Фгуп «нпо «Орион»
| Вид материала | Документы |
- Лазерно-голографический измерительный комплекс фгуп «нпо «гипо» Иванов, 553.57kb.
- Образовательный стандарт высшего профессионального образования по направлению подготовки, 711.14kb.
- Сибельдина Лиля Аркадьевна Генеральный директор ООО «Орион-Си» Мой доклад, 46.16kb.
- «Одеятельности гооу нпо профессионального училища №35 в 2009-2010 учебном году.», 298.67kb.
- Живая интраназальная «Ультрагривак» (лср-002340/09 от 25. 03. 2009), 103.38kb.
- Программа Целевого набора фгуп «нпо «Техномаш», 25.13kb.
- Нормативных документов в строительстве, 752.78kb.
- Конкурсная документация по проведению открытого конкурса № 2010/01-ит на выполнение, 948.61kb.
- Подольская александра сергеевна, 291.11kb.
- Статистические потенциалы атомарной гидратации биополимеров 03. 00. 03 молекулярная, 398.71kb.
Вторник, 27 мая
10.00 Открытие конференции
Вступительное слово председателя оргкомитета А.М. Филачева
| П01 10.20 | Современное состояние, перспективы и проблемы развития ИК фотоэлектроники Пономаренко В.П., Филачев А.М., Гринченко Л.Я. ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия |
| П02 10.50 | Инфракрасные фотоприемники на квантовых точках: состояние и перспективы Рогальский А. Институт прикладной физики, Военный институт технологии, Варшава, Польша |
| П03 11.30 | Магнитные, акустические и фотонные свойства метаматериалов Никитов С.А., Гуляев Ю.В. Институт радиотехники и электроники РАН, Москва, Россия |
12.00 – 12.20 Перерыв
| П04 12.20 | Новые задачи для высокоэффективного применения ИК техники Tribolet Philippe SOFRADIR, Франция |
| П05 12.50 | Состояние разработок ИК матриц в Куньминском институте физики Xiao-Ping Chen Куньминский институт физики, Куньмин, Китай |
| П06 13.20 | Инфракрасные фотоприемники второго поколения на основе оптимизированных ГЭС КРТ МЛЭ Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В., Сусляков А.О., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., Асеев А.Л. Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |
14.00 – 15.30 Обед. Посещение выставки
| П07 15.30 | Предельные параметры многоэлементных гибридных МДП ИК ФПУ на InAs и приборов на их основе Курышев Г.Л., Ли И.И., Базовкин В.М., Валишева Н.А., Гузев А.А., Ефимов В.М., Ковчавцев А.П. , Половинкин В.Г., Строганов А.С. Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |
| У01 16.00 | Исследование фотоэлектрических параметров МФПУ на основе антимонида индия Касаткин И.Л., Лопухин А.А., Патрашин А.И., Чишко В.Ф. ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия |
| У02 16.20 | Исследование времени корректируемости для МФПУ на основе InSb Чишко В.Ф., Дирочка А.И., Касаткин И.Л., Лопухин А.А. ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия |
| У03 16.40 | Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство форматом 320х240 на основе золь-гель VOx Демьяненко М.А., Фомин Б.И., Есаев Д.Г., Овсюк В.Н, Васильева Л.Л., Волков С.А., Марчишин И.В., Четверов Ю.С.*, Здобников А.Е.*, Кудрявцев П.Н.*, Володин Е.Б.**, Ермолов А.Е.**, Усов П.П.**, Чесноков В.П.** , Машевич П.Р.** Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия *ОАО «ЦНИИ «Циклон», Москва, Россия **ОАО «Ангстрем», Москва, Россия |
17.00 – 17.15 Перерыв
| У04 17.15 | Неохлаждаемый матричный приемник ИК излучения на основе термопневматического микромеханического преобразователя с оптоэлектронной системой считывания Гельфанд А.В., Паулиш А.Г., Федоринин В.Н. Филиал Института физики полупроводников СО РАН «КТИ ПМ», Новосибирск, Россия |
