Фгуп «нпо «Орион»
| Вид материала | Документы |
- Лазерно-голографический измерительный комплекс фгуп «нпо «гипо» Иванов, 553.57kb.
- Образовательный стандарт высшего профессионального образования по направлению подготовки, 711.14kb.
- Сибельдина Лиля Аркадьевна Генеральный директор ООО «Орион-Си» Мой доклад, 46.16kb.
- «Одеятельности гооу нпо профессионального училища №35 в 2009-2010 учебном году.», 298.67kb.
- Живая интраназальная «Ультрагривак» (лср-002340/09 от 25. 03. 2009), 103.38kb.
- Программа Целевого набора фгуп «нпо «Техномаш», 25.13kb.
- Нормативных документов в строительстве, 752.78kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса № 2010/01-ит на выполнение, 948.61kb.
- Подольская александра сергеевна, 291.11kb.
- Статистические потенциалы атомарной гидратации биополимеров 03. 00. 03 молекулярная, 398.71kb.
14.10 – 14.45 Обед. Стендовые доклады (Секция Б)
Экскурсия 15.00
Пятница, 30 мая
9.30 –11.35
| П12 9.30 | Необходимость и перспективы разработок больших фокальных поверхностей с твердотельными фотоприемниками для внеатмосферных систем обнаружения РКО Иванов В.Г.*, Каменев А.А. *, Степанов Р.М. ОАО «ЦНИИ «Электрон», С-Петербург, Россия *НИЦ 4-го ЦНИИ МО, С-Петербург, Россия |
| П13 9.55 | Мощные светодиоды в средней ИК-области спектра (1.6 4.6 мкм) на основе А3В5 гетероструктур для метрологических применений Яковлев Ю.П. Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, С-Петербург, Россия |
| У68 10.20 | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе широкозонных полупроводниковых материалов Бланк T.В., Гольдберг Ю.А. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург, Россия |
| У69 10.40 | Фотовольтаический детектор на основе асимметричной гетероструктуры II типа p InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p GaSb c одиночной квантовой ямой для спектрального диапазона 1.5 3.6 мкм Михайлова М.П., Андреев И.А., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С Петербург, Россия |
| У70 11.00 | Многокаскадный лавинный фотодиод Патрашин А.И. ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия |
| У50 11.15 | Приемники ИК изображения на основе термомеханических наноразмерных мембран Беспалов В.А., Федирко В. А., Фетисов Е. А. ГОУ «Московский государственный институт электронной техники (ТУ)», Москва, Зеленоград |
11.30 – 11.45 Перерыв
| У72 11.45 | Широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb с длинноволновой границей чувствительности l=4.5 мкм Матвеев Б.А., Закгейм А.Л., Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Черняков А.Е. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург, Россия |
| У73 12.00 | Исследование характеристик структур с барьером Шоттки Nі ZnSe и технологии энергоселективных УФ фотодиодов Перевертайло В.Л., Добровольский Ю.Г.*, Шабашкевич Б.Г.* НИИ МП НТК ИМК НАН, Киев, Украина *ООО НПФ «Тензор», Черновцы, Украина |
| У74 12.15 | Химическая пассивация фотодиодов на основе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb Куницына Е.В., Андреев И.А., Львова Т.В., Яковлев Ю.П. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург |
| У75 12.30 | Многоэлементные ИК приемники с барьером Шоттки, чувствительные к излучению с энергией квантов меньше высоты потенциального барьера Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А., Арутюнов В.А.*, Степанов Р.М.*, Панасенков В.И * Научно-исследовательский центр - филиал 4 ЦНИИ МО, С-Петербург, Россия *ОАО «ЦНИИ «Электрон», С-Петербург, Россия |
| У76 12.45 | Фотоприемники инфракрасного диапазона спектра для оптического приборостроения Глобус Е.Р., Комов А.А., Никитин М.С., Чеканова Г.В. ФГУП «Альфа», Москва, Россия |
| У77 13.00 | Высокостабильные фоторезисторы спектрального диапазона 8 12 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке из арсенида галлия Акимова Н.М., Гусаров А.В., Карпов В.В., Крапухин В.В., Сусов Е.В., Филатов А.В., Варавин В.С.*, Сидоров Ю.Г.* ОАО «МЗ «Сапфир», Москва, Россия *Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |
| У78 13.15 | Фотоприемники SPRITE на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) Комов А.А., Другова А.А., Никитин М.С., Чеканова Г.В., Ларцев И.Ю. ФГУП «Альфа», Москва, Россия |
| У79 13.30 | Компенсация, захват носителей заряда и эффективность работы детектора из теллурида кадмия Бабенцов В.Н., Сизов Ф.Ф. Институт физика полупроводников НАН, Киев, Украина |
| 13.45 | Закрытие конференции |