Geum.ru

Информация по предмету Радиоэлектроника

  • 421. Физические основы электроники
    Другое Радиоэлектроника

    1 Основы теории электропроводности полупроводников.......

    1. Общие сведения о полупроводниках....................................
    2. Полупроводники с собственной проводимостью..............
    3. Полупроводники с электронной проводимостью.............
    4. Полупроводники с дырочной проводимостью..................
    5. Токи в полупроводниках ....................................................
    6. Дрейфовый ток...................................................................
    7. Диффузионный ток...........................................................
    8. Контактные явления...........................................................
    9. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
    10. Прямое включение p-n перехода......................................
    11. Обратное включение p-n перехода.................................
    12. Теоретическая характеристика p-n перехода...........................
    13. Реальная характеристика p-n перехода............................
    14. Ёмкости p-n перехода......................................................
    15. Разновидности p-n переходов..........................................
    16. Гетеропереходы...........................................................
    17. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
    18. Контакт металла с полупроводником..........................................
    19. Омические контакты...................................................................
    20. Явления на поверхности полупроводника..............................
  • 422. Фоторезисторы
    Другое Радиоэлектроника

    ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости увеличение концентрации носителей заряда электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.

  • 423. Фотоэлектрические преобразователи энергии
    Другое Радиоэлектроника

    зависит от температуры Т, концентраций дырок или электронов в p- и n-областях заряда электрона е и постоянной Больцмана k. для неосновных носителей EK - движущее поле. Оно обусловливает перемещение дрейфующих электронов из области р в область п, а дырок - из области п в область р. Область п приобретает отрицательный заряд, а область р- положительный, что эквивалентно приложению к р-п переходу внешнего электрического поля с напряженностью EВШ, встречного с EK. Поле с напряженностью EВШ - запирающее для неосновных и движущее для основных носителей. Динамическое равновесие потока носителей через р-п переход переводит к установлению на электродах 1 и 4 разности потенциалов U0 - ЭДС холостого хода ФЭ. Эти явления могут происходить даже при отсутствии освещения р-п перехода. Пусть ФЭ облучается потоком световых квантов (фотонов), которые сталкиваются со связанными (валентными) электронами кристалла с энергетическими уровнями W. Если энергия фотона Wф=hv (v -частота волны света, h - постоянная Планка) больше W, электрон покидает уровень и порождает здесь дырку; р-п переход разделяет пары электрон - дырка, и ЭДС U0 увеличивается. Если подключить сопротивление нагрузки RН, по цепи пойдет ток I, направление которого встречно движению электронов. Перемещение дырок ограничено пределами полупроводников, во внешней цепи их нет. Ток I возрастает с повышением интенсивности светового потока Ф, но не превосходит предельного тока In ФЭ, который получается при переводе всех валентных электронов в свободное состояние: дальнейший рост числа неосновных носителей невозможен. В режиме К3 (RН=0, UН=IRН=0) напряженность поля Евш =0, р-п переход ( напряженность поля ЕК) наиболее интенсивно разделяет пары неосновных носителей и получается наибольший ток фотоэлемента IФ для заданного Ф. Но в режиме К3, как и при холостом ходе (I=0), полезная мощность P=UНI=0, а для 0<UН<U0 и 0<I<IФ будет Р>0.

  • 424. Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники
    Другое Радиоэлектроника