| У05 17.35 | ИК фотоприемники формата 288×4 с двунаправленным сканированием изображения Васильев В.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Рева В.П.*, Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф.*, Сусляков А.О., Асеев А.Л. Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия *Институт физики полупроводников НАН, Киев, Украина |
| У06 17.55 | Двухцветная фокальная матрица 128×4×2 на основе HgCdTe и ее применение Jin-Yi Wang, Ling Jin, Pin-Yi Zhang Куньминский институт физики, Куньмин, Китай |
| У07 18.15 | Двухспектральные матричные фотоприемники на основе структур с квантовыми ямами Казаков А.А., Зверев Г.М., Куликов В.Б., Котов В.П., Бутягин О.Ф., Чередниченко О.Б., Курнявко Ю.В, Мармалюк А.А., Солодков А.А.* ФГУП «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» Москва, Россия *ФГУ «22 ЦНИИ МО РФ, Мытищи, Россия |
| У08 18.35 | Длинноволновая фокальная матрица 320×240 на основе квантовых ям Yan-Li Shi Северная компания инфракрасных технологий, отделение фотоприемников, Куньмин, Китай |
| У09 18.55 | Смотрящая К-МОП матрица формата 320х240 элементов для спектрального диапазона 3-5 мкм на основе PtSi Карпов В.В., Никифоров А.Ю., Белин А.М.*, Золотарев В.И.*, Попов А.Д.* ОАО «Московский завод «Сапфир», Москва, Россия *ОАО «Ангстрем», Москва, Россия |
Среда, 28 мая
Секция А
9.30 – 12.00
| П08 9.30 | Приемники терагерцового диапазона. с использованием плазменного резонанса Рыжий В.И. Unversity of Aizu, Япония |
| П09 10.00 | Приемники излучения миллиметрового и субмиллиметрового (ТГц) диапазонов Сизов Ф.Ф. Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина |
| П10 10.30 | Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Овсюк В.Н., Фомин Б.И., Асеев А.Л., Князев Б.А.*, Кулипанов Г.Н.*, Винокуров Н.А.* Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия *Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия |
| У10 11.00 | Болометрические приемники терагерцового излучения Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Марчишин И. В., Овсюк В.Н., Фомин Б.И., Князев Б.А.* Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия *Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия |
| У11 11.20 | Планарные детекторы для матричных систем видения в миллиметровом диапазоне длин волн Закамов В.Р., Шашкин В.И., Мурель А.В. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия |
| У12 11.40 | Вакуумный субматричный фотоприемный модуль ФУК-140М формата 4х288 элементов для спектрального диапазона 8-12 мкм, работающий в режиме ВЗН Гиндин Д.А., Карпов В.В., Кузнецов Н.С., Крашенинников В.С., Петренко В.И., Семенов В.И., Васильев В.В.* ОАО «МЗ «Сапфир», Москва, Россия *Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |
12.00 – 12.15 Перерыв
| П11 12.15 | Многоканальные устройства предпроцессорной обработки сигналов для многоэлементных ИК ФПУ Ли И.И. Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия |
| У13 12.40 | Принципы построения БИС считывания, использующих аналого-цифровое преобразование фотосигнала Кузнецов П.А., Климанов Е.А. ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия |
| У14 13.00 | Влияние конструктивно-технологических ограничений схем считывания на параметры ИК ФПУ Рева В.П., Сизов Ф.Ф.* Институт микроприборов НАН Украины, Киев, Украина *Институт физики полупроводников НАН им. В.Е. Лашкарёва, Киев, Россия |
| У15 13.20 | Метод автоматизированного тестирования модулей электронной обработки сигналов в оптико-электронных приборах Солодков А.А., Милосердов С.С. ФГУ «22 ЦНИИ МО РФ», Мытищи, Россия |
| У16 13.40 | Разработки методов получения цветного изображения с естественной цветопередачей в приборах низкоуровнего и инфракрасного видения Wang Lingxue, Jin Weiqi, Shi Shiming, Zhao Yuanmeng Пекинский технологический институт, Пекин, Китай |