Бурнаевский Игорь Сергеевич, студент, Национальный исследовательский университет «миэт», igor bs@mail ru 12 программа
| Вид материала | Программа |
- 2-я международная научно-техническая конференция технологии, 68.17kb.
- Национальный Исследовательский Мордовский Государственный Университет им Н. П. Огарёва», 211.68kb.
- Конференция пит-2010 проведена на базе Самарского государственного аэрокосмического, 176.83kb.
- Программа конференции 25-27 октября 2011 года Уфа, 2712.43kb.
- Программа международной научно-методической конференции национальный исследовательский, 365.41kb.
- Внастоящей работе проведен анализ зависимостей затухающих акустических колебаний отливок, 47.5kb.
- Программа конференции включает: Пленарное заседание, 119.03kb.
- Программа «вуз здорового образа жизни» на 2011-2013, 675.7kb.
- Правительство Российской Федерации Национальный исследовательский университет «Высшая, 578.52kb.
- Программа дисциплины «Командообразование» для направления 080500. 68 «Менеджмент», 305.87kb.
ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПОДДЕРЖКИ УПРАВЛЕНЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ В АГРАРНОМ КОМПЛЕКСЕ С УЧЁТОМ ВОЗДЕЙСТВИЯ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ
Крот Павел Валерьевич
Студент 5 курса магистратуры
Национальный исследовательский университет
«МИЭТ»,
krotpv@gmail.com
Работа над проектом проводилась совместно с Факультетом Государственного Управления Московского Государственного Университета имени Михаила Васильевича Ломоносова и, в частности, с доктором биологических наук, профессором Дмитрием Николаевичем Кавтарадзе. Цель – моделирование и анализ управленческих решений на основе функциональных зависимостей ключевых параметров в области агропользования.
В области управления природно-социальными ресурсами остро стоит вопрос эффективного использования почв и принятия эффективных управленческих решений в аграрном секторе. Сами управленческие решения сложно поддаются моделированию, поэтому для этих целей необходимо подготовить специалиста долгосрочного управления в короткие сроки.
В виду отсутствия такого инструмента было решено разработать ПО, которое поможет специалистам в анализе данных, организации работ, а также в сфере подготовки и переподготовки управленческих кадров.
В разработанном ПО заложена математическая модель поведения различных культур. В основу этой работы легли труды доктора технических наук, профессора Леонида Николаевича. Эта математическая модель учитывает такие функциональные зависимости и внешние факторы как: вид почвы, состояние почвы, естественное плодородие определенных культур, севообороты, сохранность урожая в амбаре, обработка посевов (как интегральная оценка пахоты, посева, сборка урожая), фонд удобрений, количество вносимых органических удобрений, количество вносимых минеральных удобрений, погода (как интегральная оценка влажности и температуры), заказ от государства, цены на рынке.
Также в модели учитывается сохранность каждой культуры в амбаре. К примеру, зерновые культуры и сено сохраняются хорошо - потери достигают до 5% в год. У картофеля потери могут достигать до 30% в год. Сахарная свекла не подлежит хранению, так как потери достигают до 100% в год. Модель также исправляет некоторые ошибки совершённые оператором по невнимательности и предупреждает о допущенной ошибке.
Для программной реализации поставленных задач, с учетом требуемых функций, и функций, планируемых в следующих версиях, необходимо было выбрать среду и платформу проектирования. По результатам анализа был выбран язык программирования Java и среда разработки - NetBeans 7.0.
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПРИКОНТАКТНЫХ ОБЛАСТЯХ HEMT-СТРУКТУР
Крупин Александр Вячеславович, аспирант,
Национальный исследовательский университет
«МИЭТ», alexander_krupin@mail.ru
Прогресс в области микро- и наноэлектроники сопровождается непрерывным усилением роли математического моделирования, поскольку применение экспериментальных методов при исследовании областей в полупроводниковых структурах с размерами порядка 1–10 нм не даёт высокой точности результатов, необходимой для надёжного прогнозирования приборных характеристик.
В данной работе исследуются процессы переноса носителей заряда в областях под омическими контактами в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT). При проведении компьютерного моделирования этих структур, содержащих стоп-слои InP (такой слой образует квантовую яму для носителей из высоколегированного контактного слоя) и AlGaAs (содержание Al – 90%, такой слой создаёт высокий потенциальный барьер для электронов), в программе Sentaurus TCAD было обнаружено, что в системе с квантовой ямой при определённых параметрах структуры (толщина стоп-слоя – 3 нм) ток оказывается меньше, чем в системе с потенциальным барьером. Решение уравнения Пуассона в области под контактом позволило установить, что это происходит из-за возникновения пиков (т.е. потенциальных барьеров для электронов) по краям квантовой ямы. В результате численного решения уравнения Шрёдингера для этих двух структур установлено, что туннельная компонента тока через структуру с квантовой ямой оказывается меньше, чем в структуре с барьером.
С этой задачей тесно связана проблема особенностей растекания тока под омическими контактами HEMT-транзисторов. В работе предлагается модель, согласно которой растекание тока в транзисторе можно описать в виде протекания тока через распределённую двумерную бесконечную (в реальности при моделировании можно ограничиться несколькими десятками сопротивлений в линии) цепочку резисторов, каждая линия которой относится к конкретному слою транзисторной гетероструктуры, а переходы между слоями также моделируются в виде распределённых сопротивлений, каждое из которых зависит от концентрации носителей и их подвижности в конкретной точке гетероструктуры. Эта модель позволяет корректировать электрофизические параметры слоёв структур, избегая появления нежелательных токов утечки.
Вместе с этими задачами в данной работе также описывается захват неравновесных носителей заряда в квантовые ямы и их термический выброс (рассматриваются структуры AlGaAs/GaAs, размер ямы – единицы нанометров). Релаксация по энергии в этих гетероструктурах определяется испусканием продольных оптических фононов. Расчёт скорости захвата носителей заключается в численном решении уравнения Шрёдингера и уравнений, описывающих вероятность захвата и локализации носителей на дискретных уровнях в квантовой яме [1]. Таким образом, полученная математическая модель описывает зависимость скорости захвата от параметров квантовой ямы в гетероструктуре AlGaAs/GaAs – величину, напрямую связанную с быстродействием приборов типа QWIP (Quantum well infrared photodetectors).
------
[1] I. N. Yassievich, K. Schmalz, M. Beer. Capture and emission of carriers in semiconductor quantum wells // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 1763–1774.