    Если полупроводник освещается излучением с энергией фотона, превышающей ширину запрещенной зоны, то под действием излучения электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости, т. е. генерируются электроннодырочные пары. Генерация пар свободных носителей заряда путем внешнего воздействия на полупроводник называется биполярным возбуждением. При меньшей энергии фотона может наблюдаться генерация носителей одного знака как основных, так и неосновных, с примесных центров (монополярное возбуждение). Генерируемые светом избыточные носители вместе с равновесными участвуют в электропроводности, могут диффундировать от одной точки образца к другой. Встречаясь друг с другом или с примесными центрами, избыточные носители могут уничтожаться, рекомбинировать. Поведение избыточных носителей описывается такими параметрами, как время жизни, диффузионная длина, скорость поверхностной рекомбинации и т. д. Эти параметры существенным образом определяют работу таких широко распространенных полупроводниковых приборов, как транзистор, диод, фотоэлемент и др. При этом оказывается, что действие этих приборов обусловлено избыточными неосновными носителями заряда, поэтому измерение параметров неосновных носителей заряда является необходимым этапом в исследовании материалов, предназначенных для изготовления приборов, а также в контроле качества этих материалов в процессе производства. Решить эту важную задачу помогает фотоэлектромагнитный эффект.

  • 425. Хемотроника
    Другое Радиоэлектроника

    Принцип работы электрохимического управляемого сопротивления (этот прибор иногда называют мимистором, рис. 1) основан на изменении сопротивления проводника в результате катодного осаждения на него металла или анодного растворения. Мимистор, работающий с использованием медного электролита, состоит из стеклянного корпуса 4, заполненного электролитом 1 (обычно CuSO4 + H2SO4 + этанол). На одной из стенок герметично закрытой ванны нанесена электропроводящая подложка 6, имеющая выводы 7 и 5, расположенные вне гальванической ванны. Электролит омывает электрод 2 с выводом 3. Входные сигналы подаются на электропроводящую подложку 6 и электрод 2. В зависимости от полярности входных сигналов на подложке 6 медь будет или гальванически осаждаться, или анодно растворяться. Тем самым будет изменяться электрическое сопротивление медной пленки, находящейся на подложке 6. Воспроизведение величины изменяющегося сопротивления обычно производят с помощью мостовых измерительных схем. Приборы подобного типа имеют диапазон изменения сопротивления 0...1000 Ом, диапазон токов управления 0,05...1 мА, потребляемую мощность управления 10-3...10-6 Вт, объем 0,2...0,4 см3, массу - несколько граммов. Они могут работать при температурах - 15...+ 100 С, устойчивы к ударным нагрузкам и вибрации. Все эти качества мимисторов делают их весьма перспективными приборами для использования в автоматике, вычислительной и измерительной технике. Они находят применение для создания реле времени, счетчиков импульсов, интегрирующих устройств, самонастраивающихся систем автоматики и т. п.

  • 426. Химический состав и огнеупорность шамотных изделий
    Другое Радиоэлектроника
  • 427. Цветная стереотелевизионная камера
    Другое Радиоэлектроника

     

    1. Стереотелевидение (черно-белое и цветное). Под ред. П.В. Шмакова. М: Связь, 1968.
    2. Колин К.Т., Аксентов Ю.В., Колпенская Е.Ю. Телевидение. Издание 2-е, дополненное и переработанное. М: Связь, 1972.
    3. Домбругов Р.М. Телевидение. Киев: Высшая школа, 1988.
    4. Г.Б. Богатов. Цветное телевидение. Л: Наука, 1978.
    5. Копылов П.М., Тачков А.Н. Телевидение и голография. М: Связь, 1976.
    6. Световой спектр и коррелятор структуры изображения. Быковский Ю., Любченко А., Макрилов А. и др. М: изд-во МИФИ, 1993.
    7. Electronic Imaging //1992 август вып. 2 N3. (США).
    8. Проблемы развития безотходных производств Б.Н.Ласкорин, Б.В.Громов, А.П. Цыганков, В.Н. Сенин. М.: Стройиздат 1985.
    9. Кафаров В.В. Принципы создания безотходных химических производств М.: Химия 1984.
    10. Логические ИС КР1533, КР1554. Справочник, ч.2. ТОО «Бином», 1993.
    11. Альбац М.Е. Справочник по расчету фильтров и линий задержки. М.: государственное энергетическое издательство «Ленинград», 1963.
    12. В.А. Федоренко, А.И. Шошин. Справочник по машиностроительному черчению. Л.: «Машиностроение», 1981.
    13. В.Л. Шило. Популярные цифровые микросхемы. М.: «Радио и связь», 1987.
    14. Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов. Справочник. В.М. Петухов. М.: «Кубк-а», 1997.
    15. Телевидение / Под ред. В.Е. Джаконии. М.: «Радио и связь», 1986.
    16. Петропавловский В.А. и др. Телевизионные передающие камеры. М.: «Радио и связь», 1988.
    17. Васильев А.В., Кноль А.И., Соколова Н.Д. Экономическое обоснование научно-технических проектов. Учебное пособие. СПб: ГЭТУ, 1995.
    18. Харкевич А.А. Правила устройства электроустановок. М.: 1988.
    19. Надежность технических систем. /Под ред. И.А. Ушакова. М.: «Радио и связь», 1985.
    20. Методические указания по выполнению основных учебных документов. Учебное пособие в двух частях. /Под ред. В.И. Тимохина. Л.: ЛЭТИ, 1981.
  • 428. Цифровая первичная сеть - принципы построения и тенденции развития
    Другое Радиоэлектроника

