Физ величина, характеризующая интенсивность нормальных (перпендикулярных к поверхности) сил, с к-рыми одно тело действует на поверхность другого (напр
Вид материала | Документы |
- Реферат По Физике, 58.66kb.
- Тема: определение реакций связей при действии на конструкцию произвольной плоской системы, 15.41kb.
- Головной мозг, 139.71kb.
- Работы режущего инструмента, основная нагрузка приходится на его рабочую поверхность,, 335.67kb.
- Головной мозг, с окружающими его оболочками находится в полости мозгового черепа, 437.52kb.
- Представьте себе некоторую поверхность и сидящего на ней муравья. Представили, 409.6kb.
- Лекция №8 Тема: «Продолжение», 81.36kb.
- Твует равновесию, установившемуся под действием силы тяжести, при условии, если, 669.51kb.
- Лабораторная работа метод естественного электрического поля (ЕП), 82.61kb.
- 1. Резьба Резьба поверхность, образованная при винтовом движении плоского контура, 223.58kb.
Черенковские счётчики. Заряж. ч-ца, двигаясь в в-ве (радиаторе) со скоростью, превышающей фазовую скорость света в данной среде, излучает свет, коррелированный с направлением движения (см. Черенкова — Вавилова излучение). Общее кол-во света, к-рое попадает на фотокатод в черенковском счётчике, как правило, в неск. десятков раз меньше, чем в сцинтилляц. Д., но всё же достаточно для регистрации прошедших через радиатор ч-ц. Т. к. испускание света в этих Д. возможно только для ч-ц, скорость к-рых больше фазовой скорости света в данной среде, то они используются для выделения ч-ц заданной скорости (пороговые Д.) и определения скорости ч-цы по углу раствора конуса излучения. Применение спец. оптич. систем позволяет сделать черенковские счётчики чувствительными к нек-рому интервалу скоростей регистрируемых ч-ц (д и ф ф е р е н ц и а л ь н ы е Д.). Т. к. излучение света в счётчиках Черенкова происходит мгновенно, то их разрешающее время достигает 10-9 с. Для регистрации заряж. ч-ц с энергией ~ 1011 —1012 эВ используются Д., в к-рых вспышки света возникают при прохождении регистрируемой ч-цы через границу двух сред с резко различными св-вами (обычно газ — тв. тело, см. Переходное излучение). Интенсивность света, излучаемого при этом, пропорц. энергии ч-цы, но значительно меньше, чем в случае черенковского излучения. Поэтому Д. на переходном излучении делают многослойными, они содержат сотни слоев газ — тв. в-во.
Полупроводниковые детекторы по принципу работы аналогичны ионизационным с тем преимуществом для быстрых ч-ц, что в нём используется тв. среда с более высокой тормозной способностью. Разрешающее время ПП Д. мало (~ 10-9 с). ПП Д. обладают высокой надёжностью, могут работать в магн. полях. Осн. недостаток, ограничивающий их применение, небольшие размеры (10 см2, см. Полупроводниковый детектор).
Для работы всех импульсных Д. (включая диэлектрический детектор и кристаллический счётчик), регистрирующих отд. ч-цы, большое значение имеет электронная регистрирующая аппаратура. Она явл. по существу частью Д., к-рый можно рассматривать как датчик сигнала. Помимо усиления амплитуды сигнала и преобразования электрич. сигналов, эта аппаратура выполняет ряд логич. операций, необходимых для изучения разл. яд. процессов (см. Ядерная электроника, Совпадений метод).
Трековые детекторы обладают высоким пространств. разрешением. Временное же разрешение их либо не очень высоко, либо практически отсутствует. Этот недостаток они компенсируют чрезвычайно полной и детальной картиной «события», к-рое
может быть элем. актом вз-ствия ч-цы с веществом, распадом ч-цы и т. д.
Простейшими трековыми Д. явл. ядерные фотографические эмульсии. Прохождение заряж. ч-цы в эмульсии вызывает ионизацию, приводящую к образованию центров скрытого изображения. После проявления следы заряж. ч-ц предстают в виде цепочки зёрен металлич. серебра. Благодаря малому размеру зёрен можно получить высокое пространств. разрешение, а детальное изучение структуры следа позволяет определить массу, заряд и энергию ч-ц. По трекам иногда можно восстановить всю историю ч-ц от их «рождения» до распада, акта вз-ствия или остановки. В эмульсии были открыты и изучены мн. элем. ч-цы. Гл. недостатки: сложность процедуры поиска и обмера событий, ограниченный набор ядер-мишеней, с к-рыми взаимодействуют изучаемые ч-цы, трудности при обработке треков ч-ц высоких энергий.
