Geum.ru

Информация по предмету Радиоэлектроника

  • 441. Электрическое активное сопротивление
    Другое Радиоэлектроника

    Явление поверхностного эффекта физически можно объяснить (по предложению В. Ф. Миткевича) следующим образом. Цилиндрический проводник сечением S с переменным током i упрощённо можно представить себе собранным из n полых цилиндров с одинаковой площадью поперечного сечения So. Предположим, что ток каждого из цилиндров i=i/n создаёт вокруг своего цилиндра по одной магнитной линии. В результате наружный слой проводника будет сцеплен с магнитной линией только своего тока, а каждый последующий в направление к оси со своей и другими внешними линиями. Наибольшим числом силовых линий окружена сердцевина проводника. Поскольку магнитное поле переменное, в полых цилиндрах будут индуцироваться разные э.д.с. и они будут иметь различные индуктивные сопротивления: наибольшее внутренний цилиндр, наименьшее внешний. Это приводит к тому, что плотность переменного тока в сечении провода не постоянная в сердцевине минимальная и постепенно увеличивается к наружным слоям.

  • 442. Электровакуумные приборы магнетронного типа
    Другое Радиоэлектроника
  • 443. Электроизоляционная керамика
    Другое Радиоэлектроника

    Японская фирма «Нихон Гайси» в качестве электропроводящего компонента полупроводящей глазури рекомендует смесь оксидов SnO2 и Sb2O5, а в качестве стеклообразующего компонента обычную глазурную массу (SnO285÷94 и Sb2O56÷15 %, в молярных долях). Приготовление глазури осуществляется следующим образом. Компоненты SnO2 и Sb2O5 смешивают и обжигают при 10001300°С в окислительной атмосфере; 2545 % (по массе) обожженного материала измельчают до среднего размера частиц 44 мкм, смешивают с 5575 % (по массе) обыкновенной глазурной массы для изоляторов и обжигают в течение 2 ч в окислительной атмосфере при 12001430 °С. Полученный спек измельчают до среднего размера частиц 44 мкм. Далее, не менее чем 70 % спека смешивают с глазурной массой (не более чем на 30 %). Глазурование производят по принятой в керамической промышленности технологии. Обжиг глазурованных заготовок изоляторов осуществляют в восстановительной атмосфере согласно принятому режиму обжига. Наилучшие результаты при испытании подвесных изоляторов были получены при технологическом процессе приготовления полупроводящей глазури, описанном далее. Соотношение электропроводящих оксидов: SnO288, Sb2O5 12 % (в молярных долях). Смешение компонентов с частицами размером не более 44 мкм производится в фарфоровых барабанах, и такая смесь для образования твердого раствора замещения обжигается в электрической печи при 1150°С в течение 2 ч. Электропроводящий порошок в количестве 35 % (по массе) смешивают с 65 % глазурной массы для изоляторов и обжигают в электрической печи в течение 2 ч при 1350°С. Спек измельчают. Удельное поверхностное сопротивление такого спека 512 МОм. Спек измельчают до среднего размера частиц 44 мкм. Производственная полупроводящая глазурь содержит 80 % измельченного порошка спека и 20 % каолина или глины. Глазурованная поверхность имеет слегка сероватый цвет, сопротивление 2642 МОм. Изоляторы выдерживают 1616,5 кВ без пробоя в условиях сильного загрязнения и увлажнения. По опубликованным данным такие глазури обладают высокой коррозионной стойкостью по отношению к электролитам и высокой термостойкостью (более 100 К).

