Информация по предмету Радиоэлектроника

301. Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания
Другое Радиоэлектроника

В качестве схемы усилителя выберем стандартную схему включения транзистора с общим эмиттером (рис. 1) . Разделительный конденсатор С1 служит для передачи на вход транзистора VT1 усиливаемого переменного напряжения, а также исключает попадание на вход транзистора постоянного напряжения. Резисторы R1 и R2 образуют делитель для получения необходимого напряжения смещения на базе транзистора. Резистор R1 и конденсатор C2 обеспечивают температурную стабилизацию работы усилителя. В данной схеме резистор RН является нагрузкой.
302. Расчет характеристик канала вывода СИ (синхротронного излучения)
Другое Радиоэлектроника
Си обладает следующими уникальными свойствами:
1. СИ - излучение с исключительно высокой коллимацией пучка. Пучок СИ испускается электроном по касательной к траектории и имеет угловую расходимость -1, где - релятивистский фактор (отношение энергии электронов Е в накопителе к энергии покоя электрона Е0=0.511МэВ); для типичных значений Е1ГэВ имеем 103 и 1мра.
2. СИ обладает широким, непрерывным, легко перестраиваемым спектром, перекрывающим практически весь рентгеновский диапазон и область ультрафиолетового излучения (0.1100нм). Для описания спектральных свойств СИ вводится понятие критической длины волны с. Это длина волны, которая делит энергетический спектр СИ на две равные части (суммарная энергия излучаемых фотонов с длинами волн меньше с равна суммарной энергии фотонов с длинами волн больше с).
3. СИ обладает очень высокой интенсивностью. Интенсивность СИ в наиболее важном для исследований и технологии рентгеновском диапазоне более чем на пять порядков превышает интенсивность рентгеновских трубок.
4. СИ обладает естественной поляризацией: строго линейной на оси пучка (вектор электрического поля лежит в плоскости орбиты электронов) и строго циркулярной на его периферии. Поляризация СИ играет важную роль во многих прецизионных методах исследования материалов и структур микроэлектроники.
303. Расчет централизованных вакуумных систем
Другое Радиоэлектроника
304. Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
Другое Радиоэлектроника
Библиографический список
1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.М.: Связь , 1979. 432 с., ил.
3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.М.: Радио и связь, 1990.336 с.: ил. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.М.: Энергоиздат, 1982. 744 с., ил.
5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.
305. РГР расчет виброизоляции
Другое Радиоэлектроника

66800 66800 nв = --------------------------------------- = ------------- = 0,4 штук
306. Регулятор температуры
Другое Радиоэлектроника

Для управления импульсным ключом необходимо на его вход подавать управляющие импульсы, преобразованные из аналоговых сигналов задания и сигнала с датчика температуры. Для этой цели выберем широтно импульсную модуляцию ШИМ - 1. Я реализую ШИМ - 1 модулятор на компараторе. Более точная модуляция в данном проекте не требуется т.к. на входе компаратора сигнал не сложной формы. А ШИМ - 1 более прост в настройке ( легко можно посмотреть на экране осциллографа ). На один вход компаратора подаются контрольные импульсы с генератора пилообразных импульсов. На другой вход компаратора подаются сигнал задания и сигнал с датчика температуры, обработанные определенным образом.
307. Резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе
Другое Радиоэлектроника

Управляющий источник электрической энергии, от которого усиливаемые электрические колебания поступают на усилитель, называют источником сигнала, а цепь усилителя, в которую эти колебания вводятся, - входной цепью или входом усилителя. Источник, от которого усилитель получает энергию, преобразуемую им в усиленные электрические колебания, назовем основным источником питания. Кроме него, усилитель может иметь и другие источники питания, энергия которых не преобразуется в электрические колебания. Устройство, являющееся потребителем усиленных электрических колебаний, называют нагрузкой усилителя или просто нагрузкой; цепь усилителя, к которой подключается нагрузка, называют выходной цепью или выходом усилителя.
308. Рекламная деятельность на транспортном рынке
Другое Радиоэлектроника
309. Релейная защита и автоматика трансформаторов
Другое Радиоэлектроника

Отключение трансформаторов от устройств релейной защиты при отсутствии выключателя на стороне высшего напряжения…………………………………..15
310. Ремонт CD-ROM acer650g-003
Другое Радиоэлектроника

