........		200
Напряжение UЭб, В . ,		4
Ток базы, А ..... Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт, при Tй= - + 50°С . ......		2 15
Граничная частота пере­дачи тока, МГц ... . .		3
Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт .		5
Температура корпуса, °С		100
Температура перехода, °С		125

Среднечастотные. Транзисторы n-р-n КТ805 (А, Б) применяют для работы в выходных каскадах строчной развертки телевизоров, схемах зажигания автотракторных двигателей и выпускают в ме­таллическом корпусе с жесткими выводами (рис. 68, а), массой 25 г (без накидного фланца) и 10 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +100°С. Электрические параметры транзисторов приве­дены ниже.



Рис. 68. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — КТ805, б — ГТ806 (К.Т808, К.Т809)

	КТ805А	КТ805Б
Статический коэффициент переда­чи тока при Uк=10 В и Iк=2 А при +20 и — 55 °С соответственно . . .	15 и 5
Модуль коэффициента передачи тока при ,Uк= 10 В, Iк=1 А и f= 10 МГц .......... .	2
Ток коллектора, А .......	5
Импульсный ток коллектора, А,
при Тимп=200 мкс и скважности 1,5	8
Импульсный начальный ток коллек­тора, мА, при Rб=10 Ом при 20 и 100°С соответственно ......	60 и 70
Обратный ток коллектора, мкА, при UK6 — 5 В .........	100
Ток базы, А . . .......	2
Импульсный ток базы, А, при тимп<20 мкс .........	2,5
Напряжения насыщения Uбэ и UMt
В, при Iк=5 А и I6=0,5 А .... Импульсное напряжение UK3 *, В, при tИМП<500 мкс с фронтом нара­стания тфн<15 ,мкс, Rб=10 Ом и Tп<1000С .	2,5 160	5 135
Напряжение UЭб, В .....	5
Мощность **, Вт, рассеиваемая коллектором, при ГК<500С . . .	30
Температура перехода, °С . . .	150

* В схеме строчной развертки телевизора для КТ805А импульсное напряжение U_кэ допускается 180 В при т_имп<15 мкс и Т_К<70°С. В диапазоне температур от 100 до 150 °С U_кэ снижается на 10% на каждые 10 °С от значения U_K3 при 100 °С.

** В диапазоне температур от 50 до 100 °С мощность, Вт, Р_{к макс}= «=(150-T_К°С)/3,3.

Транзисторы р-n-р ГТ806 (А — Д) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (рис. 68,6), массой 28 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 55 до +55 °С. Электрические парамет­ры приведены ниже.

	ГТ806А		ГТ806Б	ГТ806В	ГТ806Г	ГТ806Д
Статический ко­эффициент пере­дачи тока при Iк=10 А ....	10 — 100		10 — 100	10 — 100	10 — 100	10 — 100
Напряжение Uкб, В . ...»	75		100	120	50	140
Напряжение Uкэ, В, запертого транзистора при Uбэ=1 В ....	7Ь		100	120	50	140
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк== 15 А, Iб=2 А:
коллектор — эмиттер . . .		0,6
база — эмит­тер ....		1
Напряжение Uэб, В .....		1,5
Ток коллектора в режиме насыще­ния, А ....		.15
Ток коллектора запертого тран-зистора7 мА, при Uбэ=1 В и пре­дельно допусти­мых напряжени­ях UКЭ		15
Ток базы, А . .		3
Обратный ток эмиттера, мА, при Uэб = 1,5 В ...		8
Предельная ча­стота передачи то­ка, МГц, при UK= 5 В, Iк=1 А . .		10
Тепловое со­противление пе­реход — корпус, сС/Вт .....		2
Мощность, Вт, рассеиваемая кол­лектором, при тем­пературе корпуса, °С: 30 .....		30
55 .....		15 ,
Температура пе­рехода, °С . . ,		85
Время переклю­чения. МКС . . .		5

Транзистор n-р-n КТ808А выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (см. рис. 68, б), массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до тЫОО°С, Электрические параметры приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при U_к=3 В и Iк=6 А................. 10 — 50

Модуль коэффициента передачи тока при f=3,5 МГц, Uк=10 В и Iэ = 0,5 А............. 2

Ток коллектора, А.............. 10

Начальный ток коллектора, мА, при U_кэ=120 В . . 3 Обратный ток эмиттера, мА, при U_Эб=10 В и 1э=

