Информация по предмету Радиоэлектроника

401. Триоды. Устройство и принцип действия
Другое Радиоэлектроника

Анодно-сеточные характеристики триода Ia=f(Uc) при Ua=const приведены на рис.5 Для снятия этих характеристик е помощью потенциометра R2 в цепи питания анода устанавливают постоянное напряжение Ua, отмечаемое по вольтметру U2 а потенциометром RI в цепи сетки плавно меняют напряжение на сетке Uc, фиксируя значение тока Iа. Чем больше напряжение Uа, тем левее расположены характеристики. Это следует из уравнения действующего напряжения, так как при большем Ua, увеличивается по абсолютной величине и напряжение Uc, при котором триод запирается. При том же значении Uc ток Iа будет тем больше, чем больше + Ua. Расположение анодно-сеточных характеристик, как и анодных, сильно зависит от лроницаемости триода D. Чем больше проницаемость D, тем левее расположены характеристики, так как требуется большее отрицательное напряжение на сетке для компенсации поля анода и запирания лампы. Триоды с малой проницаемостью D, у которых лампа запирается при сравнительно небольших отрицательных напряжениях на управляющей сетке, получили название правых ламп, в отличие or левых ламп с редкой намоткой сетки, т. е. большой проницаемостью D, которые запираются при сравительно больших отрицательных напряжениях на сетке.
402. ТЭС - расчет канала
Другое Радиоэлектроника

Передача сообщений из одного пункта в другой составляет основную задачу теории и техники связи. Система связи - совокупность средств и среды распространения сигналов. обеспечивающих передачу некоторых сведений, или информации, от источника к потребителю. Если посмотреть прохождение сигнала по каналу связи, в который входит источник сигнала, АЦП, модулятор, линия связи, демодулятор. ЦАП. потребитель, то наиболее низкой помехозащищенностью обладает линия связи. Линия связи может представлять собой различные среды передачи сигнала, например для передачи электрического сигнала используют проводную линию, для передачи радио сигнала используют радиосвязь (начиная с простейшего радиоприемника и заканчивая сложной спутниковой связью), для передачи светового сигнала используют волоконно-оптическую линию связи. При передаче сигнала по линии связи на него воздействует, в основном, низкочастотный, случайный во времени шум. который является результатом деятельности человека (трение щеток электромотора, искрение замыкающихся и размыкающихся контактов, искрение контактной сети электровоза, взаимное влияние различных видов связи), а также природных явлений (атмосферные влияния, космические радиоизлучения), и в теории связи мы пытаемся избавиться от этих шумов путем повышения помехоустойчивости канала. Путями повышения помехоустойчивости являются: модуляция сигнала, кодирование сигнала с применением дополнительной проверки пришедшего сигнала с помощью проверочных символов, различные виды приема сигналов, повышение рабочей частоты канала.
403. Узлы функциональной электроники
Другое Радиоэлектроника
1. Сопротивление обмотки Rоб - сопротивление воспринимающей обмотки.
2. Время срабатывания(отпускания) tср(tотп) это время с момента появления сигнала на входе , до момента срабатывания , соответственно время отпускания это время отсчитываемое с момента прекращения действия сигнала на входе , до момента отключения.
3. Сопротивление контактов Rк(Rвн) характеристика выходной цепи (в замкнутом состоянии).
4. Коммутируемая мощность это произведеие коммутируемого напряжения в разомкнутом состоянии и коммутируемого тока в замкнутом.
404. Указания по лабам
Другое Радиоэлектроника

После завершения лабораторных экспериментов студент оформляет заключительный отчет по данной работе. В отчете приводится регистрация полученных результатов, объяснения к полученным зависимостям, форму-лировка общих выводов и ответы на вопросы для самоконтроля. Отчеты должны утверждаться преподавателем и, если его качество не соответст-вует установленным требованиям, дорабатывается студентом.
405. Усилители постоянного тока
Другое Радиоэлектроника

