Бурнаевский Игорь Сергеевич, студент, Национальный исследовательский университет «миэт», igor bs@mail ru 12 программа
| Вид материала | Программа |
- 2-я международная научно-техническая конференция технологии, 68.17kb.
- Национальный Исследовательский Мордовский Государственный Университет им Н. П. Огарёва», 211.68kb.
- Конференция пит-2010 проведена на базе Самарского государственного аэрокосмического, 176.83kb.
- Программа конференции 25-27 октября 2011 года Уфа, 2712.43kb.
- Программа международной научно-методической конференции национальный исследовательский, 365.41kb.
- Внастоящей работе проведен анализ зависимостей затухающих акустических колебаний отливок, 47.5kb.
- Программа конференции включает: Пленарное заседание, 119.03kb.
- Программа «вуз здорового образа жизни» на 2011-2013, 675.7kb.
- Правительство Российской Федерации Национальный исследовательский университет «Высшая, 578.52kb.
- Программа дисциплины «Командообразование» для направления 080500. 68 «Менеджмент», 305.87kb.
Исследование влияния состава электролита на состав и морфологию структур селенида кадмия
Сыса Артём Владимирович, студент,
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»,
lostsleep@yandex.ru
В настоящее время интерес к электрохимическому осаждению тонких пленок селенида кадмия (CdSe) значительно возрос. Это обусловлено технической простотой метода и возможностью контролировать состав, структуру и свойства получаемых слоев, путем изменения режима электролиза и состава электролита. Кроме того, интерес к CdSe обусловлен значительными перспективами использования его в производстве твердотельных солнечных элементов из-за значения запрещенной зоны, равной 1,7 эВ.
Основная проблема состоит в формировании пленок CdSe стехиометрического состава. Поэтому определение оптимального соотношения компонентов водного раствора электролита для получения данных пленок, а так же его pH, является актуальной задачей.
В работе проводили эксперименты по электрохимическому осаждению CdSe из электролитов с различным составом. Подготавливали растворы, содержащие 0,2М CdSO4 и с различные концентрации SeO2 от 0,01М до 0,05М. Так же для изучения влияния ионов, входящих в состав электролита, вместо сульфата кадмия использовали хлорид кадмия (CdCl2).
В качестве подложек использовали стекла с проводящим покрытием оксида олова, легированного фтором. Использовали трехэлектродную схему для поддержания постоянной разницы потенциалов. Электрохимический процесс проводили в течении 10 минут. Значение напряжения выбирали из диаграмм Пурбе по измеряемому значению водородного показателя раствора. После осаждения образцы промывали в деанизованной воде, просушивали на воздухе и подвергали отжигу при 180оС в течении одного часа.
О
бразцы, полученные в ходе данной работы, исследовали рентгеноструктурным анализом. Был выявлен оптимальный состав электролита и оптимальные условия электрохимического процесса. Из рентгеновских спектров видно, что полученные структуры представляют собой пленки селенида кадмия с кристаллической структурой цинковой обманки преимущественно ориентированные по направлению (111).Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки в рамках реализации ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009 – 2013 годы (ГК №14.740.11.1183).
Применение базовых матричных кристаллов при разработке аппаратуры специального назначения
Фёдоров Роман Александрович – старший научный сотрудник, канд. техн. наук Научно-производственного комплекса «Технологический центр» , R.Fedorov@tcen.ru
В настоящее время для аппаратуры специального назначения полузаказные микросхемы на основе базовых матричных кристаллов (БМК) не имеют альтернативы. Они обеспечивают сочетание высокой степени интеграции БИС с быстротой создания и относительно низкими объемами производства, что является экономически нерентабельным для заказных БИС. Помимо низкой потребляемой мощности, высокой надёжности БМК имеет возможность объединения цифровой и аналоговой обработки информации.
Так, в НПК «Технологический центр» разработана микросхема на основе базового матричного кристалла серии 5503, которая осуществляет приём и обработку сигнала с сейсмодатчика. В основе разработки лежит анализ сейсмических возмущений грунта, вызванных движением [1]. Полное описание подобных систем, алгоритмы обработки, а также их особенности в открытой печати недоступны. Однако известно, что в большинстве современных зарубежных систем анализ сигналов с сейсмических преобразователей осуществляется за счет применения не только аппаратных, но и программных средств [2], что отражается на потребляемой мощности и площади занимаемой устройством на кристалле.
