Бурнаевский Игорь Сергеевич, студент, Национальный исследовательский университет «миэт», igor bs@mail ru 12 программа
| Вид материала | Программа |
- 2-я международная научно-техническая конференция технологии, 68.17kb.
- Национальный Исследовательский Мордовский Государственный Университет им Н. П. Огарёва», 211.68kb.
- Конференция пит-2010 проведена на базе Самарского государственного аэрокосмического, 176.83kb.
- Программа конференции 25-27 октября 2011 года Уфа, 2712.43kb.
- Программа международной научно-методической конференции национальный исследовательский, 365.41kb.
- Внастоящей работе проведен анализ зависимостей затухающих акустических колебаний отливок, 47.5kb.
- Программа конференции включает: Пленарное заседание, 119.03kb.
- Программа «вуз здорового образа жизни» на 2011-2013, 675.7kb.
- Правительство Российской Федерации Национальный исследовательский университет «Высшая, 578.52kb.
- Программа дисциплины «Командообразование» для направления 080500. 68 «Менеджмент», 305.87kb.
Настоящие и будущие OLED-технологии
Кузьмин Иван Николаевич студент,
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Колледж Электроники и Информатики, kyzi007@mail.ru
В 1987 году, двумя исследователями из компании Kodak Чином Тангом и Стивом ван Слайком был продемонстрирован новый класс органических соединений, которые прекрасно подходили для создания тончайших светодиодов получивших название OLED. OLED (Organic Light-Emitting Diode - органический диод) - это многослойные тонкопленочные структуры, изготовленные из органических соединений, которые эффективно излучают свет при пропускании через них электрического тока.
Существует несколько разновидностей OLED-дисплеев:
- PHOLED (phosphorescent OLED) технология позволяет вплотную приблизить КПД органических диодов к 100%.
- FOLED (Flexible OLED) технология позволяет создавать гибкие экраны.
- TOLED (Transparent OLED) технология позволяет создавать прозрачные экраны.
- SOLED (Staked OLED) технология позволяет создавать дисплеи с большими показателями контрастности, яркости и разрешением изображения не зависимо от размеров экрана.
OLED-технология применяется для изготовления экранов и дисплеев для: ноутбуков, MP3-плееров, мобильных устройств, фотоаппаратов, GPS-навигаторов, различных мониторов, различных осветительных приборов и др.
Достоинства OLED по сравнению с LCD и плазменными дисплеями:
- Меньше габариты и вес;
- Более низкое энергопотребление;
- Большой угол обзора (почти1800);
- Возможность создания гибких и прозрачных экранов;
- На порядки больше яркость (до 100000 кд/м2), контрастность (до 1000000:1) и разрешение экрана;
- Уменьшенное время отклика(< 10мкс);
- При утилизации экранов, окружающей среде не наносится вреда;
- OLED панели способны функционировать при температурах от -40 0С до +70 0С.
Недостатки OLED по сравнению с LCD и плазменными дисплеями:
- Большая стоимость;
- Неотработанность технологии производства;
- Малый срок службы синих диодов 17,5 тысяч часов, в то время как срок службы зеленых и красных диодов составляет около 40 тысяч часов.
По сравнению с существующими технологиями изготовления экранов и дисплеев, технология OLED и ее подвиды имеют во много раз лучше параметры экранов и дисплеев. Так что к 2020 году можно прогнозировать полное доминирование OLED – экранов и дисплеев над любыми другими экранами и дисплеями в нашей повседневной жизни.
Метод вычисления координат объекта основанный на методе теневой локации в системах взаимодействия человек-машина
Литманович А.М., Евтешин Д.Н.
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»,
кафедра САУиК
E-mail: a.litmanovich@gmail.com evteshind@yandex.ru
Метод вычисления координат объекта основанный на теневой локации позволяет применять его в современных системах взаимодействия человек-машина. Расширение функциональных возможностей достигается за счет того что координаты вычисляются в трехмерном пространстве. Данная возможность позволяет значительно повысить эффективность систем автоматизированного проектирования предоставляющих пользователю возможность создавать трехмерные объекты моделей деталей. Так же появляется возможность управления автоматизированными устройствами, осуществляющими различные действия в нескольких степенях свободы.
Метод основывается на вычислении координат путем измерения положения теней искомого объекта отбрасываемой двумя точечными источниками излучения. Тени регистрируются матричным фотоприемником. Особенность данного метода заключается в том, что нет необходимости использовать сложную фоточувствительную поверхность, позволяющую различать градации цветов или их яркость, достаточно лишь порогового обнаружения присутствия тени, и данные о ее положении. При этом если известна форма искомого объекта, то есть возможность по форме тени определить наклон относительно чувствительной поверхности.
В качестве фоточувствительной поверхности устройства может быть использована как цифровая камера, так и печатная плата с расположенными на ней, с определенным шагом, фототранзисторами или фотодиодами. Это гарантирует высокую гибкость в использовании, хорошую точность вычисления координат с одной стороны, и низкую себестоимость устройства с другой. Другим преимуществом в использовании данного метода в устройствах пользовательских интерфейсов, является то, что координаты вычисляются в определенной зоне пространства, это избавляет от необходимости поиска искомого объекта на контрастном фоне, как это делается в других оптических устройствах обнаружения объекта.
Исследование методов получения тонких сегнетоэлектрических пленок на кремниевых подложках
Мазуров Станислав Владимирович, аспирант,
Национальный исследовательский университет
«МИЭТ», mazurov.stanislav@gmail.com
Сегнетоэлектрические пленки обладают особыми свойствами, которые делают перспективным их применение в микросистемной технике. Большой интерес представляет не только развитие технологий получения тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов высокого качества, но и практическое использование этих материалов в сенсорах и актюаторах.
Целью данного исследования является анализ существующих технологий для получения слоев ЦТС заданной толщины (от 1 до 5 мкм) на кремнии и изучение физико-химических процессов, протекающих во время их формирования.
Использование сегнетоэлектрических пленок на кремниевых подложках позволяет получать новые приборы для микроэлектроники, создавать микромеханические устройства с высокими показателями точности и быстродействия. Например, чувствительные безынерционные элементы для различных датчиков, актюаторов и приборов оптоэлектроники.
Анализ литературы показал, что с ростом толщины слоя ЦТС, сформированной на кремниевой подложке, наблюдается уменьшение самополяризованной доли объема слоя. С другой стороны, с уменьшением толщины пленки изменяются механические напряжения, возникающие в пленках ЦТС из-за рассогласования параметров решетки подложки и тонкой пленки.
В данной работе проведен сравнительный анализ формирования тонких сегнетоэлектрических пленок методами золь-гель, магнетронного напыления и химического осаждения из растворов и газовой фазы. Рассмотрены методы контроля качества пьезоэлектрических слоев. Результаты анализа свидетельствуют о том, что метод золь-гель является наиболее перспективным для формирования сегнетоэлектрических пленок заданной толщины.