Классическим трековым Д., к-рый сыграл большую роль в изучении радиоактивности и косм. лучей, явл. Вильсона камера и её разновидность — диффузионная камера. След ионизирующей ч-цы, попавшей в камеру, наполненную газом и пересыщенными парами спирта или воды, становится видимым благодаря возникновению вокруг образованных ею ионов капелек конденсиров. пара. Для регистрации треков камеру Вильсона в нужный момент освещают импульсным источником света и фотографируют (стереоскопически). Помещая камеру Вильсона в магн. поле, можно по кривизне треков определить импульс ч-цы и знак её электрич. заряда. Разновидностью камеры Вильсона явл. диффузионная камера. В дальнейшем камеры Вильсона в экспериментах были вытеснены пузырьковыми и искровыми камерами.
Пузырьковая камера — один из осн. трековых Д. в экспериментах на ускорителях. Если привести жидкость в перегретое состояние, то она нек-рое время не вскипает. Когда через такую перегретую жидкость пролетает ионизирующая ч-ца, то начинается вскипание. Пока пузырьки пара не успели вырасти до больших размеров, их можно осветить и сфотографировать. Измерение кривизны треков заряж. ч-ц в магн. поле, как и в камерах Вильсона, позволяет измерить импульс и знак заряда ч-цы. Гл. достоинства пузырьковых камер: высокая эффективность при регистрации практически любого числа заряж. ч-ц, появляющихся в одном акте вз-ствия, высокая точность при измерении углов и импульсов ч-ц, а для камер с тяжёлыми жидкостями — высокая конверсионная способность к -квантам (см. Конверсия внутренняя). Недостаток — ограниченное число исследуемых ч-ц, к-рые одновременно можно пропустить через камеру, т. к. при большом их числе на одной фотографии возникают
сложности обработки каждого отд. события.
Искровые камеры появились в кон. 50-х гг. Заряж. ч-ца ионизует газ, и вдоль траектории ч-цы в момент её прохождения образуется колонка из эл-нов и ионов. Если после прохождения ч-цы через время 1 мкс на электроды камеры подать достаточно высокое напряжение, то между ними произойдёт искровой пробой именно в том месте, где проходила ч-ца. Искровые камеры обладают пространств. разрешением пузырьковых камер и в то же время позволяют работать в пучках в ~105 раз более интенсивных, причём можно регистрировать не все ч-цы, а выборочно. Простейший способ регистрации искр — фотографирование. Однако в связи с внедрением ЭВМ появились т. н. бесфильмовые искровые камеры. В них координаты искр записываются в память ЭВМ, где сразу же подвергаются матем. обработке.
Траектория ч-цы может быть зарегистрирована с помощью системы импульсных Д., образующих телескоп
Рис. 2. Прохождение быстрой ч-цы через две группы импульсных детекторов (каждый квадрат — детектор), расположенные поперёк траектории ч-ц (годоскопы) и образующие телескоп счётчиков.
счётчиков. По номерам счётчиков, давших сигнал о прохождении ч-цы, можно определить её траекторию. Точность измерений определяется величиной зачернённого угла (рис. 2). Помещая их в магн. поле, можно измерять импульсы заряж. ч-ц и их знак. Следы тяжёлых заряж. ч-ц, образующихся, напр., при делении атомного ядра, можно обнаруживать с помощью нек-рых кристаллов.
См. также Дозиметрические приборы и Калориметр ионизационный.
• Экспериментальная ядерная физика, пер. с англ., т. 1, М., 1955; В е к с л е р В., Грошев Л., Исаев Б., Ионизационные методы исследования излучений, М.— Л., 1949; Ритсон Д., Экспериментальные методы в физике высоких энергий, пер. с англ., М.,1964; Калашникова В. И., К о з о д а е в М. С., Детекторы элементарных частиц, М., 1966; Альфа-, бета- и гамма-спектроскопия, пер. с англ., М., 1969; Принципы и методы регистрации элементарных частиц, пер. с англ., М., 1963; Прайс В., Регистрация ядерного излучения, пер. с англ., М., 1960. В. С. Кафтанов.
ДЕТОНАЦИЯ (франц. detoner — взрываться, от лат. detono — гремлю), процесс хим. превращения взрывчатого в-ва (ВВ), сопровождающийся выделением теплоты и распространяющийся с пост. скоростью, превышающей скорость звука в данном в-ве.