На сегодняшний день существует несколько способов подключения дисководов CD-ROM. Первый способ основан на том, что один канал интерфейса IDE может поддерживать два встроенных устройства. Накопитель CD-ROM подключают к плате ввода-вывода через интерфейс IDE вместе с жестким диском по принципу master/slave. Однако в этом случае снижается скорость обмена данными с жестким диском. Одним из способов решения этой проблемы является подключение устройств CD-ROM к различным каналам одного интерфейса EIDE или к двум различным котроллерам IDE. Если CD-ROM имеет SCSI интерфейс, то его соответственно подключают к SCSI контроллеру. Другим подходом является применение 32- битных драйверов дисководов CD-ROM вместо используемых в настоящее время 16- битных. Существует также возможность подключения дисководов CD-ROM через контроллер звуковой карты. Также не следует забывать, что современные материнские платы могут содержать встроенные контроллеры SCSI и IDE, что вообще исключает необходимость в дополнительной плате ввода-вывода для подключения дисководов CD-ROM.
311. Ремонт и наладка силового электрооборудования токарно-винторезного станка 163 модели
Другое Радиоэлектроника

Раздел 1. Графическая часть Принципиальная электрическая схема токарно-винторезного станка 163 модели.Раздел 2. Пояснительная запискаЗадание. І Введение. 1. История и перспективы развития электроприборостроения. ІІ Основная часть. 1. Назначение и краткая характеристика электрооборудования станка. 2. Принципиальная схема станка и порядок ее работы. 3. Назначение и устройство силового электрооборудования станка. 4. Основные неисправности, обслуживание и ремонт силового элек-трооборудования станка. ІІІ Расчетная часть. 1. Расчет двигателя. 2. Расчет трансформатора. IV Специальная часть. 1. Комбинированный прибор 43208-У.V Заключительная часть. 1. Охрана труда и техника безопасности. VI Список используемой литературы. VII Спецификация.
312. Ремонт и регулировка TV
Другое Радиоэлектроника

Чтобы труд стал высокопроизводительным, малоутомительным, необходимо, чтобы техника и окружающая обстановка удовлетворяли эстетическим вкусам работающих. При внедрении требований эстетики в производство приходится проводить реконструкцию машин, инструмента, оснастки рабочего места, связанную с совершенствованием отдельных их элементов. Многое можно сделать с помощью такого доступного средства как цвет. Установлено, что цвета могут воздействовать на человека по разному, один успокаивает, а другой раздражает. Из практики известно, что наиболее благоприятный цветовой климат создается при окраске металорежущих станков в светло-зеленый цвет, термического оборудования в светло-серый, гальванического оборудования в зелено-голубой и т.д. На создаваемом предприятии система отопления будет выкрашена в светло-зеленый цвет, стены в светлые тона. Не менее важный показатель производственной среды-нормальный психологический климат в коллективах, от которого зависит эмоциональное состояние работающих, что является одним из важных факторов оптимальных условий труда, а следовательно, и условий для повышения его производительности. Все эти показатели влияют на количество произведенной продукции ее качество и здоровье рабочих. Рабочее место должно обеспечивать возможность удобного выполнения работ в положении сидя или стоя или в положениях сидя, и стоя и соответствовать требованиям ГОСТ 12.2.032-78 при работе сидя и ГОСТ 12.2.033-78 при работе стоя. При выборе положения работающего необходимо учитывать физическую тяжесть работ, размеры рабочей зоны и необходимость передвижения в ней работающего в процессе выполнения работ. Для создания комфортных и высокопроизводительных условий труда на рабочем месте имеет большое значение и вспомогательное оборудование, организационно-техническая оснастка, поэтому они будут соответствовать эргономическим требованиям. Важным моментом в организации рабочего места является также определение занимаемой им производственной площади. Необходимость в этом диктуется тем, чтобы, во-первых, эта площадь позволяла удобно с наименьшей затратой энергии, безопасно и производительно вести трудовой процесс, т.е. соответсвовала нормам технологического проектирования, и, во-вторых, чтобы эта площадь по величине была не менее 4,5 м2 на одного работающего. Не менее важным вопросом в организации рабочего места является вопрос организации его обслуживания, так как от этого зависит не только производительность труда, но и режим труда и отдыха работающих, ритмичность производства.
313. Ремонт обуви
Другое Радиоэлектроника
314. Ремонт, наладка, защитной аппаратуры токарно-винторезного станка 163 модели
Другое Радиоэлектроника