Сигнал с сейсмодатчика заключает в себе информацию о природе передвигающихся объектов, скорости передвижения, удаленности источника сейсмических возбуждений относительно датчика, природе грунта и т.д. Необходимость полного учета спектральных и амплитудных характеристик сигнала, его регулярности и временных особенностей обусловили применение специальных алгоритмов обработки сигнала, что и было реализовано в разработанной микросхеме. Микросхема в своем составе содержит полосовой фильтр, усилитель, блок автоматической регулировки усиления, низкочастотный генератор, логический блок для цифровой обработки. За счёт использования в своем составе микропотребляющих операционных усилителей в рабочем режиме микросхема имеет собственное потребление не более 200 мкА. Это обеспечивает автономное функционирование от источника питания более 30 суток. Микросхема вырабатывает сигнал обнаружения при движущемся человеке на расстоянии 5 - 10 метров с вероятностью не ниже 0,95. Микросхема была разработана и изготовлена в течение трех месяцев и имеет приемку «ВП».
Разработка данной микросхемы показала возможность объединения в базовых матричных кристаллах аналоговой и цифровой обработки сигналов для создания аппаратуры специального назначения.
Исследование микросхемы осуществлялось в ЦКП НПК «Технологический центр». Работа выполнена при частичной поддержке гранта Президента РФ для молодых ученых МК-826.2009.8.
------
1. Козинный А., Косарев А., Матвеев В. Нарушителя выдаст грунт. Сейсмические средства обнаружения для охраны территориально распределенных объектов// БДИ – 2006. – №4(67). – С.74-77.
2. Perimeter Security Sensor Technologies Handbook for DARPA and JPSG// NISE East Electronic Security Systems. – 1997.p.250
Оптимизация временных затрат LVS верификации КНИ СБИС СПЕЦИАЛЬНОГО назначения
Фирсов Александр Сергеевич, аспирант,
Орлов Денис Валентинович, аспирант,
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», aleksandr_firsov@mail.ru
Разработка радиационно-стойких интегральных схем (ИС) является не только одним из перспективных направлений в современной микро- и наноэлектронике, но также просто необходимой для поддержания работоспособности высокотехнологичного оборудования, например, в условиях освоения космоса или вблизи ядерных силовых установок. Поэтому, как правило, такие ИС находят применение в составе аппаратуры на борту космических летательных аппаратов, а также в различной военной радиоэлектронной аппаратуре (РЭА).
Одним из способов повышения радиационной стойкости является конструктивно-технологический метод. За основу взяты три топологические конструкции транзисторов(A-типа, H-типа, O-типа), изготовленные по КНИ КМОП процессу. При проектировании СБИС возрастают временные затраты на проведение LVS верификации схем, разработанных с использованием выбранных топологических конструкций.
В данной работе было рассмотрено три метода определения топологических конструкций транзисторов. В первом методе использовались транзисторы без вспомогательных слоев распознавания. Во втором методе для каждого типа транзистора введен слой маркировки активной области затвора. В третьем введены слои маркировки активных областей для транзисторов H- и O-типа, слой маркировки неактивных областей затворов и слой маркировки стоковых областей транзисторов.
Для каждого метода разработаны скрипты LVS верификации на языке SVRF, которые использованы для верификации схем с количеством элементов от 12000 до 12000000.
В результате измерения времени, затраченного на выполнение LVS верификации, первый метод оказался наиболее ресурсоемким. На его выполнение ушло много времени и его применение при полностью заказном проектировании затруднительно, так как используется жесткая привязка к геометрическим структурам. В связи с этим любое не учтенное правилами проектирования изменение геометрии транзисторов приводит к сбоям в работе системы верификации.
Во втором методе временные затраты немного меньше, чем в первом, и его возможно применять при полностью заказном проектировании, так как нет жесткой привязки к геометрическим структурам.
В третьем методе временные затраты оказались значительно меньше, чем в остальных случаях. Так же этот метод является наиболее гибким к модификации топологических конструкций транзисторов.
Таким образом, метод в котором введены слои маркировки активных областей для транзисторов H- и O-типа, слой маркировки неактивных областей затворов и слой маркировки стоковых областей транзисторов является наиболее оптимальным для LVS верификации КНИ СБИС специального назначения.
НЕГАТИВНОЕ ВОЗДЕЙСтВИЕ ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩИХ ЛАМП
Шембелян Татьяна Викторовна,
Соловьева Екатерина Алексеевна,
студенты,
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»,
ketik-05@mail.ru
Среди актуальных проблем экологии важное место занимают вопросы, связанные с загрязнением среды обитания ртутью и ее соединениями. Это обусловлено, с одной стороны, широким использованием и периодическим выходом из строя разнообразных ртутьсодержащих изделий (люминесцентных и ртутных ламп, термометров, гальванических элементов и других приборов) на предприятиях, в быту, здравоохранении, транспорте, в дошкольных, учебных и научных учреждениях, а с другой стороны очень высокой токсичностью ртути.