151
В отличие от горения, где распространение пламени обусловлено медленными процессами диффузии и теплопроводности, Д. представляет собой комплекс мощной ударной волны и следующей за её фронтом зоны хим. превращения в-ва (детонационная волна). Ударная волна (рис. 1) сжимает и нагревает ВВ, вызывая в нём хим. реакцию, продукты к-рой сильно расширяются — происходит взрыв. С другой стороны, энергия, выделяющаяся в результате хим. реакции, поддерживает ударную волну, не давая ей затухать.
Рис. 1. Распределение давления р в детонац. волне (х — пространств. координата): 1 — зона исходного в-ва: 2 — фронт волны; 3 — зона хим. реакции; 4 — зона продуктов детонации; р0 — нач. давление.
Скорость детонац. волн постоянна для каждого ВВ, принимается в кач-ве его хар-ки и достигает 1—3 км/с в газовых смесях и 8—9 км/с в конденсированных ВВ; давление на фронте ударной волны составляет ~1 — 5 МПа (~10 — 50 атм) и ~10 ГПа (~105 атм) соответственно.
Гидродинамич. теория Д. позволяет рассчитать значение её скорости и распределение давления, плотности и темп-ры в детонац. волне на основе законов сохранения массы, импульса и энергии, ур-ния состояния в-ва, а также требования равенства скорости детонац. волны относительно продуктов реакции и скорости звука в них.
На рис. 2 адиабата А В отвечает ударной волне, бегущей в газе (р — давление, V — объём) и не вызывающей хим. реакции; CD — адиабата, построенная в предположении, что хим. реакция завершилась. При Д. сначала происходит ударный переход 1—2 (адиабатический процесс), затем хим. реакция переводит в-во из состояния 2 в состояние 3 по прямой, касающейся адиабаты CD. Дальнейшее расширение в-ва идёт по адиабате CD. Скорость v газовой Д. выражается через тепловой эффект q реакции (на 1 г в-ва) и показатель адиабаты :
v=(2q(2-1)).
Кроме рассмотренной классич. Д. интенсивно исследуются т. н. спиновая Д., характеризующаяся движением детонац. волны по спирали, Д. в гетерогенных системах, малоскоростная Д.
Устойчивый процесс Д. не всегда возможен. Так, Д. не может распространяться в цилиндрич. заряде малого диаметра (в-во разлетается через
Рис. 2.
боковую поверхность, что вызывает прекращение хим. реакции) или при концентрациях ВВ ниже или выше нек-рых предельных значений, зависящих от давления и темп-ры.
Д. создаётся в ВВ интенсивным механнч. или тепловым воздействием (удар, искра) и служит для возбуждения взрыва с помощью детонаторов. Во мн. случаях (напр., при горении топливной смеси в двигателях внутр. сгорания) Д. недопустима, поэтому подбираются определ. условия её сгорания, исключающие Д.
• См. лит. при ст. Взрыв.
Б. В. Новожилов.
ДЕФЕКТ МАСС, разность между суммой масс нуклонов (нейтронов и протонов), составляющих атомное ядро, и массой ядра М: =ZMp+(A-Z)Mn-M. Здесь Z — число протонов в ядре, А — массовое число ядра, Мр и Мn — массы протона и нейтрона. Д. м. выражается в ат. единицах массы и равен (с обратным знаком) энергии связи нуклонов в ядре. Чем больше Д. м., тем выше энергия связи и тем устойчивее ядро (см. Ядро атомное).
ДЕФЕКТОН, квазичастица, описывающая поведение дефектов в квантовых кристаллах.
ДЕФЕКТЫ кристаллической решётки (от лат. defectus — недостаток, изъян), любое отклонение от её идеального периодич. ат. строения. Д. могут быть либо атомарного масштаба, либо макроскопич. размеров. Образуются в процессе кристаллизации, под влиянием тепловых, механич. и электрич. воздействий, а также при облучении нейтронами, эл-нами, рентг. лучами, УФ излучением (см. Радиационные дефекты), при введении примесей и т. п. Различают точечные Д., линейные Д., Д., образующие в кристалле поверхности, и объёмные Д. Простейшим точечным Д. явл. вакансия — узел крист. решётки, в к-ром отсутствует атом. В кристаллах могут присутствовать чужеродные атомы или ионы, замещая осн. ч-цы, образующие кристалл (примесные), или внедряясь менаду ними (междоузлия). Точечными Д. явл. также собств. атомы или ионы, сместившиеся из норм. положений (междоузельные атомы), а также центры окраски — комбинации вакансий с электронами проводимости или с дырками и др. В ионных кристаллах точечные Д. возникают парами. Две вакансии противоположного знака образуют т. н. дефект Шотки. Пара, состоящая из междоузельного иона и оставленной им вакансии, наз. дефектом Френкеля.