Первое требование состоит в симметрии обоих плеч ДУ. По нему необходимо обеспечить идентичность параметров каскадов ОЭ, образующих ДУ. При этом должны быть одинаковы параметры транзисторов Т1 и Т2, а также Rк1 = Rк2 (и R01 = R02). Если первое требование выполнено полностью, то больше ничего и не требуется для получения идеального ДУ. Действительно, при Uвх1 = Uвх2 = 0 достигается полный баланс моста, т. е. потенциалы коллекторов транзисторов Т1 и Т2 одинаковы, следовательно, напряжение на нагрузке равно нулю. При одинаковом дрейфе нуля в обоих каскадах, ОЭ (плечах ДУ) потенциалы коллекторов будут изменяться всегда одинаково, поэтому на выходе ДУ дрейф нуля будет отсутствовать. За счет симметрии общих плеч ДУ будет обеспечиваться высокая стабильность при изменении напряжения питания, температуры, радиационного воздействия и т.д. Все это абсолютно верно, но возникает вопрос: «Как обеспечить симметрию общих плеч в ДУ?» На первый взгляд может показаться, что решить этот вопрос довольно просто. Действительно, всегда можно подобрать пары транзисторов и резисторов с весьма близкими параметрами.. Если собрать ДУ на таких дискретных элементах, то он может быть и продемонстрируете желаемый результат, но только в относительно небольшой промежуток времени. С течением времени параметры транзисторов и резисторов будут изменяться различным образом в соответствии с законами своей собственной структуры, естественно, что на них различным образом будут влиять и внешние факторы, а следовательно, нарушится симметрия плеч со всеми вытекающими отсюда последствиями. В конечном счете можно заключить, что на дискретных элементах (изготовленных в разное время и в разных условиях) осуществить выполнение первого требования для ДУ практически невозможно. Это и обусловили тот факт, что прекрасные свойства ДУ не нашли должного использования в дискретной электронике. Приблизиться к выполнению первого основного требования для ДУ позволила микроэлектроника. Ясно, что симметрию общих плеч ДУ могут, обеспечив лишь идентичные элементы в которых все одинаково и которые были изготовлены в абсолютно одинаковых условиях. Так, в монолитной ИС близко расположенные элементы действительно имеют почти одинаковые параметры. Следовательно, в монолитных ИС первое требование к ДУ почти выполнено. Это «почти» позволяет реализовать ДУ пусть не с идеальными, но все же с хорошими параметрами, но при непременном условии выполнения второго основного требования к ДУ.
406. Усилитель для направленного микрофона
Другое Радиоэлектроника

Двухтактный оконечный каскад собран по бестрансформаторной схеме. Такой тип каскада характеризуется простотой схемы, отсутствием нестандартных деталей, высокими качественными показателями, более высокой стабильностью, чем у трансформаторных каскадов, малыми габаритами и весом. Недостатки бестрансформаторных каскадов - меньший коэффициент усиления по мощности, чем у трансформаторных каскадов, следовательно большая мощность, потребляемая от предоконечного каскада, и более высокий коэффициент нелинейных искажений. Применение более глубокой, чем в трансформаторных каскадах, отрицательной обратной связи позволяет снижать нелинейные искажения до величины, не превышающей нелинейные искажения в каскадах с трансформаторами.
407. Усилитель многоканальной системы передачи
Другое Радиоэлектроника

1.Введение стр.21.1Задание параметровстр.32. Эскизный расчет стр.42.1Структурная схема усилителя с одноканальной ОСстр.42.2Выбор транзисторов и расчет режима работы.стр.52.3Расчет необходимого значения глубины стр.72.4Определение числа каскадов усилителя и выбор транзисторов предварительных каскадовстр.82.5Проверка выполнения условий стабильности коэффициента усиления.стр.93.Выбор схемы цепи усиления и расчет по постоянному токустр.93.1Варианты схем включения каскадовстр.103.2Расчет каскадов усилителя по постоянному токустр.114.Расчет коэффициента усиления и параметров АЧХстр.135.Расчет пассивных узлов структурной схемы усилителястр.165.1Выбор и расчет входных и выходных цепейстр.165.2Расчет элементов обратной связистр.186.Расчет и построение характеристик передачи по петле ОСстр.206.1Характеристик передачи по петле ОС стр.206.2 Факторы влияющие на максимально допустимую глубину ОСстр.216.3 Построение ЛАХ Т(f)стр.217.Составление принципиальной схемы стр.28
408. Усилитель мощности на дискретных элементах
Другое Радиоэлектроника
409. Усилительные каскады в области высоких частот
Другое Радиоэлектроника

Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн. Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области высоких частот нельзя.
410. Устройства защиты громкоговорителей
Другое Радиоэлектроника

Описание различных видов схем защиты громкоговорителей
411. Устройства СВЧ
Другое Радиоэлектроника