    ADM&nbspAda-Drop Multiplexor Мультиплексор ввода/вывода - МВВ
    ANSI&nbspAmerican National Standard Institute Американский национальный институт стандартов
    APS&nbspAutomatic Protection Switching &nbspАвтоматическое переключение
    ATM&nbspAsynchronous Transfer Mode&nbspРежим асинхронной передачи
    AD Administrative Unit Административный блок
    AUG&nbspAdministrative Unit Group &nbspГруппа административных блоков
    AU-PJE&nbspAU Pointer Justification Event Смещение указателя AU
    BBE&nbspBackground block error Блок с фоновой ошибкой
    BBERBackground block error rate Коэффициент ошибок по блокам с фоновыми ошибками
    BER&nbspBit Error Rate Параметр ошибки по битам, равен отношению количества ошибочных битов к общему количеству переданных
    BIN&nbspBinary Двоичное представление данных
    BIP Bit Interleaved Parity Метод контроля четности
    B-ISDN Broadband Integrated Service Digital &nbspШирокополосная цифровая сеть с интеграцией Networks служб (Ш-ЦСИС)
    CRC Cyclic Redundancy Check Циклическая проверка по избыточности
    CRC ERR CRC errors Число ошибок CRC
    DEMUX Demultiplexer Демультиплексор
    ETS European Telecommunication Standard Европейский телекоммуникационный стандарт
    ETSI European Telecommunication Standard Institute Европейский институт стандартизации в теле-kоммуникациях, протокол ISDN, стандартизированный ETSI
    FEBE Far End Block Error Наличие блоковой ошибки на удаленном конце
    FERF Far End Receive Failure Наличие неисправности на удаленном конце
    HEX Hexagonal 16-ричное представление информации
    НО-РОН High-order POH Заголовок маршрута высокого уровня
    ISDN Integrated Service Digital Networks Цифровая сеть с интеграцией служб (ЦСИС)
    ITU International Telecommunication Union Международный Союз Электросвязи
    ITU-T International Telecommunication Union-Telephony group Международный Союз Электросвязи подразделение телефонии
    LO-POH Low-order POH Заголовок маршрута низкого уровня
    M1, М2 Management Interface 1, 2 Интерфейсы управления
    MSOH Multiplexer Section Overhead Заголовок мультиплексорной секции
    MSP Multiplex Section Protection Цепь резервирования мультиплексорной секции
    MUX Multiplexer Мультиплексор
    OSI Open System Interconnection Эталонная модель взаимодействия открытых систем
    РОН Path Overhead Заголовок маршрута
    PTR Pointer Указатель в системе SDH
    RGEN, REG Regenerator Регенератор
    RSOH Regenerative Section Overhead Заголовок регенераторной секции
    SDH Synchronous Digital Hierarchy Синхронная цифровая иерархия
    SDXC Synchronous Digital Cross Connect Синхронный цифровой коммутатор
    SOH Section Overhead Секционный заголовок
    STM Synchronous Transport Module Синхронный транспортный модуль - стандартный цифровой канал в системе SDH
    ТСМ Tandem Connection Monitoring Мониторинг взаимного соединения
    ТМ Traffic Management Управление графиком
    TMN Telecommunications Management Автоматизированная система управления связью
    TU Tributary Unit Блок нагрузки
    TUG Tributary Unit Group Группа блоков нагрузки
    VC Virtual Container Виртуальный контейнер