Розділ 1. Графічна частинаПринципова електрична схема токарно-гвинторізноговерстата 163 моделі.Розділ 2. Пояснююча запискаЗавдання. І Вступ. 1. Історія та перспективи розвит-ку електроенергетики на Україні. 2. Призначення та коротка характеристика елек-трообладнання станка. ІІ Основна частина. 1. Принципова електросхема верста- та та її робота. 2. Призначення, будова, можливі несправності та ремонт апара-тури керування та захисту. 3. Періодичність та обєм, технічні огляди, ремонт електрообладнання. ІІІ Розрахункова частина. 1. Розрахунок проводів, підводя-ться до електрообладнання по допустимому струму та падінню напруги. 2. Вибірапаратури керування та захисту. 3. Розрахунок котушки контактору. V Заключна частина. 1. Основні правила техніки безпеки при обслуговуванні електрооблад-нання верстата. 2. Список використаної літератури. VI Специфікація.
315. Репрограммируемые ПЗУ
Другое Радиоэлектроника

В этом состоянии передаточная характеристика МНОП-транзистора занимает положение с более высоким порогом отпирания. Процесс программирования микросхем ЭСППЗУ происходит в два этапа. На первом этапе стирают информацию во всех МНОП - элементах памяти. Для этого импульсом напряжения отрицательной полярности, прикладываемым на затвор относительно подложки, с амплитудой 30 ... 40 В электроны вытесняются из подзатворного диэлектрика в подложку. Следовательно, при стирании информации элемент памяти получает состояние лог. 0. На втором этапе производят выборочную запись в нужные ЭП лог. 1 импульсом напряжения положительной полярности, подаваемым на затвор относительно подложки. На практике режимы стирания и записи осуществляют напряжением одной полярности: отрицательной для рМНОП - элементов и положительной для nМНОП - элементов памяти. Эта возможность основана на использовании явления лавинной инжекции электронов под затвор, которая происходит при соединении затвора с подложкой и подаче на сток и исток импульса напряжения относительно подложки и затвора такой полярности, чтобы переходы между подложкой и стоком, истоком оказались под обратным смещением. Амплитуда импульса должна быть достаточной для возникновения в переходах электрического пробоя. Типичные значения напряжения программирования лежат в пределах 20... 30 В. В результате электрического пробоя переходов в них происходит лавинное размножение носителей заряда и инжекция части этих носителей, обладающих достаточной кинетической энергией, на границу между слоями подзатворного диэлектрика. При считывании на затвор подают напряжение Uсч, значение которого лежит между двумя пороговыми уровнями. Если в МНОП-транзистор записана единица, то он откроется, а при нуле останется в закрытом состоянии. В зависимости от этого, как видно из рис. 2, г, в разрядной шине либо будет протекать ток на выход, либо нет. Усилитель считывания трансформирует состояние шины в сигнал с уровнем лог. 0 или лог. 1 на выходе микросхемы. Микросхемы с элементами памяти на рМНОП-транзисторах имеют сравнительно низкое быстродействие, высокое напряжение программирования 30 ... ... 40 В и требуют двух источников питания. Для улучшения характеристик микросхем ЭСППЗУ широко применяют технологию n-канальных МНОП-структур. Такие элементы памяти устроены аналогично рассмотренным, но имеют обратный тип проводимости подложки, стока и истока. Микросхемы на nМНОП-транзисторах обладают втрое превосходящим быстродействием, сниженным до 21 ...25 В напряжением программирования и работают от одного источника питания. Элемент памяти на транзисторе ЛИЗМОП с двойным затвором показан на рис. 2. Он представляет собой n - канальный МОП-транзистор, у которого в подзатворном однородном диэлектрике окисла кремния сформирована изолированная проводящая область из металла или поликрнсталлического кремния. Этот затвор получил название «плавающий», поскольку при наведении на нем электрического заряда его потенциал может изменяться в широких пределах, т. е. быть «плавающим». В режиме программирования на управляющий затвор, исток и сток подают импульс напряжения программирования положительной полярности с амплитудой 21 ...25 В. В обратносмещенных переходах стокподложка и исток подложка возникает процесс лавинного размножения носителей заряда и часть электронов инжектирует на плавающий затвор. В результате накопления на нем отрицательного заряда передаточная характеристика транзистора смещается вправо, т. е. в область более высокого порогового напряжения, что соответствует записи в элемент памяти лог. 0. Стирание записанной информации осуществляют вытеснением заряда с плавающего затвора. Эту процедуру выполняют дзумя способами; в микросхемах ЭСППЗУ импульсом напряжения на управляющем затворе положительной полярности, а в микросхемах СППЗУ с помощью УФ излучения, под воздействием которого в результате усиления теплового движения электроны рассасываются с плавающего затвора, перемещаясь в подложку. Состояние ЛИЗМОП-элемента памяти без заряда на плавающем затворе соответствует лог. 1.
316. Риформинг как способ получения бензинов с улучшенными характеристиками
Другое Радиоэлектроника
317. Рождение телевидения
Другое Радиоэлектроника
1. Резников М.Р. Радио и телевидение вчера, сегодня, завтра.- М.:Связь,1977.-95с.
2. Джигит И.С. История развития и достижения советского телевидения.// Радиотехника.- 1947.- №9.- С.39-43.
3. Шамшин В.А. Телевидение.// Электросвязь.- 1975. - №9.- С.1.
4. Талызин Н.В. Связь, телевидение, радиовещание.// Радио.- 1976.- №3.- С.1-3.
5. Горохов П.К. Б.Л.Розинг - основоположник электронного телевидения.- М.:Наука,1964.- 120с.
6. Бурлянд В.А., Володарская В.Е., Яроцкий А.В. Советская радиотехника и электросвязь в датах.- М.:Связь, 1975.- 191с.
7. Добровольский Е.Е. Основные направления научно-технического прогресса радиосвязи, радиовещания и телевидения.- М.:Связь, 1974.- 56с.
318. Розрахунки й оптимізація характеристик систем електрозв’язку. (Расчёты и оптимизация характеристик систем электросвязи)
Другое Радиоэлектроника

