П падение тела

Вид материалаДокументы

Содержание


MN, па­раллельным нач. участку упругости ОА.
Пластичность кристаллов
«пленение цвета»
Плечо силы
Плоская волна
Плоскопараллельная плас­тинка
Плоскопараллельное тече­ние
Плоскость поляризации
Ш. Кивилис.
Подобный материал:
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   25
ПЛАСТИЧНОСТЬ (от греч. plastikos — годный для лепки, податливый), свойство материалов тв. тел сохранять часть деформации при снятии нагру­зок, к-рые её вызвали. Пластич. де­формации испытывают детали конст­рукций и сооружений, заготовки при обработке давлением (прокатке, штам­повке и т. п.), пласты земной коры и др. объекты. Учёт П. позволяет опре­делять запасы прочности, деформиру­емости и устойчивости, расширяет

возможности создания конструкций миним. веса. В ряде совр. конструк­ций П. обеспечивает их наиболее ра­циональное функционирование, на­дёжность и безопасность, повышает со­противляемость тел ударным нагруз­кам, снижает концентрацию напряже­ний.

При растяжении цилиндрич. образ­ца обнаруживают предел текучести s; при напряжениях s деформа­ция  обратима (упруга) и связана с  Гука законом =Е (Е — модуль Юн­га). При дальнейшем увеличении рас­тягивающей силы зависимость ~ становится нелинейной и необратимой (рис.). Возрастание а с увеличением 8 наз. упрочнением. При раз­грузке от напряжения >s (точка М) зависимость ~ изображается прибл.



прямолинейным отрезком MN, па­раллельным нач. участку упругости ОА. Часть деформации e=NM1=/Е — упругая (обратимая). Отрезок p=ON — остаточная, или п л а с т и ч е с к а я, деформация, к-рая неизменна при разгрузке и воз­растает при непрерывном нагружении ОАВ и при повторной нагрузке после достижения напряжения а, с к-рого была произведена разгрузка (рис.). В сложном напряжённом состоянии пластич. деформация появляется впер­вые при интенсивности напряжений us (условие П. Г е н к и — М и з е с а) или когда наибольшее касат. напряжение mas (где s — предел текучести при сдвиге) — условие П. Треска — Сен-Венана. При этом тензор деформации (см.

Деформация механическая) ij=eij+epij, где тензор упругой деформации eij связан с напряжениями обобщён­ным законом Гука, а тензор пластич. деформации pij характеризует дефор­мацию, к-рая сохраняется в окрест­ности рассматриваемой точки, когда все компоненты тензора напряжений ij при разгрузке обращаются в нуль. Типичной явл. неоднозначность зави­симости между напряжениями и упру­гопластич. деформациями: значения напряжений зависят не от текущих (мгновенных) значений деформации, а от того, в какой последовательности шло их изменение до достижения теку­щих значений, т. е. от процесса дефор­мации.

• Ильюшин А. А., Пластичность, ч. 1, М.—Л., 1948.

В. С. Ленский.

547


ПЛАСТИЧНОСТЬ КРИСТАЛЛОВ, свойство крист. тел необратимо изме­нять свои размеры и форму под действием механич. нагрузок. Пластичность крист. тел (или материалов) связана с действием разл. микроскопич. меха­низмов пластич. деформации, относит. роль .каждого из к-рых определяется внеш. условиями: темп-рой, нагрузкой, скоростью деформирования. Эти механизмы рассмотрены ниже в порядке увеличения числа атомов, участвую­щих в элем. акте пластич. деформа­ции.

С а м о д и ф ф у з и о н н а я и д и ф ф у з и о н н а я П. к. Перенос мас­сы может осуществляться посредством самодиффузии по поверхности или через объём кристалла. Самодиффузия происходит путём проникновения ато­мов поверхностных слоев внутрь кри­сталла в виде междоузельных атомов на участках сжатия и «выделения» их на участках, подверженных действию растягивающих сил. Одновременно в противоположном направлении идёт поток вакансий, рождающийся в ок­рестности приложения растягиваю­щих сил и аннигилирующих в местах действия сил сжатия на поверхности кристалла. В большинстве реальных случаев самодиффузионная деформа­ция в осн. связана с направленными потоками вакансий, к-рые образуются легче, чем междоузельные атомы.

В кристалле, состоящем из атомов разного сорта, в однородном поле на­пряжений происходит ориентац. упорядочение относит. расположения ато­мов (рис., а), в результате чего кри­сталл приобретает нек-рую зависящую от степени упорядоченности деформа­цию.