  • 444. Электролучевая трубка с магнитной отклоняющей системой
    Другое Радиоэлектроника

    Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются во всех расчетах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи:

    1. обратный ток коллектора ІКБО это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор база и разомкнутом выводе эмиттера;
    2. обратный ток эмиттера ІЭБО это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер база и разомкнутом выводе коллектора;
    3. обратный ток коллектора ІКБК это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор база и при замкнутых накоротко выводах эмиттера и базы;
    4. обратный ток ІЭБК это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер база и при замкнутых накоротко выводах коллектора и базы;
    5. обратный ток коллектор эмиттер ток в цепи коллектор эмиттер при заданном обратном напряжении UКЭ. Этот ток обозначается: ІКЭО при разомкнутом выводе базы; ІКЭК при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы; ІКЭR при заданном сопротивлении в цепи базы эмиттер; ІКЭX при заданном обратном напряжении UБЭ.
  • 445. Электромагнитные волны
    Другое Радиоэлектроника
  • 446. Электронные вольтметры
    Другое Радиоэлектроника

    В зазоре между полюсными наконечниками и сердечником создается сильное равномерное радиальное магнитное поле, в котором находится подвижная прямоугольная катушка 4, намотанная медным или алюминиевым проводом на алюминиевом каркасе (применяют и бескаркасные рамки). Катушка (рамка) может поворачиваться в зазоре на полуосях 5 и 6. Спиральные пружины 7 и 8 создают противодействующий момент и используются для подачи измеряемого тока от выходных зажимов прибора в рамку (механические и электрические соединения на рисунке не показаны). Рамка жестко соединена и со стрелкой 9. Для балансировки подвижной части имеются передвижные грузики 10. Проходя по проводникам обмотки рамки, ток взаимодействует с магнитным потоком постоянного магнита, что вызывает появление механических сил F, создающих вращающий момент Мвр, стремящийся повернуть рамку.

  • 447. Электронные и микроэлектронные приборы
    Другое Радиоэлектроника
  • 448. Электропривод и обрабатывание фурмы(расчет)
    Другое Радиоэлектроника
  • 449. Электротехника
    Другое Радиоэлектроника

    Параллельным называется такое соединение проводников при котором соединение между собой как усл. начала приемников, так и их концы. Для параллельного соединения характерно одно и тоже напряжение на выводах всех приемников . Согласно первому закону Кирхгофа , а согласно закону Ома можно записать . Сокращая общие части неравенства на U получим формулу подчета экв-ной проводимости или q=q1+…+qn.

  • 450. Энергосбережение в установках электрического освещения
    Другое Радиоэлектроника
  • 451. Эпоксидная смола, как матричный материал
    Другое Радиоэлектроника
  • 452. ЭТПиМЭ
    Другое Радиоэлектроника

    Если на все входы многоэмиттерного транзистора VT1 поданы напряжения логической 1, то эмиттеры VT1 не получают открывающегося тока смещения (нет разности потенциалов). При этом ток, задаваемый в базу VT1 через резистор R1 , проходит от источника Eпит в цепь коллектора VT1, смещенного в прямом направлении, через диод VD1 и далее в базу VT2. Транзистор VT2 при этом находится в режиме насыщения (VT2 - открыт) в точке B Uб=0,2 В (уровень логического нуля). Далее ток попадает на базу VT4 и открывает VT4 на выходе схемы 0.

  • 453. Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме
    Другое Радиоэлектроника

    Значение произведения концентрации электронов на длину образца называют критическим и обозначают . Это значение является границей доменных режимов диода Ганна и режимов с устойчивым распределением электрического поля в однородно легированном образце. При домен сильного поля не образуется и образец называют стабильным. При возможны различные доменные режимы. Критерий типа справедлив, строго говоря, только для структур, у которых длина активного слоя между катодом и анодом много меньше поперечных размеров: (рис.6, а), что соответствует одномерной задаче и характерно для планарных и мезаструктур. У тонкопленочных структур (рис.6, б) эпитаксиальный активный слой GaAs 1 длиной может быть расположен между высокоомной подложкой 3 и изолирующей диэлектрической пленкой 2, выполненной, например, из SiO2. Омические анодный и катодный контакты изготовляют методами фотолитографии. Поперечный размер диода может быть сравним с его длиной . В этом случае образующиеся при формировании домена объемные заряды создают внутренние электрические поля, имеющие не только продольную компоненту , но и поперечную компоненту (рис.6, в). Это приводит к уменьшению поля по сравнению с одномерной задачей. При малой толщине активной пленки, когда , критерий отсутствия доменной неустойчивости заменяется на условие . Для таких структур при устойчивом распределении электрического поля может быть больше .