Реактивные нагрузки, применяемые в качестве мер при измерениях на СВЧ, а также в согласующих и управляющих устройствах СВЧ, должны обладать стабильным нормированным входным сопротивлением, величина которого может быть строго рассчитана по геометрическим размерам. В качестве реактивных двухполюсников обычно используют короткозамкнутые отрезки закрытых линий передачи, иначе говоря короткозамкнутые шлейфы. Реактивное сопротивление короткозамкнутого шлейфа определяют по формуле, где ZВ нормированное волновое сопротивление; - коэффициент фазы, l - длина шлейфа. Основным параметром, характеризующим качество реального шлейфа, является величина входного КСВ, которая должна быть как можно более высокой. В нерегулируемых коаксиальных или волноводных шлейфах с неподвижным запаянным поршнем КСВ может достигать. 500 и более. В регулируемых шлейфах с подвижными поршнями значения КСВ из-за дополнительных потерь в контактах получаются ниже, однако, как правило, превышают 100. Холостой ход в шлейфах, т.е. размыкание выхода, может быть реализован только в закрытых многопроводных линиях передачи, когда устранено излучение.
412. Устройства цифровой индикации
Другое Радиоэлектроника

Двоичной коммутации на выходе счётчика отражают его состояние при поступлении входных импульсов от генератораGТ. Преобразователь У2 двоично-десятичный код преобразовывает в код семисегментного цифрового индикатора, поступающий одновременно на все индикаторы. Номер подключаемого индикатора задаётся в двоичном коде с выходов счётчика У3, который потом дешифрируется дешифратором. Выходы дешифратора подключаются ко входам S индикаторов У5 (DD6 DD9), обеспечивая подключение соответствующего индикатора. Время подключения индикатора очень мало (10 15 мсек.), оно подобрано таким образом, чтобы не было заметно “мигания” индикаторов для человеческого глаза и определяется тактовой частотой генератора GТ.
413. Устройство газопровода. Прокладка газовой сети
Другое Радиоэлектроника
414. Устройство деления 16-ти разрядных чисел с плавающей запятой
Другое Радиоэлектроника
415. Устройство и принцип действия накопителей CD-ROM
Другое Радиоэлектроника

Компания Western Digital разработала так называемую спецификацию Enchanced IDE. Этот документ поддержали практически все ведущие компании по производству накопителей. Этот интерфейс позволяет подключать одновременно до четырех приводов жестких дисков. Но самое главное, спецификация Enchanced IDE позволяет не только увеличить количество подключаемых устройств, но и использовать другие типы устройств, например приводы CD-ROM или стримеры. В частности, Western Digital для поддержки накопителей CD-ROM с интерфейсом IDE предлагает протокол ATAPI (ATA Packed Interface). ATAPI является расширением протокола ATA и требует незначительных изменений в системной BIOS. В общем случае используется специальный драйвер. В последнее время появились накопители, которые поддерживают не только интерфейс IDE, но и EIDE/ATAPI.
Как известно, интерфейс SCSI стал одним из важнейших промышленных стандартов для подключения таких периферийных устройств, как, например, винчестеры, стримеры, лазерные принтеры, приводы CD-ROM и т.п. Необходимо отметить, что SCSI - интерфейс более высокого уровня, нежели IDE. Физически SCSI-шина представляет собой плоский кабель с 50-контактными раз'емами, через которые можно подключить до восьми периферийных устройств. Стандарт SCSI определяет два способа передачи сигналов - синфазный и дифференциальный. Версии шины SCSI с дифференциальной передачей сигнала даят увеличить длину шины. Чтобы гарантировать качество сигналов на магистрали SCSI, линии шины должны иметь согласование с обеих сторон (набор согласующих резисторов, или терминатор).
416. Устройство Оже-спектрометра
Другое Радиоэлектроника
417. Устройство синхронизации информационных импульсов, поступающих в произвольные моменты времени, с ближайшим спадом тактового импульса
Другое Радиоэлектроника
418. Учебная практика по специальности ТО и ремонт РЭА
Другое Радиоэлектроника
1. Введение…………………………………………………………………………………………….3 стр.
2. Проделанная работа на практике.
3. Рабочий инструмент………………………………………………………………………….. 3стр.
4. Элементарная база……………………………………………………………………………..3 стр.
5. Методы проверки элементов…………………………………………………………………..5 стр.
6. Разработка печатных плат……………………………………………………………………...9 стр.
7. Пайка..………………………………………………………………………………………….11 стр.
8. Краткое описание устройства.
9. Электрическая схема………………………………………………………………………….12 стр.
10. Спецификация…………………………………………………………………………………12 стр.
11. Печатная плата………………………………………………………………………………...12 стр.
12. Принцип действия……………………………………………………………………………..12 стр.
13. Заключение.
14. Полученные навыки…………………………………………………………………………..13 стр.
15. Назначение устройства………………………………………………………………………..13 стр.
16. Список литературы……………………………………………………………………………13 стр.
17. Приложение……………………………………………………………………………………13 стр.
419. Фазовый и частотный методы измерения дальности
Другое Радиоэлектроника

