Государственный Университет Аэрокосмического Приборостроения диплом

Вид материалаДиплом
3.3 Выбор элементной базы
3.4 Расчёт узлов модуля ультразвукового измерителя дальности
Таблица 6 - Базовые параметры транзисторов
Подобный материал:
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   16

3.3 Выбор элементной базы



Для реализации основной части схемы, включая счётный узел, целесообразно использовать ПЛИС, так как это позволяет уменьшить требуемое число дискретных компонентов, уменьшить габариты устройства и повысить надёжность. Выберем ПЛИС MAX 7000 (Altera, USA) Её основные параметры приведены в таблице.3.5


Таблица 5 - Базовые параметры ПЛИС MAX 7000

Наименование параметра

Значение

Тип запоминающих элементов

Перепрограммируемые (технология EEPROM)

Интерфейс программирования

ISP (JTAG)

Напряжение питания



Ёмкость

2500 логических вентилей, 128 макроячеек, 8 логических блоков

Тип выходов

С открытым стоком


В качестве источника тактового сигнала было принято решение использовать монолитную микросборку тактового генератора ACH-20-D (ABRACON corp.) на 20 МГц. Достаточно высокая основная тактовая частота позволит добиться большей универсальности устройства, так как далее делением частоты с помощью ПЛИС можно будет получать требуемые тактовые частоты, как для внешних компонентов, так и для внутренних структур, реализуемых в ПЛИС.


Для предотвращения повреждения микросхемы контроллера интерфейса в случае случайного замыкания линии связи CAN на источник питания рекомендуется использовать оптронную развязку драйвера шины и контроллера. В качестве развязывающих оптронов можно использовать изделия HCPL2630 (Fairchild semiconductors), включенные в разрыв линий RX и TX. Они представляют собой быстродействующие опторазвязывающие элементы, имеющие выход с открытым коллектором. Максимальная разность потенциалов изолируемых участков – до 2,5 кВ.


Для защиты от неправильной полярности подключения напряжения питания необходимо установить защитный диод, в качестве которого может быть выбран любой, подходящий по максимальному прямому току и обратному напряжению. Желательно при этом иметь минимальное падение напряжения на его переходе, чему в полной мере удовлетворяют диоды Шоттки. Например, 10BQ015 (International Rectifier). Его максимальный прямой ток – 1А, максимальное обратное напряжение – 15 В. Прямое падение напряжения – не более 0,32 В.


Для индикации наличия напряжения питания и обмена данными по шине CAN необходимо предусмотреть наличие индикационных светодиодов. В качестве них можно использовать, например, KP-1608MGC (Kingbright).

3.4 Расчёт узлов модуля ультразвукового измерителя дальности



Выберем транзисторы для выходного каскада. Учитывая ёмкостный характер нагрузки, значение выходного тока каскада можно определить как:

(4),

где ХН – реактивное сопротивление нагрузки. Для синусоидального сигнала его можно оценивать по формуле:

, (5),

где СН – ёмкость пьезопреобразователя, f – рабочая частота.


Отсюда получим:

Ом, (6)

А, (7)

Поскольку в нашем случае на преобразователь подаётся прямоугольный сигнал, полученное значение тока необходимо умножить на поправочный коэффициент:

А. (8)

Отсюда примем максимальный выходной ток транзисторов равным А. Максимальное прямое напряжение UКЭ определяется напряжением питания и должно составлять В.

По этим параметрам выберем транзисторы BC548C (npn) и BC558C(pnp). Их основные параметры приведены в таблице 6.


Таблица 6 - Базовые параметры транзисторов


Наименование

BC548C

BC558C

UКЭ МАХ

30 В

30 В

IК МАХ

500 мА

100 мА

PМАХ

625 мВт

500 мВт

h21Э

125

220


Рассчитаем каскады усиления для узла приёмного усилителя[12]:

За основу возьмём схему однокаскадного усилителя, приведённую на рисунке 21.

Выберем оптимальный ток коллектора каскада. Так как каскад является маломощным, можно принять его равным примерно 0,8 мА. Тогда найдём сопротивление в цепи коллектора как:


Rк=0.5Еп/Iк = 0,5 · 5 / (0,8·10-3) = 3,2 · 103 Ом. (9)


Сопротивление в цепи базы:


Rб=0.75Еп / Iб=0.5 · 5 · 70 / (0,8 · 10-3) = 219 · 103 Ом. (10)


Сопротивление в цепи эмиттера определяется исходя из требуемого коэффициента усиления:


Кu= S Rвх= Rк/(rэ+Rэ)= - Rк/( (25/Iк)+Rэ). (11)


Следовательно:

Rэ = Rк/Ku – 25/Iк = 3200/10 – 25/(0,8) = 288,75 Ом. (12)


Выберем стандартные значения сопротивлений:

  • Rэ = 300 Ом,
  • Rк = 3,3 кОм,
  • Rб = 220 кОм.


В качестве транзисторов выберем BC847 в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Его основные параметры приведены в таблице 7.


Таблица 7 -Базовые параметры транзистора BC847

Наименование

BC847

UКЭ МАХ

45 В

IК МАХ

100 мА

PМАХ

250 мВт

h21Э

90