З малюнка 8 видно , що ефективність реальних систем істотно нище границі Шеннона. Характер обміну між та залежить від виду модуляції (сигналу) та коду. Завадостійкість АМ відносно низька і ймовірність передачі може бути підвищена лише підвищенням потужності сигналу. Межа завадостійкості виражена слабо. В системах ЧМ висока завадостійкість може бути досягнута збільшенням ширини спектру сигналу, тобто за рахунок частотного залишку. В системі ЧМ різко виражений поріг завадостійкості. Поріг в системі ЧМ при звичайному способі прийому наступає приблизно при рівності пікових значень сигналу та завади, що значно вище теоретичного. Це означає, що при великому рівні завад реальна завадостійкість одержувача ЧМ значно нище потенційної. Відповідно зявляється можливість вдосконалення схеми одержувача знизити поріг завадостійкості і тим самим збільшити дальність звязку при тій самій потужності передавача. Ця задача особливо актуальна для супутникових та космічних систем звязку. Для зниження порогу при ЧМ використовують різні схеми слідкуючих демодуляторів в тому числі схему зі зворотнім звязком по частоті, синхронно-фазовий демодулятор та демодулятор із слідкуючим фільтром. Мінімальний (допустимий) поріг завадостійкості досягається в схемі оптимального демодулятора. Ефективність системи ЧМ значно підвищується за рахунок коректуючих кодів. Використання коректуючих кодів дає можливість підвищення вірності передачі повідомлення або при заданій вірності підвищити енергетичну ефективність системи. При досконалій елементній базі затрати на реалізації кодуючи та декодуючих пристроїв значно скоротилися, тим часом коли вартість енергетики каналу практично не змінилась. Таким чином “ціна” енергетичного виграшу за рахунок кодування може бути значно менше “ціни” того ж виграшу, отриманого за рахунок збільшення енергетики каналу (потужності сигналу або розмірів антен).
319. Розробка мікропроцесорного пристрою системи автоматичного регулювання
Другое Радиоэлектроника
320. Розробка підсилювача
Другое Радиоэлектроника

По типу підсилювальних елементів підсилювачі діляться на транзисторні, лампові, параметричні, магнітні, квантові та інші. Найбільш універсальними і широко використовуваними є транзисторні підсилювачі. По потужності підсилювальних сигналів розрізняють каскади підсилювання слабких і сильних коливань. В підсилювачах слабких сигналів амплітуда коливань займає малу ділянку вольт-амперної характеристики підсилювального елементу. Тому такі підсилювачі є лінійними. В підсилювачах сильних сигналів використовуєтся більша частина характеристики підсилювального елементу, часто з відсічкою струму. Потужність в такому режимі близька до максимальної, і тому такі підсилювачі називаються підсилювачами потужності.

Blog

Информация по предмету Радиоэлектроника