В настоящее время Российские власти планируют постепенно выводить лампы накаливания из обращения и полностью запретить их с 2014 года, заменив энергосберегающими. Поэтому данная работа посвящена актуальной проблеме утилизации энергосберегающих ламп, так как важный недостатком таких ламп является содержание ртути (в дозах от 3 до 5 мг (чем выше мощность, тем выше содержание паров ртути)), ядовитое вещество 1-го класса опасности ("чрезвычайно опасные"). Причем соединения ртути в люминесцентных (энергосберегающих) лампах значительно опасней ртути металлической. Эта доза может причинить вред здоровью, если лампа разбилась либо постоянно подвергаться пагубному воздействию паров ртути, то они будут накапливаться в организме человека, нанося вред здоровью.
По данным литературных источников отечественных и зарубежных авторов, ртуть считается ядовитой, может вызывать тяжёлые отравления. Ртуть и её соединения поражают нервную, дыхательную систему, желудочно-кишечный тракт. У энергосберегающих ламп спектр неприятный для зрения, то есть в свете таких ламп мы все видим немного по-другому, что вызывает излишние напряжение глаз.
Вследствие того, что вопрос охраны окружающей среды от вредных промышленных отходов, в том числе и ртутьсодержащих, остро стоит как в нашей стране, так и во всех промышленно развитых странах, то назрела необходимость их утилизировать. В настоящее время существует два основных способа утилизации энергосберегающих ламп. Первый способ утилизации энергосберегающих ламп рассчитан на рядовых потребителей, использующих лампы на бытовом уровне. Использованные лампы можно сдать в свою управляющую компанию, где имеются специальные контейнеры для хранения этих отходов. Второй способ рассчитан на предприятия и офисы, где используется их большое количество. В этом случае заключается договор со специализированными организациями, занимающимися приемом и утилизацией ртутьсодержащих отходов.
Проведенный анализ показал, что необходимо соблюдать соответствующие правила и требования к утилизации энергосберегающих ламп, тем самым можно обеспечить определённую безопасность и минимизировать их влияние на здоровье людей и среду обитания.
применение чувствительных элементов, изготовленных по пленочной технологии, в пьезоэлектрических изделиях
Щёголева Т.В., старший инженер
ОАО «НИИ «Элпа» с опытным производством»
E-mail: shogolevatv@mail.ru
Пьезокерамические элементы и устройства на их основе, такие как датчики, актюаторы, преобразователи и др. широко применяются в аппаратуре военного и гражданского назначения. Однако российским производителям пьезоэлектрических устройств трудно сотрудничать с зарубежными фирмами, так как вторые имеют отлаженную технологию и серийное производство, и соответственно низкую цену на продукцию.
На предприятии ОАО «НИИ «Элпа» отработано производство пьезокерамических элементов по плёночной технологии. Чувствительные элементы, изготовленные по данной технологии имеют лучшие показатели электрофизических параметров, по сравнению с элементами, изготовленными по технологии высокотемпературного спекания. Литье плёнки осуществляется при более низкой температуре и полученные пьезоэлементы имеют меньшее количество дефектов структуры (трещины, поры, сколы, вырывы и т.д.).
Исследования проводились на пяти образцах биморфных балочных пьезокерамических элементах, изготовленных по плёночной технологии и пяти – по технологии спекания. Подобные пьезоэлементы используются в качестве чувствительных элементов в датчиках угловых скоростей [1].
Измерение толщины биморфных пластин по всему периметру в девяти точках, показало, что изготовленные по плёночной технологии пластины имеют меньший разброс значений, равный ±2 мкм, когда пластины, изготовленные по технологии спекания, имели искривление равное ±10÷20 мкм. Соответственно, на этапе резки первые пластины будут плотнее прилегать к подложке, что исключает возможность появления трещин в пластине при нажиме пилы.
После распиловки биморфной пластины на отдельные балочные элементы и сборки чувствительных элементов, измерялись резонансные частоты на двух модах колебаний. Результат показал, что разница резонансных частот для плёночных элементов лежит в диапазоне от -0,03 до +0,03 кГц, а у пластин, изготовленных по технологии спекания, разность резонансных частот имела значения -0,3 ÷ +0,5 кГц. В свою очередь этот параметр определяет необходимость дополнительной настройки электрофизических параметров чувствительных элементов, чем меньше разность резонансных частот, тем меньшие изменения вносятся в структуру отдельного пьезокерамического элемента.