Если один из атомов кристалла сместится из своего положения под ударом налетевшей ч-цы, вызванной облучением, он может в свою очередь сместить соседний атом и т. д. В результате смещённым может оказаться ряд атомов. Одномерное сгущение в расположении атомов или ионов, содержащее атом или ион на отд. участке ряда, наз. краудионом. Эстафетная передача импульса налетевшей ч-цы ионам или атомам кристалла с фокусировкой импульса вдоль плотно упакованных ат. рядов описывается квазичастицей, наз. фокусоном. При росте кристаллов и в процессе пластич. деформации в кристаллах могут возникать линейные Д., наз. дислокациями. Поверхностными Д. с разной ориентацией явл. границы между разориентированными участками кристалла, в частности границы двойников (см. Двойникование), Д. упаковки, границы сегнетоэлектрич. и магн. доменов, антифазные границы в сплавах, границы включений и др. Многие из поверхностных Д. представляют собой ряды и сетки дислокаций. К объёмным Д. относятся: скопления вакансий, образующие поры и каналы; включение посторонней фазы, пузырьки газов, пузырьки маточного р-ра; скопления примесей на дислокациях и в зонах роста.
Д. в кристаллах вызывают упругие искажения структуры, обусловливающие появление внутр. механич. напряжений. Д. влияют на спектры поглощения и люминесценции, на рассеяние света в кристалле и т. д. Они изменяют электропроводность, теплопроводность, сегнетоэлектрич. и магн. св-ва и т. п. Дислокации определяют пластичность кристаллов и явл. местами скопления примесей. Объёмные Д. также снижают пластичность, влияют на прочность, электрич. и магн. св-ва кристалла.
Все перечисленные Д. часто наз. статическими. Отклонения от периодичности, связанные с тепловыми колебаниями ч-ц, составляющих кристалл, наз. динамич. Д. (см. Колебания кристаллической решётки).
• Вакансии и другие точечные дефекты в металлах и сплавах, М., 1961; Г е г у з и н Я. Е., Макроскопические дефекты в металлах, М., 1962; Современная кристаллография, т. 2, М., 1979; Сиротин Ю. И., Шаскольская М. П., Основы кристаллофизики, М., 1975; Лейбфрид Г., Б р о й е р Н., Точечные дефекты в металлах, пер. с англ., М., 1981; Вавилов В. С., К и в А. Е., Н и я з о в а О. Р., Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках, М., 1981. М. В. Классен-Неклюдова, А. А. Урусовская.
ДЕФОРМАЦИЯ (от лат. deformatio — искажение), изменение конфигурации к.-л. объекта, возникающее в результате внеш. воздействий или внутр. сил. Д. могут испытывать тв. тела (крист., аморфные, органич. происхождения), жидкости, газы, поля физические, живые организмы и др.
ДЕФОРМАЦИЯ механическая, изменение взаимного расположения множества ч-ц матер. среды (твёрдой, жидкой, газообразной), к-рое приводит к изменению формы и размеров тела или его частей и вызывает изменение сил вз-ствия между ч-цами, т. е. возникновение напряжений. Деформируемыми явл. все в-ва. Д. может быть следствием теплового расширения, воздействия магн. или электрич. полей, а также внешних механических сил.
152
В тв. телах Д. наз. упругой, если она исчезает после снятия нагрузки, и пластической, если она после снятия нагрузки не исчезает; если она исчезает неполностью, то Д. наз. упругопластической. Если величина Д. явно зависит от времени, напр. возрастает при неизменной нагрузке (см. Ползучесть материалов), но обратима, она наз. вязкоупругой. Все реальные тв. тела даже при малых Д. в большей или меньшей степени обладают пластич. св-вами. При нек-рых условиях пластич. св-вами тел можно пренебречь, как это делается в упругости теории. Тв. тело с достаточной точностью можно считать упругим, т. е. не обнаруживающим заметных пластич. Д., пока нагрузка не превысит нек-рого предела (предела упругости). Природа пластич. Д. может быть различной в зависимости от темп-ры, продолжительности действия нагрузки или скорости Д.