Диффузионная пластичность: а — ориентационное упорядочение примесных атомов (чёрные кружки) при сжатии — растяжении; б — перераспределение примесных атомов при изгибе; I — исходный кристалл; II -кристалл с примесными атомами под дейст­вием напряжений; 111 — конечная дефор­мация кристалла.


После снятия напряжений упоря­доченное состояние может быть невы­годно, но оно нек-рое время сохраня­ется. Если в кристалле создано неод­нородное поле напряжений, то атомы примеси большего радиуса и междо­узельные атомы (рис., б) стремятся перейти в растянутые области решётки, а меньшего — в сжатые; возникает неоднородное распределение концент­раций, стабилизирующее исходную не­однородную деформацию. В реальных условиях перемещение дефектов про­исходит за счёт тепловых флуктуации, частота к-рых быстро падает с пони­жением темп-ры.

К р а у д и о н н а я П. к. обуслов­лена рождением и перемещением краудионов — сгущений атомов вдоль плотно упакованных рядов атомов в кристалле (см. Дефекты). При вдав­ливании острия в поверхность кри­сталла материал из зоны вдавливания удаляется «разбегающимися» из-под острия краудионами.

Д и с л о к а ц и о н н а я П. к. Ти­пичный вид пластич. деформации кри­сталлов — скольжение по кристаллографич. плоскостям. Наиболее легко скольжение происходит по плотноупакованным плоскостям вдоль плотно-упакованных направлений. Скольже­ние по системе параллельных плоско­стей даёт макроскопич. сдвиг, а соче­тание сдвигов, соответствующих скольжению по разл. системам, со­ставляет осн. часть пластич. деформа­ции кристаллов. В реальных кристал­лах в процессе их образования всегда возникают дислокации. Атомы вблизи дислокаций смещены из своих положе­ний равновесия, а перевод их в новые положения равновесия, отвечающие сдвигу кристалла по плоскости сколь­жения на одно межатомное расстояние, требует значительно меньших затрат энергии, чем для атомов в неискажён­ном кристалле. Под действием напря­жений дислокации способны увеличи­вать свою протяжённость (т. н. раз­множение дислокаций). Поэтому ста­дия образования новых дислокаций лишь в исключит. случаях лимитирует скольжение (напр., начало деформа­ции в бездислокац. микрокристаллах). В остальных случаях развитие сколь­жения определяется движением дисло­каций. По подвижности дислокаций все материалы делятся на 2 группы. В к о в а л е н т н ы х к р и с т а л л а х этот барьер для движения дис­локаций по порядку величины при­ближается к энергии межатомных свя­зей и может быть прёодолён только за счёт тепловой активации (термич. флуктуации). Поэтому подвижность дислокаций становится заметной лишь при достаточно больших темп-pax, а при умеренных — ковалентные кри­сталлы непластичны. В м е т а л л и ч е с к и х и и о н н ы х к р и с т а л л а х барьер для перемещения дис­локаций в 103—104 раз меньше энер­гии связи и исчезает при напряжениях 10-3—10-4 G (где G — модуль сдвига); при таких напряжениях движение дис­локаций не нуждается в тепловой ак­тивации и их подвижность слабо зави­сит от темп-ры. Поэтому сопротивле­ние движению дислокаций пренебре­жимо мало, чем обусловлена высокая пластичность ионных и металлич. кри­сталлов.

В р е а л ь н ы х к р и с т а л л а х имеются разл. дефекты (точечные де­фекты, примесные атомы, дислокации, частицы др. фаз), и сопротивление скольжению зависит от вз-ствия дви­жущихся дислокаций с этими дефекта­ми. В результате вз-ствия друг с дру­гом дислокации тормозятся и остана­вливаются, поэтому для протекания деформации с постоянной скоростью необходимо непрерывное рождение но­вых дислокаций. Это приводит к по­стоянному увеличению плотности дис­локаций в кристалле, к-рая достигает 1011—1012 см-2; соответственно растёт их взаимное сопротивление скольже­нию — происходит деформац. упроч­нение, или наклёп кристалла.

При высоких темп-pax дислокац. механизм П. к. сочетается с диффу­зионным и самодиффузионным. В крис­таллах с примесями релаксация на­пряжений у дислокаций или дислокац. скоплений может осуществляться в результате перераспределения при­месных атомов. Вокруг дислокаций образуются примесные «атмосферы», и дислокац. П. к. падает (деформац. старение). Поэтому удаление приме­сей обычно повышает П. к. Процессы разрядки дислокац. плотности вслед­ствие взаимной аннигиляции дисло­каций протекают более интенсивно в условиях высокотемпературной де­формации, деформационное упрочне­ние падает и деформация развивается при постоянной нагрузке (ползучесть).