= 0,5 А.................. 50

Ток базы, А................ 4

Емкость коллектора, пФ, при f=1 МГц и U_к6= 100-В 500 Напряжение U_Эб, В, в режиме насыщения при I_к=6 А

и I₆ = 0,6 А................. 2,5

Напряжение U_Ka, В, при Rо=10 Ом....... 120

Импульсное напряжение Dm, В, при т_инп = 500 мкс, скважности 1,5 и T_П<10°С........... 250

Напряжение U_Эб, В............. 4

Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт . .. 2

Мощность, * рассеиваемая коллектором, Вт, при тем­пературе корпуса ниже 50 °С:

с теплоотводом.............. 50

без теплоотвода.............. . 5

Температура перехода, °С ......... . 150

* При температуре корпуса более 50 °С мощность, Вт, Ркмакс= (150-Т_к)/2.


Транзисторы n-р-n КТ809А используют для работы в выходных каскадах строчной развертки, усилителях импульсных сигналов и других радиоэлектронных устройствах, их выпускают в металличе­ском корпусе с жесткими выводами (см. рис. 68,6), массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электриче­ские параметры приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=5 В и I_к=2 А............15 — 100

Модуль коэффициента передачи тока при f= 3,5 МГц, Iк=0,5 А........... 1,5

Ток коллектора, А, в рабочем диапазоне темпе­ратуры................. 3

Импульсный ток коллектора, А, при т_иып<400 мкс............... 5

Начальный ток коллектора, мА, при U_ка=400В 6

Обратный ток эмиттера, мА, при U_Эб=4 В . . 50

Ток базы, А.....,......... 1,5

Напряжение, В, в режиме насыщения при I_к= 2 А и I_б=0,4А:

коллектор — эмиттер.......... 1,5

база — змиттер............2,3

Напряжение U_K3, В, при R₆<100 Ом и темпе­ратуре от — 60 до +100 °С ......... 400

Напряжение U_Эб, В, в диапазоне рабочих тем­ператур ................ 4

Граничная частота коэффициента передачи то­ка, МГц...............« 5,5

Продолжение

Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, с

теплоотводом при Т_к= — 60-+50⁰С..... 40

Температура перехода, °С ......... 1ЗД

* При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Pк.макс= (150-Г_к)/2,5.




Рис. 69. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — ГТ905, б — КТ907, в — КТ908, г — КТ911

Высоко- и сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ905 (А, Б) выпускают в металлопластмассовом или металлостеклянном корпусе (рис. 69, а), массой соответственно 7 и 4,5 г (с крепежным фланцем 6 г), с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент переда.чи тока при U„=10 В и Iк=3 А............35 — 100

Модуль коэффициента передачи тока для ГТ905Б при Uк=10 В, I_а=0,5 А и f=20 МГц . . 3

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при U_Кб=30 В, Iэ=0,03 А и f=10 МГц .... 300

Ток коллектора, А:

постоянный............. 3

импульсный при т_имп=_?20 мкс...... 7

Ток базы, А:

постоянный.............0,6

импульсный............. 1

Обратный ток, мА:

коллектора ..... ........ 2

эмиттера при U_Эб = 0,4 В ........ 5

Емкость коллектора, пФ, при U_Кб=30 В и f= 10 МГц................200

Напряжение, В, в режиме насыщения при 1_К= 3 А и I6=0,5 А:

база — эмиттер . . ........... 0,7

коллектор — эмиттер . ......... 0,5

Напряжение U_кэ, В, при разомкнутой цепи ба­зы и I_э = 3 А.............. 65

Напряжение U_кэ, В, для транзисторов:

ГТ905А............... 75

ГТ905Б............... 60

Напряжение U_кэ, В, на запертом транзисторе

для ГТ905А при т_имп = 20 икс ........ 130

Общее тепловое сопротивление, °С/Вт , , . _t 50

Мощность, Вт, рассеиваемая коллектором:

с теплоотводом при Т_к — — 55-+30°С ... 6

без теплоотвода при Г_н== — 55-+25°С ... 1,2

Температура перехода, °С......... 85


Транзисторы n-р-n КТ907 (А, Б) выпускают в металлокерамическом корпусе с винтом и жесткими выводами (рис. 69, б) , массой 5,3 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Элект­рические параметры приведены в табл. 125.