Передающее устройство состоит из генератора высокой частоты, модулятора, изменяющего частоту генерируемых колебаний по пилообразному или синусоидальному закону, и передающей антенны А1. Первым каскадом приемника является смеситель, с которого начинается Корреляционно-фильтровая обработка: в смесителе перемножаются отраженный сигнал uотр(t), который подводится от приемной антенны А2, с опорным сигналом uпр(t), который подводится по короткому кабелю от передатчика; накопление энергии происходит в RC-фильтрах нижних частот, следующих за перемножителем. Как во всяком смесителе, перемножение происходит в нелинейном элементе и в результате образуются составляющие суммарной и разностной частот отраженного и опорного (прямого) сигналов. Сигнал с частотой биений пропускается к усилителю низкой частоты, а составляющие суммарных частот подавляются фильтрами нижних частот смесителя.
420. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС
Другое Радиоэлектроника

Сложившееся в практике проектирования разделение труда между разработчиками БИС, с одной стороны, и учет реальных возможностей современных ЭВМ -- с другой, диктуют иной метод моделирования. Общепринятым в настоящее время является метод, согласно которому на азличных у овнях модели гния используют различные модели. Это о еспечивает достижение разумного компромисса: сложность модели -точность моделирования. Кроме того, такой метод позволяет достаточно гибко и оперативно проводить сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными и уточнять исходные значения, т. е. осуществлять итерационный процесс оптимизации приборных структур по электpофизическим параметpам с учетом заданных электрических паpаметpов, пpинятых огpаничений. Этот метод позволяет также соразмерять возможности численного моделирования по точности с точностью исходных данных. В условиях резкого увеличения размерности задач, характерного для этапа создания СБИС и УБИС, главной тенденцией развития методов моделирования стало совмстное пpименения моделей различных иерархических уровней. Идея многоуровневого моделирования структур элементов БИС подразумевает комплексное использование при проектировании различных моделей одного и того же объекта -полупроводникового прибора транзисторного типа. На этапе технологического молелирования применяют модели, имитирующие процессы ионного легирования диффузии, эпитаксиального (гомо, гетеpо, молекуляpного) наращивания и оксидиpования. Именно эти процессы в основном определяют распределение примесей в полупроводниковых структурах, глубины и конфигурации р-n-переходов. Кроме этих моделей используют модели процессов формирования поверхностных конфигураций (топологии). Такими моделями являются модели литогpафии, исключающие нанесение и тpавление пленок. Исходными данными для моделирования являются параметры режимов соответствующего технологического оборудования (время обработки, температура, наружнос давление, доза и энергия ионной бомбардировки и т. п. ) Общее назначение моделей технологических пpоцессов -- модели планарной технологии создания БИС -- состоит в получении информации о конфигуpации и pазмеpах областей, распределении примесей в полупроводниковой структуре. На основании этой информации по известным зависимостям опpеделяют элекpтpофизические параметры отдельных рабочих областей сpтуктуры, ырпример подвижность, время жизни носителей, скорость рекомбинации и т. п. Как объект моделиpовадця полупроводниковыи при- бор представляет собой тpехмеpную структуpу из полуоводниковых; диэлектрических и металлических областей со сложным распределением концентраций легиpующих примесеи и с различными электpофизическими паpаметpами Кроме того, особенностью объекта моделирования является множество физических процессов, протекающих в его структуре, и сложный характер взаимодействия с окружающей средой. Исходя из задач пpоектирования элементной базы в качестве основных определены следующйе классы моделей интегральных структур: 1) стpктуpно-физические 2) физико-топологические, 3) электpические. Совокупность моделей образует систему, взаимосвязи в которой определяются иерархическим принципом. Модели, используемые на каждом последующем более высоком уровне проектирования, отличаются большей степенью абстрагирования. Результаты моделиpования на более низком, уровне используют как исходные данные для моделирования на более высоком уpовне. Для каждого уровня характерны своя теоретическая основа и математический аппарат для синтеза и анализа моделей. На пеpвом уpовне моделиpование производят наиболее детально. Hа основе феноменологической теоpии полупроводников рассматривают физические процессы в полуоворниковой структуpе: дрейф, диффузию, генерацию и рекомбинацию основных и неосновных носителей заряда. Исходными данными являются структурно-технологические параметры (геометрия структуры и распределение концентрации примесей в ней). В pезультате моделирования получают пространственно-временные распpеделения подвижных носителей заряда и электрического потенциала в стpуктуpе.

Blog

Информация по предмету Радиоэлектроника