Для нек-рых кристаллов (напр., кварца, кальцита) преобладающим ме­ханизмом пластичности явл. двойникование. Необратимое изменение фор­мы может быть также результатом об­разования под нагрузкой новой фазы, имеющей иную крист. решётку, чем исходный кристалл.

В п о л и к р и с т а л л а х дейст­вие рассмотренных механизмов плас­тич. деформации внутри зёрен ослож­нено вз-ствием между зёрнами. Дефор­мация поликристалла есть суммарный результат деформации во многих раз­лично ориентированных относительно нагрузок и находящихся в разл. усло­виях зёрен. Поэтому развитие дефор­мации не имеет чётко выраженного стадийного характера, как деформа­ции монокристаллов. Межзёренные границы препятствуют распростране­нию дислокаций и, как правило, упроч­няют крист. тела при низких темп-pax. Наоборот, при высоких темп-рах наличие границ, являющихся источ­никами или стоками дефектов, повы­шает П. к. Сочетание дислокац. и са­модиффузионной деформаций в при­граничных областях приводит к их высокой пластичности, проявляющей­ся в специфич. механизме высокотем­пературной деформации поликристал­лов — «проскальзывании» по грани­цам зёрен. Перемещение зёрен друг относительно друга происходит по­добно движению ч-ц в сыпучих мате­риалах и в нек-рых случаях обеспе­чивает деформацию до 1000% («сверх-

548


пластичность»). Высокая П. к. может достигаться также, если в ходе дефор­мирования успевает проходить рекри­сталлизация, приводящая к удалению наиболее искажённых и, следователь­но, наименее пластичных зёрен, к-рые поглощаются растущими зёрнами с более совершенной структурой.

• Физика деформационного упрочнения мо­нокристаллов, К., 1972; Набарро Ф. Р., Б а з и н с к и й 3. С., X о л т Д. Б., Пла­стичность чистых монокристаллов, пер. с англ., М., 1967; Хоникомб Р., Пласти­ческая деформация металлов, пер. с англ., М., 1972; Современная кристаллография, т. 4, М., 1981. А. Л. Ройтбурд.

«ПЛЕНЕНИЕ ЦВЕТА», удержание «цветных» кварков и глюонов внутри адронов. См. Удержание «цвета».

ПЛЕОХРОИЗМ (от греч. pleon — бо­лее многочисленный, более протяжён­ный и chroa — цвет), изменение ок­раски в-ва в проходящем свете в зависимости от направления распро­странения и поляризации этого света. Впервые наблюдался в 1809 франц. учёным П. Л. А. Кордье, а затем (на кристаллах турмалина) в 1816 франц. физиком Ж. Б. Б и о и нем. физиком Т. И. Зеебеком. П.—одно из прояв­лений оптической анизотропии. П. обусловлен анизотропией поглощения, к-рое, в свою очередь, зависит от длины волны и поляризации излучения. Ча­ще всего П. наблюдается в кристаллах. У одноосных кристаллов различают 2 «главные» (основные) окраски — при наблюдении вдоль оптич. оси и пер­пендикулярно к ней; у двуосных кри­сталлов — 3 осн. окраски — при на­блюдении по 3 направлениям, к-рые обычно совпадают с г л а в н ы м и н а п р а в л е н и я м и кристалла (см. Кристаллооптика). По др. на­правлениям кристалл виден окрашен­ным в иные, т. н. промежуточные, цвета. Сильным П. отличаются, напр., турмалин (одноосный кристалл) и аце­тат меди (двуосный кристалл). Разно­видностями П. явл. к р у г о в о й д и х р о и з м (Коттона эффект) — различие поглощения для света правой и левой круговых поляризаций, и л и н е й н ы й д и х р о и з м — не­одинаковость поглощения обыкновен­ного и необыкновенного лучей. Ани­зотропией поглощения, кроме кри­сталлов, могут обладать и отд. молеку­лы; преимуществ. ориентация таких молекул вызывает П. содержащих их в-в (напр., мн. красителей). Преиму­ществ. ориентация анизотропно по­глощающих молекул, ведущая к П., может быть естественной и искусст­венной — вызванной внеш. полем или механич. деформациями. Очень важ­ным практич. применением П. явл. использование поляроидов, действие к-рых основано на явлении линейного дихроизма.

• Белянкин Д. С., Петров В. П., Кристаллооптика, 4 изд., М., 1951; К о с т о в И., Кристаллография, пер. с болг., М., 1965. См. также лит. при ст. Кристаллоптика.

ПЛЕЧО СИЛЫ, кратчайшее расстоя­ние от данной точки (центра) до линии действия силы, т. е. длина перпендикуляра, опущенного из этой точки на линию действия силы (см. Момент силы).

ПЛОСКАЯ ВОЛНА, волна, у к-рой направление распространения одина­ково во всех точках пространства. Простейший пример — однородная монохроматич. незатухающая П. в.:

и(z, t)=Aeit±ikz, (1)

где А — амплитуда, = t±kz — фа­за, =2/Т — круговая частота, Т -период колебаний, k волновое чис­ло. Поверхности постоянной фазы (фа­зовые фронты) =const П. в. являют­ся плоскостями.

При отсутствии дисперсии, когда фа­зовая скорость vф и групповая скорость vгр одинаковы и постоянны (vгр=vф= v), существуют стационарные (т. е. перемещающиеся как целое) бегущие П. в., к-рые допускают общее представление вида:

u(z, t)=f(z±vt), (2)

где f — произвольная функция. В не­линейных средах с дисперсией также возможны стационарные бегущие П. в. типа (2), но их форма уже не произ­вольна, а зависит как от параметров системы, так и от характера движения волны. В поглощающих (диссипативных) средах П. в. уменьшают свою амплитуду по мере распространения; при линейном затухании это может быть учтено путём замены в (1) k на комплексное волновое число kд ± ikм, где kм — коэфф. затухания П. в.

Однородная П. в., занимающая всё бесконечное пространство, является идеализацией, однако любое волновое поле, сосредоточенное в конечной об­ласти (напр., направляемое линиями передачи или волноводами), можно представить как суперпозицию П. в. с тем или иным пространств. спектром k. При этом волна может по-прежнему иметь плоский фазовый фронт, но не­однородное распределение амплитуды. Такие П. в. наз. плоскими неоднород­ными волнами. Отдельные участки сферич. и цилиндрич. волн, малые по сравнению с радиусом кривизны фазо­вого фронта, приближённо ведут себя как П. в.

• См. лит. при ст. Волны.

М. А. Миллер, Л. А. Островский.

ПЛОСКОПАРАЛЛЕЛЬНАЯ ПЛАС­ТИНКА, слой однородной прозрач­ной среды с показателем преломления n, ограниченный параллельными пло­скостями на расстоянии d друг от дру­га. Оптич. толщина П. п. равна nd, оптическая сила — нулю, увеличение оптическое — единице. П. п., постав­ленная на пути гомоцентрического пучка лучей, смещает (вдоль оси пучка) изображение, даваемое этим пучком, на расстояние l=d(1-tgi'/tgi) (рис.), где i — угол падения пучка лучей, a i' — угол преломления. В случае параксиальных пучков лучей l= d(1-1/n) П. п. сохраняет направле­ние падающего на неё параллельного пучка лучей, но смещает ось этого пучка на величину L=lsini.

П. п. как оптич. элемент обладает аберрациями (см. Аберрации оптиче­ских систем), в частности сферической аберрацией (к-рая при больших углах i даёт дополнит. смещение s'), хрома­тической аберрацией и астигматизмом (для достаточно удалённых объектов и малых d — незначительными).




П. п. применяют как защитные стёк­ла, для окон, светофильтров (П. п. из окрашенных материалов), в угломер­ных приборах для малых угловых сме­щений изображения, в нек-рых интер­ферометрах (см. Люммера Герке пластинка, Майкельсона эшелон], в качестве оптич. компенсаторов и т. д.

ПЛОСКОПАРАЛЛЕЛЬНОЕ ДВИЖЕ­НИЕ (плоское движение) твёрдого тела, движение тв. тела, при к-ром все его точки перемещаются парал­лельно нек-рой неподвижной плоско­сти. Изучение П. д. сводится к изуче­нию движения неизменяемой плоской фигуры в её плоскости, к-рое слагается из поступательного движения вместе с нек-рым произвольно выбранным полюсом и вращательного движения вокруг этого полюса. П. д. можно так­же представить как серию элем. по­воротов вокруг непрерывно меняющих своё положение мгновенных центров вращения.