  • 429. Цифровой автомат
    Другое Радиоэлектроника

    Под действием управляющего сигнала y1 в регистр Р1 записывается проверяемое число х. Под действием управляющего сигнала y2 в регистр R2 записывается число B. Под действием управляющего сигнала y3 в регистре R3 записываются число А ив сумматоре 1 сравнивается числа Аи х. На выходе переноса сумматора вырабатывается признак х. Если х<А то признак х=1 и выполняется переход на формирование управляющего сигнала y5, если наоборот то х=0 и выполняется переход на формирование управляющего импульса у4. Под действием управляющего сигнала y5 в сумматоре 2 должен быть организован режим сложения и в нем вычисляется х+В. Под действием управляющего сигнала у4 в сумматоре должен быть организован режим вычитания и вычисляется х-В. Под действием управляющего сигнала у6 результат полученный в сумматоре 2 записывается в регистр R4.

    1. СТРУКТУРНАЯ СХЕМА ОПЕРАЦИОННОГО УСТРОЙСТВА.
  • 430. Цифровые устройства
    Другое Радиоэлектроника

    D триггер, называемый еще триггером задержки может быть асинхронным и синхронным, но асинхронный D триггер смысла не имеет, т.к. имеет один информационный вход D и основной и инверсный выходы. Сигнал (информация ) на выходе всегда совпадает с информацией на входе, т.е. Qt+1 = Dt. Смысл имеет только синхронный D триггер, у которого кроме информационного входа D есть вход синхронизации С. Информация со входа D передается на основной выход (записывается в триггер) в момент прихода синхронизирующего импульса. Структурная формула, описывающая работу синхронного D триггера следующая: . Из формулы видно, что при С = 0 состояние триггера не меняется , а при С = 1 состояние триггера совпадает со значением информации на входе D . Таким образом при отсутствии синхронизирующего импульса состояние триггера не меняется, информация записанная в триггер сохраняется (задерживается) на период следования синхронизирующих импульсов. На рис 1.14.5 показан один из вариантов схемы D триггера и его условное обозначение. При С = 0, на входах асинхронного RS триггера, входящего в состав D триггера, устанавливаются две единицы, что означает хранение информации. Можно проследить по схеме, что при С = 1 триггер установится в 1 если на его входе D была 1 и сбросится в 0, если на входе D был логический 0.

  • 431. Черные металлы в конструкциях РЭС
    Другое Радиоэлектроника
  • 432. Шумы - электроника
    Другое Радиоэлектроника

    Малые сигналы и длинные линии.Для малых сигналов такая ситуация нетерпима.Несколько идей для этой цели содержит рис.4.На первой схеме коаксиальный экранированный кабель присоединен к корпусу и схемному заземлению источника сигнала,но изолирован от корпуса приемника.Благодаря дифференциальному усилителю для буферизации входного сигнала подавляется синфазный сигнал в цепи заземления,выделяющийся на экране.Также полезно подключить резистор с малым сопротивлением и шунтирующий конденсатор на землю для ограничения сдвига “напряжения заземления” и предупреждений входного каскада.Еще одна схема демонстрирует использование “псевдодифференциального” входного включения для усилительного каскада с одним выходом.Сопротивление 10 Ом включенного между общей точкой усилителя и схемной землей резистора достаточно велико(во много раз больше полного сопротивления заземления источника),так что потенцал в этой точке задает опорная земля источника сигнала.Разумеется, любой шум,присутствующий в этом узле схемы,появится также на выходе,однако это становится неважным,если каскад имеет достаточно высокий коэффициент усиления Ku,поскольку отношение полезного сигнала к шумам заземления увеличивается в Ku раз.Таким образом,хотя данная схема не является подлинно дифференциальной(КОСС ),тем не менее работает она достаточно хорошо(с эффективным КОСС=Ku).Такой прием псевдодифференциального включения с отслеживанием потенциала земли можно использовать также для сигналов низкого уровня внутри самого прибора,когда возникают проблемы с шумами заземления.