Также было проведено исследование в температурном диапазоне от -60 ºС до +90 ºС, результат показал, что на температурном промежутке от -30 до +70 ºС разность резонансных частот плёночного чувствительного элемента практически не имеет ухода, однако при понижении температуры до -60 С и повышении до +90 С уход составляет 20÷40%.
Сравнение данных для чувствительных элементов, изготовленных по плёночной технологи и технологии спекания, показало, что зависимость разности резонансных частот от температуры, для первых имеет более пологий вид и меньший уход параметров в температурном диапазоне, чем для вторых.
----------
1. А. Сафронов, В. Никифоров, Д. Шахворостов, А. Калифатиди, В. Барыкин «Малогабаритные пьезоэлектрические вибрационные гироскопы». Электроника: Наука, Технология, Бизнес №8 2006, с. 62-64.
Операционная система «Windows 7». Аналитический обзор
Шипков Александр Михайлович студент,
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
shipkov-a@mail.ru
24 июля 2007 года корпорация Microsoft официально сменила кодовое название Vienna на Windows 7. Номер Windows 7 в линейке NT, в которой она будет находиться — 6.1
13 октября 2008 года вице-президент Microsoft Майк Нэш сообщил, что кодовое имя Windows 7 и станет официальным названием новой версии
Операционная система Windows 7 существует в 6 редакциях: Windows 7 Starter Edition, Windows 7 Home Basic Edition, Windows 7 Home Premium Edition, Windows 7 Professional Edition, Windows 7 Ultimate Edition, и Windows 7 Enterprise Edition.
Все редакции будут доступны на мировом рынке, за исключением Home Basic, которая будет предложена только для развивающихся стран и их формирующихся рынков. Starter также будет доступна во всем мире, но только для OEM производителей.
Начальная редакция (Windows 7 Starter) будет распространяться исключительно с новыми компьютерами, она не будет включать функциональной части для проигрывания H.264, AAC, MPEG-2. Домашняя базовая (Home Basic) — предназначена исключительно для выпуска в развивающихся странах, в ней нет интерфейса Windows Aero с функциями Peek, Shake и предпросмотра в панели задач, общего доступа к подключению в интернет и некоторых других функций. В профессиональной (Windows 7 Professional) и максимальной (Windows 7 Enterprise Edition) версиях существует поддержка XP Mode .
Интерфейс. В интерфейс Windows Aero добавлены новые функции Aero Shake, Aero Peek, Aero Snake.
Безопасность. Брандмауэр, который входит в состав Windows 7, претерпел существенные изменения. Одно из основных достоинств нового брандмауэра - его способность ориентироваться в локальных сетях, к которым подключается данный ПК. Это особенно важно для мобильного компьютера: автоматическое переключение между профилями «Дом», «работа» и «общественное место» значительно упростит жизнь тем, кто часто меняет свою дисклокацию.
Интернет. Крайне простым и в то же время удачным шагом стала в IE8 возможность «умного» удаления следов своего пребывания в Сети - временных Интернет-файлов, навигационных закладок (cookies) и истории серфинга в целом. Теперь есть возможность, помимо тотальной зачистки следов, выбрать именно «умное» их удаление. В этом случае информация, необходимая для того, чтобы без труда входить на внесенные в «Избранное» сайты, останется. Кстати, SmartScreen, служба отслеживания нежелательных веб-сайтов, выдающих себя за вполне легитимные - теперь куда нагляднее предупреждает незадачливого пользователя о попытке перейти на подозрительную страницу.
Мультимедиа. В Windows Media Center теперь появился раздел «Интернет-ТВ».«Медиацентр» Windows 7 становится, наконец, настоящим центром вещания в локальной сети - благодаря поддержке технологии DLNA и возможности передать медиапоток (слайд-шоу, музыку, видео). Windows Media Player получил, наконец, возможность воспроизводить видео в формате .MOV, а также обзавелся расширенным пакетом кодеков.
При тестировании таких операционных систем как Windows 7, Windows Vista, Windows XP, было обнаружено, что Windows 7 опережает предшественниц по таким показателям; быстродействие, производительность, безопасность. На системе с больше типографскими спецификациями лучшей является 64-x битная Windows 7; В свою очередь на системе с больше невысокими показателями лучшей является 32-х битная Windows 7.