Количественные хар-ки Д. входят в ур-ния, описывающие термомеханич. св-ва вещества, и в расчёты течений жидкости и газов, прочностных параметров конструкций и сооружений, технол. процессов обработки давлением и т. п. Наиболее просто Д. тела описывается, когда изменение формы и размеров любых двух одинаковых элементов (напр., кубиков, мысленно вырезанных из тела) одинаково. Напр., при гидростатич. Д., к-рая возникает в теле при равномерном всестороннем сжатии, все линейные размеры любого элемента тела уменьшаются в одинаковое число раз, т. е. Д. тела определяется относит. изменением объёма любой его части, в т. ч. и тела в целом. В нек-рых других случаях Д. разл. элементов тела неодинакова, но можно выделить характерную Д., определяющую тип Д. тела в целом. Так, при кручении стержня характерной Д. явл. взаимный поворот двух поперечных сечений, при изгибе бруса — кривизна изогнутой оси. Эти суммарные Д. порождаются неоднородными полями Д. множества элементов объёма.
Простейшими элем. Д. являются относит. удлинение и сдвиг. Относительным удлинением стержня или матер. волокна среды длины l0 наз. отношение изменения длины l-l0 к первонач. длине: =(l-l0)/l0. Сдвигом наз. изменение угла между элем. волокнами, исходящими из одной точки и образующими прямой угол до Д.
Для описания Д. тела произвольной формы вводится количеств. мера Д. бесконечно малой окрестности к.-л. точки. Считается, что Д. окрестности точки определена, если известны относит. удлинения бесчисленного множества элементарных (бесконечно малых) волокон, содержащих рассматриваемую точку, и изменения углов между ними. Д. наз. малой, если относит. удлинения и сдвиги значительно меньше единицы. Относит. удлинения элем. волокон, содержащих нек-рую точку М и направленных до Д. параллельно координатным осям прямоуг. системы Ox1x2x3, при малой Д. обозначаются 11, 22, 33, а сдвиги между ними — 212, 223, 233, причём 12=21, 23=32, 31=13. Шесть величин 11, 22, 33, 12, 23, 31 образуют тензор Д. в точке М. Относит. удлинение и поворот любого элем. волокна, содержащего точку М, вычисляются по значениям ij. Т. о., тензор Д. полностью определяет деформированное состояние тела, к-рое наз. однородным, если ij одинаковы во всех точках тела.
Относит. изменение объёма окрестности точки =11+22+33. Величина =/3 наз. средней (гидростатической) Д. В каждой точке среды существуют три таких взаимно перпендикулярных волокна, что углы между ними при Д. остаются прямыми (сдвиги равны нулю). Относит. удлинения волокон 1, 2, 3 наз. главными удлинениями или главными Д., а их направления — главными осями Д. в точке.
Компоненты тензора малой Д. выражаются через перемещения точек u1, u2, u3 в направлениях координатных осей ф-лами:
Количеств. мера конечной (большой) Д. определяется изменениями хар-к геометрии системы координатных линий, к-рые как бы вморожены в среду и деформируются вместе с ней. см. также Девиатор деформации и Интенсивность деформации.
Измерения Д. (механич., электрич., магнитные и др.) основаны на прямом или косвенном измерении расстояний между фиксиров. точками тела или порождаемых Д. эффектов (оптич., пьезоэлектрических и др.).
• Ильюшин А. А., Механика сплошной среды, 2 изд., М., 1978; И л ь ю ш и н А. А., Ленский В. С., Сопротивление материалов, М., 1959; Седов Л. И., Механика сплошной среды, 3 изд., М., 1976.
В. С. Ленский.
ДЕ ХААЗА — ВАН АЛЬФЕНА ЭФФЕКТ, осциллирующая зависимость магнитной восприимчивости многих металлов от напряжённости магн. поля Н (точнее, от 1/Н), наблюдаемая при темп-pax, близких к абс. нулю (рис.);
открыт голл. физиками В. де Хаазом (W. de Haas) и П. ван Альфеном (P. van Alphen) в 1930. Природа Де X.— ван А. э. та же, что и в случае Шубникоеа — де Хааза эффекта. Период осцилляции связан с площадью экстремальных (по проекции квазиимпульса на Н) сечений Ферми поверхности, поэтому исследование Де X.— ван А. э. позволяет получить информацию о её форме,
• см. при ст. Металлы, Твёрдое тело.
ДЕЦИ... (от лат. decem — десять), приставка к наименованию ед. физ. величины для образования наименования дольной единицы, равной 1/10 от исходной. Обозначения: д, d. Напр., 1 дг (дециграмм)=0,1 г.