  • 433. Щелевая антенна
    Другое Радиоэлектроника

    Щель, прорезанная в стенке волновода, представляет для последнего некоторую нагрузку и влияет на режим его работы. Часть энергии, идущей по волноводу, излучается щелью, часть отражается от нее, как от всякой неоднородности, и направляется обратно к генератору, часть проходит дальше. Влияние щели на режим работы волновода характеризуется входной проводимостью Y и входным сопротивлением Z. Входное сопротивление (проводимость) щели произвольной длины есть величина комплексная. В основном применяются резонансные щели (Х= В= 0). Чтобы щель была резонансной, ее длина должна быть несколько меньше / 2. При этом, чем шире щель, тем больше должна быть величина укорочения. Здесь также существует полная аналогия с симметричным вибратором. Приближенно укорочение может быть определено по формуле:

  • 434. Эволюция аудиотехники
    Другое Радиоэлектроника
  • 435. Экологически чистая технология термо- диффузионного цинкования на ООО «НПО «Защита металлов»
    Другое Радиоэлектроника
  • 436. Эксплуатация осветительных электроустановок
    Другое Радиоэлектроника

    При производстве ремонтных работ в мастерских и непосредственно на объектах монтажа используют многие механизмы, инструменты и приспособления, как общестроительного применения, так и специализированные электромонтажные. В мастерских создаются поточные технологические линии по индустриальной обработке и заготовке труб, листовой и сортовой стали, шин, комплектов электропроводок, кабелей и т.д. Для выполнения ремонтных работ (монтаж, демонтаж л. ламп) непосредственно на объектах комплектуют специализированные автомашины или автоприцепы и передвижные мастерские. Все машины, механизмы и средства механизации, применяемые в электромонтажном производстве, можно разделить на пять групп: механизированный и ручной инструмент, приспособления и другие средства малой механизации (электрифицированные, пневматические и пиротехнические инструменты, слесарно-монтажный и режущий инструмент, монтажные инверторные приспособления); сварочное оборудование (сварочные трансформаторы, оборудование для газовой сварки и резки); специализированные автомашины и передвижные мастерские; металлообрабатывающие станки и механизмы, сосредоточенные главным образом в мастерских и в ремонтных цехах; монтажные механизмы для погрузочно-разгрузочных и ремонтных работах (автомобильные краны, гидроподъемники и телескопические вышки, тали и лебедки, блоки и полиспасты), а также общестроительные механизмы (тракторы, бульдозеры и др.). Все перечисленное оборудование используется для ремонта освещения на высоте, или его демонтажа, если светильник невозможно отремонтировать на месте. При ремонте светильников л. освещения используют инструменты для соединения и оконцевания жил проводов и кабелей. Клещи КСИ 1 предназначены для снятия изоляции с концов проводов сечением 0,75 4 мм2 и их перекусывания и состоят из трех частей, связанных между собой шарнирно: рычагом для зажатия провода, рычага с ножами для надреза изоляции и рычага с ползунком эксцентриком, перемещающим прижим и фасонный нож в губках клещей.

  • 437. Эксплуатация РТС
    Другое Радиоэлектроника

    11.81.80.98230.017721.61.50.9670.03331.41.30.95380.046241.21.10.96230.037751.110.9320.068610.950.92250.0775710.930.91330.0867810.930.9040.096910.90.8950.105100.990.880.88630.11371110.90.87730.12271210.880.86850.13151310.880.85980.14021410.850.85130.14871510.880.84250.15751610.850.8340.1661710.850.82550.17451810.850.8170.183191.10.880.80830.19172010.830.80.22110.830.80.2221.10.850.78330.2167231.10.830.7750.225241.10.850.76650.2335251.20.880.75730.2427261.20.930.74850.2515271.41.020.73830.2617281.61.150.72680.2732291.81.270.7140.286302.21.520.69880.3012

  • 438. Электрические приемники: классификация, основные виды
    Другое Радиоэлектроника

    Двигатели компрессоров, вентиляторов и насосов работают примерно в одинаковом режиме и в зависимости от мощности снабжаются электрической энергией па напряжении от 0,22 до 10 кВ. Мощность таких установок изменяется в очень широком диапазоне от долей единицы до тысяч киловатт. Питание двигателей производится током промышленной частоты 50 Гц. Характер нагрузки, как правило, ровный, особенно для мощных установок. Перерыв в электроснабжении чаще всего недопустим и может повлечь за собой опасность для жизни людей, серьезное нарушение технологического процесса или повреждение оборудования. Например, прекращение подачи сжатого воздуха на машиностроительном заводе, где режущий инструмент крепится при помощи пневматических устройств, может вызвать ранения обслуживающего персонала. Прекращение электроснабжения насосной станции на металлургическом заводе может вывести из строя такую ответственную установку, как доменная печь, и причинить крупные убытки. Последствия отключения насосных установок во время пожара не нуждаются в пояснениях. В ряде цехов прекращение питания двигателей вентиляторов может вызвать массовые отравления работающего персонала. Таких примеров можно привести большое количество. В указанных случаях установки следует относить к потребителям 1-й категории.

  • 439. Электрические фильтры
    Другое Радиоэлектроника

    Колебательные системы могут быть как электрическими, так и механическими. Например, камертон, натянутая струна и тому подобные устройства являются типично колебательными системами. По принципу успользования колебательных свойств подобных деталей разработаны и используются в технике связи электромеханические фильтры, добротности которых весьма высокие -- порядка единиц тысяч. Принцип действия этих фильтров состоит в следующем. Оказалось, что некоторые материалы, например никель, феррит и другие, обладают свойствами изменять свою длинну при изменении магнитного поля, в котором они находятся. Подобный эффект называют магнитострикционным. Он используется в электромеханических магнитострикционных фильтрах, состоящих из жестко закреплённого никелевого или ферритового стержня длинной в несколько сантиметров. На стержне находится катушка с индуктивностью порядка десятка микрогенри и постоянный магнит. При протекании по катушке переменного тока магнитное поле изменяется, что приводит к изменению длинны стержней и их резонансным частотам.

  • 440. Электрический ток в вакууме. Электронные лампы. Их применение
    Другое Радиоэлектроника

    Для получения приемлемой эмиссии электронов катоды необходимо нагревать до очень высоких температур порядка 2...3 тысяч градусов. Поэтому нити накала приходится выполнять из тугоплавких металлов, обычно используется вольфрам. Но и вольфрамовая нить накала при такой температуре быстро выходит из строя, так как проволоку абсолютно одинакового сечения по всей длине сделать невозможно. В тех местах, где сечение проволоки чуть меньше, происходит местный перегрев, отчего в этом месте сечение становится еще меньше, а это приводит к еще большему нагреву. Оказалось, что если нанести на поверхность вольфрама тонкий слой окиси или щелочного металла, эмиссия электронов с такого оксидированного или активированного слоя резко увеличивается. Оксидированный вольфрам при температуре 730 градусов Цельсия обеспечивает такую же эмиссию, как не оксидированный при температуре 1580 градусов Цельсия. Поэтому в электровакуумных приборах за редкими исключениями используются оксидированные катоды. В приборах прямого накала оксидный слой наносится непосредственно на вольфрамовую нить. В приборах косвенного накала оксидный слой наносится на катод, который обычно выполняется из никеля.