Таблица 125

Параметры	Типы транзио торов
	ГТ907А	ГТ907Б
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ=28 В, Iк= 400 мА и f=100 МГц	3,5	3
Постоянная времени цепи обратной связи, не, при Uк=т10 В Критический ток коллектора, мА, при Uкэ=10 В и f= 100 МГц	15 1000	25 800
Выходная мощность, Вт, при РВх=4 Вт, UKЭ = 28 В и f= 400 МГц	9	7
Емкость коллектора, пФ, при UКб — 30 В	20	20

Начальный ток коллектора, мА, при U_Кэ = 60В, R_б=100 Ом и температуре среды 20 и 85 °С соот­ветственно ............... 3 и 6

Ток коллектора, А:

постоянный............. 1

импульсный............. 3

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uбэ=4 В и температуре среды 20 и 85 °С соответственно . 350 и 700

Ток базы, А .............. 0,4

Напряжение U_н, В, при котором наступает пе-

реворот фазы базового тока, при I_э=200 мАч . 40

Напряжение U_Кэ, В, при Rб=100 Ом .... 60

Напряжение U₉б, В.......... 4

Импульсное напряжение Uкв, В ..... - 70

Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, при

Tк=25 °С . . . . . ........ . . . 13,5

Коэффициент полезного действия при £_к=28 В

и f=400 МГц, %............. 45

Температура корпуса, °С ........ 85

Температура перехода, ^ЬС ......... 120

* При температуре корпуса от 25 до 85 °С мощновть, Вт, Pк.макс=( 120-T _к^сС)/7,5.


Транзисторы n-р-n КТ908 (А, Б) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (рис. 69, в), массой 22 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 60 до + 125 °С. Электрические пара­метры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при U_K=2 В и Iк=10 А............. . 8 — 60

Начальный ток коллектора, мА, при U_Кэ=100 В 25

Ток коллектора,- А............ 10

Обратный ток эмиттера, мА, при U_Эб=5 В ... 50

Ток базы, А............... 5

Напряжение U_M, В, в режиме насыщения при I_к= 10 А и I_б=2 А............. 1,5

Напряжение U_Ka, В, при Т₀= — 60-100°С для групп:

КТ908А при R_б<10 Ом.......... 100

КТ908Б при Rб<250 Ом ......... 60

Напряжение U₈о, В............ 5

Граничная частота передачи тока, МГц .... 30 Мощность*, Вт, рассеиваемая коллектором, при

T_н<50°С.................. 50

Температура перехода, °С.......... 150

* При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Рк.макс=(150 — T_к)/2.


Транзисторы n-р-n КТ911 (А — Г) выпускают в металлическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом (рис. 69, г), массой 6 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры приведены в табл. 126.

Таблица 126

Параметры	Типы транзисторов
	КТ911А	КТ911Б	КТ9ИВ | КТ9ИГ
Модуль коэффициента пере* дачи тока при f=400 МГц, 1 U„=10 В и Iк=100 мА	1,5-5,2	2 — 3,8	2,5 — 5,2	2 — 3,8
Постоянная времени цепи	25	25	50	103
обратной связи, пс, при
f=5 МГц, Uк=10 В и Iк=
= 30 мА
Критический ток коллекто-	170	150	160	140
ра, мА, при f=400 МГц
Выходная мощность, Вт,
при Uк =28 В и Рвх=
= 0,4 Вт на частоте, ГГц:
1,8	1	—	0,8	—
1	—	1		0,8
Ток коллектора, мА	400	400	400	400
Обратный ток коллектора,
мкА;
при Uкб =55 В	5	5	—	__
при Uкб =40 В	—	—	10	10
Обратный ток эмиттера,	2	2	2	2
мкА, при Uкб=3 В
Емкость коллектора, пФ,	3,5 — 10	3,5 — 10	3,5 — 10	3,5-10
при f=5 МГц и Uкб=
= 28 В
Напряжение UKB, В, . при	40	40	30	30
Напряжение UK6, В	55	55	40	40
Напряжение U3s, В	3	3	3	3
Мощность *, Вт, рассеивае-	3	3	3	3
мая коллектором при TК=
= — 40-+25°С	3	3	3	3
Температура корпуса, °С	85	85	85	85
Температура перехода, °С	120	120	120	120

* При температуре корпуса 25 — 85° С мощность, Вт, Рк.макс.=(120 — Tк)/33.