Фгуп «нпо «Орион»
| Вид материала | Документы |
- Лазерно-голографический измерительный комплекс фгуп «нпо «гипо» Иванов, 553.57kb.
- Образовательный стандарт высшего профессионального образования по направлению подготовки, 711.14kb.
- Сибельдина Лиля Аркадьевна Генеральный директор ООО «Орион-Си» Мой доклад, 46.16kb.
- «Одеятельности гооу нпо профессионального училища №35 в 2009-2010 учебном году.», 298.67kb.
- Живая интраназальная «Ультрагривак» (лср-002340/09 от 25. 03. 2009), 103.38kb.
- Программа Целевого набора фгуп «нпо «Техномаш», 25.13kb.
- Нормативных документов в строительстве, 752.78kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса № 2010/01-ит на выполнение, 948.61kb.
- Подольская александра сергеевна, 291.11kb.
- Статистические потенциалы атомарной гидратации биополимеров 03. 00. 03 молекулярная, 398.71kb.
18.45 – 20.00 Стендовые доклады (секция А)
Четверг, 29 мая (секция А)
9.30 – 12.00
| П14 9.30 | Нетрадиционные методы термостабилизации элементов фото- и микроэлектроники Булат Л.П., Пахомов О.В., Старков А.С. Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных технологий, Россия |
| У54 9.55 | Термоэлектрические сенсоры из материалов с анизотропной термоэдс Анатычук Л.И., Прибыла А.В. Институт термоэлектричества, Черновцы, Украина |
| У57 10.15 | Состояние разработки и перспективы развития МКС Сплит-Стирлинг для охлаждаемых ФПУ Липин М.В., Громов А.В. ООО «НТК «Криогенная техника», Омск, Россия |
| У55 10.35 | Миниатюрный линейный холодильник типа Сплит-Стирлинг для портативных тепловизоров Veprik A., Vilenchik H., Riabzev S. and Pundak N. Ricor, Cryogenic and Vacuum Systems, Израиль |
| У56 10.55 | Разработка конструкции и технологии создания унифицированного ряда цельнометаллических криостатов для ИК-фотоприемников различного спектрального диапазона Гиндин Д.А., Ежов В.П., Карпов В.В., Крашенинников В.С., Кузнецов Н.С., Петренко В.И. ОАО «МЗ «Сапфир», Москва, Россия |
| У58 11.10 | Оптимизация криогенного излучающего холодильника Абросимов А.И., Верлан А.А., Полищук Г.М., Пичхадзе К.М., Сысоев В.К. ФГУП «НПО им. С.А Лавочкина», Химки, Россия |
| У59 11.25 | Термоэлектрическое охлаждение для детекторных применений Громов Г.Г., Ершова Л.Б. ЗАО «РМТ», Москва, Россия |
| У60 11.40 | Дроссельная бортовая система охлаждения на базе баллона с криогенной заправкой Довгялло А.И., Логашкин А.П., Сармин Д.В., Угланов Д.А. Самарский государственный аэрокосмический университет, Самара, Россия |
11.55 – 12.10 Перерыв
| У61 12.10 | Контакты металл – теллурид кадмия-ртути Стафеев В.И. ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия |
| У62 12.30 | Выращивание эпитаксиальных структур КРТ комбинацией методов ЖФЭ и MOCVD для ИК-детекторов с узкой спектральной характеристикой Котков А.П.*, Гришнова Н.Д.*, Моисеев А.Н.*, Денисов И.А.**, Смирнова Н.А.**, Шматов Н.И.**, *Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, Россия **ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия |
| У63 12.45 | Разработка элементов технологии монолитного инфракрасного фотоприемника Якушев М.В., Васильев В.В. Дворецкий С.А., Козлов А.И., Сидоров Ю.Г., Фомин Б.И., Асеев А.Л. Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |
| У64 13.00 | Выращивание наногетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия и ртути методом молекулярно-лучевой эпитаксии Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |
| У65 13.25 | ГЭС КРТ МЛЭ с внутренним отрезающим фильтром Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Предеин А.В., Сусляков А.О., Васильев В.В. Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |
| У66 13.40 | Исследование дефектной структуры эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных молекулярно лучевой эпитаксией, при ионном травлении Ижнин И.И.*, Ильина Е.С.*, Курбанов К.Р.*, Дворецкий С.А.**, Михайлов Н.Н.**, Сидоров Ю.Г.**, Варавин В.С.**, Мынбаев К.Д.***, Поцяск М.**** * НИИ материалов НПП «Карат», Львов, Украина ** Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия ***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия ****Институт физики Университета Жешув, Польша |
| У67 13.55 | Гетероэпитаксиальные структуры PbSnTe:In/BaF2/CaF2/ Si для интегрального матричного фотоприемного устройства диапазона длин волн до 16 мкм Акимов А.Н., Климов А.Э., Супрун С.П., Шумский В.Н. Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |