Физ величина, характеризующая интенсивность нормальных (перпендикулярных к поверхности) сил, с к-рыми одно тело действует на поверхность другого (напр
Вид материала | Документы |
- Реферат По Физике, 58.66kb.
- Тема: определение реакций связей при действии на конструкцию произвольной плоской системы, 15.41kb.
- Головной мозг, 139.71kb.
- Работы режущего инструмента, основная нагрузка приходится на его рабочую поверхность,, 335.67kb.
- Головной мозг, с окружающими его оболочками находится в полости мозгового черепа, 437.52kb.
- Представьте себе некоторую поверхность и сидящего на ней муравья. Представили, 409.6kb.
- Лекция №8 Тема: «Продолжение», 81.36kb.
- Твует равновесию, установившемуся под действием силы тяжести, при условии, если, 669.51kb.
- Лабораторная работа метод естественного электрического поля (ЕП), 82.61kb.
- 1. Резьба Резьба поверхность, образованная при винтовом движении плоского контура, 223.58kb.
170
Рис. 2. Запись дифракц. максимумов в опыте Дэвиссона — Джермера, полученная при разл. углах поворота кристалла для двух значений угла отклонений эл-нов и двух ускоряющих напряжений V. Максимумы отвечают отражению от разл. кристаллографич. плоскостей, индексы к-рых указаны в скобках.
виссона и Л. Джермера (1927). В этом опыте эл-ны, ускоренные электрич. полем (напряжением V~100 В, т. н. медленные эл-ны с ~ 1 Å и менее), «отражались» от кристаллографич. поверхностей вращающегося кристалла никеля (d ~ неск. Å). При определ. углах поворота возникали максимумы (рис. 2), к-рые регистрировались с помощью гальванометра под разными углами отклонения 0 к первичному пучку и при различных ускоряющих напряжениях (и, следовательно, различных ). Расположение максимумов распределения отражённых эл-нов соответствовало ф-ле (2), и их появление могло быть объяснено только на основе представлений о волнах и их дифракции; т. о., волн. св-ва эл-нов были доказаны экспериментально. Вскоре была обнаружена и дифракция быстрых эл-нов на прохождение (при ускоряющих электрич. напряжениях порядка десятков кВ эл-ны. могут проникать через плёнки в-ва толщиной 10-5 см., рис. 1).
На рубеже 30-х гг. удалось наблюдать и дифракцию атомов и молекул. Атомам с массой М, находящимся в газообразном состоянии в сосуде при абс. темп-ре Т, соответствует длина волны
=h/(3MkT) , (3)
т. к. ср. кинетич. энергия атома ξ=3l2kT. Для лёгких атомов и молекул (Н, Н2, Не) при, Т ~100К также составляет ок. 1Å . Дифрагирующие атомы или молекулы практически не проникают в глубь кристалла; поэтому можно считать, что их дифракция происходит при рассеянии от поверхности кристалла, т. е. как на плоской дифракционной решётке (рис. 3).
Позже наблюдалась дифракция протонов и дифракция нейтронов (рис. 4). Так было доказано экспериментально, что волн. св-ва присущи всем микрочастицам.
В широком смысле слова дифракц. рассеяние всегда имеет место при упругом рассеянии разл. элем. ч-ц атомами и ат. ядрами, а также друг другом. С другой стороны, представление о корпускулярно-волновом дуализме материи укрепилось при анализе явлений, всегда считавшихся типично волновыми, напр. дифракции рентг. лучей — коротких эл.-магн. волн с длиной волны 0,5—5 Å, к-рые
Рис. 3. Схема прибора для наблюдения дифракции ат. или мол. пучков: А — пучок ч-ц; К — кристалл; О — капилляр, подводящий газ; D — диафрагма; R — приёмник, соединённый с манометром. Манометр измеряет давление, созданное дифрагиров. пучком.
Рис. 4. Дифракция нейтронов на кристалле NaCl.
можно рассматривать и регистрировать как поток ч-ц — фотонов, определяя с помощью счётчиков число фотонов рентг. излучения.
Интерпретация дифракционной картины. Волн. св-ва присущи каждой ч-це в отдельности, что было подтверждено в опыте по дифракции эл-нов, поочерёдно летящих через образец. При этом постепенно, по истечении нек-рого времени, возникала обычная картина дифракции.
Это означало, что каждый отдельный эл-н подчиняется всем законам волн. оптики, а дифракц. эффект обязан вз-ствию волны де Бройля каждого эл-на со всеми атомами кристалла.
Образование дифракц. картины при рассеянии ч-ц интерпретируется в квант. механике след. образом. Про-
шедший через кристалл эл-н в результате вз-ствия с крист. решёткой образца отклоняется от первонач. направления движения и попадает в нек-рую точку фотопластинки, установленной за кристаллом. При длит. экспозиции постепенно возникает упорядоченная картина дифракц. максимумов и минимумов в распределении эл-нов, прошедших через кристалл. Точно предсказать, в какое место фотопластинки попадёт данный эл-н, нельзя, но можно указать вероятность его попадания после рассеяния в ту или иную точку пластинки. Эта вероятность определяется квадратом модуля волновой функции эл-на ||2. Однако, поскольку вероятность при больших числах испытаний реализуется как достоверность, при прохождении огромного числа эл-нов через кристалл, как это имеет место в реальных экспериментах, величина ||2 определяет наблюдаемое распределение интенсивности в дифрагиров. пучках.
Атомные амплитуды рассеяния для различных микрочастиц. Вследствие общности геом. принципов дифракции теория Д. м. многое заимствовала из развитой ранее теории дифракции рентг. лучей. Однако вз-ствие разного рода ч-ц с в-вом имеет разл. физ. природу, что и определяет специфику рассеяния разл. ч-ц атомами. Напр., рассеяние эл-нов определяется вз-ствием электрич. заряда эл-на с электростатич. потенциалом атома (r) (r — расстояние от ядра), к-рый складывается из потенциала положительно заряж. ядра и потенциала электронной оболочки атома; потенц. энергия этого вз-ствия U=e(r). Рассеяние нейтронов определяется потенциалом их сильного вз-ствия с ат. ядром, а также вз-ствием магн. момента нейтрона с магн. моментом атома (магн. рассеяние нейтронов).
Рассеивающую способность атома характеризуют атомной амплитудой рассеяния f() ( — угол рассеяния), к-рая определяется потенц. энергией вз-ствия ч-ц данного сорта с атомами рассеивающего в-ва (см. А томный фактор). Интенсивность рассеяния пропорц. f2(). Если известны ат. амплитуда и взаимное расположение рассеивающих центров (ат. структура в-ва), то можно рассчитать общую картину дифракции, к-рая образуется в результате интерференции вторичных волн, исходящих из рассеивающих центров.
Ат. амплитуда рассеяния эл-нов fэ максимальна при =0 и спадает с увеличением . Величина fэ зависит также от ат. номера Z и от строения электронных оболочек атома, в ср. возрастая с увеличением Z приблизительно как Z1//3 для малых и как Z при больших значениях О, но обнаруживает колебания, связанные с
171
периодичностью заполнения электронных оболочек.
Ат. амплитуда рассеяния нейтронов fн для тепловых нейтронов не зависит от угла рассеяния (рассеяние сферически симметрично), т. к. ат. ядро с радиусом ~10-13 см явл. для них «точкой» (длина волны тепловых нейтронов ~10-8 см). Для нейтронов нет явной зависимости fн от Z. Вследствие наличия у нек-рых ядер т. н. резонансных уровней энергии, близких к энергии тепловых нейтронов, fн для таких ядер отрицательны.
Атом рассеивает эл-ны значительно сильнее, чем рентг. лучи и нейтроны: абс. значения амплитуды рассеяния эл-нов ~10-8 см, рентг. лучей ~10-11см, нейтронов ~10-12см. Т. к. интенсивность рассеяния ~f2, эл-ны взаимодействуют с в-вом примерно в 106 раз сильнее, чем рентг. лучи, и тем более нейтроны. Поэтому образцами для наблюдения дифракции быстрых эл-нов обычно служат тонкие плёнки толщиной 10-6—10-5 см, а для дифракции рентг. лучей и нейтронов — толщиной в неск. мм.
Д. м., сыгравшая большую роль в установлении двойственной природы материи, в дальнейшем стала одним из осн. методов изучения структуры в-ва (см. Электронография, Нейтронография).
• Блохинцев Д. И., Основы квантовой механики, 4 изд., М., 1963, гл. 1, § 7—8; Пинскер 3. Г., Дифракция электронов, М.—Л., 1949; В Эйнштейн Б. К., Структурная электронография, М., 1956; Бэкон Дж., Дифракция нейтронов, пер. с англ., М., 1957; Рамзей Н., Молекулярные пучки, пер. с англ., М., 1960.
Б. К. Вайнштейн.
ДИФРАКЦИЯ НЕЙТРОНОВ, см. Дифракция микрочастиц.
ДИФРАКЦИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ, явление, возникающее при упругом рассеянии рентгеновского излучения в кристаллах, аморфных телах, жидкостях или газах и состоящее в появлении отклонённых (дифрагированных) лучей, распространяющихся под определёнными углами к первичному пучку. Д. р. л. обусловлена пространств. когерентностью между вторичными волнами, возникшими при рассеянии первичного излучения на эл-нах разл. атомов. В нек-рых направлениях, определяемых соотношением между длиной волны излучения и межатомными расстояниями в в-ве, вторичные волны складываются, находясь в одинаковой фазе, в результате чего создаётся интенсивный дифракц. луч. Дифракц. картина может быть зафиксирована на фотоплёнке; её вид зависит от структуры объекта и эксперим. метода. Напр., рентгенограммы от монокристаллов (лауэграммы) образованы закономерно расположенными пятнами (рефлексами), от поликристаллов (дебаеграммы) — системой концентрич. окружностей, от аморфных тел, жидкостей и га-
зов — совокупностью диффузионных ореолов вокруг центр. пятна. Д. р. л. впервые была экспериментально обнаружена на кристаллах нем. физиками М. Лауэ, В. Фридрихом и П. Книппингом в 1912 и явилась доказательством волновой природы рентгеновских лучей.
Наиболее чётко выражена Д. р. л. на кристаллах. Кристалл явл. естеств. трёхмерной дифракц. решёткой для рентгеновского излучения, т. к. расстояние между рассеивающими центрами (атомами) в нём одного порядка с рентгеновского излучения (~1 Å =10-8 см). Д. р. л. на кристаллах можно рассматривать как избирательное (по ) отражение рентгеновских лучей от систем ат. плоскостей кристаллической решётки (см. Брэгга — Вульфа условие). Направление дифракц. максимума удовлетворяет условиям Лауэ:
Здесь а, b, с — периоды крист. решётки по трём её осям; 0, 0, 0 — углы, образуемые падающим, а , , — рассеянным лучом с осями кристалла; h, k, l — целые числа (Миллера индексы).
Интенсивность дифрагиров. луча определяется атомными факторами, к-рые зависят от электронной плотности атомов, расположением атомов в элем. ячейке (структурным фактором), а также интенсивностью тепловых колебаний атомов крист. решётки. На неё влияют также размеры и форма объекта, степень совершенства кристалла и др. хар-ки. Зависимость величины и пространств. распределения интенсивности рассеянного рентгеновского излучения от структуры и др. хар-к объекта легла в основу рентгеновского структурного анализа и рентгенографии материалов.
Д. р. л. на кристаллах даёт возможность определять длину волны рентгеновского излучения (см. Рентгеновская спектроскопия).
Д. р. л, на аморфных твёрдых телах, жидкостях и газах позволяет оценивать средние расстояния между молекулами или расстояния между атомами в молекуле и определять распределение плотности в-ва.
Дифрагиров. пучки составляют часть всего рассеянного излучения. Из-за нарушений периодичности строения кристаллов часть излучения рассеивается некогерентно и образует изотропный фон. Кроме того, наблюдается комптоновское рассеяние с изменением (см. Комптона эффект). ДИФРАКЦИЯ СВЕТА, в узком (наиболее употребительном) смысле — явление огибания лучами света контура непрозрачных тел и, следовательно, проникновение света в область геом. тени; в широком смысле — проявление волновых св-в света в условиях, близких к условиям применимости представлении геометрической оптики.
В естеств. условиях Д. с. обычно наблюдается в виде нерезкой, размытой границы тени предмета, освещаемого удалённым источником. Наиболее контрастна Д. с. в пространств. областях, где плотность потока лучей претерпевает резкое изменение (в области каустической поверхности, фокуса, границы геом. тени и др.). В лабораторных условиях можно выявить структуру света в этих областях, проявляющуюся в чередовании светлых и тёмных (или окрашенных) областей на экране. Иногда эта структура проста, как, напр., при Д. с. на дифракционной решётке, часто очень сложна, напр. в области фокуса линзы. Д. с. на телах с резкими границами используется в инструментальной оптике и, в частности, определяет предел возможностей оптич. устройств.
Первая элем. количеств. теория Д. с. была развита франц. физиком О. Френелем (1816), к-рый объяснил её как результат интерференции вторичных волн (см. Гюйгенса — Френеля принцип). Несмотря на недостатки, метод этой теории сохранил своё значение, особенно в расчётах оценочного характера.
Метод состоит в разбиении фронта падающей волны, обрезанного краями экрана, на зоны Френеля. Считается,
Рис. 1. Дифракц. кольца при прохождении света: слева — через круглое отверстие, в к-ром укладывается чётное число зон; справа — вокруг круглого экрана.
что на экране вторичные световые волны не рождаются и световое поле в точке наблюдения определяется суммой вкладов от всех зон. Если отверстие в экране оставляет открытым чётное число зон (рис. 1), то в центре дифракц. картины получается тёмное пятно, при нечётном числе зон — светлое. В центре тени от круглого экрана, закрывающего не слишком большое число зон Френеля, получается светлое пятно. Величины вкладов зон в световое поле в точке наблюдения пропорциональны площадям зон и медленно убывают с ростом номера зоны. Соседние зоны вносят вклады противоположных знаков, т. к. фазы излучаемых ими волн противоположны.
Результаты теории О. Френеля послужили решающим доказательством волновой природы света и дали основу теории зонных пластинок. Различают два вида Д. с.— д и ф р а к-
172
ц и ю Френеля и дифракцию Фраунгофера в зависимости от соотношения между размерами тела b, на к-ром происходит дифракция, и величиной зоны Френеля (z) (а следовательно, в зависимости от расстояния z до точки наблюдения). Метод Френеля эффективен лишь тогда, когда размер отверстия сравним с размером зоны Френеля: b ~ (z) (дифракция в сходящихся лучах). В этом случае небольшое число зон, на к-рые разбивается сферич. волна в отверстии, определяет картину Д. с. Если отверстие в экране меньше зоны Френеля (b<<(z), дифракции Фраунгофера), как, напр., при очень удалённых от экрана наблюдателя и источника света, то можно пренебречь кривизной фронта волны, считать её плоской и картину дифракции характеризовать угловым распределением интенсивности потока. При этом падающий параллельный пучок света на отверстии становится расходящимся с углом расходимости ~ /b. При освещении щели параллельным монохроматич. пучком света на экране получается ряд тёмных и светлых полос, быстро убывающих по интенсивности. Если свет падает перпендикулярно к плоскости щели, то полосы расположены симметрично относительно центр. полосы (рис. 2), а освещённость меняется вдоль экрана периодически с изменением , обращаясь в нуль при углах , для к-рых sin=m/b (m=1, 2, 3, . . .).
Рис. 2. Дифракция Фраунгофера на щели.
При промежуточных значениях освещённость достигает макс. значений. Гл. максимум имеет место при m=0 и sin=0, т. е. =0. С уменьшением ширины щели центр. светлая полоса расширяется, а при данной ширине щели положение минимумов и максимумов зависит от , т. е. расстояние между полосами тем больше, чем больше . Поэтому в случае белого света имеет место совокупность соответствующих картин для разных цветов; гл. максимум будет общим для всех и представляется в виде белой полоски, переходящей в цветные полосы с чередованием цветов от фиолетового к красному.
В матем. отношении дифракция Фраунгофера проще дифракции Френеля. Идеи Френеля математически
воплотил нем. физик Г. Кирхгоф (1882), к-рый развил теорию граничной Д. с., применяемую на практике. Однако в его теории не учитываются векторный характер световых волн и св-ва самого материала экрана. Математически корректная теория Д. с. на телах требует решения сложных граничных задач рассеяния эл.-магн. волн, имеющих решения лишь для частных случаев.
Первое точное решение было получено нем. физиком А. Зоммерфельдом (1894) для дифракции плоской волны на идеально проводящем клине. На больших по сравнению с расстояниях от острия клина результат Зоммерфельда предсказывает более глубокое проникновение света в область тени, чем это следует из теории Кирхгофа.
Дифракц. явления возникают не только на резких границах тел, но и в протяжённых системах. Такая объёмная Д. с. обусловливается крупномасштабными по сравнению с неоднородностями диэлектрич. проницаемости среды. В частности, объёмная Д. с. происходит при дифракции света на ультразвуке, в голограммах в турбулентной среде и нелинейных оптич. средах. Часто объёмная Д. с., в отличие от граничной, неотделима от сопутствующих явлений отражения и преломления света. В тех случаях, когда в среде нет резких границ и отражение играет незначит. роль в характере распространения света в среде, для дифракц. процессов применяют асимптотич. методы теории дифференциальных ур-ний. Для таких приближённых методов, к-рые составляют предмет диффузионной теории дифракции, характерно медленное (на размере Я) изменение амплитуды и фазы световой волны вдоль луча.
В нелинейной оптике Д. с. происходит на неоднородностях показателя преломления, к-рые создаются самим распространяющимся через среду излучением. Нестационарный характер этих явлений дополнительно усложняет картину Д. с., в к-рой кроме углового преобразования спектра излучения возникает и частотное преобразование.
• Ландсберг Г. С., Оптика, 5 изд., М. 1976 (Общий курс физики); Б о р н М. Вольф Э., Основы оптики, пер. с англ. 2 изд., М., 1973.
С. Г. Пржибельский
ДИФРАКЦИЯ СВЕТА НА УЛЬТРАЗВУКЕ (акустооптическая дифракция). При распространении света в среде, в к-рой присутствует УЗ волна, происходит дифракция света. Впервые Д. с. на у. была обнаружена П. Дебаем и Ф. Сирсом (США) и одновременно Р. Люка и П. Бикаром (Франция) в 1932.
Упругие деформации в звук. волне приводят к периодич. изменению показателя преломления и среды, в результате чего в среде возникает структура, аналогичная дифракционной решётке, с периодом, равным длине звук. волны . Если в такой структуре распространяется луч света, то в среде, помимо основного (0-го порядка), возникают дифракц. пучки света, характеристики к-рых — направление в пр-ве, поляризация и интенсивность — зависят от параметров звук. поля (частоты и интенсивности УЗ, толщины звук. пучка D), а также от угла 6, под к-рым падает свет на звук. пучок. В результате Доплера эффекта при рассеянии на движущейся решётке частота дифрагиров. света отличается от частоты падающего на величину частоты звука.
Интенсивность света в дифракц. максимуме определяется фазовыми сдвигами между волнами, приходящими в точку наблюдения из всех точек объёма вз-ствия. При произвольном 6 эффективность Д. с. на у. =Im/I0 мала (I0 и Im — интенсивности света в падающем пучке и в дифракц. пучке m-го порядка). Лишь при определённом световые волны, идущие из разл. точек области вз-ствия, оказываются синфазными и эффективность дифракции возрастает во много раз, т. е. возникает резонансная дифракция. Для неё характерна зависимость эффективности от длины L пути, пройденного светом в области акустооптич. вз-ствия (длины вз-ствия). При достаточно большой L интенсивность дифрагиров. света становится сравнимой с интенсивностью падающего.
Рис. 1. Схема дифракции Рамана — Ната.
Условия возникновения и характер резонансной Д. с. на у. зависят от соотношения между и , где — длина волны света. Для НЧ звука (от неск. десятков МГц и ниже), для к-рого справедливо условие L/2<<1, резонансная дифракция имеет место при норм. падении света на звук. пучок (т. н. дифракция Р а м а н а — Н а т а, рис. 1). При этом световая волна проходит сквозь звук. пучок, не отражаясь, а периодич. изменение n под действием УЗ приводит к периодич. изменению фазы прошедшей световой волны. В результате на выходе из акустич. пучка плоская световая волна оказывается модулированной по фазе: её волновой фронт становится гофрированным. Такая волна эквивалентна большому числу плоских волн, распространяющихся под малыми углами друг к другу. В соответствии с этим падаю-
173
щий световой луч разбивается на серию лучей, направленных под малыми углами 'm=m/ (m=0, ±1, . . .— порядок дифракции) к направлению падающего света. Энергия падающего излучения распределяется среди мн. порядков дифракции симметрично относительно проходящего света.
Резонансная дифракция на ВЧ звуке (на частотах гиперзвука), длина волны к-рого удовлетворяет условию L/2>1, наз. брэгговской дифракцией. Она возникает в изотропной среде, если свет падает на
Рис. 2. Схема дифракции Брэгга.
звук. пучок под т. н. углом Брэгга (рис. 2) Б=arcsin((1/2)(/)). В этом
случае отклонение света происходит только в 1-й порядок дифракции: в + 1-й для света, падающего в сторону, противоположную распространению звука, или в -1-й, если свет падает в сторону распространения звука. Объяснить дифракцию Брэгга можно тем, что падающая под углом к звук. решётке световая волна частично отражается от неё и интерференция отражённых лучей определяет интенсивность дифрагиров. света — она максимальна, если разность оп-
выходит из звук. пучка под углом '=б. Для фиксированной К существует предельная звук. частота fмакс= 2с/ (с — скорость звука), выше к-рой брэгговская дифракция невозможна. Эта частота отвечает отражению световой волны назад от звук. решётки.
В анизотропной среде брэгговская дифракция может происходить как с изменением поляризации у дифрагированного света, так и без него. В последнем случае картина дифракции аналогична картине брэгговской дифракции в изотропной среде. При дифракции с изменением поляризации брэгговский угол определяется не только соотношением длин волн света и звука, но и оптич. св-вами среды. Продифрагировавший свет выходит из звук. пучка под углом не равным брэгговскому. Дифракция света с данной длиной волны возможна на звук. волнах, частоты .к-рых ограничены не только сверху, но и
снизу: fмин<f<fмакс. Миним. значению частоты f1 соответствует коллинеарная дифракция, при к-рой световые лучи, как падающий, так и дифрагированный, параллельны и распространяются в одну сторону.
С помощью Д. с. на у. определяются хар-ки звук. полей (звук. давление, интенсивность звука и т. п.), измеряются поглощение и скорость УЗ, модули упругости 2-го и 3-го порядков, упругооптич. и магнитооптич. св-ва материалов. Д. с. на у. применяется в разл. устройствах акустооптики для модуляции и отклонения света, при акустооптич. обработке СВЧ сигналов, для приёма сигналов в УЗ-вых линиях задержки и др.
Дифракция света может происходить не только на вводимой извне звук. волне, но и на собственных упругих колебаниях конденсированных сред (тв. тел, жидкостей) — это т. н. Мандельштама — Бриллюэна рассеяние.
• Ультразвук, М., 1979 (Маленькая энциклопедия); Физическая акустика, под ред. У. Мэзона и Р. Терстона, пер. с англ., т. 7, М., 1974, гл. 5; Т а к е р Дж., Р э м п т о н В., Гиперзвук в физике твердого тела, пер. с англ., М., 1975; Гуляев Ю. В., Проклов В. В., Шкердин Г. Н., Дифракция света на звуке в твердых телах, «УФН», 1978, т. 124, в. 1, с. 61.
В. М. Левин.
ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ, см. Дифракция микрочастиц.
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЙ (разностный метод), метод измерений, в к-ром определяют разность между измеряемой и известной физ. величинами. Известную величину чаще всего воспроизводят при помощи меры. Если разность между измеряемой и известной величинами мала, то погрешность измерения в основном определяется точностью знания известной величины. Напр., если разность не превышает 0,01 части измеряемой величины, измерение её с погрешностью 0,1% внесёт в общий результат погрешность не более 0,001%. Д. м. и. применяется при поверке средств измерений — сличении поверяемой меры с образцовой (напр., концевых мер длины на компараторе), а также при испытаниях материалов и изделий, основанных на сравнении их с образцами. В области линейных измерений Д. м. и. наз. относительным методом.
К. П. Широков.
ДИФФУЗИОННАЯ КАМЕРА, прибор, в к-ром можно наблюдать треки заряж. ч-ц, как и в Вильсона камере. Треки в Д. к. создаются каплями жидкости в пересыщенных парах спирта, дересыщение их достигается за счёт непрерывного потока пара от горячей поверхности у крышки камеры к более холодной поверхности у её дна. В отличие от камеры Вильсона, в Д. к. пересыщение существует постоянно (в нек-ром слое Д. к.), поэтому Д. к. чувствительна к ионизирующим ч-цам непрерывно. Впервые осуществлена амер. физиком А. Лангсдорфом в 1936.
• Ляпидевский В. К., Диффузионная камера, «УФН», 1958, т. 66, в. 1, с. 111.
ДИФФУЗИЯ (от лат. diffusio — распространение, растекание), взаимное проникновение соприкасающихся в-в друг в друга вследствие теплового движения ч-ц в-ва. Д. происходит в направлении уменьшения концентрации в-ва и ведёт к его равномерному распределению по занимаемому объёму (к выравниванию хим. потенциала). Д. имеет место в газах, жидкостях и тв. телах, причём диффундировать могут как находящиеся в них ч-цы посторонних в-в, так и собственные ч-цы (самодиффузия). Д. крупных ч-ц, взвешенных в газе или жидкости (напр., ч-ц дыма или суспензии), осуществляется благодаря их броуновскому движению. Ниже в статье рассматривается Д. молекул (или атомов).
Наиболее быстро Д. происходит в газах, медленнее — в жидкостях, ещё медленнее — в тв. телах, что обусловлено характером теплового движения ч-ц в этих средах. Траектория движения каждой ч-цы газа представляет собой ломаную линию, т. к. при столкновениях она меняет направление и скорость движения. Поэтому диффузионное проникновение значительно медленнее свободного движения. Смещение ч-цы L меняется со временем случайным образом, но ср. квадрат его L2 за большое число столкновений растёт пропорционально времени С L2 ~ Dt; коэфф. пропорциональности D наз. коэфф. Д. Это соотношение, полученное А. Эйнштейном, справедливо для любых процессов Д. Для простейшего случая самодиффузии в газах коэфф. Д. может быть определён, если за ср. смещение принять ср. длину свободного пробега молекулы l. Для газа l=c, где с — ср. скорость движения ч-ц, — ср. время между столкновениями. Т. о., D~l2/ ~lс (более точно D=1/3lc). Коэфф. Д. обратно пропорционален давлению р газа (т. к. l ~ 1/р); с ростом темп-ры Т (при пост. объёме) коэфф. D увеличивается пропорционально Г1/2, т. к. с ~ T. С увеличением мол. массы D уменьшается.
В жидкостях, в соответствии с характером теплового движения молекул, Д. осуществляется перескоками молекул из одного устойчивого положения в другое. Каждый скачок происходит при сообщении молекуле энергии, достаточной для разрыва её связей с соседними молекулами и перехода в окружение др. молекул (в новое энергетически выгодное положение). Ср. перемещение при таком скачке не превышает меж-мол. расстояния. Диффузионное движение ч-ц в жидкости можно рассматривать как движение с трением, к нему применимо второе соотношение Эйнштейна: D ~ ukT. Здесь u — по-
174
движность диффундирующих ч-ц, т. е. коэфф. пропорциональности между скоростью ч-цы с и движущей силой F при стационарном движении с трением (с=uF). Если ч-цы сферически симметричны, то u=1/6r, где — коэфф. вязкости жидкости, r — радиус ч-цы (см. Стокса закон). В жидкости увеличение коэфф. Д. с ростом темп-ры обусловлено «разрыхлением» её структуры при нагреве и соответствующим увеличением числа перескоков в единицу времени.
В твёрдом теле могут действовать неск. механизмов Д.: обмен местами атомов с вакансиями (незанятыми узлами крист. решётки), перемещение атомов по междоузлиям, одноврем. циклич. перемещение неск. атомов, прямой обмен местами двух соседних атомов и т. д. Первый механизм преобладает, напр., при образовании тв. растворов замещения, второй — тв. растворов внедрения.
Коэфф. Д. в тв. телах крайне чувствителен к дефектам крист. решётки, возникшим при нагреве, напряжениях, деформациях и др. воздействиях. Увеличение числа дефектов (гл. обр. вакансий) облегчает перемещение атомов в тв. теле и приводит к росту Д. В тв. телах характерна резкая (экспоненциальная) зависимость D от Т. Так, коэфф. Д. цинка в медь при повышении Т от 20°С до 300°С возрастает в 1014 раз.
ЗНАЧЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ДИФФУЗИИ (при атм. давлении)
Для большинства науч. и практич. задач существенно не диффузионное движение отд. ч-ц, а обусловленное им выравнивание концентрации в-ва в первоначально неоднородной среде. Из областей высокой концентрации уходит больше ч-ц, чем из областей низкой концентрации. Через единичную площадку в неоднородной среде проходит за единицу времени безвозвратный поток в-ва в сторону меньшей концентрации — диффузионный поток j. Он равен разности между числами ч-ц, пересекающих площадку в том и др. направлениях, и потому пропорционален градиенту концентрации С (уменьшению концентрации С на единицу длины). Эта зависимость выражается законом Ф и к а (1855): j =-DС. Математически закон Фика аналогичен ур-нию теплопроводности Фурье. В основе этих явлений лежит единый механизм мол. переноса: в законе Фика — перенос массы, в ур-нии теплопроводности — энергии (см. Переноса явления).
Д. возникает не только при наличии в среде градиента концентрации (хим. потенциала). Под действием внешнего электрического поля происходит Д. заряженных ч-ц (электродиффузия), действие поля тяжести или давления вызывает бародиффузию, в неравномерно нагретой среде возникает термодиффузия.
Все эксперим. методы определения Д. требуют приведения в контакт диффундирующих в-в и анализа их состава, изменённого в процессе Д. Анализ состава производят химическими, оптическими (по изменению показателя преломления или поглощения света), масс-спектроскопическими методами, с помощью меченых атомов и т. д.
Д. важна в хим. кинетике и технологии. При протекании хим. реакции на поверхности катализатора или одного из реагирующих в-в (напр., горении угля) Д. может определять скорость подвода др. реагирующих в-в и отвода продуктов реакции, т. е. являться определяющим (лимитирующим) процессом.
Для процессов испарения и конденсации, растворения кристаллов и кристаллизации Д. оказывается обычно определяющей. Д. газов через пористые перегородки или в струю
пара используется для изотопов разделения.
В жидких р-рах Д. молекул растворителя через полупроницаемые перегородки (мембраны) приводит к возникновению осмотич. давления (см. Осмос), что используется для разделения в-в. Д. лежит в основе мн. технологич. и биологич. процессов.
Д. А. Франк-Каменецкий.
ДИФФУЗИЯ НЕЙТРОНОВ, распространение нейтронов в в-ве, сопровождающееся многократным изменением направления и скорости их движения в результате их столкновений с ат. ядрами. Д. н. в среде аналогична диффузии атомов и молекул в газах и подчиняется тем же закономерностям. Быстрые нейтроны (с энергией, во много раз большей, чем ср. энергия теплового движения ч-ц среды) при диффузии отдают энергию среде и замедляются. В слабо поглощающих средах нейтроны приходят в тепловое равновесие со средой (тепловые нейтроны). В безграничной среде тепловой нейтрон диффундирует до тех пор, пока не поглотится одним из ат. ядер.
Диффузия тепловых нейтронов характеризуется коэфф. диффузии D и ср. квадратом расстояния L2T от точки образования теплового нейтрона до точки его поглощения: L2T=6Dt, где t — ср. время жизни теплового нейтрона в среде (табл.). Диффузию быстрых нейтронов характеризуют ср. квадратом расстояния l2б между точкой образования быстрого нейтрона
(в яд. реакции или при радиоактивном распаде) и точкой его замедления до тепловой энергии.
При диффузии в ограниченной среде нейтрон с большой вероятностью вылетает за её пределы, если радиус системы мал по сравнению с величиной
(L2T+L2Б), и, напротив, нейтрон с большой вероятностью поглощается в среде, если её радиус велик по сравнению с этой величиной. Д. нейтронов играет существенную роль в работе ядерных реакторов.
• См. лит. при ст. Нейтронная физика.
Ф. Л. Шапиро.
ДИФФУЗИЯ НОСИТЕЛЕЙ, перемещение носителей заряда в полупроводниках, обусловленное неоднородностями их концентрации. В результате Д. н. в ПП возникает электрич. ток плотностью:
j=eDngradrn-eDpgradp,
где е — заряд эл-на, n — концентрация эл-нов проводимости, р — дырок, Dn, Dp — соответствующие коэфф. диффузии. Д. в. ПП с монополярной проводимостью (носители одного знака) сопровождается появлением объёмного заряда и электрич. поля. В результате возникает дрейф носителей, направленный противоположно Д-н. В условиях равновесия диффузионный и дрейфовый токи взаимно компенсируются. Д. н. в ПП с биполярной проводимостью, несмотря на наличие носителей обоего знака, также сопровождается возникновением объёмного заряда, поскольку, как правило, DnDp, и при диффузии носители одного знака обгоняют носителей другого знака. При этом также появляется электрич. поле, к-рое тормозит более подвижные и ускоряет менее подвижные носители. В результате осуществляется перемещение носите-
175
лей обоих знаков — а м б и п о л я р н а я диффузия, коэфф. к-рой
При n>>р DDp, а при n<
Э. М. Эпштейн.
ДИФФУЗНОЕ ОТРАЖЕНИЕ света, см. в ст. Отражение света.
ДИФФУЗНЫЙ РАЗРЯД, электрический разряд в газе (напр., тлеющий или дуговой) в виде широкого светящегося столба. Д. р. формируется при низких давлениях (~10-1—10мм рт. ст.) и в условиях, когда длина свободного пробега <
ДИФФУЗОР в гидроаэромеханике, участок проточного канала (трубопровода), в к-ром происходит торможение потока жидкости или газа. Поперечное сечение Д. может быть круглым, прямоугольным, кольцевым, эллиптическим, а также несимметричным. По своему назначению и геом. форме Д.— устройство, обратное соплу. Вследствие падения ср. скорости v давление р в направлении течения растёт (см. Бернулли уравнение) и кинетич. энергия потока частично преобразуется в потенциальную. В отличие от сопла, преобразование энергии в Д. сопровождается заметным возрастанием энтропии и уменьшением полного давления. Разность полных давлений на входе и выходе Д. характеризует его гидравлич. сопротивление и наз. потерями. Потерянная часть кинетич. энергии потока затрачивается на образование вихрей, работу против сил трения и необратимо переходит в теплоту. Движение жидкости (газа) в направлении роста давления в потоке, т. е. существование положит. градиента давления в направлении течения,— осн. отличит. свойство Д.
В случае несжимаемой жидкости, а также при дозвуковой скорости газа v1 перед входом в Д. (v1а — скорость звука) площадь поперечного сечения канала в силу неразрывности уравнения должна увеличиваться в направлении течения, поэтому дозвук. Д. имеет форму расходящегося канала (рис. 1). При сверхзвук. скорости перед входом в Д. (v1>а) он имеет форму сходящегося или цилиндрич. канала, в к-ром после торможения ср. скорость становится дозвуковой. Дальнейшее торможение дозвук. скорости осуществляется в расходящемся дозвук. Д., присоединённом к сверхзвук. Д. (рис. 2).
Вязкость оказывает решающее влияние на течение в Д. В пограничном слое скорость под действием вязкости быстро убывает, обращаясь в нуль на стенке Д. Кинетич. энергия в пограничном слое меньше, чем в остальной части потока, а статич. давление в данном поперечном сечении почти постоянно. Т. к. средняя скорость по длине Д. падает, а давление растёт, то в сечении, расположенном на нек-ром расстоянии от входа в Д.,
Рис. 1. Дозвук. диффузор круглого сечения. 1 — сечение перед входом в диффузор; 2 — сечение за диффузором; 3 — профиль скорости; 4 — возвратное течение; 5 — циркуляц. течение.
Рис. 2. Сверхзвук. диффузор прямоугольного сечения. 7 — сходящаяся часть; 2 — горловина (цилиндрич. участок); 3 — расходящаяся часть.
кинетич. энергия потока вблизи стенки недостаточна для того, чтобы переместить жидкость или газ против сил давления, возрастающих в направлении потока. Вблизи этого сечения начинается отрыв потока от стенки и возникает возвратное течение. В результате у стенки Д. образуются области циркуляц. движения (рис. 1). Слой жидкости между оторвавшимся от стенки и осн. потоками неустойчив и периодически свёртывается в вихри, к-рые сносятся вниз по потоку. Место расположения отрыва в Д. зависит от толщины пограничного слоя, от величины положит. градиента давления, определяемого геом. формой Д., а также от профиля скорости и степени турбулентности потока перед входом в Д. В случае сверхзвук. скорости перед входом в Д. торможение потока осуществляется в ударных волнах, взаимодействующих между собой и отражающихся от стенок Д. (пунктир на рис. 2). Давление в потоке, прошедшем через ударную волну, резко увеличивается, и под воздействием большого положит. градиента давления в местах отражения ударных волн от стенок может происходить отрыв пограничного слоя (штриховка на рис. 2). Потери полного давления при торможении сверхзвук. потока в Д. намного больше, чем при торможении дозвук. потока. Площадь горловины (наиболее узкого поперечного
сечения) сверхзвук. Д. оказывает решающее воздействие на течение и потери в Д.
Д. применяются, когда необходимо затормозить поток жидкости или газа с наименьшими потерями. Они используются в газо-, нефте- и воздухопроводах, в гидравлич. магистралях, в турбомашинах всех типов, в воздушно-реактивных двигателях, эжекторах, МГД-генераторах, аэродинамических трубах, стендах для испытаний ракетных двигателей и др.
Теория течения в Д. недостаточно разработана, его осн. хар-ки и оптимальную форму определяют на основании результатов эксперим. исследований и их теоретич. обобщения.
• Абрамович Г. Н., Прикладная газовая динамика, 4 изд., М., 1976; Дейч М. Е., Зарянкин А. Е., Газодинамика диффузоров и выхлопных патрубков турбомашин, М., 1970; И д е л ь ч и к И. Е., Справочник по гидравлическим сопротивлениям, 2 изд., М., 1975. С. Л. Вишневецкий,
ДИХРОИЗМ (от греч. dichroos — двухцветный), различная окраска обладающих двойным лучепреломлением одноосных кристаллов в проходящем свете при взаимно перпендикулярных направлениях наблюдения — вдоль оптич. оси кристалла (т. н. «осевая» окраска) и перпендикулярно к ней («базисная» окраска). Д.— частный случай плеохроизма (многоцветности). Подробнее см. в ст. Плеохроизм, где разъяснены также термины круговой Д. и линейный Д.
ДИЭЛЕКТРИКИ (англ. dielectric, от греч. dia — через, сквозь и англ. electric — электрический), вещества, плохо проводящие электрич. ток. Термин «Д.» введён Фарадеем для обозначения в-в, в к-рые проникает электрич. поле. Д. явл. все газы (неионизованные), нек-рые жидкости и тв. тела. Электропроводность Д. по сравнению с металлами очень мала. Их уд. электрич. сопротивление — 108— 1017 Ом•см. Количеств. различие в электропроводности Д. и металлов классич. физика пыталась объяснить тем, что в металлах есть свободные эл-ны, а в Д. все эл-ны связаны с атомами. Электрич. поле не отрывает их от атомов, а лишь слегка смещает. Квант. теория твёрдого тела объясняет разные электрич. св-ва металлов и Д. разл. характером распределения эл-нов по уровням энергии. В Д. верхний заполненный эл-нами энергетич. уровень совпадает с верхней границей одной из разрешённых зон (в металлах он лежит внутри разрешённой зоны), а ближайшие свободные уровни отделены от заполненных запрещённой зоной, к-рую эл-ны под действием обычных (не слишком сильных) электрич. полей преодолеть не могут (см. Зонная теория). Действие электрич. поля сводится к перераспределению электронной плотности, к-рое приводит к поляризации Д. Резкой границы между Д. и полупроводниками провести
176
нельзя. В-ва с шириной запрещённой зоны ξg<3 эВ условно относят к ПП, а с ξg>3эВ — к Д.
Поляризация. Механизмы поляризации Д. различны и зависят от характера хим. связи. Напр., в ионных кристаллах (NaCl и др.) поляризация явл. результатом сдвига ионов друг относительно друга (ионная поляризация; рис., а) и деформации электронных оболочек отд. ионов (электронная поляризация).
Рис. Поляризация диэлектриков: а — ионная; б — электронная; в — ориентационная.
В кристаллах с ковалентной связью (напр., алмаз) поляризация обусловлена гл. обр. смещением эл-нов, осуществляющих хим. связь (рис., б). В т. н. полярных Д. (напр., твёрдый H2S) молекулы или радикалы представляют собой электрич. диполи, к-рые в отсутствии электрич. поля ориентированы хаотически, а в поле приобретают преимуществ. ориентацию (рис., в). Такая ориентационная поляризация типична для мн. жидкостей и газов. Сходный механизм поляризации связан с «перескоком» под действием электрич. поля отд. ионов из одних положений равновесия в другие. Особенно часто такой механизм наблюдается в в-вах с водородной связью, напр. у льда, где ионы водорода имеют неск. положений равновесия.
Поляризацию Д. характеризуют электрич. дипольным моментом единицы объёма
где pi — дипольные моменты ч-ц (атомов, ионов, молекул), N — число ч-ц в единице объёма (см. Поляризуемость). Величина зависит от напряжённости электрич. поля E. В слабых полях =E. Коэфф. пропорциональности наз. диэлектрической восприимчивостью. Часто
вместо вектора пользуются вектором электрич. индукции:
D=E+4=E (в системе СГСЭ), (1)
где 6 — диэлектрическая проницаемость. В вакууме =0 и =1 (в системе СГСЭ). Величины и — осн. характеристики Д. В анизотропных крист. Д. направление определяется не только направлением поля Е, но и направлением осей симметрии кристалла. Поэтому вектор составляет разл. углы с E в зависимости от ориентации Е по отношению к осям симметрии в кристалле. В этом случае и явл. тензорами.
Диэлектрики в переменном поле. Если поле E быстро изменяется во времени t, то поляризация Д. не успевает следовать за ним. Между колебаниями и E появляется разность фаз 8. Диэлектрич. проницаемость в этом случае представляют комплексной величиной: ='-i", причем ' и " зависят от частоты перем. электрич. поля . Абс. величина ||=('2+"2) определяет амплитуду колебания вектора индукции D, а отношение '/" определяет диэлектрические потери. В пост. электрич. поле "=0, а '=.
В перем. электрич. полях высоких частот (оптич. диапазон) св-ва Д. принято характеризовать показателями преломления n и поглощения k (вместо ' и "). Первый равен отношению скоростей распространения эл.-магн. волн в Д. и в вакууме. Показатель поглощения k характеризует затухание эл.-магн. волн в Д. Комплексный показатель преломления равен n=n(1+ik); величины n, k, ' и " оказываются связанными соотношением:
n(1+ ik)=('-i") . (2)
Поляризация диэлектриков в отсутствии электрич. поля Е. В крист. Д., где ионы разного знака расположены в определённом порядке, поляризация может существовать и в отсутствии электрич. поля. Обычно она не проявляется, т. к. создаваемое электрич. поле компенсируется полем свободных зарядов, натекающих на поверхность кристалла извне и изнутри. Нарушение компенсации, приводящее к врем. появлению электрич. поля в кристалле, происходит в пироэлектриках — при изменении темп-ры кристалла и в пьезоэлектриках — при деформации. Разновидностью пироэлектриков явл. сегнетоэлектрики, в к-рых поляризация может существенно изменяться (как по величине, так и по направлению) под влиянием внешних воздействий. Поляризация в отсутствии поля может наблюдаться также в нек-рых в-вах типа смол и стёкол (см. Электреты).
Электропроводность Д. мала, но отлична от нуля (табл.). Подвижными носителями заряда в Д. могут быть эл-ны и ионы. Электронная проводимость в обычных условиях мала по
сравнению с ионной. Ионная проводимость обусловлена перемещением собств. и примесных ионов. Возможность перемещения ионов по кристаллу связана с наличием структурных дефектов в кристаллич. решётке. Если, напр., в кристалле есть вакансии, то под действием поля соседний ион может занять её, во вновь образовавшуюся вакансию может перейти след. ион и т. д. Перемещение ионов может происходить также по междоузлиям. С ростом темп-ры ионная проводимость возрастает. Заметный вклад в электропроводность Д. может вносить поверхностная проводимость (см. Поверхностные явления).
Пробой. Электрич. ток j через Д. пропорционален напряжённости электрич. поля Е (закон Ома): j=E, где а — проводимость Д. Однако в достаточно сильных полях ток нарастает быстрее, чем по закону Ома. При нек-ром критич. значении Eпр наступает электрич. пробой Д. Величина Eпр наз. электрической прочностью Д. (табл.). При пробое
УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ И ЭЛЕКТРИЧ. ПРОЧНОСТЬ Епр НЕК-РЫХ ТВЁРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
почти весь ток течёт по узкому каналу (см. Шнурование тока).
В твёрдых Д. различают тепловой и электрич. пробой. При тепловом пробое с ростом j растёт темп-pa Д. (Джоулева теплота), что приводит к увеличению числа подвижных носителей заряда n и уменьшению . При электрич. пробое с ростом поля Е возрастает генерация носителей под действием поля. В Д. пробою способствуют неизбежные неоднородности, т. к. в местах неоднородности поле Е может возрасти.
Плотность тока в шнуре может достигать больших величин. Это может привести к разрушению Д.: образуется сквозное отверстие или Д. проплавляется по каналу; в канале могут протекать хим. реакции; напр., в органич. Д. осаждается углерод, в ионных кристаллах — металл (металлизация канала) и т. п.
Электрич. прочность жидких диэлектриков в сильной степени зависит от чистоты жидкости. Наличие примесей и загрязнений существенно понижает Епр. Для чистых однородных жидких Д. Eпр близка к Eпр твёрдых Д. Пробой в газе связан с ударной ионизацией и проявляется в виде электрического разряда в газах.
177
3>