ПЛОСКОПАРАЛЛЕЛЬНОЕ ТЕЧЕ­НИЕ, движение жидкости или газа параллельно к.-л. плоскости, при к-ром во всех точках, находящихся на одном перпендикуляре к этой пло­скости, скорости ч-ц, давление и др. хар-ки потока одинаковы. Примеры П. т.: обтекание крыла бесконечно большого размаха потоком, перпенди­кулярным размаху, водослив через прямую плотину бесконечно большой ширины и др. Исследование П. т. значительно проще, чем исследование пространств. потока, т. к. все величи­ны, характеризующие движение, не зависят от координаты, перпендику­лярной к плоскости движения. При решении конкретных технич. задач в результаты, даваемые теорией П. т., вносятся соответствующие поправки (см., напр., Индуктивное сопротив­ление).

ПЛОСКОСТЬ ПОЛЯРИЗАЦИИ, пло­скость, проходящая через направление колебаний электрич. вектора линейно поляризованной световой волны (см. Поляризация света) и направление распространения этой волны.

ПЛОТНОМЕР, прибор для измерения плотности в-в. Наиб. распространены

549


П. для измерения плотности жидко­стей; они делятся на поплавковые, ве­совые, гидростатические, радиоизотопные, вибрационные, ультразвуко­вые. К П. примыкают приборы для измерения концентрации р-ров (спир­томеры, сахаромеры, нефтеденсиметры и др.). П о п л а в к о в ы е П. пред­ставляют собой ареометры пост. мас­сы или пост. объёма. В е с о в ы е П. основаны на непрерывном взвешива­нии определённого объёма жидкости. В г и д р о с т а т и ч е с к и х П. плотность определяют по разности давлений двух столбов жидкости раз­ной высоты. Действие р а д и о и з о т о п н ы х П. основано на измерении ослабления пучка - или -лучей в результате их поглощения или рас­сеяния слоем жидкости. В в и б р а ц и о н н о м П. используется зави­симость резонансной частоты возбуж­даемых в жидкости колебаний от её плотности, в ультразвуко­вом — зависимость скорости звука в среде от её плотности. Радиоизотоп­ный, ультразвуковой, вибрационный и др. методы могут быть применены для определения плотности тв. и га­зообразных в-в.

•-Кивилис С. Ш., Приборы для изме­рения плотности жидкостей и газов, в кн.: Приборостроение и средства автоматики, т. 2, кн. 2, М., 1964; Измерение массы, объе­ма и плотности, М., 1972; Глыбин И. П., Автоматические плотномеры, К., 1965.

С. Ш. Кивилис.

ПЛОТНОСТЬ (), величина, опреде­ляемая для однородного в-ва его мас­сой в единице объёма. П. неоднород­ного в-ва в определённой точке — предел отношения массы т тела к его объёму V, когда объём стягивается к этой точке. Средняя П. неодно­родного тела также есть отношение m/V. Часто применяется понятие о т н о с и т е л ь н о й П.; напр., П. жидких и тв. в-в может определяться по отношению к П. дистиллированной воды при 4°С, а газов — по отношению к П. сухого воздуха или водорода при нормальных условиях. Единица П. в СИ — кг/м3, в системе СГС — г/см3. П. и уд. вес  связаны между собой отношением =ag, где g — местное ускорение свободного падения тела, а — коэфф. пропорциональности, за­висящий от выбора единиц измерения. П. в-в, как правило, уменьшается с ростом темп-ры и увеличивается с по­вышением давления (П. воды с пони­жением темп-ры Т до 4°С растёт, при дальнейшем понижении Т — умень­шается). При переходах в-ва из одного агрегатного состояния в другое П. изменяется скачкообразно: резко уве­личивается при переходе в газообраз­ное состояние и, как правило, умень­шается при затвердевании (П. воды и чугуна аномально уменьшается при переходе из жидкой фазы в твёрдую). Методы измерения П. в-в весьма раз­нообразны. II. идеальных газов определяется из ур-ния состояния: =p/RT, где р — давление,  — мол. масса, R — универсальная газовая по­стоянная, Т — абс. темп-pa. П. сухого газа, имеющего при нормальных усло­виях П. н, при давлении р и темп-ре Т определяется ф-лой: =нрТннТК, где К — коэфф. сжимаемости, харак­теризующий отклонение данного ре­ального газа от идеального. Для влаж­ного газа =н(р-pвннТК+в>, где  — относит. влажность газа, рв и в табличные значения максимально возможного давления при темп-ре Т и максимально возмож­ной П. водяного пара при данных р и Т. П. жидкостей и тв. тел находят путём точного определения массы тела и его объёма с помощью разл. типов плотномеров. Для определения П. ис­пользуют также зависимость П. от скорости распространения звуковых волн, интенсивности - и -излучения, прошедшего через в-во, и т. д.

• ГОСТ 2939—63. Газы. Условия для определения объема, М., 1965; Измерение массы объема и плотности, М., 1972.